「ゲート材料」に関連した英語例文の一覧と使い方(11ページ目) - Weblio英語例文検索

基板上に誘電率の低い界面層が形成されることを防止しつつ、高誘電率材料のみからなるゲート絶縁膜を形成できるようにし、それによってＭＯＳＦＥＴの性能を向上させる。例文帳に追加

To enhance the performance of an MOSFET by forming a gate insulation film only of a high permittivity material while preventing formation of an interface layer having a low permittivity on a substrate. - 特許庁

同一半導体基板上にｐＭＯＳトランジスタとｎＭＯＳトランジスタとを有し、これらＭＯＳトランジスタのゲート電極が金属あるいは金属化合物からなる材料で形成された半導体装置である。例文帳に追加

In the semiconductor device, a pMOS transistor and nMOS transistor are provided on an identical semiconductor substrate, and gate electrodes of the MOS transistors are made of a metal or metallic compound. - 特許庁

前記第２表面パッシベーション膜は、前記ゲート電極、前記ソース電極、および前記ドレイン電極よりも融点が高い材料で形成される。例文帳に追加

The second surface passivation film is formed of a material having a melting point higher than that of each of the gate electrode, the source electrode and the drain electrode. - 特許庁

ゲート電極材料層における上層のチタン膜４および中間層のアルミニウム膜３のドライエッチングをＣｌ_2及びＢＣｌ_3を用いて行う。例文帳に追加

An upper-layer titanium film 4 and an intermediate-layer aluminum film 3 of a gate electrode material layer are dry-etched, using Cl2 and BCl3. - 特許庁

この方法は、半導体基板上にゲート構造を形成するステップと、基板内に凹部を形成して、凹部内に第２の半導体材料を埋め込むステップとを含む。例文帳に追加

This method includes a step of forming a gate structure on a semiconductor substrate, and a step of forming a recess in the substrate to embed a second semiconductor material in the recess. - 特許庁

その後、高誘電体膜の表面にシリコン窒化膜を形成し（ステップＳ３）、この窒化膜上に、ポリシリコンなどのゲート電極材料を堆積する（ステップＳ４）。例文帳に追加

Then, a silicon nitride film is formed on a surface of the high dielectric film (step S3); and a gate electrode material such as polysilicon is deposited on the nitride film (step S4). - 特許庁

これにマイクロ波を照射することにより、ゲート電極が発熱し、この熱により半導体前駆体材料薄膜が加熱され、酸化物半導体膜に変換され半導体層１０１が形成される。例文帳に追加

By irradiating it with microwaves, the gate electrode generates heat and the semiconductor precursor material thin film is heated accordingly and is converted to an oxide semiconductor film, so that a semiconductor layer 101 is formed. - 特許庁

ゲートコンタクト層は、特定の半導体系（例えば、ＩＩＩ属窒化物）と共に使用される場合に、高ショットキー障壁を有し、かつ高温で動作しているときに、低減された劣化を呈する材料で製作される。例文帳に追加

The gate contact layer is made of a material that has a high Schottky barrier when used in conjunction with a particular semiconductor system (such as a group III nitride) and exhibits decreased degradation when operating at high temperatures. - 特許庁

そして、レジストマスク３５上のＰＭＯＳ用電極材料３７をレジストマスク３５とともにリフトオフすることにより、ＰＭＯＳ用ゲート電極２２を形成する。例文帳に追加

Then, the electrode material 37 for PMOS on the resist mask 35 is lifted off together with the resist mask 35, thus forming a gate electrode 22 for PMOS. - 特許庁

ＴＦＴ基板に形成する薄膜トランジスタのゲート絶縁膜を高誘電率材料を用いた厚膜とし、かつ十分なイオンをドーピングする。例文帳に追加

To make a gate insulating film of a thin film transistor formed on a TFT substrate as a thick film using a high dielectric material, and dope enough ion thereinto. - 特許庁

ゲート電極８と層間絶縁膜１１との間には、エピタキシャル層３とはエッチングレートの異なる材料からなるエッチングストッパ層１４を介在させる。例文帳に追加

An etching stopper layer 14 made of a material having an etching rate different from that of the epitaxial layer 3 is interposed between the gate electrode 8 and the interlayer dielectric 11. - 特許庁

