「ジノー」に関連した英語例文の一覧と使い方(4ページ目) - Weblio英語例文検索

ダイナミック論理回路（３０）は、プリチャージ相の間にプリチャージ電圧（Ｖ_DD）にプリチャージされるプリチャージノード（３０_PN）およびプリチャージノードに接続される条件付放電通路（３０_L、３０_DT）を備える。例文帳に追加

A dynamic logic circuit (30) is provided with a precharge node (30_PN) that is precharged to a precharge voltage (V_DD) during a precharge phase, and conditional discharge paths (30L, 30_DT) connected to the precharge node. - 特許庁

エッジノード、信号制御サーバ、エッジノードにおける処理方法、信号制御サーバにおける処理方法、通信品質制御方法および通信品質制御装置例文帳に追加

EDGE NODE, SIGNAL CONTROL SERVER, PROCESSING METHOD IN EDGE NODE, PROCESSING METHOD IN SIGNAL CONTROL SERVER, COMMUNICATION QUALITY CONTROL METHOD AND DEVICE - 特許庁

エッジノード２２は、ＩＰｖ６ホスト１１からＩＰｖ６ホスト１２への通信が開始されたときに、エッジノード２１からＩＰｖ６ホスト１２のホストアドレス情報を取得する。例文帳に追加

The edge node 22 gets the host address information of the IPv6 host 12 from the edge node 21 when a communication from the IPv6 host 11 to the IPv6 host 12 starts. - 特許庁

ストレージノード電極ＳＮ２はプラグ６上にそれぞれ設けられ、複数のストレージノード電極ＳＮ２の上部を覆うようにＢＳＴで構成される誘電体膜８が全面的に配設されている。例文帳に追加

A storage node electrode SN2 is provided on a plug 6, respectively, with a dielectrics film 8 comprising BST provided entirely so as to cover the upper part of a plurality of storage node electrodes SN2. - 特許庁

ストレージノード電極は電極形成用溝１５内の底面及び側面上に形成されたストレージノード電極本体とホール８Ａ内に形成されたプラグ部とに大別される。例文帳に追加

The storage node electrode is divided roughly into a body formed on the bottom face and the side face of the recess 15 and a plug section formed inside the hole 8A. - 特許庁

ランディングプラグコンタクトとストレージノードコンタクトとの間の不整合を防止し、接触抵抗を改善することができる半導体素子のストレージノードコンタクトの形成方法を提供すること。例文帳に追加

To provide a method of forming a storage node contact of a semiconductor device preventing mismatching between a landing plug contact and a storage node contact and improving contact resistance. - 特許庁

ストレージノード９３はその下のストレージノードパッド７１ｓと直接接触し、ビットラインパッド保護膜パターン７３によってビットラインパッド７１ｄから電気的に絶縁される。例文帳に追加

The storage node 93 touches the underlying storage node pad 71s directly and insulated electrically from the bit line pad 71d by the protective film pattern 73. - 特許庁

高誘電体膜から成るキャパシタ誘電体膜を有するキャパシタに関して、貴金属から成るストレージノードを形成するにあたり、微細なストレージノードの形成が可能な半導体装置の製造方法を得る。例文帳に追加

To obtain a method for manufacturing a semiconductor device, capable of forming a fine storage node in forming the storage node composed of a noble metal, in a capacitor having a capacitor dielectric film composed of a high dielectric film. - 特許庁

ストレージノード１５１の形成後の熱処理工程で、ストレージノード１５１中のＮ型不純物の拡散が酸素含有層１５１ａ中の酸素により抑制され、ジャンクションリークが防止される。例文帳に追加

In a heat treatment process after the storage node 151 is formed, diffusion of N-type impurities in the storage node 151 is restrained by oxygen in the layer 151a containing oxygen, and junction leakage is prevented. - 特許庁

領域から延びるように設けられた、ストレージノード（ＳＮ）ポリ溝１１が設けられ、このストレージノード（ＳＮ）ポリ溝１１の内壁には、溝型引出電極１２Ａが形成されている。例文帳に追加

A storage node(SN) polysilicon groove 11 provided to extend from a region is provided and a grooved lead-out electrode 12A is formed on the inner wall of the storage node(SN) polysilicon groove 11. - 特許庁

円筒状のストレージノード構造を形成するためのウェットエッチング及び乾燥処理のとき、ストレージノードブリッジの原因となるリーニング現象を防止することができるキャパシタの製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method of manufacturing a capacitor which can prevent leaning phenomenon that may cause a storage node bridge during wet-etching to form a cylindrical storage node structure and drying process. - 特許庁

キャパシタの容量を増加させるために円筒型ストレージノードの高さを高くした場合であっても、円筒型ストレージノードの間でショートの発生を回避することが可能な構造を備える半導体装置を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor device equipped with a structure capable of avoiding the occurrence of a short circuit between cylindrical storage nodes even when the height of the cylindrical storage node is increased to increase the capacity of a capacitor. - 特許庁

