「ゲート材料」に関連した英語例文の一覧と使い方(10ページ目) - Weblio英語例文検索

金属や金属シリサイドに置換した配線層を有する半導体装置の製造方法に関し、ゲート電極形成過程及びその後の熱処理工程において、Ｎ型トランジスタのゲート電極とＰ型トランジスタのゲート電極との間における構成材料の相互拡散を効果的に防止しうる半導体装置の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for manufacturing a semiconductor device capable effectively preventing mutual diffusion in the components between the gate electrodes of n- and p-type transistors in a gate electrode formation process and the subsequent heat treatment process for the method for manufacturing the semiconductor device having a wiring layer substituted for metal and metal silicide. - 特許庁

この固体撮像装置は、電子を転送するための複数の転送ゲート７と、隣接する２つの画素５間に対応する領域で、かつ、転送ゲート７の上方の領域に転送ゲート７の延びる方向に対して直交する方向に延びるように配置され、所定の画素５の上方から所定の画素５に隣接する別の画素５へ入射する光を遮光する遮光材料線８とを備えている。例文帳に追加

The solid-state imaging apparatus has a plurality of transfer gates 7 for transferring electron and a light screening material line 8 which is disposed in a region corresponding to a space between two adjacent pixels 5, in a region above the transfer gate 7 in a direction perpendicular to the extension direction of the transfer gate 7 for screening light injected from above a prescribed pixel 5 to another pixel 5 adjacent to the prescribed pixel 5. - 特許庁

ディスクゲート式の成形装置において、成形型１０内でディスクゲート部分をカットできるようにし、もって、例えば、強化繊維が配合されてなる樹脂材料を用いて歯車や軸受などの成形品を成形する場合に、後加工でのゲートカットに起因する製造コストの上昇を招くことなく、精度の高い成形品を成形できるようにする。例文帳に追加

To provide a disc gate type molding machine constituted so as to cut a disc gate part in a mold 10 and capable of molding a molded product of high precision without bringing about the rise in the production cost caused by gate cutting in post-processing, for example, when the molded product such as a gear or a bearing is molded using a resin material compounded with reinforcing fibers. - 特許庁

高い仕事関数を有するフルゲルマニウムシリサイド化ゲート電極を備えるＭＯＳＦＥＴにおいて、上記ゲート電極は、シリサイド化金属とケイ素及びゲルマニウムを含む半導体材料との間の自己整列反応工程によって形成され、好ましくは、ニッケルとＳｉＧｅとの間の反応によって形成され、上記ゲート電極の仕事関数は微調整可能である。例文帳に追加

In a MOSFET provided with a full-germanium silicide-formed gate electrode having a high work function, the gate electrode is formed by an auto-aligned reaction step between a silicide-formed metal and a semiconductor material containing silicon and germanium, or is preferably formed by a reaction between nickel and SiGe, and the work function of the gate electrode is finely adjustable. - 特許庁

本発明のトランジスタ素子は、実質的に透明なｐ型のデラフォサイト材料からなるチャンネル（10）と、チャンネル（10）と相接されているソースコンタクト（12）と、チャンネル（10）と相接されているドレインコンタクト（14）と、ゲートコンタクト（16）と、ゲートコンタクト（16）とチャンネル（10）の間のゲート絶縁体（18）とからなることを特徴とする。例文帳に追加

A transistor device device is characterized by: a channel (10) of p-type substantially transparent delafossite material; a source contact (12) interfaced with said channel (10); a drain contact (14) interfaced with said channel (10); a gate contact (16); and a gate dielectric (18) between said gate contact (16) and said channel (10). - 特許庁

その製造方法は、ソース領域と、ドレイン領域と、ソース領域とドレイン領域を結ぶチャネル領域を有する半導体基板を用意する工程と、チャネル領域の表面にゲート絶縁膜を形成する工程と、反応性スパッタリング法によってゲート絶縁膜上に金属化合物材料からなるゲート電極を形成する工程を備えている。例文帳に追加

The manufacturing method includes the stages of: preparing a semiconductor substrate having a source region, a drain region, and a channel region connecting the source region and drain region; forming a gate insulating film on a top surface of the channel region; and forming a gate electrode of a metal compound material on the gate insulating film by a reactive sputtering method. - 特許庁

射出成形される弾性材料からなる筒状の軸用外装体において、成形後に切離されるランナー１１及びゲート部分を前記弾性筒体１０の内周面に延出及び位置させ、前記ランナー１１及びゲート部分の切離後には、その前記弾性筒体１０の内周面にゲート跡１１ａを形成する。例文帳に追加

