「ジノー」に関連した英語例文の一覧と使い方(8ページ目) - Weblio英語例文検索

ストレージノードの幅の大きさが増加すると約１０００Å付近で収束すると見積もられるので、最も厚い粗面粒の厚さは約１０００Åとなる。例文帳に追加

When the widths of the storage nodes increase, the thickest thickness of the grains become about 1,000 Å, because it is presumed that the thicknesses of the grains converge on about 1,000 Å. - 特許庁

本発明の不揮発性メモリ素子は、複数の第１半導体層、複数の第２半導体層、複数の第１ストレージノード、及び複数の第１制御ゲート電極を備える。例文帳に追加

This non-volatile memory element has a plurality of first semiconductor layers, a plurality of second semiconductor layers, a plurality of first storage nodes and a plurality of first control gate electrodes. - 特許庁

そして、ポリシリコン層１２に対するエッチング処理を施すことにより、電極形成用溝１５内の底面及び側面上並びにホール８Ａ内に残存したポリシリコン層１２からなるストレージノード電極を形成する。例文帳に追加

By etching the polysilicon layer 12, a storage node electrode is formed of the polysilicon layer 12 remaining on the bottom face and side face of a recess 15 for forming an electrode and in the hold 8A. - 特許庁

この、ゲート絶縁膜ＧＸが、キャパシタＣ２０のキャパシタ絶縁膜となり、ウエル領域６０１が電極キャパシタＣ２０のストレージノードＳＮ２として機能する。例文帳に追加

This gate insulating film GX serves as a capacitor insulating film of a capacitor C20, and the well region 601 functions as a storage node SN2 of the electrode capacitor C20. - 特許庁

半導体装置は、各ストレージノードコンタクト９の上面から上方に延び、略楕円形の断面形状を有するように形成されたキャパシタ１４とを備える。例文帳に追加

The semiconductor device is provided with the capacitors 14 extending upward from the upper face of each storage node contact 9 and formed so as to have a substantially elliptical cross sectional shape. - 特許庁

下部電極と、前記下部電極上に形成された一つの照射されたデータ保存層と、前記データ保存層上に形成された上部電極と、を含むストレージノードである。例文帳に追加

The manufacturing method of the semiconductor memory element comprises a switching element and the storage node connected to the switching element while the storage node has the lower electrode, the data storage layer, and the upper electrode. - 特許庁

そして、前記コンタクト孔内の前記絶縁膜２１Ａをエッチング除去して、前記第１及び第２の膜９Ａ，９Ｂから成るストレージノード電極９を形成する。例文帳に追加

Finally, the storage node electrode 9 composed of the first and second films 9A and 9B is formed by etching off the insulating film 21A in the contact hole. - 特許庁

一つの実施例では、分散型ストレージシステム内のファイルにアクセスを提供するシステムは、ネットワークを経由して接続された複数のストレージノードと少なくとも一式のコンピュータ装置を含む。例文帳に追加

In one embodiment, a system for providing access to files in the distributed storage system includes a plurality of storage nodes and at least one computer device connected via a network. - 特許庁

知母等のユリ科植物に主に存在する下記式（１）で表されるシス−ヒノキレジノール又はその薬理学上許容される塩を含有する血管新生阻害剤による。例文帳に追加

This neovascularization inhibitor comprises a cis-hinokiresinol represented by formula (1) and mainly present in a plant of the family Liliaceae such as Anemarrhenae Rhizoma or its pharmacologically acceptable salt. - 特許庁

エッジノード１１はそのパケットのオプションヘッダに専用線サービスのユーザ認証情報が含まれていると、認証サーバ４に認証要求を送出する。例文帳に追加

An edge node 11 sends an authentication request to an authentication server 4 if the user authentication information of the private line service is included in an option header of the packet. - 特許庁

階層化パケット網におけるパケット転送方法並びに階層化パケット通信システム並びに同システムに使用されるゲートノード，エッジノード及び移動端末並びにパケット網におけるハンドオーバ方法及びルーティングノード例文帳に追加

PACKET TRANSFER METHOD IN HIERARCHICAL PACKET NETWORK, HIERARCHICAL PACKET COMMUNICATION SYSTEM, GATE NODE AND EDGE NODE AND MOBILE TERMINAL USED FOR THE SAME SYSTEM, AND HANDOVER METHOD AND ROUTING NODE IN PACKET NETWORK - 特許庁

