「ジノー」に関連した英語例文の一覧と使い方(7ページ目) - Weblio英語例文検索

２位に置換基を有する光学活性３−キヌクリジノール類、特に医薬、農薬等に利用される光学活性な生理活性化合物、または液晶材料等の合成中間体として有用な２位に置換基を有する光学活性シス−３−キヌクリジノール類の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a manufacturing method of optically active 3-quinuclidinols having a substituent group at the 2-position, particularly optically active cis-3-quinuclidinols having a substituent group at the 2-position useful as an optically active and physiologically active compound utilized for pharmaceuticals, agrochemicals and the like or as a synthetic intermediate of liquid crystal materials and the like. - 特許庁

カットスルーパスをバーストデータ転送の前にあらかじめ設定しておくことなく、バーストデータが送信側エッジノードに到着した時点で、このバーストデータの先頭パケットを検出することにより、送信側エッジノードがカットスルーパスを設定する。例文帳に追加

A transmitter side edge node sets the cut-through path by detecting a head packet of the burst data when the burst data arrive in the transmitter side edge node without the need for setting the cut-through path before transfer of the burst data in advance. - 特許庁

伝送パケットを初段から最終段へと順次に転送する複数段のエッジノードを備える通信ネットワークで、最終段のエッジノードから初段のエッジノードまで、伝送パケットの伝送経路に沿って順次に、送信されてきた通信品質設定プログラムを実行することによって、通信品質設定並びに通信品質設定プログラム及び通信品質設定結果の送信とを、それぞれ行い、管理システムは、通信品質設定プログラムの作成及び実行状態の監視を行う。例文帳に追加

The management system prepares the communication quality setting program and monitors the execution state. - 特許庁

また、スイッチング素子と、これに連結されたストレージノードとを備え、ストレージノードは、下部電極、データ保存層及び上部電極を備える半導体メモリ素子の製造方法において、前記下部電極上に前記データ保存層を形成した後、前記データ保存層に電子を照射する工程を含むことを特徴とする半導体メモリ素子の製造方法である。例文帳に追加

The manufacturing method includes a process for forming a data storage layer 52 on the lower electrode and then irradiates the data storage layer with electrons 54. - 特許庁

本発明のキャパシタを有する半導体装置は、キャパシタ誘電体層５を挟んで互いに対向するストレージノード４およびセルプレート６を有し、そのストレージノード４およびセルプレート６の少なくともいずれかは、ｐ型不純物を含むＳｉＧｅの混晶層を有するように形成されている。例文帳に追加

The semiconductor device having a capacitor comprises a storage node 4 and a cell plate 6 disposed oppositely while sandwiching a capacitor dielectric layer 5 wherein at least any one of the storage node 4 and the cell plate 6 are formed to have a mixed crystal layer of SiGe containing p-type impurities. - 特許庁

以下の生化学的性質を有する酵素が提供される：（１）還元型ニコチンアミドアデニンジヌクレオチドリン酸（ＮＡＤＰＨ）を補酵素として、３−キヌクリジノンまたはその塩を不斉還元し、（Ｒ）−３−キヌクリジノールを生成する；および（２）ニコチンアミドアデニンジヌクレオチドリン酸（ＮＡＤＰ^＋）を補酵素とする３−キヌクリジノールの酸化反応を触媒しない。例文帳に追加

The enzyme has the biochemical properties described below: (1) producing (R)-3-quinuclidinol by asymmetrically reducing 3-quinuclidinone or its salt with a reducing-type nicotinamide adenine dinucleotide phosphate(NADPH) as coenzyme, and (2) catalyzing no oxidative reaction of 3-quinuclidinol with nicotinamide adenine dinucleotide phosphate(NADP^+) as coenzyme. - 特許庁

複数のサービスネットワークを同一のバックボーンネットワークに収容する場合において、バックボーンネットワークのエッジノード間でサービスネットワーク情報を交換する場合におけるバックボーンネットワークのコアノードでの処理を軽減し、エッジノード間で交換するサービスネットワーク情報の種別の変更に柔軟に対応可能とすることを課題とする。例文帳に追加

