「ジノー」に関連した英語例文の一覧と使い方(10ページ目) - Weblio英語例文検索

ストレージノードを形成する工程で発生するレジデューによる素子特性の低下を抑えることができる半導体素子のキャパシタ形成方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for forming a capacitor of a semiconductor device capable of suppressing deterioration of device characteristics due to a residue produced in a process for forming a storage node. - 特許庁

エッジノード１０〜１７は中継ノードの障害発生時に、バックボーンネットワーク１へ網内パケットを転送するための網内パケット転送経路解決情報テーブルのエントリを自律処理により変更する。例文帳に追加

When a fault occurs in a certain junction node, each of the edge nodes 10 to 17 changes the entry of an intra-network packet transfer route solving information table for transferring an intra-network packet to the network 1 by autonomous processing. - 特許庁

行方向において各ビット線に対してビット線コンタクト（ＢＣ）を形成し、またストレージノードコンタクト（ＳＣ）を各列に行方向に整列して配置する。例文帳に追加

Bit line contacts (BC) are formed in each bit line, in the row direction, and storage node contacts (SC) are arranged in each column so as to be aligned in the row direction. - 特許庁

Ｖｓｓプリチャージ方式において、相補のビット線ＢＬ，ＺＢＬのそれぞれに、ビット線コンタクト、ストレージノードコンタクトに加えてＶｃｃｓ電源線に接続される第３コンタクトを備えるダミーセルａ，ｂを配設する。例文帳に追加

In a Vss pre-charge system, dummy cells (a), (b) provided with a third contact connected to a Vccs power source line in addition to a bit line contact and a storage node contact are arranged at complementary bit lines BL, ZBL respectively. - 特許庁

ルーティングノード（例えばゲートノード、中継ノード）およびエッジノードを備えた移動通信ネットワークの各ノード、移動機等にＩＰアドレスを割り振る。例文帳に追加

An IP address is assigned to each of the nodes, mobile stations or the like of the mobile communications network including routing nodes (a gate node and relay node, for example) and edge nodes. - 特許庁

あるいは、移動端末が利用するアプリケーションの種類等の移動端末の使用形態および状況に対応して、移動端末あるいはエッジノード等で自動的に適切な位置登録方式を選択・使用する。例文帳に追加

Or, the mobile terminal or the edge node, etc., automatically selects/uses a suitable position register system according to the working form or conditions of the portable terminal of the kind of applications, etc., the mobile terminal utilizes. - 特許庁

運用モード切換手段１ｃは、グループの１つを停止させる省電力モードへの切換命令があると、停止対象のグループに属するストレージノードの主データとそれに対応する副データとの役割を交換する。例文帳に追加

An operation mode switching means 1c exchanges a role of the main data of the storage node belonging to a group of stop subjects for a role of the sub data corresponding to the main data on receipt of a switching command to a power saving mode stopping one of the groups. - 特許庁

Ｐ型半導体基板１のＮ型ウェルにＰ型ソース領域８ｂに接続するようにストレージノードとして機能するＰ型拡散層１５が形成されている。例文帳に追加

In an n-type well of a p-type semiconductor substrate 1, a p-type diffusion layer 15 functioning as a storage node is so formed as to be connected to a p-type source region 8b. - 特許庁

複数の位置登録方式が混在したシステムにおいて、エッジノードあるいは上位の通信ノードが、移動端末からの位置登録信号を必要に応じては変換を行って、接続されたネットワークに合わせた位置登録を行う。例文帳に追加

In the hybrid system involving a plurality of intermingled position register systems, an edge node or a high-order communication node converts position register signals from a mobile terminal, as required, to register its position suited to a connected network. - 特許庁

素子の微細化が進んでも隣接するストレージノード間のショートを防止することの可能なシリンダ型キャパシタおよびその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a cylinder-type capacitor and a production method therefor, with which short-circuiting between adjacent storage nodes can be prevented, even when microfabrication of elements is advanced. - 特許庁

ＲＯＭに変更する際には、ＤＲＡＭのキャパシタのストレージノードであった電極プレートをメモリセルアレイ単位で接続し、これを固定電位に結合する。例文帳に追加

When changing to the ROM, an electrode plate which was a storage node of a capacitor of a DRAM is connected in units of memory cell array, and this is connected to a stationary potential. - 特許庁

複数のコアノードと複数のエッジノードとを含むネットワーク構成の帯域管理装置及び帯域管理方法に関し、カスタマのサービス要求に迅速荷対応する。例文帳に追加

To speedily deal with the service request of a customer in a band managing device and a band managing method in network configuration provided with a plurality of core nodes and a plurality of edge nodes. - 特許庁

