「ジノー」に関連した英語例文の一覧と使い方(12ページ目)

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例文 (562件)

ジノーを含む例文一覧と使い方

該当件数 : 562件

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例文

ｎ型多結晶シリコン膜（ストレージノード電極）１２をｎ型多結晶シリコン膜１５を介してＭＯＳトランジスタのｎ型ソース／ドレイン拡散層２３に接続させる際に、ｎ型多結晶シリコン膜１５とｎ型ソース／ドレイン拡散層２３との間にＷＳｉＮ層１４を介在させる。例文帳に追加

At the time of connecting an n-type polycrystalline silicon film(storage node electrode) 12 through an n-type polycrystalline silicon film 15 to an n-type source/drain diffusion layer 23 of an MOS transistor, a WSiN layer 14 is interposed between the n-type polycrystalline silicon film 15 and the n-type source/drain diffusion layer 23. - 特許庁

３−キヌクリジノール又は３−アミノキヌクリジンと、Ｎ−（２−ヒドロキシプロピル）−Ｎ，Ｎ’，Ｎ”，Ｎ”−テトラメチルジエチレントリアミン及び／又は２−（（２−（２−（ジメチルアミノ）エトキシ）エチル）メチルアミノ）エタノールを含有する触媒組成物であって、それらの混合比率が、２０〜９５／８０〜５（重量％）の範囲である触媒組成物をポリウレタン樹脂の製造に使用する。例文帳に追加

The catalyst composition useful for producing a polyurethane resin is a catalyst composition comprises 3-quinuclidinol or 3-aminoquinuclidine and N-(2-hydroxypropyl)-N,N',N",N"-tetramethyldiethylenetriamine and/or 2-((2-(2-(dimethylamino)ethoxy)ethyl)methylamino)ethanol in the mixing ratio of 20-95/80-5 (wt.%). - 特許庁

プラグ上部の酸化防止、耐水素アニール性の向上のため、薄膜キャパシタの下部（ストレージノード）電極３，４あるいは上部（プレート）電極６，７の少なくとも一方の電極として、ＳｒＶＯ_３，ＬａＣｒＯ_３等の酸素との結合が強い導電性ペロブスカイトを含む２種以上の導電性ペロブスカイト酸化物を積層した電極を用いる。例文帳に追加

In this storage device, in order to prevent oxidation of the plug upper part and improve hydrogen resistant annealing property, an electrode wherein two or more kinds of conductive perovskite oxides containing a conductive perovskite having strong bonding strength to oxygen of SrVO3, LaCrO3, etc., are laminated is used as at least one electrode from among lower part (storage node) electrodes 3, 4 or upper (plate) electrodes 6, 7. - 特許庁

ラベルパス又は波長パスをシグナリングプロトコルにより設定したパス管理情報を用いて伝送する伝送システムにおいて、パスが設定された状態においてエッジノードが障害発生などにより初期化されたときに、初期化直前のパス管理情報を回復可能な、パス管理情報回復方法を提供する。例文帳に追加

To provide a path management information recovery method capable of recovering path management information just before initializing when an edge node is initialized due to occurrence of a fault or the like in a path setting state in a transmission system wherein a label path or a wavelength path is transmitted by using the path management information set by a signaling protocol. - 特許庁

例文

半導体基板上に形成された素子領域１１上には、屈曲部をそれぞれ横切るように互いに間隔をおいて延びる第１のワード線１２Ａ及び第２のワード線１２Ｂが形成され、素子領域１１のほぼ中央部には、データ蓄積用のキャパシタが形成されると共に、キャパシタのストレージノードと素子領域１１とを接続するキャパシタコンタクト１３が形成されている。例文帳に追加

First and second word lines 12A, 12B extending across a bend with a spacing therebetween are formed on an element region 11 formed on a semiconductor substrate, a data-storing capacitor is formed approximately at the center of the element region 11, and a capacitor contact 13 for connecting a storage node of the capacitor to the element region 11 is formed thereon. - 特許庁

例文

メモリキャパシタのストレージノード２３は、低い階層の層間絶縁膜を下地として広面積に渡って使用するので、低い高さで大きな容量値を確保できると共に、それによる段差を小さくでき、又、容量コンタクト３２を開口すべき膜厚が薄くなり、容量コンタクト３２の開口が製造上安定する。例文帳に追加