To flexibly cope with change of types of service network information exchanged between edge nodes by relieving processing in a core node of a backbone network when the service network information is exchanged between edge nodes of the backbone network in the case that a plurality of service networks are contained in the same backbone network. - 特許庁

後続の工程に伴う埋め込みゲートの酸化を防止し、ビットラインコンタクト及びストレージノードコンタクトと基板との間のコンタクト面積を増加させ、コンタクト抵抗を低減し、ビットラインコンタクト及びストレージノードコンタクトと埋め込みゲートとの間のＧＩＤＬを低減し、自己整合コンタクト不良を防止することのできる半導体装置の製造方法を提供すること。例文帳に追加

To provide a method of manufacturing a semiconductor device that can prevent buried gate oxidation caused by subsequent processing, can increase a contact area among a bit line contact, storage node contact and substrate, can reduce contact resistance, can reduce GIDL among the bit line contact, storage node contact and the buried gate, and can prevent a failure of a self-aligned contact. - 特許庁

シリコン基板１上にランディングパッド８を形成し、第２層間絶縁膜９を形成して、第２層間絶縁膜９中にランディングパッド８に至るビットラインコンタクトホール１００および下部ストレージノードコンタクトホール１３０ａを同時に開口し、ビットライン配線１１とともに下部ストレージノードコンタクト１３ａを形成する。例文帳に追加

Landing pads 8 are formed on a silicon substrate 1, a second interlayer insulating film 9 is formed, bit line contact holes 100 each leading to the landing pad 8 and lower storage node contact holes 130a are bored in the second interlayer insulating film 9 at the same time, and lower storage node contacts 13a are formed together with bit line interconnect lines 11. - 特許庁

半導体装置は、シリコン基板１の主表面１ａ上に設けられた下部ストレージノード電極１０ａから１０ｄと、下部ストレージノード電極１０ａから１０ｄ上に設けられた誘電体膜１５と、誘電体膜１５上に設けられた上部セルプレート電極１１と、上部セルプレート電極１１を覆う層間絶縁膜３とを備える。例文帳に追加

The semiconductor device comprises lower storage nodes 10a-10d provided on a main surface 1a of a silicon substrate 1; a dielectric film 15 provided on the lower storage nodes 10a-10d; an upper cell plate electrode 11 provided on the dielectric film 15; and an interlayer insulating film 3 for covering the upper cell plate electrode 11. - 特許庁

冗長符号化装置１は、各種のコンテンツからなる複数の符号化前データを受け入れ、複数のメッセージノードと複数のパリティノードとからなるノードの集合について符号化の組合せを生成し、その符号化の組合せに基づいてメッセージノードを符号化してパリティノードのデータを生成するものである。例文帳に追加

The redundant encoder 1 receives a plurality of uncoded data composed of various kinds of contents, generates a coding combination about a set of nodes composed of a plurality of message nodes and a plurality of parity nodes, and encodes the message nodes to generate data of the parity nodes, on the basis of the coding combination. - 特許庁

半導体ウェハ上にストレージノード電極を形成する段階と、前記ストレージノード電極の表面上にサイクルシリコン窒化膜（サイクルＳｉ_３Ｎ_４またはＳｉＯ_ｘＮ_ｙ）で構成された誘電体膜を形成する段階と、前記誘電体膜上に上部電極を形成する段階とを含んで構成される。例文帳に追加

The method is constituted of a step of forming a storage-node electrode on a semiconductor substrate, a step of forming a dielectric film composed of a cycle silicon nitride film (cycle Si_3N_4 or SiO_xN_y) on the surface of the storage-node electrode, and a step of forming an upper electrode on the dielectric film. - 特許庁

