「ゲート材料」に関連した英語例文の一覧と使い方(8ページ目) - Weblio英語例文検索

バルブピン66の往復運動に伴い、バルブピン66とゲート52とが摺動したり、材料通路59内の成形材料が振動ないし脈動的な動きを生じることにより、材料通路59に残留した前の成形材料の排出が促進される。例文帳に追加

The valve pin 66 and the gate slide or the molding material in a material passage 59 generates vibration or pulsating movement accompanied by the reciprocating motion of the valve pin 66 to accelerate the discharge of the previous molding material remaining in the material passage 59. - 特許庁

パターニング時におけるフォトリソグラフィに影響を与えない膜厚を有する犠牲膜をゲート電極材料上に形成し、エッチングにより犠牲膜をパターニングするとともに、パターニングされた犠牲膜８ａをマスクに用いてゲート電極材料をパターニングしてゲート電極１１，１２を形成する。例文帳に追加

A sacrifice film having a film thickness not to influence photolithography in patterning is formed on the gate electrode material, the sacrifice film is patterned by etching, and the gate electrode material is patterned by using the patterned sacrifice film 8a for a mask to form gate electrodes 11 and 12. - 特許庁

ゲート積層体構造は、半導体基板５の上に形成された界面層４と、界面層４の上に形成された高誘電率誘電体３と、拡散性材料と不純物金属を含み、高誘電率誘電体の上方に形成されたシリサイドゲート１と、拡散性材料に対するバリア効果を持ち、高誘電率誘電体３とシリサイドゲート１の間に形成されたバリアメタル２とを備えている。例文帳に追加

The gate stack structure is equipped with: an interfacial layer 4 formed on a semiconductor substrate 5; a high-k dielectric 3 formed on the interfacial layer 4; a silicide gate 1 including a diffusive material and an impurity metal and formed over the high-k dielectric; and a barrier metal 2 having a barrier effect to the diffusive material and formed between the high-k dielectric 3 and the silicide gate 1. - 特許庁

本発明のカーボンナノチューブ電界効果トランジスタは、ソース電極２とドレイン電極３間を電気的に接続するチャネル部４をカーボンナノチューブによって構成すると共に、ゲート電極１上に形成されたゲート絶縁膜５表面に配置し、前記ゲート絶縁膜５の材料として、ＳｉＯ_２よりも高い比誘電率を有する誘電材料を用いた。例文帳に追加

The carbon nanotube field-effect transistor comprises a channel 4 electrically connecting the source electrode 2 and the drain electrode 3 structure by a carbon nanotube and arranged on the surface of a gate insulating film 5 formed on the gate electrode 1, and uses a dielectric material having relative permittivity higher than that of an SiO_2as a material of the gate insulating film 5. - 特許庁

電子放出領域と、電子を引き出すゲート電極と、ゲート絶縁層を有する電界放出電子源において、電子放出材料の微粒子を支持基板１に配設されたホール３、又は細孔内に充填させ、素子を形成する材料、構成に制限のない相違するカソード配線２とゲート電極配線６を直交させることを可能にする。例文帳に追加

This field emission electron source includes an electron emission region, a gate electrode to extract electrons and a gate insulating layer, and a hole 3 or small hole provided in a support board 1 is filled with particulates consisting of electron emitting material, and a different cathode wiring 2 free of restriction on the material and composition to form the element is made practicable to intersect a gate electrode wiring 6 perpendicularly. - 特許庁

断面が円環状となるキャビティ６にゲート口４を連通した型と、前記ゲート口４に成形材料を供給する供給部１と、を備えて、断面が円環状の中空体を製造する中空体の製造装置において、前記ゲート口４からキャビティ６に供給される成形材料の供給方向が、キャビティ６の接線方向に供給されるようにしている。例文帳に追加

In the apparatus for manufacturing a hollow material to manufacture the material having an annular section comprising a mold communicating a cavity having an annular section with a gate port 4, and a supply unit 1 for supplying a molding material to the port 4, a supplying direction of the molding material to be supplied from the port 4 to the cavity is supplied in a tangential direction of the cavity. - 特許庁

成形機から射出された材料を加熱溶融したまま複数のゲートに分配してキャビティへ充填する射出成形用ホットランナ金型装置で、ゲート部での流動抵抗を生じることなく、材料が各ゲートからキャビティへ充填されるタイミング、量を調整し、ウエルド位置を変更するなどの効果を得る。例文帳に追加