In a cylindrical exterior finish body for a shaft made of an elastic material to be injection-molded, a runner to be cut off after molding and a gate part are extended/positioned on the inner surface an elastic cylinder 10, and after the parts being cut off, a gate trace 11a is formed on the inner surface of the cylinder 10. - 特許庁

絶縁性基板(1)上に複数の材料からなるゲート電極(12)、絶縁層(5)およびゲート電極(12)と交差するように形成されたソース及びドレイン電極(6)を備えた液晶表示装置であって、ゲート電極(12)端部が順テーパー加工されており、その順テーパー角が40°以上60°以下の範囲で形成されている。例文帳に追加

In the liquid crystal display device having a gate electrode 12 comprising a plurality of materials, an insulating layer 5, and a source and drain electrode 6 formed crossing the gate electrode 12 on an insulating substrate 1, the end part of the gate electrode 12 is tapered with its forward tapered angle of 40 degrees to 60 degrees. - 特許庁

シールドポリ３１１の上にゲートポリ３１０を含み、垂直方向電荷制御のために、ゲートトレンチ３０２より深い位置にある非ゲートトレンチを含み、電荷制御トレンチ３０１は、トレンチの最上部でソース金属に接続する導電材料の単層を有し得るが、独立してバイアスがかけられ、多重に積み重ねられたポリ電極３１３を使用する。例文帳に追加

A charge control trench 301 may have a single layer of a conductive material connected to a source metal in an uppermost part of the trench, and uses an independently biased and multiply-laminated polysilicon electrode 313. - 特許庁

成形材料を加熱混錬溶融し、ゲートを介してキャビティ内に射出充填して得られた光学素子であって、光学素子の外径をφＧ、光学有効面径をφＬＹ、中心厚みをＬＴ、コバ厚みをＬＫ、光学素子の外周に接続されるゲートの円周方向の幅をＧＨ、ゲートの厚みをＧＴとし、ｘ＝ＬＴ／ＬＫ、ｙ＝ＧＴ／ＬＫとしたとき、下記式（１）〜式（３）を同時に満足する。例文帳に追加

The optical element is obtained by kneading and melting a molding compound under heating and injecting the molten compound in a cavity through a gate to fill the cavity. - 特許庁

高融点金属を材料に含むゲート電極を有する半導体装置の製造方法であって、ゲート電極を形成した後、露出したゲート電極の側面を覆うための酸化膜を形成するために所定の温度で酸化する初期酸化を行うステップと、初期酸化の後、初期酸化よりも高温で酸化する追加酸化を行うステップとを有するものである。例文帳に追加

The manufacturing method of a semiconductor device having the gate electrodes containing high melting point metal as material, comprises a step of carrying out initial oxidation of oxidation at a prescribed temperature, for forming an oxide film for covering the side face of the exposed gate electrodes after forming the gate electrodes; and a step of additional oxidation of oxidation at higher temperature than the initial oxidation after the initial oxidation. - 特許庁

半導体装置は、複数の活性領域にサイドウォール絶縁膜を備えたゲート電極を持つ電界効果トランジスタを有し、素子分離領域上にゲート電極と同一材料を用いて形成された配線を有し、素子分離領域上ではサイドウォール絶縁膜が選択的に除去され、ゲート電極のシリサイド層より厚いシリサイド層が形成される。例文帳に追加

Semiconductor device includes a field effect transistor having a gate electrode comprised of side wall insulating films on a plurality of active regions, and a wiring formed on an element isolation region by using the same material as the gate electrode where the side wall insulating films are selectively removed and then a silicide layer thicker than that of the gate electrode is formed. - 特許庁

半導体基板１０の第２の活性領域１０ｂ上には、高誘電体材料と第２の金属とを含有する第２のゲート絶縁膜１３ｂと、第１の導電膜１８ａと同一の材料からなる第２の導電膜１８ｂと第２のシリコン膜１９ｂとを有する第２のゲート電極３０ｂとを備えた第２導電型の第２のトランジスタが形成されている。例文帳に追加

On a second active region 10b of the semiconductor substrate 10, a second transistor of a second conductivity type is formed which includes a second gate insulating layer 13b containing the high dielectric material and a second metal, a second conductive film 18b consisting of the same material as the first conductive film 18a, and a second gate electrode 30b which has a second silicon film 19b. - 特許庁

