「ゲート材料」に関連した英語例文の一覧と使い方(3ページ目) - Weblio英語例文検索

そして、本発明に係る１つ解決手段は、ゲート電極１７が、ウェットエッチング可能なメタル材料又はシリサイド材料を用いている。例文帳に追加

As one of solutions of the invention, a metal material or a silicide material capable of wet etching is used in the gate electrode 17. - 特許庁

そのトレンチには導電材料が充填されて、それにより、コントロールゲート３６を構成する導電材料のブロックが形成されている。例文帳に追加

The trenches are filled with conducting material, so that blocks of the conducting material which constitute control gates 36 are formed. - 特許庁

ゲート誘電層は第一材料からなり、第一材料は、チャネル層に対する低欠陥の界面を形成する。例文帳に追加

The gate dielectric layer comprises a first material, and the first material forms an interface of low defectiveness with the channel layer. - 特許庁

集積回路トランジスタ構造のための方法および構造は、第１の導電性材料および第２の材料を有するゲート導体を含む。例文帳に追加

A method and a structure for an integrated circuit transistor include a gate conductor having a first conductive material and a second material. - 特許庁

誘電体用材料向けの所望の属性を有するゲート誘電体材料により得られる電子デバイスを提供する。例文帳に追加

To provide an electronic device comprising a gate dielectric material that has a desired property for a dielectric material. - 特許庁

バルブスリーブを備えるバルブゲート式金型装置において、材料通路における成形材料を均一に加熱する。例文帳に追加

To uniformly heat the molding compound in a material passage in a valve gate type mold assembly equipped with a valve sleeve. - 特許庁

バルブ装置の材料通路内の成形材料の温度差を低減できるバルブゲート式金型装置を提供する。例文帳に追加

To provide a valve gate type mold assembly capable of reducing the temperature difference of the molding material in the material passage of a valve device. - 特許庁

バルブ装置11は、材料通路15を内部に形成するとともにこの材料通路15を加熱する加熱手段たるバンドヒータ16を設けたバルブケーシング12と、ゲート14を開閉するバルブピン25とを有し、材料通路15と連通するゲート側材料通路43に螺旋状案内溝51を形成する。例文帳に追加

A valve device 11 has a valve casing 12 having a material passage 15 formed therein and provided with a band heater 16 being a heating means for heating the material passage 15 and a. valve pin 25 for opening and closing the gate 14 and a spiral guide groove 51 is formed to the material passage 43 on the side of the gate 14 communicating with the material passage 15. - 特許庁

これにより、リプレースメントゲート構造形成時の研磨を過剰に行うことができるので、ゲート電極部分以外の電極材料を完全に除去することができ、ゲート電極同士の短絡を防止できる。例文帳に追加

Thereby excessive polishing is enabled when the replacement gate structure is formed, and electrode material except a gate electrode part can be eliminated completely, so that the short circuit between gate electrodes can be prevented. - 特許庁

仕事関数は、ゲート電極堆積の枠組みの中で、ゲート電極の仕事関数を決定する領域のゲート電極材料の全体的電気陰性度を変えることによって調節される。例文帳に追加

The work function is adjusted by changing whole electronegativity of a gate electrode material in a region in which the work function of the gate electrode is determined, in the framework of the gate electrode deposition. - 特許庁

制御ゲート電極１８のパターニング時に同時に、ゲート電極材料膜１６ｂ，１６ａをエッチングして、浮遊ゲート電極１６を形成する。例文帳に追加

At the time when the control gate electrode 18 is patterned, gate electrode material film 16b and 16a are etched to form a floating gate electrode 16. - 特許庁

また、ゲート絶縁膜として、酸化ジルコニウム系、あるいは、酸化ハフニウム系の材料からなる膜を用いた場合に、ゲート電極加工の際、このエッチング方法により、このゲート絶縁膜のエッチングを行う。例文帳に追加

In addition, when a film composed of a zirconium oxide- or hafnium oxide-based material is used as a gate insulating film, the gate insulating film is etched by this method for etching at the time of processing a gate electrode. - 特許庁

さらに、ゲート電極の高さを保つために予めゲート電極材料膜３を厚くする必要は無く、ゲート電極４の寸法精度の劣化を抑えることができる。例文帳に追加

In addition, deterioration of the dimensional precision of the electrodes 4 can be suppressed, because it is not required to make a gate electrode forming material film 3 thicker in advance for maintaining the heights of the electrodes 4. - 特許庁