To obtain effects such as the change of a welding position by adjusting the timing of a material to be packed from each gate in a cavity and the amount of the material in a hot runner mold device for injection molding, which the material injected from a molding machine, while being heated and melted, is distributed to the gates to be packed in the cavity. - 特許庁

ポリシラザンを含む液体材料を用いて液相法によりゲート絶縁膜１２を形成した後、係るゲート絶縁膜１２の上に、当該ゲート絶縁膜１２中に含まれる水分の分解を促し、且つ、該分解によって生じた水素をブロックする水素ブロック膜２０を形成し、その後、上記ゲート絶縁膜１２をアニールする。例文帳に追加

After a gate insulation film 12 is formed by liquid phase method using a liquid material containing polysilazane, decomposition of moisture contained in the gate insulation film 12 is accelerated and a film 20 for blocking hydrogen produced through decomposition is formed on the gate insulation film 12 before the gate insulation film 12 is annealed. - 特許庁

高価な継手を使用することなく、コルゲート管同士あるいはコルゲートと他の配管材料とを熱融着によって接続することができ、接続部に可撓性があり、コルゲート管の最大径とほぼ同じ外径で、接続部も既設配管へスムーズに挿入することができるとともに、接続部での内部を流れる流体の圧力損失を少なくすることができるコルゲート管の接続方法を提供することを目的としている。例文帳に追加

To provide a connecting method for a corrugated pipe capable of connecting both corrugated pipes or the corrugated pipe and the other piping material by thermal fusion without using expensive joints and smoothly inserting a joint having flexibility and the almost same diameter with the maximum diameter of the corrugated pipe into an existing pipe and lessening pressure loss of liquid flowing in the joint. - 特許庁

ｎ型不純物がドープされた酸化膜４にゲート溝５を形成した後、酸化膜４からのｎ型不純物の固相拡散によりソース、ドレインとして機能するｎ型半導体領域６を形成し、さらにゲート溝５の内部に高誘電体材料７および低抵抗金属膜８を埋め込むことでそれぞれゲート絶縁膜およびゲート電極を形成する。例文帳に追加

A gate groove 5 is provided to an oxide film 4 doped with n-type impurities, n-type semiconductor regions 6 functioning as a source and a drain are formed by solid phase diffusion, and furthermore the gate groove 5 is filled up with a high dielectric material 7 and a low-resistance metal film 8 for the formation of a gate insulating film and a gate electrode. - 特許庁

半導体基板４とゲート電極２２の間に介在するゲート絶縁膜２０を製造する方法において、ゲート絶縁膜を形成する半導体基板の領域に窒素元素１２を含むイオンを注入し、イオンを注入した注入領域内に高誘電率材料からなる絶縁膜１８を形成してゲート絶縁膜２０を製造することとした。例文帳に追加

In a method of manufacturing a gate insulating film 20, which is interposed between a semiconductor substrate 4 and a gate electrode 22, nitrogen 12-containing ions are implanted in a region, which is formed with the gate insulating film, on the substrate 4 and an insulating film 18 consisting of a high-dielectric constant material is formed within the region implanted with ions to contrive to manufacture the film 20. - 特許庁

ゲートカット部を開口するために前記加熱手段によって金属材料の加熱を開始し、一のノズルの前記ゲートカット部の温度が前記ゲートカット部を開口する所定の温度まで達した後に、他の前記ノズルの前記ゲートカット部の全てが前記所定の温度に達するまでその温度を保持させる。例文帳に追加

The metallic material is started to heat with a heating means to open a gate-cut part, and after the temperature of the gate-cut part in one nozzle reaches a prescribed temperature for opening the gate-cut part, this temperature is kept until the gate-cut parts in the whole other nozzles reach the prescribed temperature. - 特許庁

ＭＯＳＦＥＴのゲート絶縁膜を耐熱性、耐酸化性の制限によりゲートエッジの丸め酸化を行うことができない材料で形成した場合でも、ゲートエッジの丸め酸化を行うことなく、ゲートエッジでの電界集中を緩和することができ、高い信頼性のある半導体装置とその製造方法を提供することを目的とする。例文帳に追加