電荷蓄積用キャパシタ等の半導体記憶容量素子において、ストレージノードを構成する粗面化シリコン膜が後工程において再変形するのを防止するために、前記粗面化シリコン膜を完全結晶化する工程を行い、所望の容量増加が得られる半導体記憶容量素子のストレージノードを提供することを目的とする。例文帳に追加

To provide a storage node of a semiconductor storage capacitive element, which allows a desired increase in capacitor, by completely crystallizing a surface-roughened silicon film to prevent the re-deformation in an after stage of the surface-roughened silicon film which constitutes the storage node, in the semiconductor storage capacitive element such as a capacitor for accumulating electric charges. - 特許庁

半導体基板と、半導体基板からそれぞれ突出され、互いに対向するように離隔された少なくとも一対のフィンと、一対のフィンの間に形成された絶縁層と、一対のフィン及び絶縁層の一部表面上に形成されたストレージノードと、ストレージノード上に形成されたゲート電極を備える。例文帳に追加

The device comprises a semiconductor substrate, at least one pair of fins each protruded from the semiconductor substrate and spaced such that they face each other, an insulating layer formed between the pair of fins, a storage node formed on the pair of fins and a part of the surface of the insulating layer, and a gate electrode formed on the storage node. - 特許庁

スイッチング素子及びスイッチング素子に連結されるストレージノードを具備し、ストレージノードは、下部電極及び上部電極、下部電極と上部電極間との間に介在された相変化物質層、及び、下部電極と相変化物質層との間に介在される粘着界面層を有する相変化メモリ素子である。例文帳に追加

A switching element and a storage node linked with the switching element are provided and the storage node is a phase-change random access memory having a bottom electrode, a top electrode, a phase-change substance layer interposed between the bottom electrode and the top electrode, and an adhesion interfacial layer interposed between the bottom electrode and the phase-change substance layer. - 特許庁

それぞれのストレージノードに備えられたコントローラを制御するホストは、ディスク（例えば、ディスク１、ディスク２など）が複数のストレージノード間で休止状態あるいは非休止状態を分担するように休止状態あるいは非休止状態に係る状態条件を規定した状態条件テーブルを保持している。例文帳に追加

A host controlling controllers equipped in respective storage nodes holds a state condition table prescribing a state condition related to a suspension state or a non-suspension state such that disks (e.g. a disk 1 or a disk 2) are suspended or not suspended between the plurality of storage nodes. - 特許庁

ビット線ＢＬ０に接続されているダミーメモリセルＤＭＣ１のストレージノードとビット線／ＢＬ０に接続されているダミーメモリセルＤＭＣ２のストレージノードとを配線Ｌ１で接続することによりダミーワード線に与えたイコライズ信号ＢＬＥＱ＿Ｌを活性化させるとビット線のイコライズを行なうことができる。例文帳に追加

A bit line can be equalized by connecting a storage node of a dummy memory cell DACE connected to a bit line BL0 and a storage node of a dummy memory cell DMC2 connected to a bit line/BL0 by a wiring L1 and activating an equalizing signal BLEQ_-L given to the dummy word line. - 特許庁

ストレージノード２６の分離時にエッチバック工程によって発生するセル領域の中央部と周辺部の導電膜が損失差異を最小化させることによって、キャパシタ容量を均一に維持でき、素子の信頼性を向上させることができる半導体装置のストレージノード形成方法を提供する。例文帳に追加

To provide a storage node formation method for a semiconductor device capable of uniformly maintaining capacitor capacitance and improving the reliability of an element by minimizing the loss difference of a conductive film at the center part and peripheral part of a cell area generated by an etch- back process at the time of separation of a storage node 26. - 特許庁

層間絶縁膜が形成された半導体基板を提供するステップと、第１コンタクトホールを形成するステップと、第１絶縁膜を形成するステップと、ストレージノードコンタクトプラグを形成するステップと、第２絶縁膜を蒸着するステップと、第３絶縁膜を蒸着するステップと、第２コンタクトホールを形成するステップと、ストレージノードを蒸着するステップとを含む。例文帳に追加

