| 例文 (842件) |
ゲート材料の部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 842件
シリコン酸化膜よりも比誘電率が高い材料で、固定電荷が少ないゲート絶縁膜を備える。例文帳に追加
A gate insulating film in which a small amount of stationary charge resides is formed of material whose permittivity is higher than that of a silicon oxide film. - 特許庁
センサは、非磁性の電気的絶縁材料によってグラフェン層から分離される１つまたは複数のゲート電極を含む。例文帳に追加
The sensor includes one or a plurality of gate electrodes separated from the graphene layer by non-magnetic electric insulating material. - 特許庁
バリアメタルの膜厚を抑制しながらメタルゲートの拡散性材料が高誘電率誘電体に拡散することを防ぐ。例文帳に追加
To prevent diffusion of a diffusive material of a metal gate to a high-k dielectric while suppressing a film thickness of a barrier metal. - 特許庁
有機トランジスタの大電流および高速スイッチングを達成するために、ゲート絶縁体材料とその製造方法を提供する。例文帳に追加
To provide a gate insulator material and a method for manufacturing the same in order to achieve large current and fast switching of an organic transistor. - 特許庁
ゲートメタル材料の溶解抑制と良好なコンタクト抵抗取得とを両立可能な半導体装置の洗浄方法を提供する。例文帳に追加
To provide a method for cleaning a semiconductor device which attains compatibility between the inhibition of dissolution of a gate metal material and the acquisition of a favorable contact resistance. - 特許庁
大型ゲートを採用しても計量精度を高く維持しながら計量時間をできるだけ短縮できるようにした材料計量方法を提供する。例文帳に追加
To provide a material-metering method for reducing metering time as much as possible while highly maintaining metering accuracy even if a large gate is adopted. - 特許庁
射出成形機ノズル直下への配置が可能なバルブゲートで、材料流路の流動抵抗を低減する。例文帳に追加
To provide a valve gate enabling to be disposed immediately beneath the nozzle of an injection molding machine so that flow resistance of a material flow channel can be reduced. - 特許庁
ゲート電極材料表面と半導体基板表面の段部にサイドウォールを形成する。例文帳に追加
In a step formed by a difference in level between the front surface of the gate electrode material and that of the semiconductor substrate, a side wall is formed. - 特許庁
複数の溶融材料をノズルから金型内の複数のゲートを通じて同一キャビティに流入充填させる多層射出成形体の製造方法において、複数のゲートから流入した溶融材料によるキャビティの充填が完了する前に、一部のゲートからの溶融材料の流入量を減少させるか又は流入を停止させ、残りのゲートから流入した溶融材料で充填を完了させる多層射出成形体の製造方法、および、該製造方法により得られる多層射出成形体。例文帳に追加
The multilayered injection-molded object obtained by the manufacturing method is also disclosed. - 特許庁
ゲート14を開閉するバルブピン36を内蔵したバルブ本体26の内部は材料通路28になっている。例文帳に追加
The interior of a valve body 26 incorporating a valve pin 36 which opens/closes a gate 14 servers as a passageway 28 for material. - 特許庁
ゲート配線26にアルミニウム系の比較的抵抗値が小さな低抵抗材料を用いることができる。例文帳に追加
An aluminum-based low-resistance material having a relatively small resistance value can be used for the gate wiring 26. - 特許庁
射出工程において高速充填が行われ、発泡工程においてキャビティ空間内の成形材料がゲートを介して戻される。例文帳に追加
In the injection process, high speed filling is performed and, in the foaming process, the molding material in the cavity space is returned through the gate. - 特許庁
樹脂材料を用いた射出成形品において、樹脂の流動支援を行う流動支援用ゲートが設置されている。例文帳に追加
In the injection-molded product using the resin material, a flow supporting gate for supporting the flow of the resin material is installed. - 特許庁