To provide a high-reliability semiconductor device which can reduce the convergence of an electric field on a gate edge without subjecting the gate edge to rounding oxidation, even when the gate insulating film of an MOSFET is formed of such a material that the gate edge can not be subjected to the rounding oxidation because of the limitations of heat resistance and oxidation resistance, and to provide its manufacturing method. - 特許庁

１トランジスタ型のセルで構成されたメモリセルＭを構成する浮遊ゲート電極９を単一電極材料で構成された単純な断面Ｉ形状とし、制御ゲート電極１１との容量の増大を図るべく、制御ゲート電極１１をその浮遊ゲート電極９の側面をも覆うように断面Π形状とした。例文帳に追加

A floating gate electrode 9 constituting a memory cell M comprising one transistor type cell is provided with a simple cross-section shape I of a single electrode material, and in order to increase the capacity with a control gate electrode 11, the control gate electrode 11 is provided with such cross-section shape II as to cover the side surface of the floating gate electrode 9. - 特許庁

半導体基板主面に形成したＭＩＳＦＥＴを複数有する半導体装置について、一のＭＩＳＦＥＴのゲート絶縁膜として、他のＭＩＳＦＥＴのゲート絶縁膜よりも高誘電率の材料を用い、前記一のＭＩＳＦＥＴのゲート絶縁膜の電気的膜厚を、前記他のＭＩＳＦＥＴのゲート絶縁膜の電気的膜厚よりも薄くする。例文帳に追加

This semiconductor device, which has MISFETs formed on the main surface on a semiconductor substrate 1 uses for the gate insulating film of one MISFET a material which has a dielectric constant higher than that of the gate insulating film of the other MISFET, and an electric film thickness of the gate insulating film of the former MISFET is made smaller than that of the gate insulating film of the latter MISFET. - 特許庁

高誘電体材料膜３４に対して、フルオロカーボンガスを含むエッチングガスを用いるプラズマエッチングを行なって、高誘電体材料膜３４よりなるゲート絶縁膜３４Ａを形成する。例文帳に追加

Plasma etching is then applied to the high dielectric material film 34 using etching gas containing fluorocarbon gas to form a gate insulating film 34A composed of the high dielectric material film 34. - 特許庁

このため、空乏層は、ポリシリコンゲート２７の下方の半導体材料２２の内部まで広がり、ドレイン層１２の表面から半導体材料２２の底面までの深さで電界強度が一定になる。例文帳に追加

Accordingly, a depletion layer is spread to the inside of the semiconductor material below the polysilicon gate 27 and the electric field strength becomes consistent from a surface of a drain layer 12 to a depth of the bottom surface of the semiconductor material 22. - 特許庁

酸化剤と反応し、水易溶性の酸化物を形成する金属が電子放出材料としてゲート電極１１０側から蒸着されることによって、キャビティ１１４内に電子放出材料をエミッタ電極１１６として堆積する。例文帳に追加

By depositing metal forming a readily-water-soluble oxide from the side of a gate electrode 110 as an electron emission material, the electron emission material is deposited in a cavity 114 as an emitter electrode 116. - 特許庁

第１及び第２のゲートマスクパターンの側壁上に、第１の絶縁材料とはエッチング耐性の異なる第２の絶縁材料からなるサイドウォールスペーサを形成する。例文帳に追加

A sidewall spacer of second insulating material having etching resistance different from that of the first insulating material is formed on the sidewall of the first and second gate mask patterns. - 特許庁

また本発明は、薄膜トランジスタのゲート電極層と画素電極層を同工程同材料を用いて形成し、工程の簡略化と、材料のロスの軽減を達成する。例文帳に追加

By forming a gate electrode layer and a pixel electrode layer of the TFT by using the same process and material, simplified processing and reduction in material loss are achieved. - 特許庁

次いで、シリコン窒化膜１４上に高誘電体材料のシリケート膜１５及び高誘電体材料膜１６を形成して、ゲート絶縁膜１７を完成する。例文帳に追加

A silicate film 15 consisting of a high dielectric material and a high dielectric-material film 16 are formed on the silicon nitride film 14, and a gate insulating film 17 is completed. - 特許庁

有機半導体材料を用いた半導体装置において、ゲート絶縁膜の材料によらずにしきい値を制御可能な有機された半導体装置、およびこの半導体装置に用いられる半導体薄膜を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor device using an organic semiconductor material, which is made to have organic, and can control a threshold irrespective of the material of a gate insulation film, and to provide a semiconductor thin film used for the semiconductor device. - 特許庁

