「ジノー」に関連した英語例文の一覧と使い方(9ページ目) - Weblio英語例文検索

エッチングによってストレージノードプラグ側壁のスペーサが損傷されて発生した隙間による漏洩電流を防止できる半導体素子のキャパシタ製造方法を提供すること。例文帳に追加

To provide a method for manufacturing a capacitor of a semiconductor element by which leakage current due to a gap generated by damaging a spacer of a storage node plug side wall by etching. - 特許庁

下部モールド層の形成のための炭素含有膜のドライエッチング時、炭素含有膜の等方性エッチング特性を利用して、上部より下部でさらに大きい外径サイズを持つストレージノードホールを形成できる。例文帳に追加

During dry etching of the carbon-contained film for forming a lower mold layer, a storage node hole having an outer diameter size that is larger in a lower part than in an upper part by using an isotropic etching characteristic of the carbon-contained film. - 特許庁

ｎ型拡散層３６の表面にはビット線コンタクト５１が形成され、ｎ型拡散層２７は、埋め込みストラップ４１、及びポリシリコン電極２２Ａを介してストレージノード電極２２に接続されている。例文帳に追加

A bit line contact 51 is formed on the surface of an n-type diffusion layer 36, and an n-type diffusion layer 27 is connected to a storage node electrode 22 through a buried strap 41 and a polysilicon electrode 22A. - 特許庁

ネットワーク内では、通信開始要求に応じて、発側および着側エンドユーザ端末Ａ，Ｇに対応するエッジノードＩ，Ｌ間に要求帯域を有するパスを設定して帯域保証トラヒックを転送する。例文帳に追加

In a network, band guarantee traffics are transferred by setting a path having the requested band between edge nodes I and L corresponding to the transmitting side and receiving side end user terminals A, G according to the communication starting request. - 特許庁

エッジノード１１はパケットが正当なユーザからのものであり、ＦＴＰセッション開設用のコマンドであることを検知すると、パス設定サーバ５に専用線開設要求を送出する。例文帳に追加

If the edge node 11 detects that the packet is from an authorized user and it is the command for establishing the FTP session, it sends a private line establishment request to a path setting server 5. - 特許庁

パケット廃棄や転送タイムアウトにより低下する輻輳ウィンドウのサイズを早期に向上させ、保証された帯域を効率よく利用可能にしたエッジノードを提供する。例文帳に追加

To provide an edge node that improves the size of a convergence window reduced by the discarding of packets and a transfer timeout in an early stage, and efficiently utilizes a warranted band. - 特許庁

当該酵素を高発現する形質転換体を用いることにより、高い光学純度を有する光学活性（Ｒ）−３−キヌクリジノールを効率良く製造する方法が提供される。例文帳に追加

The method for efficiently producing the optically active (R)-3-qunuclidinol having high optical purity by using a transformant that highly expresses the above enzyme is also provided. - 特許庁

コンピュータ１は、データアクセスの対象となる各仮想記憶領域と、ストレージノード２，３，４，５が有する記録装置内の各実記憶領域と、の割り当て関係を管理する。例文帳に追加

A computer 1 manages allocation relation between each virtual storage area that is a target of data access and each real storage area inside a recording device of the storage node 2, 3, 4, 5. - 特許庁

第１及び第２メモリトランジスタは、第１及び第２ビットラインの間のストリング部分に含まれ、制御ゲート及びストレージノードをそれぞれ備える。例文帳に追加

A first and a second memory transistor are included in a string part between the first and second bit-lines, and comprise the control gate and the storage node, respectively. - 特許庁

これにより、アルミニウム配線層１５から、引出配線層１２、不純物領域２ａなどを介してストレージノード用導電層１０にショートチェックのためのテスト信号が与えられる。例文帳に追加

As a result, a test signal for checking the short circuit is applied to the conducting layer 10 from the wiring layer 15 via a leading-out wiring layer 12, the impurity region 2a, etc. - 特許庁

これにより、ブリッジノードはＭＡＣフレームがカプセル化されたＲＰＲＭＡＣフレームを受信し、ステーションノードはカプセル化されていないＲＰＲ ＭＡＣフレームを受信する。例文帳に追加

Thus, the bridge node receives an RPR MAC frame with the encapsulated MAC frame and the station node receives the RPR MAC frame which is not encapsulated. - 特許庁