ゲート電極材料としてサリサイドプロセスによるニッケルシリサイド（ＮｉＳｉ）の利点を生かすと同時に、ＮｉＳｉ_２相に相転移させる原因を究明し、これを効果的に抑制できる、特にゲート電極材料として有用な高純度ニッケル又はニッケル合金スパッタリングターゲット及びその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a high purity nickel or nickel alloy sputtering target in which the advantages of nickel silicide (NiSi) by a salicide process are made the most of, and simultaneously, the cause of its phase transition into an NiSi_2 phase is investigated, and the phase transition can effectively be suppressed, and which is particularly useful as a gate electrode material, and to provide a production method therefor. - 特許庁

コルゲート形状の外管１３と、該外管１３の内側に配置され平滑な筒状内面を有する内管１４とからなり、該外管１３は高密度ポリエチレンを材料とし、該内管１４は直鎖状低密度ポリエチレンと動的架橋オレフィン系エラストマーとの混合物を材料とする二層コルゲート管１０を提供する。例文帳に追加

This double-layer corrugated pipe 10 includes a corrugated outer pipe 13 and an inner pipe 14 disposed inside the outer pipe 13 and having a smooth cylindrical inner surface, wherein the outer pipe 13 takes high-density polyethylene as material, and the inner pipe 14 takes a mixture of a straight chain low-density polyethylene and dynamic bridging olefinic elastomer. - 特許庁

配線材料インク３は未だ滴下した後の低粘度状態にあり、滴下された配線材料インク３は隣接するインク滴と連結すると共に、矢印で示したように、溝４の中をゲート配線パターン８０では相互に連結し、かつゲート電極部パターン８０aに漸次濡れ広がり、溝４の中を満たして連続した状態となる。例文帳に追加

The wiring material ink 3 is still in a low viscosity state after dropping and the wiring material ink 3 is connected with adjoining ink drops, and as is shown by arrows, inside the trench 4, they are mutually connected in the wiring pattern 80 and they gradually spread into the gate electrode section pattern 80a and become a continuous state by filling the trench 4. - 特許庁

キャビティ内にホットランナーのバルブゲートを介してプラスチックボンド磁石の成形材料を供給することによりプラスチックボンド磁石成形品を成形する射出成形用金型であって、バルブゲートを構成するバルブピン１とバルブキャップ駒２の嵌合隙間間隔Ｌを、成形材料中の磁性粉の粒径よりも小さくした。例文帳に追加

In a mold for injection molding for molding a plastic bonded magnet molded product by supplying a molding material of the plastic bonded magnet to a cavity via a valve gate of a hot runner, an engaging gap interval L of a valve pin 1 for constituting a valve gate with a valve cap dowel 2 is formed smaller than a particle size of a magnetic powder in the molding material. - 特許庁

基板上にチャンネル層、ゲート絶縁層、ソース電極、ドレイン電極、ゲート電極が少なくとも形成されてなる電界効果型トランジスタであって、該チャンネル層は、少なくともＩｎとＢとを含むアモルファス酸化物材料より構成されており、該アモルファス酸化物材料の元素比率Ｂ／（Ｉｎ＋Ｂ）は０．０５以上０．２９以下であることを特徴とする電界効果型トランジスタ。例文帳に追加

The field effect transistor is constituted, by at least forming a channel layer, a gate insulating layer, a source electrode, a drain electrode and a gate electrode on a substrate; the channel layer comprises an amorphous oxide material including at least In and B; and the element ratio B/(In+B) of the amorphous oxide material is 0.05 or higher and 0.29 or lower. - 特許庁

第１の導電型を有する材料からなる第１のコンタクト部と、第１のコンタクト部と同一平面に配置され、第２の導電型を有する材料からなる第２のコンタクト部と、第１のコンタクト部と第２のコンタクト部との間に配置されたチャネル部と、チャネル部と近接するように配置されたゲート部と、ゲート部に電気的に接続された電圧源と、を備える薄膜ダイオード。例文帳に追加

The thin film diode includes a first contact of a material having a first conductivity type, a second contact of a material having a second conductivity type arranged coplanarly with the first contact, a channel arranged between the first and second contacts, a gate arranged adjacent to the channel, and a voltage source electrically connected to the gate. - 特許庁

有機半導体材料を含む塗布液をゲート絶縁膜を備えた基板上に供給し、乾燥させることにより、有機半導体層を形成する有機薄膜トランジスタの形成方法において、該有機半導体材料が置換基を有する縮合多環芳香族化合物であり、且つ該ゲート絶縁膜が２００℃以下の工程により形成されることを特徴とする有機薄膜トランジスタの形成方法。例文帳に追加

