「ゲート材料」に関連した英語例文の一覧と使い方(7ページ目) - Weblio英語例文検索

溝６２の側壁にチャンネルが形成されるパワーＭＯＳＦＥＴにおいて、溝６２の底部のゲート電極材料を除去してドレイン−ゲート間の寄生容量を低減するのを容易とする。例文帳に追加

To easily reduce the parasitic capacity between a drain and a gate by eliminating a gate electrode material at the bottom of a groove 62 in a power MOSFET where a channel is formed at the side wall of the groove 62. - 特許庁

誘電性材料に与えるダメージの少ない乾式または湿式エッチングプロセスを用いることなく、フィールドプレートされたデバイスを実現できるシングルゲートまたはマルチゲートフィールドプレートの製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method of manufacturing a single or multiple gate field plate which can realize a device with a field plate, without a dry or wet etching process not doing much damage to a dielectric material. - 特許庁

半導体基板とゲート絶縁膜との界面における界面準位を増大させることなく、より誘電率が低い材料でゲート絶縁膜を形成することが可能な半導体装置の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method of manufacturing a semiconductor device which makes a gate insulation film of a material having a lower dielectric constant without increasing the interfacial level in an interface between a semiconductor substrate and the gate insulation film. - 特許庁

この高誘電体材料からなる絶縁層１−１１により、ゲートリーク電流は著しく低減され、更に高いゲート電圧に対して正常なトランジスタ動作が実現される。例文帳に追加

The gate leak current is significantly reduced by the insulating layer 1-11 consisting of the high dielectric material, and a proper transistor operation to the high gate voltage can be realized. - 特許庁

溝４に滴下する配線材料インク３の量は、ゲート配線パターン８０とゲート電極部パターン８０aとなる薄膜の膜厚を満足する量になるように決める。例文帳に追加

An amount of the wiring material ink 3 which is dropped to the trench 4 is determined so that the film thickness of the thin film which becomes the gate wiring pattern 80 and the gate electrode section pattern 80a may be satisfied. - 特許庁

ソース及びドレイン領域を絶縁材料で埋め戻すことによってゲート及びソース間並びにゲート及びドレイン間のリーク電流が飛躍的に低減される。例文帳に追加

By back-filling the source and drain regions with an insulating material, leakage currents between the gate and source and the gate and drain are greatly reduced. - 特許庁

ゲート電極材料の安定かつ広範な仕事関数の制御を可能にし、ｎ型、ｐ型双方のＭＩＳＦＥＴに適用可能なゲート電極を備える半導体装置を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor device which controls a stable and extensive work function of a gate electrode material and includes a gate electrode applicable to MISFETs of both an n-type and a p-type. - 特許庁

第１ゲート電極３８は、ゲート絶縁膜３５上に電極材料を堆積し、アライメントマーク４５を参照して垂直転送チャネル３３等に位置合わせしてパターニングされる。例文帳に追加

The first gate electrode 38 is formed by accumulating an electrode material on a gate insulating film 35, and patterned in alignment to the vertical transfer channel 33 with reference to an alignment mark 45. - 特許庁

トレンチ端部でのゲート酸化膜耐圧の低下を抑え、且つ、トレンチへの電極材料の埋め込み性が悪化しないトレンチゲート構造を提供する。例文帳に追加

To provide a trench-gate structure, wherein the lowering of the gate oxide film breakdown voltage at the end part of the trench is suppressed and the embedding property of an electrode material into the trench is not deteriorated. - 特許庁

ゲート材料は、ゲート電極９、ソースコンタクト１２およびドレインコンタクト１３、ならびに対向電極コンタクトを画定するためにエッチングされる。例文帳に追加

The gate material is etched to define the gate electrode 9, the source contact 12 and drain contact 13, and the counter-electrode contact. - 特許庁

ゲート構造５の間のソース・ドレイン領域４上と、ゲート構造５５間のソース・ドレイン領域５４上とに、無指向性スパッタ法を用いて金属材料を堆積する。例文帳に追加

A metal material is deposited on source-drain regions 4 between gate structures 5 and source-drain regions 54 between gate structures 55 by using nondirectional sputtering method. - 特許庁

ゲート電極の仕事関数で本質的にしきい値電圧が決定されるＦＩＮＦＥＴにおいて、ゲート電極の材料を変えることなく、ＦＩＮＦＥＴのしきい値電圧を調整することができる技術を提供する。例文帳に追加

To provide, in FINFET (FIN Field Effect Transistor) whose threshold voltage is determined essentially by the work function of a gate electrode, a technology capable of adjusting the threshold voltage of FINFET without changing the material of the gate electrode. - 特許庁