その後、熱処理を行うことによりゲート電極層１０３からゲート絶縁膜１０２中に金属材料を拡散させることにより、ゲート絶縁膜１０２の少なくとも表面層に金属酸化シリコン層１０２ａを形成する。例文帳に追加

Thereafter, by diffusing the metal material from the gate electrode layer 103 to the gate insulation film 102 by heat treatment, a metal oxide silicon layer 102a is formed at least in a surface layer of the gate insulation film 102. - 特許庁

次いで、このシリコンからシリサイド・ゲート構造を形成し、内部スペーサ層によって、ゲートの周囲の誘電体材料からシリサイド・ゲート構造を分離する。例文帳に追加

Next, a silicide gate structure is formed by using the silicon, and the silicide gate structure is separated from the dielectric material around the gate with the internal spacer layer. - 特許庁

半導体基板上にゲート絶縁膜を形成した後、このゲート絶縁膜上に仕事関数の異なる導電材料を有するゲート電極を形成することが可能な半導体装置の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for manufacturing a semiconductor device by which a gate insulating film is formed on a semiconductor substrate and then a gate electrode provided with conductive materials with different work functions can be formed thereon. - 特許庁

ＭＩＳ型トランジスタにおいて、ゲート電極のゲート絶縁膜側から見た仕事関数を、そのゲート電極の材料のもつ特性値とは異なる値に自由に連続的に制御し、それによりVthを連続的に制御する。例文帳に追加

To freely and continuously control a work function viewed from the gate insulating film side of a gate electrode to a value different from the characteristic value of the materials of the gate electrode, and to continuously control Vth in an MIS type transistor. - 特許庁

ゲート電極の低抵抗化とＦによるゲート絶縁膜の劣化の解消とを実現しつつ、ゲート電極材料の仕事関数を制御することによりしきい値電圧を制御可能な半導体装置を提供すること。例文帳に追加

To provide a semiconductor device capable of controlling a threshold voltage by controlling the work function of a gate electrode material while dissolving the resistance decline of a gate electrode and the degradation of a gate insulating film by F. - 特許庁

ゲート絶縁膜及びゲート電極材料膜を順次形成した後に素子分離絶縁膜を埋め込み形成するＳＴＩ技術においてゲート電極同士の短絡を防止すること。例文帳に追加

To prevent a short-circuit between gate electrodes in an STI technique, where gate insulating films and gate electrode material films are formed in order on a semiconductor substrate and after that, an element isolation insulating film is embedded in a groove provided on the main surface of the substrate. - 特許庁

ゲート36を材料通路35側の外側に設けたゲート内側部36Ａとキャビティ３側の内側に設けたゲート外側部36Ｂとに分割する。例文帳に追加

The gate 36 is divided into the gate inside part 36A provided to the outside on the side of the material passage 35 and the gate outside part 36B provided to the inside on the side of the cavity 3. - 特許庁

浮動ゲートを越えて延びる浮動ゲート突出部分を与えるために電導材料からなる側壁スぺーサが浮動ゲートブロックに沿って形成される。例文帳に追加

In order to give floating gate protruding parts which are stretched exceeding the floating gates, a side wall spacer composed of conducting material is formed along a floating gate block. - 特許庁

材料がＳｉＧｅ混晶或いはＳｉＧｅＣ混晶であって、該混晶を熱酸化してＧｅを偏析させ、組成をゲート端部とゲート中央部とで異ならせることに依って、しきい値を高く維持したゲート３を実現する。例文帳に追加

A gate 3 is realized, where with an SiGe mixed crystal or an SiGeC mixed crystal as a material, the mixed crystal is thermally oxidized to segregate Ge, with a composition at a gate end different from that at a gate central part for a threshold to be kept high. - 特許庁

薄いゲート酸化膜を有し、金属をゲート材料とし、セルファラインでソース／ドレイン領域が形成された、浅いチャネル領域の、０．５μｍ以下のゲート長を持つ微細なＭＯＳトランジスタを実現する。例文帳に追加

To realize a fine MOS transistor wherein a thin gate oxide film is arranged, metal is used as gate material, a source/drain region is formed by self alignment, a channel region is shallow and a gate length is at most 0.5 μm. - 特許庁

（２）ダイレクトゲート１４を備えた、樹脂含有材料を成形する成形用金型１０であって、金型のダイレクトゲートの直下部１５に、該ダイレクトゲートに向かって突出する突形状部１６を設けた成形用金型。例文帳に追加

In the mold (10), the projected part 16 projecting toward the direct gate 14 is formed in the part 15 (2). - 特許庁