このように、ゲート誘電体層３２となる誘電体材料が素子の高温処理後に堆積されるので、誘電体材料に拡散するゲルマニウムは無視できる量となる。例文帳に追加

Thus, the dielectric materials to be turned into the gate dielectric layer 32 are built up after the high temperature treatment is carried out to the elements, and the quantity of germanium diffusing to the dielectric materials is ignorable. - 特許庁

ゲート間を導電材料で埋め込んだ後に、コンタクトを形成する際に、エッチング時のパターンをライン状にしてコンタクトの導電材料で同時に配線層を形成する。例文帳に追加

When a contact is formed after a conductive material is charged between gates, a pattern in etching is defined as a line shape and a wiring layer is formed of the conductive material of the contact at the same time. - 特許庁

また本発明は、薄膜トランジスタのゲート電極層と画素電極層を同工程同材料を用いて液滴吐出法により選択的に形成し、工程の簡略化と、材料のロスの軽減を達成する。例文帳に追加

Also, simplification of the steps and reduction of loss of the materials are achieved by selectively forming a gate electrode layer of the thin-film transistor and a pixel electrode layer by using the same steps and the same material by a liquid drop discharge method. - 特許庁

射出装置１０の加熱筒１１の先端に形成されるホットノズル１９のゲート部２０ａを温度制御することにより、材料を固化させて、溶融材料の吸い込みを防止する。例文帳に追加

The molten material is prevented from being sucked by solidifying the material by a temperature control of a gate part 20a of a hot nozzle 19 formed at the top of a heating cylinder 11 of the injection molding apparatus 10. - 特許庁

集積回路内のｆｉｎＦＥＴ構造体のゲート・スタック上のスペーサ／側壁材料に対してフィン上のスペーサ／側壁材料を選択的にエッチングするための選択性を達成するための信頼できるプロセスを提供する。例文帳に追加

To provide a reliable process for achieving selectivity for selectively etching spacer/side wall material on fin against spacer/side wall material on a gate stack of finFET structure in an integrated circuit. - 特許庁

導波路型光ゲートスイッチに関し、相変化材料部の放熱効率を高めて、相変化材料部のアモルファス化を確実に且つ短時間で行う。例文帳に追加

To reliably perform amorphization of a phase change material portion in a short time in a waveguide optical gate switch by enhancing the heat radiation efficiency of the phase change material portion. - 特許庁

不純物金属は、シリサイドゲート１の拡散性材料が高誘電率誘電体に導入されることを防ぐことができるような、拡散性材料に対するバリア効果を有している。例文帳に追加

The impurity metal has a barrier effect to the diffusive material so that the diffusive material in the silicide gate 1 is prevented from being introduced into the high-k dielectric. - 特許庁

前記Ｐ型のトランジスタは、第１の仕事関数値を有し、第１の金属材料に富んだ第１材料層２１１−１より成る第１ゲート電極を有する。例文帳に追加

The p-type field effect transistor has a first work function and a first gate electrode formed of a first material layer 211-1 rich in a first metal material. - 特許庁

前記Ｎ型のトランジスタは、第２の仕事関数値を有し、第２の金属材料に富んだ第２材料層２１１−２より成る第２ゲート電極を有する。例文帳に追加

The n-type transistor has a second work function, and a second gate electrode formed of a second material layer 211-2 rich in a second metal material. - 特許庁

下型１に設けた充填具４４で成形材料７を押し上げて充填孔４２からゲート４３を介してキャビティ４に成形材料７を充填することによって、筒状成形品を形成する。例文帳に追加

A molding material 7 is lifted by a filler 44 provided at a lower mold 1 to fill the material 7 in the cavity 4 from a filling hole 42 with the gate 43, thereby forming the cylindrical molding. - 特許庁

テールゲートに加えられる荷重に対抗するばねと、カウンタバランスに停止装置を提供する可撓性のある材料ストラップと、ばね及び可撓性のある材料ストラップをカバーする保護ハウジングと、から構成される。例文帳に追加

The tail gate stabilizer comprises a spring standing against a load applied on the tail gate; a material stop, having flexibility and providing a counter balance with a stop device; and a protection housing to cover the spring and the material strap having flexibility. - 特許庁

そして、可動コアピン31の先端は材料溜まり17に嵌入してゲート34を閉塞するから、この嵌入により樹脂溜まり17内の成形材料が圧縮されキャビティ４内の樹脂が圧縮される。例文帳に追加