ストレージノードの分離工程後の残留物によるストレージノード間のマイクロブリッジを防止するのに好適な半導体素子のキャパシタの製造方法を提供すること。例文帳に追加

To provide a method for manufacturing a capacitor for a semiconductor suitable for preventing a micro-bridge between storage nodes due to a residue after a separation process of the storage nodes. - 特許庁

この計算結果に基づき、同一網内のエッジノード間および隣接網のエッジノード間で順次シグナリングを行い、接続先までのパスを設定する。例文帳に追加

On the basis of the result of computation, signalling is successively performed between edge nodes in the same network and between edge nodes in adjacent networks to set the path to the connection destination. - 特許庁

ストレージノードコンタクト形成時のアスペクト比を低減でき、ストレージノードコンタクト内に金属を埋込んでも良好なメモリセルを形成できる半導体装置を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor device which is capable of reducing the aspect ratio when a storage node contact is formed, and forming superior memory cells even when metal is embedded in the storage node contact. - 特許庁

このときに、先頭パケットには、送信側エッジノードから受信側エッジノードまでのカットスルーパスを設定するための経路情報があらかじめ書込まれており、データ転送元が所望する経路を選択する。例文帳に追加

In this case route information for setting the cut-through pass from a transmission side edge node to a reception side edge node is previously written in the head packet and a data transfer source selects a desired route. - 特許庁

キャパシタ誘電体層２はストレージノード１上を覆い、かつストレージノード１の表面の結晶粒の間隔の１／２未満の膜厚Ｃを有している。例文帳に追加

A capacitor dielectric layer 2 covers over the storage node 1, and has a film thickness C less than half of the spacing between the crystal grains on the surface of the storage node 1. - 特許庁

故障ノード検出手段１４は、他のストレージノード２０，３０が正常時に所定の周期で送信するハートビートを監視し、一定期間ハートビートが検出されなかったストレージノードを故障ノードとしている。例文帳に追加

A failure node detection means 14 monitors heart beats to be transmitted by the other storage nodes 20 and 30 in a prescribed cycle, at normal times, and defines the storage node whose heart beats have not been detected in a fixed period as a failure node. - 特許庁

入口エッジノード１、出口エッジノード５、およびコアノード３のＩＰレイヤの機能部で、受信ＩＰパケットについて、各通信品質クラスごとに優先度と重みとに応じてパケット転送順序を制御して転送する。例文帳に追加

An entrance edge node 1, an exit edge node 5 and a function unit of an IP layer of a core node control the order of packet transfer of each communication quality class according to the priority level and the weight of received IP packets. - 特許庁

分散ストレージシステムにおいて、高負荷時には全てのストレージノードを用いて負荷分散を行い、低負荷時には一部のストレージノードを停止させて省電力化を図る。例文帳に追加

To save power consumption through load distribution by using overall storage nodes at a heavy load, and by stopping some of the storage nodes at a light load in a distributed storage system. - 特許庁

その後、送信側エッジノード、コアノード及び宛先側エッジノードが、前工程で求められた光パスの配置に従い、転送経路上の全部又は一部をカットスルーする光パスを設定するようにする。例文帳に追加

The optical path switching section 2B4 transmits an optical path setting end notice packet to inform a transmitter side edge node about its completion when the setting of the cut-through optical path is finished. - 特許庁

エッジノードは、セカンダリスイッチから受け取ったルーティング情報及びラベル情報を用いて、エッジノードとセカンダリスイッチとの間で通信を行う。例文帳に追加

Correspondence is made in response to updating routing information, and the edge node can conduct communication with another edge node through the label switch 2. - 特許庁

接続部１２０は、トライ木１１０ａに接続されたエッジノードを順に辿り、エッジノードに対応する前方一致文字列において、新規データと先頭部分が一致するものがあるかを検索する。例文帳に追加

A connection 120 sequentially traces edge nodes connected to a try tree 110a, and retrieves whether there exists any front matching string corresponding to the edge node whose leading part is matched with new data. - 特許庁

可変容量キャパシタＣは、データ保持時のストレージノードＳＮの電圧レベルに応じて容量値が変化し、読み出しワード線ＲＷＬへのハイレベル電圧の印加によりストレージノードの電圧を昇圧する。例文帳に追加

A capacity value of the variable capacitance capacitor C is varied in accordance with a voltage level of the storage node SN at the time of data holding, and voltage of the storage node is boosted by applying high level voltage from the read-out word line RWL. - 特許庁

その後、層間絶縁膜６ｂ、ストレージノード層間絶縁膜９に対して選択比の取りやすい２０〜７０ｎｍ程度のエッチングストッパ膜１０を形成し、ストレージノード層間絶縁膜９を成膜する。例文帳に追加