薄膜トランジスタ液晶表示装置用として、優れたプロファイルが形成できるゲート配線材料薄エッチング組成物を提供する。例文帳に追加
To provide a gate interconnection material thin etching composition for forming an excellent profile, for a thin-film transistor liquid crystal display. - 特許庁
さらに、コルゲートチューブ１０の内部には、空気よりも熱伝導率が高い材料からなる充填材４０が充填されている。例文帳に追加
Furthermore, a filling material 40 consisting of a material of higher heat conductivity than that air has is filled into the corrugate tube 10. - 特許庁
支持部材41，44は隙間27，28を封止すると共に、材料通路30，32及びゲート15，17に接続するバルブピン挿入孔42，43を設ける。例文帳に追加
The clearances 27 and 28 are sealed by the support members 41 and 44, and material passages 30 and 32 and valve pin insertion holes 42 and 43 connected to the gates 15 and 17 are set. - 特許庁
３層のゲート電極材料膜を用いて歩留まり及び信頼性向上を図った半導体記憶装置とその製造方法を提供する。例文帳に追加
To improve the yield and reliability by using three layer gate electrode material films. - 特許庁
ピン体とコア体との間の熱伝導を抑制し、材料を均一に加熱することができるバルブゲート式金型装置を提供する。例文帳に追加
To provide a valve gate type mold assembly capable of suppressing the heat conduction between a pin body and a core body to uniformly heat a material. - 特許庁
スリットの幅を狭くすることにより、流動状態の成形材料がゲート３０から垂れ落ちることを防止できる。例文帳に追加
By narrowing the width of the slit, a fluidized molding material can be prevented from dripping down from the gate. - 特許庁
中子と金型１０の内面との間のキャビティ１５に対し、金型のゲートから外殻体構成用の樹脂材料を射出する。例文帳に追加
A resin material for a shell constitution is injected from a gate of a mold 10 to a cavity 15 between a core and the inner face of the mold 10. - 特許庁
また、バルブピン41を移動させてゲート20を閉塞する際には、バルブピン41が成形材料から受ける抵抗が少なくなる。例文帳に追加
Further, when the gate 50 is closed by moving the valve pin 41, the resistance received from the molding compound by the valve pin 41 is reduced. - 特許庁
この状態で、溶融している樹脂を材料充填ゲート口から射出して充填し、加熱して樹脂を熱硬化させる。例文帳に追加
A fused resin is injected from a material filling gate port to be filled, and heated to thermo-set the resin. - 特許庁
製品キャビティ内における成形材料の充填性に優れたバルブゲート式金型装置を提供する。例文帳に追加
To provide a valve gate type mold assembly excellent in the filling properties of a product cavity with a molding compound. - 特許庁
ゲートから製品キャビティヘの成形材料の流れを均一化し、製品の精度及び特性を向上する。例文帳に追加
To enhance the accuracy and characteristics of a product by uniformizing the flow of a molding material into a product cavity from a gate. - 特許庁
上昇された導電性材料のソース線がソース領域上に、浮遊ゲートからは絶縁されて近くに横方向に配される。例文帳に追加
A raised source line of conductive material is arranged laterally on the source region while being insulated from the floating gate. - 特許庁
キャビティ１０内には、ホットランナノズル２及びゲート７を経由して成形材料が充填されるようになっている。例文帳に追加
Forming material is made to fill up into a cavity 10 through a hot-runner nozzle 2 and the gate 7. - 特許庁
ピッチ円と同心でピッチ円より小径の円環形状のピンポイントゲート１８からキャビティに溶融材料を充填する。例文帳に追加
A molten material is infilled into a cavity from a pinpoint gate 18 which is formed in such an annular shape as to be concentric with the pitch circle and smaller in diameter than the pitch circle. - 特許庁
この状態で、溶融成形材料は、ランナー１２及びゲートを介して各キャビティ１５に圧力注入され、フェルールが射出成形される。例文帳に追加