高誘電率材料を含むゲート絶縁膜と、高融点金属等を含むゲート電極とを備え、消費電力の低減と高速動作化とが図られた半導体装置及びその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor device which has a gate insulating film containing a high-dielectric-constant material and a gate electrode containing high-melting-point metal etc., and achieves reduction in power consumption and high-speed operation, and to provide a method of manufacturing the same. - 特許庁

複数のバルブゲートおよびマニホールドをユニット化し、これを射出成形金型に容易に装着できて、例えば材料替えや色替えの際の段取りを短時間で行え、生産性が向上するバルブゲートユニットを提供する。例文帳に追加

To unify a plurality of valve gates and a manifold to easily mount them on an injection mold and to perform work, for example, in the replacement of a material or a color within a short time to enhance productivity. - 特許庁

材料通路を平滑に保つことができ、また、ゲート部分の耐久性を向上することができるバルブゲート式金型装置とその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a valve gate type mold assembly capable of smoothly holding a material passage and capable of enhancing the durability of a gate part, and its manufacturing method. - 特許庁

具体的には、パターンサイズの異なる半導体膜２０２Ａ、２０２Ｂが形成された基板１１上にゲート絶縁膜を形成するための液体材料を塗布し、これを焼成することによって第１ゲート絶縁膜２２０を形成する。例文帳に追加

More particularly, the liquid material for forming the gate insulating film is coated on the substrate 11 in which semiconductor films 202A, 202B of different pattern sizes are formed, and a first gate insulating film 220 is formed by baking it. - 特許庁

そして、可塑化された樹脂材料を固定型１２側のランナ２２からトンネルゲート２１Ｂ及びメインゲート２１Ａを介してキャビティ１７内に射出充填する。例文帳に追加

A plasticated resin material is injected/ packed from a runner 22 on the fixed mold 12 side into a cavity 17 through a tunnel gate 21B and a main gate 21A. - 特許庁

セルコンタクトのショート等の問題がなく、またゲートトレンチ内にシリコン基板材料によるバリが残らず、良好な特性を有するトレンチゲートの形成方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method of forming a trench gate, which has no problem of a short circuit of a cell contact, has no burr left due to a silicon substrate material in the gate trench and has satisfactory characteristics. - 特許庁

シリコン基板１１にゲート絶縁膜１５を介して第１のゲート電極材料膜１６ａを堆積した後、マスク材を用いて素子分離用溝１３を加工し、素子分離絶縁膜１４を埋め込む。例文帳に追加

After a first gate electrode material film 16a is deposited on a silicon substrate 11 through a gate insulating film 15, a mask material is used to work an element isolation groove 13 for embedding an element isolation insulating film 14. - 特許庁

ｎＭＯＳＦＥＴのゲートとｐＭＯＳＦＥＴのゲートとが異なる低抵抗材料で形成された半導体装置とその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor device in which a gate of nMOSFET and a gate of pMOSFET are formed by different low-resistance materials from each other, and a method of manufacturing the semiconductor device. - 特許庁

ゲート絶縁層を形成する材料を改良することにより有機電界効果トランジスタのヒステリシスを小さくする有機薄膜トランジスタゲート絶縁層用樹脂組成物を提供する。例文帳に追加

To provide a resin composition for a gate insulating layer of an organic thin-film transistor, which can minimize hysteresis of an organic field-effect transistor by improving materials forming the gate insulating layer. - 特許庁

繊維強化熱可塑性プラスチック材料の射出成形において、寸法的制約からゲート数の増設は物理的に制限されてゲート数を増やせなくてもウエルドラインの本数を増加できるようにすること。例文帳に追加

To ensure that the number of weldlines can be increased instead of increasing the number of gates under physical limitation on an increase in the number of gates to be installed due to dimensional restrictions, in injection-molding of a fiber-reinforced thermoplastic plastic material. - 特許庁

樹脂材料の種類にかかわらず、ゲート部分に望ましくない突起形状が発生することを防止できる射出成形用金型のバルブゲート構造を提供する。例文帳に追加

To provide a structure of a valve gate of a mold for injection molding capable of preventing an undesired protrusion shape at a gate irrespective of a type of a resin material. - 特許庁

絶縁基板上の半導体層、ゲート絶縁膜、導電性材料から成るサイドウォールを有するゲート電極、低濃度Ｎ型不純物領域、ソース領域及びドレイン領域から構成される薄膜トランジスタ。例文帳に追加

The thin film transistor is composed of a semiconductor layer, gate insulation film, gate electrode having conductive material-made side-walls, low-concentration N-type impurity region, source region and drain region, all formed on an insulation substrate. - 特許庁

薄膜半導体素子において、ゲート絶縁膜中に含まれる水分がゲート電極膜の材料であるＷと反応することにより、トランジスタ特性の負方向への変動が生じ、素子の信頼性を損なう。例文帳に追加