The forming method of the capacitor storage node of the semiconductor device comprises the steps of providing a semiconductor substrate on which an interlayer insulating film is formed, forming a first contact hole, forming a first insulating film, forming the storage node contact plug, depositing a second insulating film, depositing a third insulating film, forming a second contact hole, and depositing the storage nodes. - 特許庁

エンドツーエンドでの通信パスの設定要求があったとき、エッジノード間における情報転送品質の総和が、エッジノード間において要求される情報転送品質を満たす品質クラスを選択し、割当帯域テーブルを利用して、設定要求された通信パスのために選択された品質クラスの通信パスを設定あるいは拒否する。例文帳に追加

When a communication path setting request under end-to-end arises, a quality class wherein the total sum of information transfer qualities between the edge nodes satisfies information transfer quality being a requirement between the edge nodes is selected, a communication path of the quality class selected for the communication path whose setting is requested is established or rejected by utilizing the allocation bandwidth table. - 特許庁

スイッチング素子、スイッチング素子に連結されたストレージノードを備える不揮発性メモリ素子において、ストレージノードは、スイッチング素子に連結された下部金属層と、下部金属層上に順次に形成された第１絶縁層、中間金属層、第２絶縁層、上部金属層及びナノ層を備えることを特徴とする不揮発性メモリ素子である。例文帳に追加

The nonvolatile memory device includes a switching element and a storage node connected to the switching element, wherein the storage node includes a lower metal layer connected to the switching element, and a first insulating layer, an intermediate metal layer, a second insulating layer, an upper metal layer, and a nano-layer which are sequentially formed on the lower metal layer. - 特許庁

スイッチング素子及びそれに連結されたストレージノードを備える相変化メモリ素子において、ストレージノードは、下部電極と、下部電極上に形成された相変化層と、相変化層の上部に形成された物質層と、物質層周囲の相変化層上に備えられた上部電極と、を備えることを特徴とする相変化メモリ素子を提供する。例文帳に追加

The phase change memory device includes: a switching device and a storage node coupled therewith, wherein the storage node includes a lower electrode; a phase change layer formed on the lower electrode; a material layer formed on the upper of the phase change layer; and an upper electrode provided on the phase change layer surrounding the material layer. - 特許庁

データチェック手段１ｃによりデータの異常が検出されると、次に、データ取得手段１ｄにより、管理情報が参照され、異常が検出されたデータに対応する冗長データを格納している二重化相手ストレージノードが判断され、二重化相手ストレージノードから異常が検出されたデータに対応する冗長データが取得される。例文帳に追加

When abnormality of data is detected by the data checking means 1c, management information is referred to by a data acquisition means 1d to determine a duplexed counterpart storage node storing redundant data corresponding to the abnormality detected data, and the redundant data corresponding to the abnormality detected data is acquired from the duplexed counterpart storage node. - 特許庁

ポリパッド処理を行うことなく、ストレージノードコンタクトプラグとランディングプラグ分離膜との間のオーバーラップマージンを確保し、かつ、ストレージノードコンタクトホールをエッチングする際のランディングプラグ分離膜のエッチング損失の防止に適した半導体素子のコンタクトプラグの製造方法を提供する。例文帳に追加

To obtain an overlap margin between a storage node contact plug and a landing plug isolation film without poly-pad treatment, and to provide a method of forming contact plugs in a semiconductor device suitable for preventing etching loss of the landing plug isolation film in etching a storage node contact hole. - 特許庁

これで、アプリケーションのためのすべてのクラスが用意できました。 「プロジェクト」ウィンドウの「ソースパッケージ」ノードを展開する場合、表示されるプロジェクトは次のスクリーンショットのようになります。例文帳に追加

You now have all the classes for your application.If you expand the Source Packages node in the Projects window, your project should look like the following screenshot.  - NetBeans

プロジェクトが 2 ページ未満の場合は、「プロジェクト」ウィンドウで「Web ページ」ノードを右クリックし、「新規」「Visual Web JSF ページ」を選択して新しいページを作成します。例文帳に追加