さらに、ストレージノード１９ａは、孔３ａ、４ａ、５ａの内壁面に沿って形成され、かつ第１コンタクト１３に電気的に接続されている。例文帳に追加

Moreover, a storage node 19a is formed along the internal wall surfaces of the holes 3a, 4a, and 5a and is also electrically connected to the first contact 13. - 特許庁

データ割当手段１ｂは、ストレージノード２，３，４，５を少なくとも２つのグループに分割し、主データの配置先とそれに対応する副データの配置先とが同一グループに属さないように配置先を割り当てる。例文帳に追加

A data assignment means 1b divides storage nodes 2-5 into at least two groups and assigns the storage locations so that those of the main data and the sub data corresponding to the main data do not belong to the identical group. - 特許庁

ＴｉＮストレージノードを有するシリンダ構造のキャパシタを製造するためのウェットディップアウト時に、バンカー欠陥の発生を防止できる半導体メモリ装置の製造方法を提供すること。例文帳に追加

To provide a method for fabricating a semiconductor device capable of preventing a bunker shaped defect from being caused during performing a wet dip-out process employed during fabricating a capacitor having a cylinder type TiN storage node. - 特許庁

３−キヌクリジノンを高い立体選択性で（Ｒ）体に還元する酵素、および該酵素を利用し、高い光学純度を有する光学活性（Ｒ）−３−キヌクリジノールを効率良く製造する方法を提供すること。例文帳に追加

To provide an enzyme capable of reducing 3-quinuclidinone in high stereoselectivity to the corresponding (R)-form, and to provide a method for efficiently producing the optically active (R)-3-qunuclidinol having high optical purity using the above enzyme. - 特許庁

トレンチキャパシタのストレージノード電極とＭＯＳトランジスタのｎ型ソース／ドレイン拡散層とを接続するｎ型多結晶シリコン膜のエピタキシャル成長を防止すること。例文帳に追加

To prevent the epitaxial growth of an n-type polycrystalline silicon film connecting the storage node electrode of a trench capacitor to the n-type source/drain diffusion layer of an MOS (metal oxide semiconductor) transistor. - 特許庁

３−フェノキシ−４−ピリダジノール誘導体の殺草スペクトルを拡大するとともに、より少量で重要雑草を防除できる手段を提供する。例文帳に追加

To expand a herbicidal spectrum of a 3-phenoxy-4-pyridazinol derivative, and to provide a means capable of preventing and eliminating principal weeds in a smaller amount than ever. - 特許庁

つまり、エッジノード５０側から、その１ホップ手前側にある中継ノード４０、さらのその１ホップ手前側にある中継ノード３０というように、経路を確認していく。例文帳に追加

Namely, routing is authenticated from the side of the edge node 50 in the order of a relay node 40 one hop before the edge node and a relay node 30 further one hop before it. - 特許庁

チャネル長を長くし、リフレッシュ特性を向上させるとともに、ストレージノードの抵抗特性を向上させることのできる半導体素子及びその製造方法を提供すること。例文帳に追加

To provide a semiconductor element that can have the channel length increased, the refreshing characteristics enhanced, and a storage node enhanced in resistance characteristics, and to provide a manufacturing method thereof. - 特許庁

可変容量キャパシタＣは、ストレージノードＳＮに一方電極が接続され、データ出力時にハイレベル電圧が印加される制御線（読み出しワード線ＲＷＬ）に他方電極が接続されている。例文帳に追加

One electrode of the variable capacitance capacitor C is connected to a storage node SN, and the other electrode is connected to a control line ( read-out word line RWL) to which high level voltage is applied at the time of data output. - 特許庁

ストレージクラスタシステムを構築するのに必要な制御データをストレージノードが本来持つブロックデバイス用インタフェースを用いて共有できるようにする。例文帳に追加

To share control data necessary for constructing a storage cluster system by using a block device interface originally equipped in a storage node. - 特許庁

本発明の２位に置換基を有する光学活性３−キヌクリジノール類の製造方法は、所定の金属錯体の存在下において、２位に置換基を有する３−キヌクリジノン類と水素を供与する化合物とを反応させる。例文帳に追加