表面ラフネスを小さく抑えたゲート絶縁膜上に有機半導体材料からなる膜質の良好なチャネル層を形成することが可能で、半導体装置の高性能化を図ることが可能な製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a manufacturing method which can form a channel layer having favorable film quality and made of an organic semiconductor material on a gate insulation film having small surface roughness, and can improve the performance of a semiconductor device. - 特許庁

低抵抗化が図られたゲート電極と、同一材料の上部電極及び下部電極から成る容量を有する半導体装置の製造方法の合理化を図る。例文帳に追加

To enable the rationalization of a method for manufacturing a semiconductor device that has capacitance comprising a gate electrode whose resistance can be made low and an upper electrode and a lower electrode that are made of the same material. - 特許庁

メッキ処理する前の配線をゲート電極と同じ材料で形成し、その配線の表面をメッキ処理してソース信号線または電源供給線を形成することが望ましい。例文帳に追加

It is preferable that the source signal lines or the power supply lines are formed by forming the wiring prior to the plating process from the same material as gate electrodes, and processing the surfaces of the wiring by plating. - 特許庁

そして、３層ポリメタルゲート１１が露出することなく、ポリシリコンより酸素の拡散速度の遅い材料からなる酸化防止膜７で覆われる。例文帳に追加

The three layer polymetal gate layer 11 is not exposed but covered with an oxidation preventive film 7 composed of a material having an oxygen diffusion rate lower than that of silicon. - 特許庁

基板上にトンネル酸化物層を形成した後、トンネル酸化物層の一部上に導電材料からなるピークフローティングゲート層を形成する。例文帳に追加

After a tunnel oxide layer is formed on a substrate, a peak floating gate layer composed of a conductive material is formed on part of the oxide layer. - 特許庁

本発明のパワーＭＯＳＦＥＴ１では、ポリシリコンゲート２７の下方に、低濃度不純物がドープされたポリシリコンからなる半導体材料２２が配置されている。例文帳に追加

In the power MOSFET1, a semiconductor material 22 of polysilicon in which a low-concentration impurity is doped is disposed below a polysilicon gate 27. - 特許庁

これにより、半導体材料との間の酸化速度の差の影響を受けることなく、均一で膜質のよい熱酸化膜から成るゲート絶縁膜を形成することができる。例文帳に追加

By this setup, the gate insulating films formed of thermal oxidation films uniform and excellent in quality can be formed without being affected by an oxidation speed difference between semiconductor materials. - 特許庁

そして、形成したシリコン窒化膜を、ゲート電極材料の側壁に対応する部分に形成されているシリコン窒化膜を残して除去した後（ステップＳ６）、第２のシリコン酸化膜を除去する（ステップＳ７）。例文帳に追加

Then, the formed silicon nitride film is removed while the silicon nitride film formed corresponding to the sidewalls of the gate electrode materials is left (a step S6), and the second silicon oxide film is removed (a step S7). - 特許庁

イオン注入損傷の保護用酸化膜の形成時に、金属材料を含むゲート電極の損傷や剥離を防止できる半導体装置の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for manufacturing a semiconductor device capable of preventing damage or peeling of a gate electrode containing metal material when forming an oxide film for protecting against ion implantation damage. - 特許庁

ここで、ゲート電極６は、例えば５００℃程度の比較的に低温で酸化シリコン膜と化学反応する高融点金属材料を含んで構成されている。例文帳に追加

Here, the gate electrode 6 is formed containing a refractory metal material chemically reacting with the silicon oxide film at a relatively low temperature of, for example, about 500°C. - 特許庁

第１ゲート絶縁膜１１０は半導体基板１００上に形成されており、酸化シリコン又は酸窒化シリコンよりも比誘電率が高い材料から構成されている。例文帳に追加

The first gate insulator 110 is formed on the semiconductor substrate 100 and is composed of a material having a relative dielectric constant higher than oxide silicon or silicon oxynitride. - 特許庁