In the process for fabricating an organic thin-film transistor where an organic semiconductor layer is formed by supplying coating liquid containing an organic semiconductor material onto a substrate provided with a gate insulating film and drying the coating liquid, the organic semiconductor material is a condensation polynuclear aromatic compound having a substituent, and the gate insulating film is formed by a step of 200°C or below. - 特許庁

少なくとも１層のポリシリコン３と少なくとも１層のポリＳｉ_１−ｘＧｅ_ｘ材料の層４とを有するゲートコンダクタを備える半導体デバイスの基板上のゲート電極積層構造であり、ポリシリコン３とポリＳｉ_１−ｘＧｅ_ｘ材料の層４のエッチングにより、終点検出が可能であるため、上記構造を効果的にエッチングすることができる。例文帳に追加

The gate electrode lamination structure is one on a substrate of a semiconductor device provided with a gate conductor having at least one layered polysilicon 3 and a layer 4 of at least one layered poly Si_1-xGe_x material, and the structure can be effectively etched because an end point can be detected by etching the polysilicon 3 and the layer 4 of the poly Si_1-xGe_x material. - 特許庁

半導体基板１０の第２の活性領域１０ｂ上には、高誘電体材料と第２の金属とを含有する第２のゲート絶縁膜１３ｂと、第１の導電膜１８ａと同一の材料からなる第２の導電膜１８ｂと第２のシリコン膜１９ｂとを有する第２のゲート電極３０ｂとを備えた第２導電型の第２のトランジスタが形成されている。例文帳に追加

On the second active region 10b of the semiconductor substrate 10, a second transistor of the second conductive type is formed including: a second gate insulation film 13b containing the high-dielectric material and a second metal; and a second gate electrode 30b having a second conductive film 18b composed of the same material as the first conductive film 18a and a second silicone film 19b. - 特許庁

ソース・ドレイン電極及び映像信号配線とゲート電極、及びゲート電極に接続する走査信号配線の一部を同一の材料と工程で同時に形成し、且つ映像信号配線が走査信号配線と交差する部分の映像信号配線を、画素電極若しくは反射電極を形成する材料と同一の工程で形成する。例文帳に追加

A source and drain electrodes, video signal wiring, a gate electrode and a part of scanning signal wiring connected with the gate electrode are simultaneously formed by the identical material and process, and the part of the video signal wiring where it crosses with the scanning signal wiring is formed by the identical material and process with which a pixel electrode or reflection electrode is formed. - 特許庁

第２ゲート電極３９は、第１ゲート電極３８等の上に電極材料を堆積し、カバーパターン４７等をストッパ膜として電極材料を研磨し、カバーパターン４７によって観察し易い状態に保たれたアライメントマーク４５を参照して高精度に位置合わせされてパターニングされる。例文帳に追加

The second gate electrode 39 is formed by accumulating an electrode material on the first gate electrode 38 and polishing the electrode material with the cover pattern 47 as a stopper film, and patterned in highly accurate alignment with reference to the alignment mark 45 kept in an easy-to-observe condition by the cover pattern 47. - 特許庁

半導体デバイスは、基板と、基板上に形成された第１の絶縁材料と、異なる極性を有する２つのチャネルと、絶縁材料上に形成され、かつ対向する端部で、これらのチャネルに、共通に結合された複数のターミナル電極と、ターミナル電極に形成された第２の絶縁材料と、第２の絶縁材料上に形成された少なくとも１つのコントロールゲートとを含む。例文帳に追加

The semiconductor device includes a substrate; a first insulating material formed on the substrate; two channels with different polarities, many terminal electrodes that are formed on the insulating material and are coupled in common with both channels at opposite ends; a second insulating material formed on the terminal electrodes; and at least one control gate formed on the second insulating material. - 特許庁

いくつかの局面において、この方法は、表面チャネルの上にプレースホルダー材料を堆積する工程と、表面チャネルの上にゲート領域を形成するようにプレースホルダー材料をエッチングする工程とをさらに包含する。例文帳に追加

In several aspects, this method further comprises: a step of depositing a place holder material on the surface channel; and a step of etching the place holder material such that a gate region is formed on the surface channel. - 特許庁

少なくとも１つの電荷キャリアが半導体材料領域から出ることなく、少なくとも１つの制御ゲートは、半導体材料領域における少なくとも１つの電荷キャリアを不純物イオンに束縛させるようにして動作可能である。例文帳に追加