Then, an interlayer insulating film 6b and an etching stopper film 10 of about 20-70 nm which is easy to take selectivity ratio to a storage node interlayer insulating film 9 are made, and the Storage node interlayer insulating film 9 is grown. - 特許庁

まず、自ノードが収容する端末又はアクセス系ネットワークへのパケットの転送を確認した宛先側エッジノードが、送信側エッジノードに宛てて自ノードの空き資源情報を通知する。例文帳に追加

In the case of confirming reception of a cut-through request packet, an optical path arrangement request packet processing section 2B3 calculates the arrangement of optical paths and informs itself, a core node and a destination side edge node about a setting request of a cut-through optical path by using an optical path arrangement request packet. - 特許庁

ホールを一旦放出した後のストレージノードＳＮには、ソース線ＳＬからのＧＩＤＬ電流によりホールの再蓄積が開始され、ストレージノードＳＮの電位は「Ｈ」レベルに向けて上昇する（期間α）。例文帳に追加

In a storage node SN after a hole is once discharged, a repeated storage of the hole is started by a GIDL current from a source line SL, and the potential of the storage node SN rises (period α) toward the "H" level. - 特許庁

半導体装置のシリンダ型ストレージノード形成方法は、ストレージノード２６分離のためのエッチバック工程によって生成するセル領域の中心及びエッジ間のシリンダ型ストレージノード２６の損失差異を最小化して、半導体ウェーハの全体領域上で一定な電気的キャパシタンスを維持する。例文帳に追加

In this cylindrical storage node formation method for the semiconductor device, the loss difference of the cylindrical storage node 26 between the center and edge of the cell area generated by the etch-back process for the separation of the storage node 26 is minimized and fixed electric capacitance is maintained over the entire area of a semiconductor wafer. - 特許庁

複数のデータブロック７０４，７０８をノードネットワーク内の複数の異なる物理ストレージノード内に位置している異なる複数のデータコンテナ７１６に分配して、ストレージノードネットワークの構成に応答して自動的に分割および／または併合可能で、異なる複数のストレージノードにわたって分配されている消失符号化されている複数のフラグメント内に保存する。例文帳に追加

A plurality of data blocks 704 and 708 are distributed to a plurality of different data containers 716 positioned in a plurality of different physical storage nodes in a node network, and stored in a plurality of fragments which can be automatically divided and/or merged according to the configuration of a storage node network, and which is distributed over a plurality of different storage nodes and which is erasure-encoded. - 特許庁

そのシリコン窒化膜１６をマスクとしてシリコン酸化膜１０にエッチングを施すことにより、ストレージノードプラグ８の表面を露出するストレージノード開口部１１が形成され、その内部にストレージノード１７ａ、キャパシタ誘電体膜１９およびセルプレート２０を含むキャパシタ１２が形成されている。例文帳に追加

By etching the silicon oxide film 10 using the silicon nitride film 16 as a mask, a storage node opening 11 which exposes the surface of storage node plug 8 is formed, with a capacitor 12 containing a storage node 17a, a capacitor dielectrics film 19, and a cell plate 20 being formed inside. - 特許庁

このストレージシステムにおいてクライアントが接続されたとき、クライアントが必要とするオブジェクトのクエリを用いて検索することで、各ストレージノード内に格納されクエリと適合度の高いオブジェクトを抽出し、ストレージノードの情報網距離測定手段によりクライアントから近いと判断するストレージノードに抽出したオブジェクトを集約する。例文帳に追加

In the storage system, when a client is connected a search is conducted using a query of objects that the client needs, so as to extract objects stored in each storage object and having a high degree of adaptability to the query and to concentrate the extracted objects on the storage node determined to be close to the client by the means for measuring information network distances of the storage nodes. - 特許庁

第２導電膜の両側壁にエッチング防止膜１１８が形成されるので、ストレージノード１１６の形成のためのオーバーエッチングでコンタクトホール内のストレージコンタクトプラグ１１４及びストレージノード１１６がエッチングされ発生する抵抗の増加及びストレージノード１１６の倒れを防止することができる。例文帳に追加

Since an etching preventing film 118 is formed in both side walls of a second conductive film, it is possible to prevent the increase of resistance and falling down of the storage node 116 generated as a storage contact plug 114 inside a contact hole, and the storage node 116 are etched due to overetching for the formation of the storage node 116. - 特許庁

トラフィックが集中するトンネル（ＴＮ１〜ＴＮ３）の出側エッジノード（ＬＮＳ２０）で、各トンネル内に多重化される各セッションに使用帯域を割り当て、これをトンネル入側エッジノード（ＬＡＣ１０）へ通知し、トンネル入側エッジノードが、パケットの送信元となる宅内ルータ（３０）または端末装置（４０）に割当て帯域を通知する。例文帳に追加