そして、ダミーゲート絶縁膜２を除去し高誘電率の絶縁膜をゲート絶縁膜として被着させ、上記第２の溝部１１に導電体材料を充填しＭＯＳトランジスタのゲート電極を形成する。例文帳に追加

A dummy gate insulating film 2 is removed, an insulating film with a high dielectric constant is deposited as a gate insulating film, and the second groove section 11 is filled with a conductor material for forming the gate electrode of the MOS transistor. - 特許庁

シリコン酸化膜よりも比誘電率が高い材料からなるゲート絶縁膜を備えた半導体装置の製造方法において、前記ゲート絶縁膜に光を照射することにより、該ゲート絶縁膜内の固定電荷を減少させる。例文帳に追加

In a method of manufacturing a semiconductor device equipped with a gate insulating film whose permittivity is higher than that of a silicon oxide film, the gate insulating film is irradiated with light rays, by which stationary charge in the gate insulating film can be reduced. - 特許庁

ゲート絶縁膜の膜厚およびゲート絶縁膜中の高誘電率材料の濃度が異なるゲート絶縁膜を、従来よりも短い製造工程で形成可能な半導体装置の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method of manufacturing a semiconductor device enabling the forming of a gate insulation layer different in thickness of the gate insulation layer and in density of a high dielectric constant material, in the gate insulation layer for a shorter manufacturing process than the conventional one. - 特許庁

そして、サイドウォール１２５をマスクとして、ゲート電極材料１２０′を異方性エッチングしてゲート位置決め膜１１５の側面にゲート電極を形成する。例文帳に追加

With the sidewall 125 used as a mask, the material 120' is anisotropically etched to form the gate electrode on the side face of the film 115. - 特許庁

ピンゲート８７から供給された成形材料は、ゲートランド８９内に充填された後にフィルムゲート８８からキャビティ８３内に注入される。例文帳に追加

The material to be shaped supplied from a pin gate 87 is charged in the gate land 89 and then injected into the cavity 83 from the film gate 88. - 特許庁

ゲート配線４０は、画素電極７０と同じ材料で形成され且つ画素電極７０と同じ層に位置する下ゲート配線４０ａと、当該下ゲート配線４０ｂに積層され、透明導電材料よりも導電率の高い材料で形成された上ゲート配線４０ｂと、を含む２層構造を有している。例文帳に追加

Gate wiring 40 has a two layer structure that includes lower gate wiring 40a formed of the same material as a pixel electrode 70 and located on the same layer as the pixel electrode 70 and upper gate wiring 40b laminated on the lower gate wiring 40b and formed of a material with higher electrical conductivity than that of a transparent conductive material. - 特許庁

ヒューズ部ＦＳは、コントロールゲート電極１２（ＣＧ）と同じ材料からなるヒューズ１２と、ヒューズ１２直下に配置され、フローティングゲート電極１６（ＦＧ）と同じ材料からなる保護パッド１６と、ヒューズ１２と保護パッド１６間に配置され、コントロールゲート電極１２（ＣＧ）とフローティングゲート電極１６（ＦＧ）間の絶縁膜と同じ材料からなる絶縁膜１７とから構成される。例文帳に追加

A fuse section FS is composed of a fuse 12, made of the same material as the control gate electrode 12(CG) and an insulating film 17, which is disposed between the fuse 12 and a protective pad 16 and made by the same method as that of an insulating film between the control gate electrodes 12(CG) and the floating gate electrodes 16(FG). - 特許庁

ゲート分離機構の分離部材１７は、アクチュエータ２０の作動により、成形材料の充填時にはゲート７を開とし、成形材料の充填後でホットランナノズル２内部の成形材料が溶融または半溶融状態であるときに、ゲート７を閉じて成形品とゲート７を分離する。例文帳に追加

A separating member 17 in a gate separating mechanism opens the gate 7 by working an actuator 20 when the forming material is filled up and closes the gate 7 when the forming material in the inner part of the hot runner nozzle 2 is formed as molten or half-molten state after filling up the forming material to separate the formed product and the gate 7. - 特許庁

半導体基板上に導電性のゲート構造を設け、その上に第１の誘電性ゲートキャップ材料の層および第２の誘電性材料の層を設ける。例文帳に追加

A conductive gate structure is provided on a semiconductor substrate 1 and a first dielectric gate cap material layer and a second dielectric material layer 5 are provided thereon. - 特許庁

ダミーゲート電極２２上にオフセットスペーサ材料層を形成し、オフセットスペーサ材料層に異方性エッチングを行い、ダミーゲート電極２２の側壁下部にオフセットスペーサ２４を形成する。例文帳に追加