The at least one control gate is operable to cause at least one charge carrier in a semiconductor material region to be bound to the impurity ion without the at least one charge carrier leaving the semiconductor material region. - 特許庁

ランナー５からゲート７を介して各成形キャビティ４内に成形材料を充填すると、成形材料は成形キャビティ４の内面に沿って周方向に流動しながら、外側から中心部に向かって成形キャビティ４内の全体に充填される。例文帳に追加

When each molding cavity 4 is filled with the molding material from the runner 5 through the gate 7, the material is filled in the whole cavity 4 from outside toward its central part while flowing along the inner face of the cavity 4 in its peripheral direction. - 特許庁

上記被覆膜２１，２６は、少なくともゲート電極３上の被覆膜２１，２６の上方に形成された層間絶縁膜２３のエッチング時のエッチング停止材料として機能するような層間絶縁膜２３に対する選択比を有する材料からなる。例文帳に追加

The coating films 21 and 26 are composed of such a material as having a selection ratio to an interlayer insulating film 23 functioning as an etching stop material at the time of etching the interlayer insulating film 23 formed above the coating films 21 and 26 at least on the gate electrode 3. - 特許庁

ＭＯＳＦＥＴのゲート絶縁膜やメモリセル（ＤＲＡＭなど）の容量素子などの高誘電率膜を形成するための高誘電率材料となる半導体デバイス用材料及びこれを用いた半導体デバイスを提供する。例文帳に追加

To provide a material for a semiconductor device, which serves as a high dielectric material used for forming a gate insulation film of MOSFET and a high dielectric constant film for a capacitive element or the like of a memory cell (DRAM or the like), and the semiconductor device using the same. - 特許庁

Ｈｉｇｈ−ｋ材料の添加量は、炭素の注入による閾値電圧の低下量を、Ｈｉｇｈ−ｋ材料をゲート絶縁膜１３に添加することによる閾値電圧の上昇量により補うことができる添加量である。例文帳に追加

The additive amount of the high-k material is determined so that the amount of decrease in the threshold voltage due to the carbon injection can be compensated with the amount of increase in the threshold voltage due to addition of the high-k material to the gate insulating film 13. - 特許庁

ゲート電極直下の半導体層（ｐ^+-ＡlＧaＮ層６）を、他の半導体層（ｎ-ＡlＧaＮ層５）を形成する半導体材料よりもバンドギャップの大きい半導体材料、例えばＡlＧaＮを用いて、縦型構造のＧＴＯやＩＧＢＴからなるパワーデバイスを実現する。例文帳に追加

Related to a semiconductor layer (p+-AlGaN layer 6) just below a gate electrode, a semiconductor material whose band gap is larger than that forming other semiconductor layer (n-AlGaN layer 5), for example AlGaN, is used to provide a power device comprising GTO and IGBT of vertical structure. - 特許庁

あるいは、樹脂材料の充填の際に、中心部におけるゲート部１１６から、複数のステー部１１２ａ〜１１２ｆの一部１１２ａ、１１２ｂを経由して、ケース１２０に至る樹脂材料の流れ長さを延長させるための延長肉部１３２を設ける。例文帳に追加

alternatively, an extension part 132 is formed for extending flow length of the resin material running from the gate part 116 in the center into the case 120 via stay parts 112a, 112b as portion of the stay parts 112a-112f while filling the resin material. - 特許庁

ピッチ円と同心でピッチ円より小径の円環形状のピンポイントゲート１８からキャビティに溶融材料を充填することにより、キャビティ内でピッチ円と同心の円周上における溶融材料の圧力を均一化することができる。例文帳に追加

The infilling of the molten material into the cavity from the pinpoint gate 18 enables the uniformization of the pressure of the molten material on the circumference of a circle concentric with the pitch circle in the cavity. - 特許庁

バルブケーシング25内の材料通路34が螺旋状に形成されているため、螺旋状の材料通路34を通過した溶融樹脂に螺旋方向の回転流が発生し、この回転流を伴う溶融樹脂がゲート20から充填されるため、溶融樹脂を製品キャビティ３内へ高速で円滑に充填することができる。例文帳に追加

Since the product cavity is filled with the molten resin accompanying the rotary flow from the gate 20, the product cavity can be smoothly filled with the molten resin at a high speed. - 特許庁