論理ボリューム割当情報記憶手段１ａは、ストレージノード２内の記憶領域２ａ，２ｂ，２ｃと論理ボリュームＡ，Ｂ，Ｃとの対応関係を記憶する。例文帳に追加

A logical volume allocation information storage means 1a stores a correspondence relationship between storage areas 2a, 2b, 2c and logical volumes A, B, C in a storage node 2. - 特許庁

シリンダーの高さを高くしても、ウェットディップアウトにおいて、隣接するストレージノードの間のブリッジ現象を防止することのできる半導体素子のキャパシター製造方法を提供すること。例文帳に追加

To provide a manufacturing method of a capacitor of a semiconductor device capable of preventing a bridge phenomenon between adjacent storage nodes in a wet dip-out process, even if the height of a cylinder is made high. - 特許庁

ストレージノード間の間隔の大きさによっても最適な粗面粒の厚さが異なる傾向がみられることも示され、その間隔の下限は約０．１μmであることが示されている。例文帳に追加

It is also shown that the optimum thickness of the grains varies depending upon the sizes of the intervals among the storage nodes and the lower limit of the intervals is about 0.1 μm. - 特許庁

ストレージノードの形成時に、インキュベーション時間を短くし、ステップカバレッジを改善できる半導体素子のキャパシタの製造方法を提供すること。例文帳に追加

To provide a method of manufacturing a capacitor of semiconductor device which can improve step coverage by shortening the incubation time when forming storage node. - 特許庁

当該フェノール性化合物として分離される（+）カテキンおよびシリンガレジノールはＳＯＤ様活性が高く、これらのどれか一方もしくは両方を配合するのが極めて有利である。例文帳に追加

The (+)catechin and syringareginol separated as the phenolic compound have high SOD-like activity, and it is extremely advantageous to blend either one or both of them with the preparation. - 特許庁

次にトレンチ内部表面にキャパシタ絶縁膜１７を形成後、トレンチ８内部に第１の導電膜を堆積し、ストレージノード電極１８を形成する。例文帳に追加

After a capacitor insulating film 17 is formed on the trench internal surface, a first conductive film is deposited in the trench 8 to form the storage node electrode 18. - 特許庁

まず、容量素子６００ａ、６００ｂの下部電極５５ａ、５５ｂを、セル容量７００ａ、７００ｂのストレージノード５３ａ、５３ｂと同時に形成する。例文帳に追加

Lower electrodes 55a, 55b of the capacitive elements 600a, 600b are formed simultaneously with storage nodes 53a, 53b of the cell capacities 700a, 700b. - 特許庁

データの書き込みの際に、メモリセルキャパシタのプレート電極とストレージノードの間の電圧を変えることにより、１メモリセルに３値以上の分極量を蓄積させる。例文帳に追加

When data is written, polarization quantity of ternary or more is accumulated in one memory cell by varying voltage between a plate electrode of a memory cell capacitor and a storage node. - 特許庁

IP通信ネットワーク等のパケット通信ネットワーク上の不特定の１台のエッジノードに、あるノードから発信されたパケットを届けることを図る。例文帳に追加

To transmit a packet issued from a certain node to one unspecified edge node on a packet communication network such as an IP communication network. - 特許庁

ストレージノード電極ＳＮをＲｕ膜１６とＳＲＯ膜１７との積層構造とすることにより、ＳＲＯ膜とタングステンのプラグ１２とのコンタクト不良を防止できる。例文帳に追加

When the storage node electrode SN is formed as a laminated structure of the Ru film 16 and the SRO film 17, contact failures of the SRO film with a tungsten plug 12 can be prevented. - 特許庁

具体的には、拠点を収容するエッジノードは、ユーザ装置からのパス設定要求を受け取りその接続先がいずれのプロバイダ網に属するかを検索し、接続先までの経路を計算する。例文帳に追加

Specifically, the edge node for housing a base receives a path setting request from a user device and searches which provider network a connection destination belongs to, and computes a path to the connection destination. - 特許庁

ＤＲＡＭ１００は、側壁３１に形成されたシリコン窒化膜３３と、ソースおよびドレイン領域３と電気的に接続されるようにコンタクトホール３０を充填するストレージノード１４０とを備える。例文帳に追加