The manufacturing method of the optically active 3-quinuclidinols having a substituent group at the 2-position comprises causing 3-quinuclidinones having a substituent group at the 2-position to react with a hydrogen-donating compound in the presence of a predetermined metal complex. - 特許庁

ビットラインとストレージノードコンタクトとの間の絶縁特性を維持しながら工程マージンを向上させ、工程を単純化し、キャパシタンスを向上させられる半導体装置及びその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor device in which a process margin is improved while maintaining insulation characteristics between a bit line and a strage node contact, a process is simplified and capacitance is enhanced, and its manufacturing method. - 特許庁

このような方法によりノットオープン（ｎｏｔ ｏｐｅｎ）コンタクトは減少させながら、キャパシタンスを増加させることができ、ストレージノードの傾き（ｌｅａｎｉｎｇ）も大きく減少させることができる。例文帳に追加

According to such a method, a capacitance can be increased, reducing not-open contacts, and the leanings of the storage nodes can also be decreased. - 特許庁

本発明はキャパシタオーバービットライン（ＣＯＢ）構造のＤＲＡＭの製造方法に関し、ストレージノードコンタクト（ＳＣ）の開口時にシリコン基板が受けるダメージを十分に抑制することを目的とする。例文帳に追加

To fully suppress damages to be received by a silicon substrate, when opening a storage node contact(SC) in a manufacture for DRAM of a capacitor over-bit line(COB) structure. - 特許庁

本発明はストレージノードを備える半導体装置に関し、高い集積度と、優れた省電力特性とを有し、安価に、かつ高い歩留まりで製造するうえで好適な構造を実現することを目的とする。例文帳に追加

To realize a structure for a semiconductor device having a storage node that has higher integrity and a superior power-saving characteristic and is suited to low-cost and high-yield production. - 特許庁

ストレージノード１０の形成後、酸化膜８及び２０をウェットエッチングで除去する際、下地酸化膜４がコンタクトホール６の側面に露出していないので、その不測のエッチングを防止することができる。例文帳に追加

After a storage node 10 is formed, when oxide films 8, 20 are eliminated by wet-etching, as the underlayer oxide film 4 does not expose to the side face of a contact hole 6, thereby preventing unexpected etching. - 特許庁

故障ノードが検出されたときは、故障ノード切り離し手段１６が、管理対象のスライスに対応付けられた他のストレージノードが管理するスライスに、故障ノードのスライスが含まれているかどうかを判定する。例文帳に追加

When the failure node is detected, a failure node isolation means 16 determines whether the slice of the failure node is included in a slice to be managed by the other storage nodes, associated with the management object slice. - 特許庁

埋込みストラップ形成後の高温工程における、埋込みストラップを介して第２ストレージノード電極に接続したソース／ドレイン拡散層の接合深さの増加を抑制すること。例文帳に追加

To suppress increase in junction depth of source and drain diffusion layers connected to a second storage node electrode via an embedded strap in a high-temperature process, after forming the buried strap. - 特許庁

ストレージノードコンタクトエッチングの際、ビットラインハードマスクが損傷することを防止するのに適合した半導体素子の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a manufacturing method of a semiconductor device which is conformable to prevent a bit line hard mask from damaging in the case of storage node contact etching. - 特許庁

発側エンドユーザ端末ＡからエッジノードＩに向けて着側エンドユーザ端末Ｇと要求帯域を指定した通信開始要求を送出する。例文帳に追加

A communication starting request specifying the requested band with a receiving side end user terminal G is transmitted from a transmitting side end user terminal A toward an edge node I. - 特許庁

リセット手段は、転送回路から出力ラインへの電荷転送する増幅器に付随する少なくとも１つの既知の大きさに増幅器の総ての入力ステージノードをバイアスする。例文帳に追加

A reset means biases all input stage nodes of the amplifier to at least one known level attended with the amplifier that transfers charges from each transfer circuit to the output line. - 特許庁

すなわち、複数のストレージノード間でディスクを休止状態あるいは非休止状態に制御することで消費電力の低減を図る趣旨である。例文帳に追加

That is, by controlling the disks to be suspended or not to be suspended between the plurality of storage nodes, the power consumption is reduced. - 特許庁

プレチャージノードを使用するとともに、差動型ラッチを使用してトランジスタのレシオ問題を解決し、動作速度を向上させた半導体素子の同期式フリップフロップ回路を提供する。例文帳に追加