In this state, the fused molding material is press-injected into each cavity 15 through a runner 12 and a gate, and a ferrule injection-molded. - 特許庁
次にBASF は、様々な材料の総量にそれぞれの揺りかごからゲートまでの排出係数を乗じてGHG 排出量を算定した。例文帳に追加
BASF then calculated GHG emissions by multiplying the total amount of various materials by their respective cradle-to gate emission factors. - 経済産業省
半導体基板の表面のうち、ゲート電極の両側に、該ゲート電極からある間隔を隔てて、半導体材料で形成された第１の半導体膜が配置されている。例文帳に追加
A 1st semiconductor film formed of a gate electrode is arranged on both sides of the gate electrode on the surface of the semiconductor substrate at a certain interval with the gate electrode. - 特許庁
メタルゲート電極４はＴｉＣｏＮ膜により形成し、その仕事関数はＮ型ＭＩＳＦＥＴのゲート電極材料に適した４．０〜４．８ｅＶとする。例文帳に追加
The metal gate electrode 4 is formed of a TiCoN film, and the work function is set as 4.0 to 4.8 eV suitable for the gate electrode materials of the N type MISFET. - 特許庁
第１のトランジスタと第２のトランジスタとを備える半導体装置において、第１のトランジスタは、第１の仕事関数を有する第１の材料からなる第１のゲート電極と、第１のゲート絶縁膜とを含む。例文帳に追加
In a semiconductor device having a first transistor and a second transistor, the first transistor includes: a first gate electrode including a first material having a first work function; and a first gate insulating film. - 特許庁
周辺回路トランジスタＱのゲート電極１２は、第２層及び第３層ゲート電極材料膜Ｌ２及びＬ３の積層膜により形成される。例文帳に追加
A gate electrode 12 of a peripheral circuit transistor Q is formed of the laminated film of the second and the third layer electrode films L2, L3. - 特許庁
ｎＭＯＳトランジスタのゲート電極４２に比べて、ｐＭＯＳトランジスタのゲート電極４７の方が仕事関数の大きい材料によって形成されている。例文帳に追加
The material of the gate electrode 47 of the pMOS transistor is larger in work function than that of the gate electrode 42 of the nMOS transistor. - 特許庁
本発明は、異なる導電性または半導電性の材料で構築された少なくとも２つの層（１ａ，１ｂ）を含む浮遊ゲートを持つ浮遊ゲート不揮発性メモリセルに関する。例文帳に追加
The floating gate nonvolatile memory cell has a floating gate including at least two layers (1a, 1b) constructed in different conductive or semiconductive materials. - 特許庁
第１のトランジスタは、高誘電体材料と第１の金属とを含有する第１のゲート絶縁膜８ａと、第１のゲート電極１１ａとを備えている。例文帳に追加
The first transistor includes a first gate insulation film 8a containing a high dielectric material and a first metal, and a first gate electrode 11a. - 特許庁
第１及び第２のゲート電極１５，１６ａは、複数のトレンチ１３内にゲート絶縁膜を介して導電性材料を埋め込むことによって形成されている。例文帳に追加
A first gate electrode 15 and a second gate electrode 16a are formed, by embedding a conductive material inside a plurality of trenches 13 via a gate insulating film. - 特許庁
デバイス性能を犠牲にすることなく様々なゲート材料の使用を可能にする、半導体基板上に少なくとも部分的にゲート・スタックを作るための技術を提供する。例文帳に追加
To provide a technique for forming a gate stack partially at least on a semiconductor substrate which makes it possible to use various gate materials without sacrificing device performance. - 特許庁
半導体基板上に１回のみの成膜工程でゲート絶縁膜を形成した後、仕事関数の異なる導電材料を有するゲート電極を形成する半導体装置の製造方法を提供する。例文帳に追加
To provide a method of manufacturing a semiconductor device by which a gate insulating film is formed on a semiconductor substrate only by one time of a film formation process and gate electrodes having conductive materials of different job functions are then formed. - 特許庁