To overcome the defect that in a thin-film semiconductor element the moisture contained in a gate insulation film so reacts on W of the material of a gate electrode film as to generate thereby the change of the characteristic of a transistor in the negative direction thereof and damage its reliability. - 特許庁

ゲートノズル１５内に搬送された液状熱硬化性樹脂材料はゲートノズル１５の下方に配置される下型キャビティ内に直ちに吐出される。例文帳に追加

The liquid heat curable resin material conveyed into the gate nozzle 15 is immediately ejected into the lower mold cavity disposed on the under side of the gate nozzle 15. - 特許庁

このチャネル部分１１にゲート絶縁層８４を備える工程と、ゲート絶縁層８４上に導電性材料８５を備える工程とをさらに含んでいる。例文帳に追加

There are further provided a process for providing a gate insulating layer 84 to the channel part 11, and a process for providing a conductive material 85 on the gate insulating layer 84. - 特許庁

ホッパ出口のゲートの開閉開度及び開閉速度が可変であり、ホッパに投入する材料によって開度及び開閉速度を調整可能なホッパのゲート装置の提供。例文帳に追加

To provide a gate device for a hopper capable of varying an opening and opening/closing speed of a gate at a hopper outlet and of adjusting the opening and the opening/closing speed by materials charged to the hopper. - 特許庁

ゲート電極材料、周辺回路領域におけるゲート電極及び側壁保護膜をマスクに周辺回路領域におけるソース・ドレイン領域の高濃度不純物領域を形成するためのイオン注入を行う。例文帳に追加

Next, a side wall protection film 9 is formed. - 特許庁

また、ゲート絶縁層がポリアミド等の他の有機材料よりなる場合と比べて、ゲート絶縁層の影響によるチャネル層の半導体特性の劣化が著しく少ない。例文帳に追加

At the same time, the deterioration of semiconductor characteristics of the channel layer due to the effect of the gate insulating layer is remarkably reduced as compared with a case wherein the gate insulating layer is constituted of another organic material such as polyamide or the like. - 特許庁

バルブケーシング25の反ゲート側面29に材料通路28の入口部28Ｃを設け、反ゲート側面29とマニホールド８の面とを突き合わせると共に該マニホールド８のランナー９を入口部28Ｃに接続する。例文帳に追加

The inlet part 28C of a material passage 28 is provided to the counter gate side surface 29 of a valve casing 25, and the counter gate side surface 29 and the surface of a manifold 8 are abutted to each other while the runner 9 of the manifold 8 is connected to the inlet part 28C. - 特許庁

第２ゲート電極３ａ２は、金属シリサイド等の導電材料を用いて平面的に見て低濃度ソース領域１ｂ及び低濃度ドレイン領域１ｃを覆うように第１ゲート電極３ａ１上に設けられている。例文帳に追加

A second gate electrode 3a2 is made of such a conductive material as metal silicide, and is so disposed on a first gate electrode 3a1 in a plan view as to cover a low-concentration source region 1b and a low-concentration drain region 1c. - 特許庁

このゲート形成用開口部の内側を埋め込むとともに、埋め込み絶縁膜、及び各素子領域層の上側全面を覆うゲート電極材料層を形成する。例文帳に追加

Then gate electrode material layers are formed which fill the gate formation the opening parts and cover the entire top surface of the buried insulating films and respective element region layers. - 特許庁

一つのバルブ本体24に、２つのゲート22にそれぞれ連通する２つの材料通路28を形成するとともに、両ゲート22をそれぞれ開閉する２本のバルブピン41を組み込む。例文帳に追加

Two paths 28 of material respectively communicated with two gates 22 are formed in the body 24 of one valve and also two pieces of valve pins 41 respectively opening and closing both gates 22 are incorporated. - 特許庁

ゲートコンタクト領域の一部がある形式のエネルギに露出させられ、このエネルギは状態切替可能材料の一部を非導電性から導電性に変質させ、導電部分はゲートコンタクトを規定する。例文帳に追加

A region of the gate contact is exposed to energy of some form, wherein the energy transforms a portion of the state-switchable material from a nonconductive state to a conductive state, the conductive portion defining the gate contact. - 特許庁

電界効果型トランジスタの表面に、誘電性材料の堆積／成長させ、誘電性材料をエッチングし、および、メタルを蒸着させる、連続的なステップを用いる、シングルゲートまたはマルチゲートプレートの製造プロセスの提供。例文帳に追加

To provide a process of manufacturing a single gate or multiple gate field plate using consecutive steps of depositing/growing a dielectric material, etching the dielectric material, and evaporating a metal on a surface of a field effect transistor. - 特許庁