The DRAM 100 has silicon nitride films 33 formed on the sidewalls 31 and has a storage node 140 so filled into the contact hole 30h as to connect it electrically with the source/drain region 3. - 特許庁

ファイアウォール機能を分散させたネットワーク、ファイアウォール分散機能を有するファイアウォールサーバ、及びファイアウォール機能を有するエッジノード例文帳に追加

NETWORK WITH DISTRIBUTED FIRE WALL FUNCTION, FIRE WALL SERVER WITH FIRE WALL DISTRIBUTION FUNCTION AND EDGE NODE WITH FIRE WALL FUNCTION - 特許庁

ストレージノード３４Ａの上端部外周縁には、この外周縁を取囲むようにシリコン窒化膜からなる絶縁部材５４Ａが設けられている。例文帳に追加

An insulating member 54A composed of a silicon nitride film is provided on the outer peripheral rim of the upper end of the storage node 34A so as to surround the outer peripheral rim. - 特許庁

次に、容量素子６００ａ、６００ｂの下部電極５５ａ、５５ｂを、セル容量７００ａ、７００ｂのストレージノード５３ａ、５３ｂと同時に形成する。例文帳に追加

Then, lower electrodes 55a, 55b of the capacitive elements 600a, 600b are formed simultaneously with storage nodes 53a, 53b of the cell capacities 700a, 700b. - 特許庁

ビットラインパターン６９上に、活性領域９と部分的に重畳して活性領域９と電気的に接続するストレージノード１０３が形成される。例文帳に追加

The storage nodes 103 are formed on the bit line patterns 69, wherein the storage nodes superimpose partially on the active region 9, and are electrically connected with the active region 9. - 特許庁

ブリッジノードは環状ネットワークとトリーネットワークとの間の媒介となり、そのために、リングベースのマルチキャストプロトコルおよびトリーベースのマルチキャストプロトコルの両方を行う。例文帳に追加

The bridge node acts as medium between the ring network and the tree network and conducts both the ring-based multi-cast protocol and the tree based multi-cast protocol. - 特許庁

これにより、同一ツインセル内の互いに相補データを記憶する２つのストレージノード１４０の電圧は、容量結合によって同様に変動する。例文帳に追加

Consequently, the voltages of two storage nodes 140 which store mutually complementary data in a single twin cell are varied in the same way by capacitive coupling. - 特許庁

ストレージノード表面層の結晶状態を安定化させることにより、ＨＳＧ８０が後続の洗浄工程において脆弱となることで発生するＨＳＧ８０が離脱するという問題を防止することができる。例文帳に追加

By stabilizing the crystal state of the storage node surface layer, the deviation of HSG 80 generated by the HSG 80 becoming weak in the succeeding washing process is prevented. - 特許庁

側壁絶縁膜３５は、トレンチキャパシタ側、即ちストレージノード電極２２側の厚さが、ビット線コンタクト５１側の厚さよりも大きくされている。例文帳に追加

A part of the side wall insulating film 35 on a trench capacitor side, that is, the storage node electrode 22 side is set thicker than its other part on a bit line contact 51 side. - 特許庁

次に、トレンチに分離絶縁領域２４を形成した後、熱処理によりＡｓとＰを半導体基板１１内に拡散させて、前記ストレージノード電極と前記トランスファーゲートトランジスタの拡散層とを接続する。例文帳に追加

After forming a separated insulating area 24 in the trench, As and P are diffused into the semiconductor substrate 11 by heat treatment and the storage node electrode is connected to the diffusion layer of the transfer gate transistor. - 特許庁

ＳＲＡＭセルＭＣに似せたモニタセル２５０におけるモニタノードＭcおよびインバータノードＭdは、ＳＲＡＭセルＭＣにおけるデータ・ストレージノードＮaおよびインバータノードＮbにそれぞれ対応している。例文帳に追加

A monitor node Mc and an inverter node Md in a monitor cell 250 imitated to a SRAM cell MC corresponds respectively to a data storage node Na and an inverter node Nb in the SRAM cell MC. - 特許庁

ストレージノードコンタクトプラグとゲート電極が電気的に短絡されることを防止できるようにアタック防止膜を形成することを特徴とする半導体素子の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for manufacturing a semiconductor element in which an attack prevention film is formed so as to prevent electric short circuit between a storage node contact plug and a gate electrode. - 特許庁

