「ゲート材料」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

主ゲートからキャビティに材料を注入した後、バルブゲートからキャビティに対し主ゲートからの材料の注入向きと反対向きに材料を注入することによって、主ゲートからの材料注入時に生じた非透明化部分を主ゲート側に押し戻す。例文帳に追加

After the material is filled in the cavity 310 from the main gate 407, the material is filled from the valve gate 447 with respect to the cavity 310 in the direction opposite to the filling direction of the material from the main gate 407, to push back a nontransparent portion generated during the material filling from the main gate 407 to the main gate side. - 特許庁

そして、Ｔ型ゲート電極は水と反応する材料を含むゲートメタルから構成される。例文帳に追加

The T-shaped gate electrode comprises a gate metal containing a material which reacts with water. - 特許庁

次に、ゲート絶縁膜１０２上に金属材料を含むゲート電極層１０３を形成する。例文帳に追加

Then, a gate electrode layer 103 containing a metal material is formed on the gate insulation film 102. - 特許庁

その後、ゲート電極の材料を、ゲートトレンチ６および開口２７に埋設する。例文帳に追加

After that, the material of a gate electrode is embedded in the gate trench 6 and the opening 27. - 特許庁

バルブケーシングのゲート側及び反ゲート側における材料通路の断熱性を向上する。例文帳に追加

To enhance the heat insulating properties of a material passage on the gate side and anti-gate side of a valve casing. - 特許庁

成形材料の流路の一部としてゲートランド８９およびフィルムゲート８８を有する。例文帳に追加

It has a gate land 89 and a film gate 88 as part of the passage of a material to be shaped. - 特許庁

ＳＯＩ基板の半導体層の上にゲート酸化膜、ゲート電極材料を順次形成し、ゲート電極のパターニングを行う。例文帳に追加

A gate oxide film and a gate electrode material are sequentially formed over a semiconductor layer of an SOI substrate and gate electrodes are patterned. - 特許庁

そして、半導体層３ａ，３ｂ上にゲート絶縁膜５ａ，５ｂを形成し、ゲート絶縁膜５ａ，５ｂ上にゲート電極材料を積層する。例文帳に追加

Gate insulation films 5a and 5b are formed on the semiconductor layers 3a and 3b, respectively, and a gate electrode material is stacked on the gate insulation films 5a and 5b. - 特許庁

ゲート構造は、ゲート誘電体層に形成されるゲート電極層を備える材料スタックを連続してエッチングすることにより製造される。例文帳に追加

The gate structure is manufactured by sequentially etching a material stack provided with a gate electrode layer formed on a gate dielectric layer. - 特許庁

そして、ダミーゲート３２のエッチングにより現れるゲート絶縁膜８上に、金属材料からなるゲート電極９を形成する。例文帳に追加

Then, a gate electrode 9 formed of a metal material is formed on the gate insulation film 8 appearing by the etching of the dummy gate 32. - 特許庁

ゲート配線のゲート電極部、ゲート端子部のそれぞれの要求性能毎にキャップ層の材料とＩＪ用インク形態の最適化を図る。例文帳に追加

To optimize materials of a cap layer and ink forms for IJ by every required performance of a gate electrode part and a gate terminal part of gate wiring. - 特許庁

その後第２のゲート電極材料膜１６ｂを堆積し、層間ゲート絶縁膜１７を介して制御ゲート電極１８を形成する。例文帳に追加

Then, a second gate electrode material film 16b is deposited, and a control gate electrode 18 is formed through an inter-layer gate insulating film 17. - 特許庁

第３層ゲート電極材料膜Ｌ３は開口９を介して第１層ゲート電極材料膜Ｌ１にコンタクトする。例文帳に追加

The third layer gate electrode material film L3 contacts the first layer electrode material film L1 through an opening 9. - 特許庁

一方のゲート電極２Ｒは透過率が１％未満の材料からなり、他方のゲート電極２Ｆは透過率が１％以上の材料からなる。例文帳に追加

The gate electrode 2R on one side is composed of a material whose transmissivity is at less than 1%. - 特許庁

ゲート電極部と配線部とを異なる材料で構成することで、ゲート電極部および配線部の構成材料を最適化できる。例文帳に追加

By forming the gate electrode and the interconnection portion from different materials, the constituent materials of the gate electrode and the interconnection portion can be optimized. - 特許庁

そして、ゲート電極形成予定領域の外側に存在するゲート電極材料層の領域部分を除去するとともに、残存したゲート電極材料層の領域部分からゲート電極４１を形成する。例文帳に追加

Then region parts of the gate electrode material layers present outside the gate electrode formation expected regions are removed, and a gate electrode 41 is formed of a region part of the remaining gate electrode material layer. - 特許庁