ゲート配線７は、チャネル層３にＰＮ接合するチャネル層３とは異種の半導体材料（ここではポリシリコンを主成分とした半導体材料）によって形成されており、イオン注入によるゲート拡散層の形成を不要とした構成である。例文帳に追加

A gate line 7 is formed of a semiconductor material different from that of the channel layer 3 and making a PN junction with the channel layer 3 (a semiconductor material mainly composed of polysilicon) and the need for forming a gate diffusion layer by ion implantation is eliminated. - 特許庁

高誘電体材料からなるゲート絶縁膜上に金属材料からなるゲート電極を形成するｎチャネル型ＭＩＳトランジスタおよびｐチャネル型ＭＩＳトランジスタによってＣＭＯＳ回路を構成する半導体装置の製造工程を簡略化する。例文帳に追加

To simplify the manufacturing process of a semiconductor apparatus constituting a CMOS circuit by an n-channel MIS transistor and a p-channel MIS transistor forming a gate electrode composed of a metallic material on a gate insulating film composed of a high dielectric material. - 特許庁

素子分離領域の酸化膜厚を減少させず、またゲート材料のパターンニングの際にゲート材料の表面に高低差が生じることなく異なるしきい値電圧を有する複数のＭＯＳＦＥＴを同一の半導体基板上に形成する。例文帳に追加

To form a plurality of MOSFETs having different threshold voltages on the same semiconductor substrate, without reducing the thickness of the oxide film at element isolating regions or forming a difference in height on the surface of a gate material in patterning the gate material. - 特許庁

ＴＦＴアレイ基板１１において、ゲート配線１３およびゲート電極１７を構成材料として、銀を主成分とし、少なくとも、錫、亜鉛、鉛、ビスマス、インジウム、ガリウムから選ばれる１種類以上の元素を含む銀合金材料を用いる。例文帳に追加

In a TFT (Thin Film Transistor) array board 11, as the component material for gate wiring 13 and a gate electrode 17, the silver alloy material consisting essentially of silver and comprising at least one or more kinds of elements selected from tin, zinc, lead, bismuth, indium and gallium is used. - 特許庁

この電極は、トランジスタのゲート電極であってもよく、導電材料の第１の層を堆積し、第１の層を水素含有ガスに露出し、第１の層に導電材料の第２の層を堆積することにより、ｈｉｇｈ−ｋゲート誘電体に形成されてもよい。例文帳に追加

The electrode may be the gate electrode of a transistor and may be formed on a high-k gate dielectric by depositing a first layer of conductive material, exposing that first layer to a hydrogen-containing gas, and depositing a second layer of conductive material over the first layer. - 特許庁

金型にて形成されるキャビティ内に、ホットランナー及びこれにつながるゲートを通して射出形成に係わる材料を注入して成形体を射出成形するに当たって、成形体の端面に相当する領域をゲートとして、そこから材料をキャビティ内に注入する。例文帳に追加

In performing the injection molding of a molded object by injecting a material related to injection molding in the cavity formed to a mold through a hot runner and the gate connected thereto, the region corresponding to the end surface of the molded object is set as a gate to inject the material in the cavity through this gate. - 特許庁

第２絶縁膜の少なくとも上部層は、制御ゲートの下部層を第２絶縁膜の残りから隔離するものであって、制御ゲートの下部層の材料の仕事関数の低減を回避するために、該グループ外で選ばれた所定の高誘電率材料で構築される。例文帳に追加

At least a top layer of the second insulation film for separating the bottom layer of the control gate from the rest of the second insulation film is constructed in a predetermined high-k material, chosen outside the group for avoiding a reduction in the work-function of the material of the bottom layer of the control gate. - 特許庁

ある実施例では、第１ダミー構造（２０１）の一部分は除去されかつ第１導電材料（６４）で置き換えられて第１ゲート電極（７１）を形成し、第２ダミー構造（２０２）の一部分は除去されかつ第２導電材料（８４）で置き換えられて第２ゲート電極（９１）を形成する。例文帳に追加

In an example, a part of the first dummy structure 201 is removed and replaced by a first conductive material 64 to form a first gate electrode, while a part of the second dummy structure 202 is removed and replaced by a second conductive material to form a second gate electrode. - 特許庁

選択的に真空引きされ、真空引きされた状態でゲートバルブ41，81が開かれると成膜室10に真空を破ることなく連通し、ゲートバルブ41，81が閉じた状態では外部から蒸着材料を収めることのできる材料入替チェンバ42，82を設ける。例文帳に追加

Material switching chambers 42 and 82 which are selectively evacuated, communicated with a film forming chamber 10 without breaking the vacuum when gate valves 41, 81 are opened in an evacuated condition, and capable of storing vapor deposition materials from the outside when gate valves 41 and 81 are closed, are provided. - 特許庁