An offset spacer material layer is formed on a dummy gate electrode 22, and the offset spacer material layer is subjected to anisotropic etching to form an offset spacer 24 at a lower portion of a side wall of the dummy gate electrode 22. - 特許庁

ゲート電極を好適な仕事関数を有する導電材料から構成することができ、ゲート電極の構成材料と層間絶縁層のエッチング条件との関係を考慮する必要のない半導体装置を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor device that can let a gate electrode include a conductive material having a preferable work function and need not consider a relationship in etching condition between component materials of the gate electrode and an interlayer insulating layer. - 特許庁

ゲート電極材料に金属等の材料を採用したメタルゲート構造を有する半導体装置の閾値を容易に制御可能な半導体装置の製造方法を得ること。例文帳に追加

To provide a manufacturing method of a semiconductor device capable of easily controlling the threshold of the semiconductor device having the metal gate structure which adopts materials, such as metal, for a gate electrode material. - 特許庁

Ｎｃｈトランジスタの第１のゲート電極１０７及びＰｃｈトランジスタの第２のゲート電極１０８のそれぞれの構成材料として、互いに応力の大きさが異なる材料を用いている。例文帳に追加

As constituent materials for a first gate electrode 107 of an Nch transistor and for a second gate electrode 108 of a Pch transistor respectively, materials causing stresses of different magnitudes are used. - 特許庁

ゲート絶縁膜１０３上に、第１ゲート電極要素１０４の材料となる導電膜と、この導電膜に対して選択的にエッチング可能な材料からなる仕切絶縁膜１０５とを積層状態に形成する。例文帳に追加

On a gate insulation film 103, a conductive film as the material of a first gate electrode element 104 is formed first and a partitioning insulation film 105 consisting of a material allowing etching process is laminated next selectively on this conductive film. - 特許庁

溶融状態の成形材料がスプルー、ゲートを連続して通ることで、速やかに加熱シリンダー17、スプルー、ランナー、ゲートにある旧成形材料を速やかに排出する。例文帳に追加

By continuously passing a molding material under a molten condition through the sprue and the gate, an old molding material existing in the heating cylinder 17, the sprue, a runner and the gate is rapidly discharged. - 特許庁

ゲート絶縁膜をＨｉｇｈ−ｋ材料で構成し、ゲート電極をメタル材料で構成するＨＫ／ＭＧトランジスタを有する半導体装置において、安定した動作特性を得ることのできる技術を提供する。例文帳に追加

To provide a technique capable of acquiring stable operation characteristics in a semiconductor device having an HK/MG transistor in which a gate insulating film is composed of a High-k material and a gate electrode is composed of a metal material. - 特許庁

次いで、ゲート１をキャップ膜７で保護しながらマスク層で保護されていないソース・ドレイン材料膜１２を除去し、ゲート１の両側にソース・ドレイン材料膜１２を残す。例文帳に追加

Then, the source-drain material film 12 not protected by the mask layer is removed while the gate 1 is protected with the cap film 7 and thereby the source-drain material films 12 are left in both sides of the gate 1. - 特許庁

エッチング量を少なくしても素子分離膜の周辺にＨｉｇｈ−ｋゲート絶縁膜材料やゲート電極材料が残ることを抑制できるようにする。例文帳に追加

To suppress remaining of a High-k gate insulating film material and a gate electrode material at a periphery of an element isolation film even when an etching amount is made small. - 特許庁

導電層１２はフローティングゲート層と同じ材料から形成され、導電層１１Ａ、１１Ｂ、１１Ｃはコントロールゲート層と同じ材料から形成されている。例文帳に追加

The conductive layer 12 is formed from the same material as that of a floating gate layer, and the conductive layers 11A, 11B, and 11C are formed from the same material as that of a control gate layer. - 特許庁

ここで、ｎＭＩＳ向けの第１ゲート電極材料とｐＭＩＳ向け第２ゲート電極材料とは相互に変換することが可能であり、プロセスを単純化することが可能である。例文帳に追加

In this case, a 1st gate electrode material for the n-MIS and a 2nd gate electrode material for the p-MIS can be mutually exchanged, so that processes can be simplified. - 特許庁

有機半導体からなる活性層、金属材料からなるゲート電極およびゲート電極上に形成されたポリイミドと金属材料の混合物からなるゲート絶縁膜を含むことを特徴とする有機半導体装置により、上記の課題を解決する。例文帳に追加

This organic semiconductor device contains an active layer composed of an organic semiconductor, a gate electrode composed of a metallic material, and the gate insulating film formed on the gate electrode and composed of the mixture of polyimide and the metallic material. - 特許庁