メモリトランジスタＭＴの浮遊ゲート４は第１層ゲート電極材料膜Ｌ１により形成され、制御ゲート６は第２層及び第３層ゲート電極材料膜Ｌ２及びＬ３の積層膜により形成される。例文帳に追加

A floating gate 45 of a memory transistor MT is formed of a first layer gate electrode material film L1, and a control gate 6 is formed of laminated film of a second and a third layer gate electrode material films L2, L3. - 特許庁

選択ゲートトランジスタＳＴのゲート電極８は、第１層ゲート電極材料膜Ｌ１とこれに層間絶縁膜５を介して積層された第２層及び第３層ゲート電極材料膜Ｌ２及びＬ３により形成される。例文帳に追加

A gate electrode 8 of a selective gate transistor ST is formed of the first layer gate electrode L1 and the second and the third layer gate electrode material films L2, L3 laminated on the first layer film L1 via an inter-layer insulation film 5. - 特許庁

ゲート電極材料膜形成時に形成されたゲート電極材料膜／高誘電率ゲート絶縁膜の界面における寄生低誘電率界面層を還元し、ゲート絶縁膜の薄膜化を実現する。例文帳に追加

To realize the thinning of a gate insulating film by reducing a parasitic low dielectric-constant interface layer on the interface of a gate-electrode material film/a high dielectric-constant gate insulating film formed when the gate-electrode material film is formed. - 特許庁

炭化タンタルにイットリウムを添加した材料でゲート電極を作成する。例文帳に追加

The gate electrode is made of yttrium-doped tantalum carbide. - 特許庁

第一、第二のゲート電極には仕事関数の異なる材料を用いる。例文帳に追加

As the materials for the electrodes 7 and 8, materials having different work functions are used. - 特許庁

スプルーブッシュ14は材料溜まり17に連通するピンゲート16を有する。例文帳に追加

The sprue bush 14 has the pin gate 16 communicating with the material sump 17. - 特許庁

次に、トラップ膜２上にゲート電極材料を堆積する。例文帳に追加

A gate electrode material is deposited on the trap film 2. - 特許庁

高誘電率材料上のその場でドープされたゲートの活性化例文帳に追加

ACTIVATION OF GATE DOPED ON HIGH DIELECTRIC CONSTANT MATERIAL - 特許庁

基板は、誘電体５の層およびゲート材料により覆われる。例文帳に追加

The substrate is covered by a layer of a dielectric material 5 and a gate material. - 特許庁

高比誘電率絶縁材料を用いた三重ゲート酸化膜製造方法例文帳に追加

PROCESS FOR FORMING TRIPLE GATE OXIDE FILM USING HIGH DIELECTRIC CONSTANT INSULATING MATERIAL - 特許庁

デバイス内の異なる型のトランジスタのゲートは異なる材料を含む。例文帳に追加

Gates of different type transistors in a device include different materials. - 特許庁

ゲート絶縁層１２の上に有機電子材料層１３を設ける。例文帳に追加

An organic electronic material layer 13 is provided on the gate insulating layer 12. - 特許庁

Ｐ型用ゲート電極27にアルミニウム系の材料を用いなくて済む。例文帳に追加

The aluminum-based material needs not to be used for the gate electrode 27 for p-types. - 特許庁

半導体装置は、半導体基板１０１上に、ゲート絶縁膜１０５と、ｐＭＩＳ用金属材料１０９又はｎＭＩＳ用金属材料１１１と、ゲート電極材料１１２と、ゲート側壁メタル層１２２とを備えている。例文帳に追加

The semiconductor device includes a gate insulation film 105, a pMIS metal material 109 or an nMIS metal material 111, a gate electrode material 112, and a gate side wall metal layer 122 on a semiconductor substrate 101. - 特許庁

さらに、前記ゲート電極埋め込み用溝に前記ダミーゲート絶縁膜よりも膜厚の薄いゲート絶縁膜を形成し、前記ゲート絶縁膜上に電極材料を埋め込んでゲート電極を形成する。例文帳に追加

A gate insulating film thinner than the dummy gate insulating film is formed in the trench for burying the gate electrode, and an electrode material is buried on the gate insulating film to form the gate electrode. - 特許庁

この方法では、ダミー置換ゲートを堆積する工程と、素子を高温処理にかける工程と、ダミーゲート２８Ａを除去する工程と、その後に、ゲート領域内に、ゲート誘電体層３２となる誘電体材料および最終的なゲート材料を堆積する工程とを含む。例文帳に追加

This method comprises a process for building up a dummy displacement gate, a process for carrying out high temperature treatment to elements, a process for removing a dummy gate 28A, and a process for building-up dielectric materials to be turned into the gate dielectric layer 32 and final gate materials in the gate area. - 特許庁