Since the leading end of the movable core pin 31 is fitted in the material sump 17 to close the gate 34, the molding material in the material sump 17 is compressed to compress the resin in the cavity 4. - 特許庁

また加圧プランジャ１５による加圧過程では，半溶融Ａｌ合金材料１６によりＡｌ缶３４の底壁３６に設けられた脆弱部３７を破断してゲート８に直接連通する材料通過孔３８を形成する。例文帳に追加

Further, in the pressurizing process with the pressurizing plunger 15, a brittle part 37 arranged at the bottom wall 36 in the Al can 34 is broken with the semi-molten Al alloy material 16 to form a material passing-through hole 38 directly communicated with the gate 8. - 特許庁

型閉時に、センターピン72が可動型22に接するため、可動型22側に熱が逃げ易いが、リングヒーター61の加熱によりゲート73側においても材料通路42内の成形材料の加熱を行うことができる。例文帳に追加

Since the center pin 72 comes into contact with the movable mold 22 at mold clamping, heat is easy to escape to the movable mold 22 but the molding compound in the material passage 42 can be heated even on the side of the gate 73 by the heating of the ring heater 61. - 特許庁

この中子を可溶性材料１０内に配置し、中子と金型１０の内面との間のキャビティ１５に対し、金型のゲートから外殻体構成用の樹脂材料を射出する。例文帳に追加

The cores are arranged in the soluble material 10 and a resin material for forming an outer shell body is injected in the cavity 15 between the cores and the inner surface of a mold 10 from the gate of the mold. - 特許庁

被描画材料をカセットに装着し、ゲートチャンバー８を開き、アームに保持されたカセットに装着された被描画材料を載置台６上に置く。例文帳に追加

The material to be lithographed is mounted on a cassette, it is conveyed to a cassette mounting chamber 10, a gate chamber 8 is opened, and the material to be lithographed mounted on the cassette retained by the arm is placed on a placing stand 6. - 特許庁

また本発明は、薄膜トランジスタのゲート電極層と画素電極層を同工程同材料を用いて形成し、工程の簡略化と、材料のロスの軽減を達成する。例文帳に追加

Also, simplification of the steps and reduction of loss for the materials are achieved, by forming a gate electrode layer of the thin-film transistor and a pixel electrode layer using the same step and the same material. - 特許庁

ゲートを簡単な構造としながら、非成形時における成形材料の垂れ落ちを防止するとともに、成形時における成形材料の流量を確保する。例文帳に追加

To prevent a molding material from dripping down at a non-molding time and also to ensure a flow rate of the molding material at a molding time, while simplifying the structure of a gate. - 特許庁

非導電性の成形材料はゲート構造部を通って射出成形機内に射出され、それによって射出された材料が基部の各セクター内にほぼ均一に分配される。例文帳に追加

The non-conductive plastic forming material is injected to the injection machine through the gate structure and the injected material injected therefrom is distributed nearly uniformly in each sector of the base portion. - 特許庁

各溝は能動区域に渡って列方向に形成され、制御ゲート３２，４４である電導材料のブロックを形成する電導材料で満たされる。例文帳に追加

The respective trenches are formed in a column direction along the active regions and filled with conducting material for forming blocks of the conducting material as control gates 32, 44. - 特許庁

基板２０１内の深いトレンチ２０２は、底部２０３及び側面２０４に誘電性材料を残し、上方部分を、導電材料２０５で満たしゲート領域２０６を形成する。例文帳に追加

A deep trench 202 is cut in a board 201, a dielectric material is left on a base 203 and a sidewalls 204 of the trench 202, and the upper part of the trench 202 is filled with a conductive material 205 for the formation of a gate region 206. - 特許庁

材料通路におけるバルブ体による成形材料の流れに対する抵抗を削減し、かつバルブ体とゲートとの磨耗の発生を抑制する。例文帳に追加

To reduce the resistance against the flow of a molding compound due to a valve body in a material passage and to suppress the generation of the abrasion of the valve body and a gate. - 特許庁

材料通路の内面を平滑にすることができ、成形材料を製品キャビティに円滑に充填することができるバルブゲート式金型装置とその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a valve gate type mold assembly capable of smoothing the inner surface of a material passage and capable of smoothly filling a product cavity with a molding material, and its manufacturing method. - 特許庁