A storage node 23 of a memory capacitor uses a layer insulation film of a low hierarchy as a base over a wide area, so that high capacitance value can be secured with small height, resulting steps can be reduced, the film thickness for opening capacitive contacts 32 is reduced and the opening of capacitive contacts 32 is stable in view of manufacturing. - 特許庁

あるいは、サーバ側エッジノードが情報提供サーバからユーザへのトラヒック量があらかじめ定めた閾値を越えたことを検出した場合に、ユーザを接続するエッジルータと情報提供サーバを接続するエッジルータ間で情報提供サーバからユーザ向けてのルートに直通のカットスルーパスを形成する。例文帳に追加

When the server side edge node detects that traffic amounts from the information providing server to the user exceed a predetermined threshold, the cut through-path directly communicated from the information providing server to the router for the user is formed between the edge router connecting the user and the edge router connecting the information providing server. - 特許庁

エッジノード２は、サービスネットワーク７から送信されたサービスネットワークの制御情報を、制御情報リンク５に設定されたサービスネットワークの制御情報転送用の論理トンネル５ａを通して、サービスネットワーク８へ向けて転送するサービス情報処理部を備える構成とした。例文帳に追加

An edge node 2 is configured to include a service information processing section that transfers the control information of the service network transmitted from the service network 7 through a logic tunnel 5a for control information transfer of the service network set to a control information link 5 to the service network 8. - 特許庁

その後、開口部１０を含む犠牲層間絶縁膜９上の全面にストレージノード電極形成用のポリシリコン膜１１を形成した後、犠牲層間絶縁膜９上のポリシリコン膜１１を化学機械研磨法により除去して、開口部１０内のみに凹部形状を有するポリシリコン膜１１ａを残置する。例文帳に追加

Then, after a storage node electrode forming polysilicon film 11 is formed on the whole surface of the interlayer dielectric 9 including the openings 10, polysilicon films 11a having recessed shapes are only left in the openings 10 by removing the polysilicon film 11 formed on the interlayer dielectric 9 by chemical mechanical polishing. - 特許庁

例文

本発明の半導体記憶装置のキャパシタは、ストレージノードホール９の底面を覆い、側面を第２の層間絶縁膜８の上面の高さよりも低い高さまで覆う下部電極１０と、下部電極の上を覆う容量絶縁膜１１と、容量絶縁膜１１の上を覆う上部電極１２とを備える。例文帳に追加

The capacitor of the semiconductor memory is provided with a lower electrode 10 for covering the bottom of a storage node hole 9, and for covering the side surface to a height lower than the height of the upper surface of a second interlayer insulating film 8, a capacity insulating layer 11 for covering the top of the lower electrode, and an upper electrode 12 for covering the top of the capacity insulating layer 11. - 特許庁

例文

半導体基板に形成されたチャンネル領域、チャンネル領域とショットキーコンタクトをなしているソース及びドレイン、チャンネル領域の一部分上に形成された中央ゲート電極、中央ゲート電極の外側のチャンネル領域に形成された第１及び第２側壁ゲート電極、及びチャンネル領域と側壁ゲート電極との間に形成された第１及び第２ストレージノードを備えるマルチビット不揮発性メモリ素子。例文帳に追加

There is provided a multi-bit nonvolatile memory device comprising a channel region formed on a semiconductor substrate, a source or a drain forming a shottky contact with the channel region, a central gate electrode formed on a part of the channel region, first and second side wall gate electrodes formed in the channel region outside the central gated electrode, and first and second storage nodes formed between the channel region and the side wall gate electrode. - 特許庁

例文

一般式（１）で示される３、４−エポキシピロリジン化合物を還元し、一般式（２）（上式中、ＲはＨ、あるいは低級アルキル基及びアルケニル基、置換されていてもよいフェニル基、及び芳香族置換基を有するアルキル基およびアルケニル基のいずれかを表し、Ａｒは置換されていてもよいフェニル基を表す。）で示される３−ピロリジノール誘導体を得ることを特徴とするピロリジン誘導体の製造法。例文帳に追加

This method for producing the pyrrolidine derivative, characterized by reducing a 3,4-epoxypyrrolidine compound represented by the general formula (1) (R is H, a lower alkyl, a lower alkenyl, phenyl which may be substituted, an alkyl having an aromatic substituent, or an alkenyl having an aromatic substituent; Ar is phenyl which may be substituted) to obtain the 3-pyrrolidinol derivative represented by the general formula (2). - 特許庁