ゲート１３からキャビティ内に発泡性樹脂材料７０を射出し，下型を動かしてキャビティに発泡用空間１０を形成し，射出開始前に作動させた加熱手段２により発泡性樹脂材料の発泡部形成部分を加熱発泡させる。例文帳に追加

The expandable resin material 70 is injected from a gate 13 in the cavity 1 and then expanding spaces 10 are formed in the cavity 1 by moving the lower mold 12 so as to thermally expand the expanded part forming portions by the heating means 2, which are put into actuation before the start of the injection of the material 70. - 特許庁

よって、ゲート誘電体層形成の材料として従来使用されていた二酸化シリコン製バルクの代替材料として酸化シリコンを用いることにより、入力ＦＥＴキャパシタンスを増加させながら、リーク電流を減らすことを可能とする半導体デバイスを提供することを特徴とする。例文帳に追加

Therefore, silicon oxide is used, in place of a bulk of silicon dioxide, which is usually used as the material for the formation of a gate dielectric layer, and a semiconductor device capable of reducing leakage current is provided, while an input FET capacitance is made to increase. - 特許庁

黒鉛の廃棄物及び不良成形物は、電気炉用電極、放電加工用電極、黒鉛坩堝、高炉出銑樋、溶鉱炉の最終工程にあるダンディッシュのスライディングノズルの材料及びダンディッシュのゲートバルブの材料の少なくとも１種から構成されている。例文帳に追加

The graphite waste and the defective formed material are constituted of at least one kind of an electrode for electric furnace, an electrode for electric discharge machining, a graphite crucible, an iron tapping runner of blast furnace, a sliding nozzle material of tundish and a fate valve material of tundish in the last process in the blast furnace. - 特許庁

電界放出型ディスプレイに代表される電子材料基板開発で、金属ゲート電極をケミカルエッチングする際に、そのエッチャント（例えば硝酸など）によって侵食されない耐酸性を有する無鉛絶縁性ガラス材料が求められている。例文帳に追加

To provide a lead-free insulating glass material having acid resistance, which is not eroded by the etchant (such as nitric acid) when a metal gate electrode is chemically etched, for the development of an electronic material substrate represented by a field emission type display. - 特許庁

絶縁性基板１１上にゲート電極１２を配置し、その上にゲート絶縁層１３を配置し、更にその上にソース電極１５およびドレイン電極１４を配置し、その上に有機半導体層１６および保護膜１７を配置してなる電界効果型有機トランジスタであって、該ゲート絶縁層１６が光異方性材料を含有し、その光異方性材料により該有機半導体層が配向している電界効果型有機トランジスタである。例文帳に追加

A gate electrode 12 is disposed on an insulating substrate 11, on which a gate insulating layer 13 is disposed, and further, a source electrode 15 and a drain electrode 14 are disposed on it, on which an organic semiconductor layer 16 and a protective film 17 are arranged. - 特許庁

キャパシタを有する半導体装置においては、キャパシタの有する誘電体膜及びゲート絶縁膜のうち少なくとも一方が、上記の圧電体材料を含む。例文帳に追加

In a semiconductor device having a capacitor, at least one of a dielectric film and a gate insulating film, of the capacitor, includes the piezoelectric material. - 特許庁

１以上のＧａＮに基づく材料が積層され、エッチングされてゲートメサが形成され、ステップ状不連続部がソース及びドレイン領域を規定する。例文帳に追加

One or more GaN based materials are layered and etched to form a gate mesa with step discontinuities defining source and drain regions. - 特許庁

ゲート信号線２０３およびソース信号線２０４がその上に設けられた有機材料からなる層間絶縁膜を間に介して画素電極と一部重なっている。例文帳に追加

Gate signal lines 203 and source signal lines 204 are partly overlapped with pixel electrodes through an interlayer insulating film consisting of an org. material formed on the pixel electrodes. - 特許庁

膜厚が厚い高誘電率材料からなるゲート絶縁膜３にコンタクトホール７ａを形成した後でイオンドーピングしてｎ^+領域７を形成する。例文帳に追加

An n^+ region 7 is formed by ion doping after a contact hole 7a is formed in the gate insulating film 3 consisting of a thick film high dielectric material. - 特許庁

上記第１のパラメータおよび上記第２のパラメータは、上記ＰＭＯＳおよびＮＭＯＳトランジスタの上記ゲート電極材料の厚さ、またはドーパントプロファイルを含んでいる。例文帳に追加

The first parameter and the second parameter comprise the thickness or the dopant profile of the gate electrode materials of the PMOS and NMOS transistors. - 特許庁