多結晶シリコンＴＦＴ１を製造するにあたって、波長が３００〜７００ｎｍにおける平均反射率が５０％以上の導電材料としての銀を用いてゲート電極６を形成する。例文帳に追加

When manufacturing a polycrystalline silicon TFT1, a gate electrode 6 is formed using silver as a conductive material having a wavelength of 300-700 nm and an average reflection factor of 50% or higher. - 特許庁

ゲート電極２２ｎ、２２ｐ下におけるチャネル形成領域を挟むように、半導体基板１とは格子間隔の異なる材料の半導体層４，５が半導体基板１に埋め込まれて形成されている。例文帳に追加

Semiconductor layers 4 and 5 made of a material whose lattice spacing is different from that of the semiconductor substrate 1 are embedded in the semiconductor substrate 1, in a manner to pinch a channel formation area beneath the gate electrodes 22n and 22p. - 特許庁

高ｋ誘電材料を含む少なくとも１つの構造体のウェハ接合を利用して、半導体電子デバイスのためのゲート・スタックを形成する方法が提供される。例文帳に追加

There is provided the method of forming a gate stack for a semiconductor electron device using the wafer bonding of at least one structure containing a high k dielectric material. - 特許庁

Ｈｉｇｈ−Ｋ材料を含有し、金属酸化物と同等の比誘電率を有するゲート絶縁膜を具備したＭＩＳ型電界効果トランジスタを有する半導体装置を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor device comprising an MIS field effect transistor which has a gate insulating film containing a High-K material and having a dielectric constant equivalent to metal oxide. - 特許庁

熱伝導性部材４４の熱伝導度が、各半導体領域及びゲート電極３４を形成している材料の熱伝導度よりも大きいことを特徴としている。例文帳に追加

Thermal conductivity of the heat conductive member 44 is larger than that of a material of which each semiconductor region and the gate electrode 34 are made. - 特許庁

光輝材を添加した樹脂材料製の成形部品に発生するウエルドラインの発生を防止して外観不良を改善するためのサイドゲート式の射出成形金型を提供する。例文帳に追加

To provide a side gate type injection molding mold for inhibiting generation of a weld line generated on a molded part made from a resin material which is loaded with a luminosity material, and for improving defective appearance. - 特許庁

ゲート電極７と共にユニット化したカソード電極６に、弾性を有する無機材料からなる複数の脚部３０固設し、この脚部３０を介してカソード電極６を真空容器５に保持する。例文帳に追加

A plurality of leg parts 30 composed of elastic inorganic material are fixed to the cathode electrode 6 provided as a unit with the gate electrode 7 and the cathode electrode 6 is held in the vacuum container 5 via the leg parts 30. - 特許庁

フィンのドーピング工程は、ゲートスタックのパターニング工程後に、少なくともフィンの上面にブロッキングマスク材料を堆積する工程により行われる。例文帳に追加

The step for doping the fin is carried out by depositing a blocking mask material at least on the top surface of the fin after patterning the gate stack. - 特許庁

薄膜トランジスタ１は、表面層を構成するポリパラキシリレン層７ｂとこれとは異なる材料からなる有機絶縁層７ａとを積層してなるゲート絶縁膜７を備えている。例文帳に追加

The thin film transistor 1 has the gate insulating film 7 formed by laminating a polyparaxylylene layer 7b forming a surface layer and an organic insulating layer 7a made of a different material therefrom. - 特許庁

簡素な機構を有するにも拘わらず、正確に電子放出層を構成する材料の評価やゲート電極の構造の評価を行うことができる冷陰極電界電子放出構造体の評価装置を提供する。例文帳に追加

To provide an assessment unit for cold-cathode field electron emission structure that can assess materials which precisely comprise an electron emitting layer and a structure of the gate electrode, in spite of a simple mechanism. - 特許庁

環状の製品キャビティの外周側に環状の材料通路があるゲート切断機構付き成形用金型から成形品を確実に保持して取り出す。例文帳に追加

To effectively hold and take out a molded article from a mold for molding with a gate cutting mechanism with an annular material passage at an outer peripheral side of an annular product cavity. - 特許庁