To provide a synchronous flip-flop circuit of a semiconductor device which can settle the ratio problem of a transistor by using a pre-charge node and also a differential latch and can improve its operating speed. - 特許庁

これにより、第２のストレージノードコンタクトプラグに形成された高抵抗層３５を含めた層間絶縁膜２１にＮ型不純物高濃度層３６が形成される。例文帳に追加

Thus, an N-type impurity high concentration layer 36 is formed on a layer insulating film 21 provided with a high resistance layer 35 formed on a second storage node contact plug. - 特許庁

コンタクト抵抗の増加及び結晶欠陥の発生を防止することが可能なトレンチキャパシタ及びストレージノードを有するＤＲＡＭ及びその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a DRAM equipped with a trench capacitor and a storage node and manufacturing method thereof, where the DRAM can be prevented from increasing in contact resistance, and crystal defects can be prevented from occurring. - 特許庁

ビットラインまたはストレージノードコンタクトと垂直に接続されるランディングプラグコンタクトホールの線幅を広くして抵抗の減少を図る。例文帳に追加

To reduce resistance by widening a line width of a landing plug contact hole connected perpendicular to a bit line or a storage node contact. - 特許庁

トレンチの側面にカラー酸化膜を形成し、トレンチの上部でカラー酸化膜の側面に蓄積電極に導通するストレージノードを形成する。例文帳に追加

Color oxide films are formed on the side faces of the trenches, and storage nodes electrically conducted with the storage electrodes are formed to the side faces of the color oxide films in the upper sections of the trenches. - 特許庁

また、ストレージノードホール９と開口１７との間にマージンを設ける必要がないので、微細化を実現することができると共に、メモリセルサイズが一定のままで保持できる容量を多くすることができる。例文帳に追加

Moreover, since it is not necessary to provide a margin between the storage node hole 9 and the opening 17, the capacity which can be held while a memory cell size is kept constant can be increased while achieving downscaling. - 特許庁

ユーザがエッジノードに、入力データを処理して出力するアプリをデプロイする時に、アプリの出力先と入出力装置部の公開ユーザとの整合性を保証する。例文帳に追加

To secure, when a user deploys an application for processing and outputting input data to an edge node, the consistency of disclosure user between an output destination of the application and an input/output device unit. - 特許庁

ＰＭＯＳトランジスタ１０は、ソース端子がビット線ＢＬに接続され、ドレイン端子がデータ・ストレージノードＮaに接続され、ゲート端子がワード線ＷＬに接続される。例文帳に追加

In the PMOS transistor 10, a source terminal is connected to a bit line BL, a drain terminal is connected to a data storage node Na, and a gate terminal is connected to a word line WL. - 特許庁

エッジノード１０８，１０９，１１０間に管理メッセージ通信用リンクとしてアクセス系通信フレーム１１７，１１８，１１９を割り当ててアクセス網１０５，１０６，１０７間の管理ネットワークをＩＰレベルで接続する。例文帳に追加

Access system communication frames 117, 118 and 119 are assigned among edge nodes 108, 109 and 110 as a management message communication link and a management network among the access networks 105, 106 and 107 are connected by a IP level. - 特許庁

入力ステージは複数のトランジスタを含み、入力ステージ内のトランジスタは入力ノードと静電容量的に結合した１組の入力ステージノードを形成する。例文帳に追加

The input stage includes a plurality of transistors(TRs) and the TRs in the input stage form a set of input stage nodes coupled with the input node electrostatically. - 特許庁

管理システムが直接管理することなく、トラヒックの状態に応じて各エッジノードが自律的にＱｏＳ設定を行う。例文帳に追加

To provide high quality interpretation service that realizes QoS setting which match the capability of an interpretation system by making each edge node autonomously perform QoS setting according to the state of traffic without relying on the management of a management system and autonomously perform QoS setting at each edge node. - 特許庁

コアノード５は送信元アドレス毎のトラヒック流通量を観測し、エッジノード１〜４は宛先アドレス毎のトラヒック流通量を観測する。例文帳に追加

A core node 5 observes a traffic flow amount by each sender address and edge nodes 1 to 4 observe a traffic flow amount by each destination address. - 特許庁