If your project has fewer than two pages, create a new one by right-clicking the Web Pages node in the Projects window and choosing New Visual Web JSF Page. - NetBeans

「ソースパッケージ」ノードを右クリックし、「新規」「Java クラス」を選択します。 「クラス名」テキストボックスに「NameHandler」と入力し、「パッケージ」コンボボックスに「org.mypackage.hello」と入力して、「完了」をクリックします。例文帳に追加

Right-click the Source Packages node and choose New Java Class.Enter NameHandler in the Class Name text box and typeorg.mypackage.hello in the Package combo box.  - NetBeans

新しい管理 Bean のファイル名を入力し、「完了」をクリックします。 新しい管理 Bean は、「プロジェクト」ウィンドウの「ソースパッケージ」ノードの下に表示されます。例文帳に追加

Type the File Name of the new managed bean and click Finish.The new managed bean appears in the Projects window under the Source Packages node.  - NetBeans

「プロジェクト」ウィンドウで、「Scopes」プロジェクトの下の「Web ページ」ノードを右クリックし、「新規」「Visual Web JSF ページ」を選択します。 ページに「Results」という名前をつけ、「完了」をクリックしてページを作成します。例文帳に追加

In the Projects window, right-click the Web Pages node under your Scopes project, choose New Visual Web JSF Page, name the page Results, and click Finish to create the page.  - NetBeans

「プロジェクト」ウィンドウで「Web ページ」ノードを展開し、「Page1.jsp」を右クリックして「リファクタリング」「名前を変更」を選択します。 「名前を変更」ダイアログが表示されます。例文帳に追加

In the Projects window, expand the Web pages node, right-click on Page1.jsp, and choose Refactor Rename.The Rename dialog box opens.  - NetBeans

「プロジェクト」ウィンドウで、「ソースパッケージ」ノードの「travel」ノードを右クリックし、ポップアップメニューの「新規」「その他」を選択して「新規ファイル」ウィザードを開きます。例文帳に追加

In the Projects window, right-click the travel node under Source Packages and select New Other in the popup menu to open the New File wizard.  - NetBeans

「ソースパッケージ」ノードを展開すると、ウィザードによって生成されたコントローラ、コンバータ、例外、およびユーティリティーの各クラスを確認できます。例文帳に追加

If you expand the Source Packages node you can see the controller, converter, exception, and utility classes that the wizard generated.  - NetBeans

「Web ページ」ノードを右クリックして、「新規」「JSP」を選択し、「JSP ファイル名」に response という名前を指定して「完了」をクリックします。 ソースエディタに新しい response.jsp が表示されます。例文帳に追加

Right-click the Web Pages node and choose New JSP,name the JavaServer Pages file response, and click Finish.The new response.jspopens in the Source Editor.  - NetBeans

プロジェクトが 2 ページ未満の場合は、「プロジェクト」ウィンドウで「Web ページ」ノードを右クリックし、「新規」「ページ」を選択して新しいページを作成します。例文帳に追加

If your project has less than two pages, create a new one by right-clicking the Web Pages node in the Projects window and choosing New Page.  - NetBeans

「ページ名を指定」ダイアログで「了解」をクリックしてデフォルトの名前「Page2」を使用します。 図 2 に示すように、Page2.jsp のアイコンがナビゲーションエディタに表示され、「プロジェクト」ウィンドウの「NavigationExample」「Web ページ」ノードの下に「Page2.jsp」ノードが追加されます。例文帳に追加

Click OK in the Select Page Name dialog box to accept the default name, Page2.A Page2.jsp icon appears in the Navigation Editor as shown in Figure 2, and a Page2.jsp node is added in the Projects window under the NavigationExample Web Pages node.  - NetBeans

「プロジェクト」ウィンドウで、「Scopes」プロジェクトの下の「Web ページ」ノードを右クリックし、「新規」「ページ」を選択します。 ページに「Results」という名前をつけ、「完了」をクリックしてページを作成します。例文帳に追加