Ｎ型用ゲート電極25およびゲート配線26にアルミニウム系材料を用い、Ｐ型用ゲート電極27にモリブデン系やタングステン系の材料を用いる。例文帳に追加

An aluminum-based material is used for the gate electrode 25 for n-types and the gate wiring 26, and molybdenum- and tungsten-based materials are used for the gate electrode 27 for p-types. - 特許庁

Ｐ型用ゲート電極27に用いる金属材料の抵抗値より抵抗値が小さな金属材料をＮ型用ゲート電極25およびゲート配線26に用いる。例文帳に追加

A metal material has a resistance value smaller than that of a metal material used for a gate electrode 27 for p-types, and is used for a gate electrode 25 for n-types and gate wiring 26. - 特許庁

次に、ゲート電極材料１２０′をストッパとしてシリコン窒化膜１２５′を異方性エッチングすることで、ゲート電極材料１２０′のうちゲート位置決め膜１１５に起因した凸部の側面にサイドウォール１２５を形成する（図１（ｄ））。例文帳に追加

With the material 120' used as a stopper, the film 125' is then anisotropically etched to form a sidewall 125 on the side face of the protrusion caused by the film 115 of the material 120' (Fig. (d)). - 特許庁

ＣＭＯＳデバイスのＰＭＯＳおよびＮＭＯＳゲートで共通の材料が使用でき、同じゲート金属材料を使用して異なる仕事関数が生成できるスタック金属ゲートＭＯＳＦＥＴおよび製造方法が提供される。例文帳に追加

To provide a stack metal gate MOSFET, which can use a common material at PMOS and NMOS of CMOS device and generate different work functions using the same metal material, and to provide a manufacturing method thereof. - 特許庁

また、３個のゲート（ピンポイントゲート）によって射出成形されるため、リング状ゲートを使用して射出成形される場合に比較し、無駄にする樹脂材料が少なくなり、樹脂材料の利用効率が向上する。例文帳に追加

And also, as the injection molding is carried out by using three gates (pin point gate), a wasted resin material is decreased, as compared with the case of an injection molding using a ring shaped gate. - 特許庁

ゲート絶縁膜やゲート電極を構成する材料がエッチングされることが無く、高い信頼性を有するゲート電極を有する絶縁ゲート電界効果トランジスタを提供する。例文帳に追加

To provide an insulated gate field effect transistor having a gate electrode having high reliability without its gate insulating film or the gate electrode being etched. - 特許庁

メタルゲート形成用等の金属原子が半導体基板、特にゲート絶縁膜に残存することによるゲートリーク電流の増大又はゲート電極の形成材料における仕事関数の変動を防止できるようにする。例文帳に追加

To prevent an increase in gate leakage current or variation of the work function of a gate electrode forming material caused by metal gate forming and other metal atoms remaining on a semiconductor substrate, especially in a gate insulating film. - 特許庁

ゲート電極がゲート絶縁膜に接触する部分とゲート電極がゲート絶縁膜に接触する部分とは互いに異なる材料から形成されている。例文帳に追加

The part at which the gate electrode makes a contact with the gate insulator film and the part at which the gate electrode makes a contact with the gate insulator film are formed of materials that are different from each other. - 特許庁

コントロールゲートは、エッチングで加工可能な金属または金属シリサイドから成る下層コントロールゲート部分と、下層コントロールゲート部分とは異なる材料を用いた上層コントロールゲート部分とを備えている。例文帳に追加

The control gate has a lower layer control gate portion composed of a metal or a metal silicide workable by etching, and an upper layer control gate portion in which a material different from a material of the lower layer control gate portion is used. - 特許庁

特に、銀を主成分とし、インジウムを含んだ銀合金材料をゲート配線１３やゲート電極１７に用いるのが好ましい。例文帳に追加

In particular, the silver alloy material essentially consisting of silver and comprising indium is preferably used for the gate wiring 13 and the gate electrode 17. - 特許庁

この有機半導体装置は、ゲート電極２と、ゲート絶縁膜３と、有機材料層４と、電極５，６とを備えている。例文帳に追加

The organic semiconductor device comprises: a gate electrode 2; a gate insulating film 3; an organic material layer 4; and electrodes 5, 6. - 特許庁

ノッチ付きゲートＭＯＳ素子が、カプセル化された低誘電材料またはカプセル化された空気若しくは真空を、ノッチ付きゲートの底部に含む。例文帳に追加

A notched gate MOS element includes an encapsulated low- permittivity material or capsuled air or vacuum on the bottom of the notched gate. - 特許庁

次に、ゲート電極材料を、加工用マスクを用いてパターニングし、複数のゲート電極５を形成する。例文帳に追加

The gate electrode material is patterned by using a mask for processing, and two or more gate electrodes 5 are formed. - 特許庁