本発明の２位に置換基を有する光学活性３−キヌクリジノール類の製造方法は、所定のルテニウム錯体、および塩基の存在下において、２位に置換基を有する３−キヌクリジノン類を水素と反応させる。例文帳に追加

The manufacturing method of the optically active 3-quinuclidinols having a substituent group at the 2-position comprises causing 3-quinuclidinones having a substituent group at the 2-position to react with hydrogen in the presence of a predetermined ruthenium complex and a base. - 特許庁

割当手段１ｄは、負荷情報記憶手段１ａに記憶された負荷情報に基づいて、各ストレージノードの負荷が均一になるように仮想記憶領域への実記憶領域の割り当て関係を変更する。例文帳に追加

An allocation means 1d changes the allocation relation of the real storage area to the virtual storage area such that the load on each storage node becomes equal based on the load information stored in the load information storage means 1a. - 特許庁

半導体接続層１５Ａおよび周囲の半導体部に半導体と金属の合金層１９を形成し、当該合金層１９によりソース・ドレイン領域１１とストレージノード電極５とを電気的に接続する。例文帳に追加

The alloy layer 19 of a semiconductor and a metal is formed on the semiconductor connection layer 15A and a semiconductor around the same, and the source-drain region 11 and the storage node electrode 5 are electrically connected with the aid of the alloy layer 19. - 特許庁

メモリセルのストレージノードとメモリセルのトランジスタにおけるゲートとの高抵抗ショートを検出することができる半導体記憶装置を得る。例文帳に追加

To obtain a semiconductor memory which can detect high resistance short circuit between a storage node of a memory cell and a gate in a transistor of a memory cell. - 特許庁

非晶質シリコン膜を真空中で熱処理して形成されて，粗面化された多結晶化シリコン膜４とこの多結晶化シリコン膜４を覆う，極薄シリコン膜７とでストレージノードを形成する。例文帳に追加

The storage node is formed from the polycrystallized silicon film 4 which is formed by thermally treating a noncrystalline silicon film in vacuum and made into coarse surface, and an extremely thin silicon film 7 covering this polycrystallized silicon film 4. - 特許庁

溝型スタックセルは、層間絶縁膜１１に設けられた複数の溝の各々に、ストレージノード８と、容量絶縁膜９と、プレート電極１０とが埋め込まれて成る同一形状のキャパシタを多数有している。例文帳に追加

A groove type stack cell has a number of identical capacitors which are formed by burying storage nodes 8, capacitor insulating films 9, and plate electrodes 10 in a plurality of grooves provided on an interlayer insulating film 11. - 特許庁

指示手段１ｅは、仮想記憶領域に割り当てる実記憶領域の変更に伴い、各ストレージノードに対して実記憶領域のデータの移動を指示する。例文帳に追加

An instruction means 1e instructs each storage node about movement of data of the real storage area according to the change of the real storage area allocated to the virtual storage area. - 特許庁

リセス部２２７の傍に形成されているモールド酸化膜２２０及び第１バッファ絶縁膜２３０をエッチングして二重シリンダー型の上部ストレージノードが形成される領域を限定する。例文帳に追加

The film 220 and the film 230 formed near the recess 227 are etched to limit a region formed with a double cylinder type upper storage node. - 特許庁

帯域保証ネットワークでのデータ転送において、ネットワーク内等で発生したパケット廃棄に伴って低下する輻輳ウィンドウサイズを早期に向上させることを可能にしたエッジノードを提供する。例文帳に追加

To provide an edge node that can early increase a congestion window size reducing with packet discard occurring in a network during data transfer in a bandwidth-guaranteed network. - 特許庁

ストレージノード電極６Ａは、底面部６ＡＨと、底面部６ＡＨのエッジ部６ＡＥ１に結合した、上記壁面４ＡＷ上に形成された側壁部６ＡＶとから成る。例文帳に追加

A storage node electrode 6A comprises a bottom face section 6AH and a sidewall section 6AV formed on a sidewall 4AW of the through hole 4AK in connection with an edge section 6AE1 of the bottom face section 6AH. - 特許庁

ストレージノード電極用導電層の形成工程を単純化でき、高いキャパシタの容量と低いリーク電流を実現することができるキャパシタの形成方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for forming a capacitor in which a step for forming the conductive layer for a storage node electrode can be simplified and a high capacitance and a low leak current can be realized. - 特許庁