金属材料からなるゲート電極を有するｎチャネル型ＭＩＳトランジスタおよびｐチャネル型ＭＩＳトランジスタの製造工程を簡略化する。例文帳に追加

To simplify a process of manufacturing an n-channel type MIS transistor and a p-channel type MIS transistor with gate electrodes consisting of a metal material. - 特許庁

高誘電率材料を用いたゲート絶縁膜を有するトランジスタに、キャリアの移動度の劣化及び閾値電圧の絶対値の上昇を防止し且つ熱力学的に安定した特性を得られるようにする。例文帳に追加

To prevent deterioration in the mobility of carriers and an increase in an absolute value of a threshold voltage, and obtain thermodynamically stable property for a transistor having a gate insulation film employing a high dielectric constant material. - 特許庁

また、ゲート電極層８に接続される電極端子１の中間部６を、１０〜５０００μΩｃｍの固有抵抗を有する材料により形成する。例文帳に追加

The intermediate part 6 of the electrode terminal 1 connected with the gate electrode layer 8 is formed of a material having a specific resistance of 10-5000 μΩcm. - 特許庁

ポリイミドと金属材料の混合物からなるゲート絶縁膜を有する高性能な有機半導体装置およびその製造方法を提供することを課題とする。例文帳に追加

To provide a high-performance organic semiconductor device having a gate insulating film composed of a mixture of polyimide and a metallic material, and to provide a method of manufacturing the device. - 特許庁

表面保護膜を形成することにより、半導体基板裏面に形成されるゲート電極材料膜及びサイドウォール用絶縁膜を除去する。例文帳に追加

A gate-electrode material film and an insulating film for a side wall formed on the rear of the semiconductor substrate are removed by forming the surface protective film. - 特許庁

半導体材料として下記式（１）で表される化合物を含有し、特定のトップゲート−ボトムコンタクト構造を有することを特徴とする電界効果トランジスタ。例文帳に追加

A field effect transistor contains a compound represented by formula (1) as a semiconductor material, and has a specific top gate-bottom contact structure. - 特許庁

同一デバイス内で複数のゲート材料をエッチングする際に生じるエッチング変換差によるプロセス起因の近接効果を補正することである。例文帳に追加

To correct a process-induced proximity effect due to an etching transfer difference occurring when a plurality of gate materials are etched in one device. - 特許庁

ゲート絶縁膜１０８を構成する材料の少なくとも一部に、ＨｆＯ_2 、ＨｆＡｌＯ、ＨｆＡｌＯＮ、又はＨｆＳｉＯ等の酸化ハフニウムを含むようにするのが好ましい。例文帳に追加

It is preferable that a part or the whole of the material composing the gate insulating film 108 is designed to contain hafnium oxide such as HfO_2, HfAlO, HfAlON or HfSiO. - 特許庁

導電材料からなる第１のフローティングゲート電極が、第１の活性領域から素子分離構造体上まで延在するように形成されている。例文帳に追加

A first floating gate electrode 30F formed of a conductive material is formed to extend from a first active region to the element isolation structural body 2. - 特許庁

導電材料からなる第２のフローティングゲート電極が、第２の活性領域から素子分離構造体上まで延在するように形成されている。例文帳に追加

A second floating gate electrode formed of a conductive material is formed to extend from a second active region to the element isolation structural body. - 特許庁

電界効果トランジスタのゲート絶縁膜に酸化シリコンより誘電率が高いｈｉｇｈ−ｋ材料を使用した場合に生ずるキャリアの移動度の低下を抑制または防止する。例文帳に追加

To restrain or prevent carriers from being reduced in mobility when the gate insulating film of a field-effect transistor is made of a high-k material higher in permittivity than silicon oxide. - 特許庁

このような光電変換装置において、少なくとも２つのフローティングノードが電気的に接続され、その接続は、増幅用ＭＯＳトランジスタのゲート電極と同じ材料からなる配線によって行われる。例文帳に追加

In such the photoelectric conversion device, at least two floating nodes are connected electrically, and connection is made by wiring made of the same material as that of a gate electrode of the amplification MOS transistors. - 特許庁