An egress edge node (LNS 20) of tunnels (TN1 to TN3), on which traffic is concentrated, allocates an operating band to each session multiplexed in each tunnel, informs a tunnel ingress edge node (LAC 10) about the above, and the tunnel ingress edge node informs a subscriber router (30) or a terminal (40) serving as a packet sender about the allocated band. - 特許庁

基板４０と、基板４０に形成された第１トランジスタと、第１トランジスタのソース領域４２に連結された第１ストレージノードと、第１トランジスタのドレイン領域４４に連結された第２ストレージノードと、第１及び第２ストレージノードに同時に接触された第１プレートライン６２と、を備えることを特徴とする半導体メモリ装置である。例文帳に追加

The semiconductor memory device is provided with a substrate 40, a first transistor formed on the substrate 40, a first storage node connected to a source region 42 of the first transistor, a second storage node connected to a drain region 44 of the first transistor, and a first plate line 62 commonly contacting the first storage node and the second storage node. - 特許庁

各ストレージノードは、少なくとも一式のコンピュータ装置の一つからファイルへのファイルアクセス要求をレシーバストレージノードとして受信すると、予め定められたポリシーに従って、ファイルアクセス要求をファイルのオーナーストレージノードにリダイレクトするようにファイルアクセス要求を行っているコンピュータ装置に通知するか否か決定するように構成される。例文帳に追加

Each storage node is configured, upon receiving a file access request for a file from one of the at least one computer device as a receiver storage node, to determine whether or not to inform the computer device making the file access request to redirect the file access request to an owner storage node of the file according to a preset policy. - 特許庁

ストレージノードの形状や大きさに関係なく必要な容量を確保でき、半導体記憶装置の微細化にともないストレージノードが小型化した場合にも必要な容量を確保でき、信頼性を向上させることが可能な半導体記憶装置および半導体記憶装置のストレージノード上に粗面化導電性膜を形成する方法を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor storage device which can be improved in reliability by securing a required capacity independently from the shapes and sizes of storage nodes even when the sizes of the storage nodes are reduced due to the minuteness of the storage device and a method for forming conductive films having roughened surfaces on the storage nodes. - 特許庁

「プロジェクト」ウィンドウを開き、「Web ページ」ノードを右クリックし、ポップアップメニューから「新規」「Visual Web JSF ページ」を選択します。例文帳に追加

Open the Projects window, right-click the Web Pages node and choose New Visual Web JSF Page from the pop-up menu. - NetBeans

「プロジェクト」ウィンドウで「ソースパッケージ」ノードを右クリックし、「新規」「その他」を選択して「新規ファイル」ウィザードを開きます。例文帳に追加

Right-click the Source Packages node in the Projects window and choose New Other to open the New File wizard.  - NetBeans

次の図に示すように、「プロジェクト」ウィンドウで、「Web ページ」ノードを右クリックし、「新規」「Visual Web JSF ページ」を選択します。例文帳に追加

In the Projects window, right-click the Web Pages node and choose New Visual Web JSF Page, as shown in the following figure.  - NetBeans

「プロジェクト」ウィンドウで「Web ページ」ノードを右クリックし、「新規」「Visual Web JSF ページ」を選択してページを追加します。例文帳に追加

You add pages by right-clicking the Web Pages node in the Projects window and choosing New Visual Web JSF Page.  - NetBeans

新しいアプリケーションを作成すると、「プロジェクト」ウィンドウの「ソースパッケージ」フォルダに空の「デフォルトパッケージ」ノードが追加されます。例文帳に追加

After creating the new application, you may have noticed that the SourcePackages folder in the Projects window contains an empty default package node. - NetBeans

「プロジェクト」ウィンドウで、「Web ページ」ノードを展開し、リソースフォルダを右クリックし、「新規」「その他」を選択します。例文帳に追加

In the Project window, expand the Web Pages node, right-click on the resources folder, and select New Other.  - NetBeans

「エクスプローラ」ウィンドウでプロジェクトの「ソースパッケージ」ノードを右クリックし、「新規」「JFrame」フォームを選択します。例文帳に追加

In the Project window, right-click on the Source Packages node of your project and choose New JFrame form. - NetBeans

バッジはプロジェクト、フォルダ、およびパッケージノードに適用され、そのノードに含まれているファイルのステータスを示します。例文帳に追加

Badges are applied to project, folder, and package nodes and inform you of the status of files contained within that node: - NetBeans

「プロジェクト」ウィンドウで、「Web ページ」ノードを展開して「index.jsp」をダブルクリックすると、そのファイルがソースエディタで開きます。例文帳に追加

In the Projects window, expand the Web Pages node of the SpellCheckService project and double-click index.jspso that it opens in the Source Editor.  - NetBeans