In the Projects window, right-click the Web Pages node under your Scopes project, choose New Page, name the page Results, and click Finish to create the page.  - NetBeans

サーブレットがエディタタブで開き、サーブレットとその親パッケージが「プロジェクト」ビュー内のこのプロジェクトの「ソースパッケージ」ノードに表示されます。例文帳に追加

The servlet opens in an editor tab and the servlet and its parent package are visible in the Projects view, in the Source Packages node of the project.  - NetBeans

更には、前記光学活性１−アリール−３−ピロリジノールから、簡便かつ効率よく光学活性１−アリール−３−置換ピロリジン及び光学活性３−置換ピロリジンを得ることができる。例文帳に追加

The optically active 1-aryl-3-substituted pyrrolidine and the optically active 3-substituted pyrrolidine can readily and efficiently be obtained from the optically active 1-aryl-3-pyrrolidinol. - 特許庁

エナンチオ選択的に還元しうる錯体触媒を利用し、３−キヌクリジノンから望ましい光学異性体の含有率の高い３−キヌクリジノールを製造する方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for producing a desirable 3-quinuclidinol having high optical isomer content from a 3-quinuclidinone by utilizing an enantioselectively reducible complex catalyst. - 特許庁

波長分割多重ネットワーク、中継ノード、エッジノード、管理装置、波長分割多重ネットワークの波長割当方法及び波長分割多重ネットワーク管理方法例文帳に追加

WAVELENGTH DIVISION MULTIPLEX NETWORK, RELAY NODE, EDGE NODE, MANAGEMENT DEVICE, WAVELENGTH ALLOCATION METHOD OF WAVELENGTH DIVISION MULTIPLEX NETWORK AND METHOD FOR MANAGING THE SAME - 特許庁

半導体基板２に形成されているトレンチ内にキャパシタ誘電体膜３を介してストレージノード電極層４が埋め込まれてキャパシタＣＡＰが形成されている。例文帳に追加

A capacitor CAP is formed by burying storage node electrode layers 4 in a trench formed to a semiconductor substrate 2 through capacitor dielectric films 3. - 特許庁

３−キヌクリジノンに、ロドコッカス（Ｒｈｏｄｏｃｏｃｃｕｓ）属、若しくはシュードクラビバクター（Ｐｓｅｕｄｏｃｌａｖｉｂａｃｔｅｒ）属に属する微生物、又はその処理物を作用させることにより、（Ｓ）−３−キヌクリジノールを微生物学的に製造する。例文帳に追加

The (S)-3-quinuclidinol is microbiologically manufactured by treating a micro-organism belonging to the Rhodococcus group or the Pseudoclavibacter group or its treated substance react with 3-quinuclidinone. - 特許庁

窒素成分を含む多層絶縁膜１０８の最上部層上の第２導電膜１１０をオーバーエッチングしてストレージノード１１６を形成する。例文帳に追加

A storage node 116 is formed by overetching a second conductive film 110 on an uppermost part layer on a multilayer insulation film 108 comprising nitrogen components. - 特許庁

ストレージノード１４上にキャパシタ誘電体膜１５が選択的に形成され、キャパシタ誘電体膜１５を含む半導体基板１０上にビット線兼用セルプレート１６がビット線単位に形成される。例文帳に追加

A capacitor dielectric film 15 is formed selectively on a storage node 14, and cell plate 16 which is concurrently is formed in bit line units on a semiconductor substrate 10 containing the capacitor dielectric film 15. - 特許庁

半導体基板１１に形成されたトレンチの側壁を絶縁膜１９で被覆し、トレンチキャパシタのストレージノード電極のＡｓをドープした第１導電膜にＰイオンを注入する。例文帳に追加

The sidewall of a trench formed on a semiconductor substrate 11 is coated with an insulating film 19, and P ions are injected into a 1st conductive film formed by doping As of the storage node electrode of a trench capacitor. - 特許庁