第１及び第２の領域上のゲート電極用導電膜の上に、それぞれ第１の絶縁材料からなる第１及び第２のゲートマスクパターンを形成する。例文帳に追加
First and second gate mask patterns of first insulating material are formed, respectively, on the conductive film for gate electrode in first and second regions. - 特許庁
基板に形成したゲート配線パターン８０とゲート電極部パターン８０aに倣って形成された溝４にインクジェット装置のノズルから配線材料インク３を滴下する。例文帳に追加
A wiring material ink 3 is dropped from a nozzle of an ink jet device to a trench 4 which is formed in the line of a gate wiring pattern 80 and an electrode section pattern 80a formed on the substrate. - 特許庁
ゲートシリサイドとなる材料をポリシリコン層１６の表面に選択的に成長させてシリサイド層１８とし（図１（Ａ））、ポリシリコン層１６とシリサイド層１８から成るゲート電極を形成する。例文帳に追加
A material that becomes gate silicide is selectively grown on the surface of a polysilicon layer 16 to form a silicide layer 18 (Fig.1 (A)), and a gate electrode constituted by the polysilicon layer 16 and the silicide layer 18 is formed. - 特許庁
ゲート絶縁膜がいわゆる高比誘電率絶縁膜からなるとともにゲート電極が多結晶シリコン系の材料からなるＭＩＳトランジスタを備える半導体装置を提供する。例文帳に追加
To provide a semiconductor device equipped with MIS transistor wherein a gate insulation film consists of a so-called high relative permittivity insulation film and a gate electrode is made of a polycrystalline silicon-based material. - 特許庁
シリコン基板１上に、高融点金属酸化物を含む材料からなるゲート絶縁膜３が形成され、ゲート絶縁膜３上に金属酸化膜４が形成される。例文帳に追加
On a silicon substrate 1, a gate insulating film 3 made of a material containing high-melting-point metal oxide is formed, and on the gate insulating film 3, the metal oxide film 4 is formed. - 特許庁
ゲート電極の側面上に絶縁材料で形成され、第１の半導体膜のゲート電極側の縁を越え、該第１の半導体膜の一部を覆うサイドウォールスペーサが配置されている。例文帳に追加
A side wall spacer is arranged which is formed of an insulating material on the flank of the gate electrode, and covers a portion of the 1st semiconductor film beyond the edge of the 1st semiconductor film on the gate electrode side. - 特許庁
膜厚が薄いのにもかかわらず表面ラフネスが良好なハフニウムシリケート系材料からなるゲート絶縁膜を形成することができるゲート絶縁膜の形成方法を提供すること。例文帳に追加
To provide a gate insulating film forming method for forming a gate insulating film of a hafnium silicate-based material excellent in surface roughness though small in thickness. - 特許庁
この成形品は樹脂材料から成形されかつ成形金型のゲートによるゲート跡１１のある面１５ｂを含む面状部１５を備える。例文帳に追加
The molded product is molded of a resin material and equipped with the face-like part 15 containing a surface 15b on which the gate mark 11 owing to a gate of the mold exists. - 特許庁
第２のトランジスタは、高誘電体材料と第１の金属と閾値電圧調整用不純物とを含有する第２のゲート絶縁膜８ｂと、第２のゲート電極１１ｂとを備えている。例文帳に追加
The second transistor includes a second gate insulation film 8b containing a high dielectric material, a first metal and impurities for adjusting a threshold voltage, and a second gate electrode 11b. - 特許庁
ゲート電極を金属材料に置き換えることにより、ゲート電極の配線抵抗の増加を抑制する半導体装置の製造方法において、容易にサリサイド技術を用いることができる方法を提供するものである。例文帳に追加
To provide a method for readily using a salicide technology as to a method for manufacturing a semiconductor device for suppressing an increase in wiring resistance of a gate electrode, by replacing the gate electrode with a metallic material. - 特許庁
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