入口エッジノード１１は入力されたパケットが同一優先度でかつ送出時間以内に入力されると、それらのパケットをつなぎ合わせ、１つの集約ラベルを付けて次の中継ノード１２に転送する。例文帳に追加

When packets are inputted with the same priority and within transmission time, an entrance edge node 11 joins there packets, attaches one summary label and transfers them to a next repeating node 12. - 特許庁

通信網中のデータフローの集中するエッジノードで暗号化等の計算量が多く負荷が高いサービスを行う場合に高速回線を収容可能なパケット転送方式あるいは装置を実現する。例文帳に追加

To achieve a packet transfer system or device which can accommodate a high-speed line to provide a service having a heavy load while having a large computation quantity of encoding, etc., at an edge node in a communication network where data flows concentrate. - 特許庁

半導体記憶装置に用いる容量素子、特に、抜き円筒型容量素子に関して、隣接したストレージノード層間での短絡を防止した容量素子を提供する。例文帳に追加

To provide a capacitive element which prevents the short circuit between adjacent storage node layers, concerning a capacitive element used for a semiconductor storage device, especially, a die-cut cylindrical capacitive element. - 特許庁

DRAMメモリセル内のコンタクトから素子の領域に至るバリア層を有するスタックトキャパシタのストレージノード及びその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a storage node for a stacked capacitor having a barrier layer from a contact in a memory cell of a DRAM to a region of an element, and to provide a method for manufacturing the same. - 特許庁

従来エッジノードで行っていたトラフィックエンジニアリングに必要な機能の処理負荷を軽減し、かつ大規模での広域負荷分散を効率的に実施する。例文帳に追加

To provide a broad area load distribution control system for relieving a processing load on functions required for a traffic engineering having been executed by an edge node in prior arts and efficiently executing large scale broad area load distribution. - 特許庁

ソース・ドレイン領域１１とストレージノード電極５とがカラー酸化膜４を挟んで近接する箇所を、半導体材料のエッチングレートに比べ絶縁材料のエッチングレートが大きい条件でエッチングする。例文帳に追加

A portion, where the source-drain region 11 and the storage node electrode 5 are located in close vicinity to each other putting the color oxide film 4 therebetween, is etched under a condition where an etching rate of an insulating material is larger than that of the semiconductor material. - 特許庁

サービスエッジノード１は、コア網６の軽輻輳時は、優先加入者の発信要求を呼制御サーバ５に接続を行い、低優先度の一般加入者の発信要求はガイダンスサーバ２に転送する。例文帳に追加

If congestion at the core network 6 is light, the service edge node 1 connects a call request by a high-priority subscriber to a call control server 5, but transfers a call request by a general subscriber having a low priority to the guidance server 2. - 特許庁

経路設定手段２３は、光ネットワーク１３の入力側に接続するネットワーク１１に対し、宛先毎に入口光エッジノード１３−１への経路を明示的に設定する。例文帳に追加

A path setting means 23 explicitly sets a path to the entrance optical edge node 13-1 to the network 11 connected to the input of the optical network 13. - 特許庁

活性領域上に、ビットラインパターンの一側部から互いに異なる距離にそれぞれ離隔するストレージノードを有する半導体装置及びその形成方法を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor apparatus including storage nodes which are separated each other at a distance which is mutually different from one side portion of bit line patterns, on an active region, and to provide its forming method. - 特許庁

ストレージノードにＲｕなどの金属を用いても、絶縁膜と剥離を生じず、短絡等の原因となる破損を生じない半導体装置を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor device which does not generate peeling with an insulating film and breakage which become a cause of a short circuit, or the like, even when using a metal such as Ru, or the like, for the storage node. - 特許庁

スイッチング用のトランジスタＴＲは、その第１のソース・ドレイン領域１１がストレージノード電極層４に接続され、第２のソース・ドレイン領域１２がビット線２３に接続されている。例文帳に追加

In a transistor TR for a switching, first source/drain regions 11 are connected to the storage node electrode layers 4, and a second source/drain region 12 is connected to a bit line 23. - 特許庁

ユーザ拠点−エッジノード交換機間を、ひとつのＶＣにまとめて、すべての拠点間をメッシュで接続するＬ２−ＶＰＮに比べてコストを安くすることを課題とする。例文帳に追加

To decrease the cost of the switch system, in comparison with an L2-VPN where all nodes are interconnected by a mesh by arranging a user node and an edge node switch as one VC. - 特許庁

半導体基板上にストレージノード電極を形成する工程と、ストレージノード電極上に、高誘電定数を持つ誘電体膜を形成する工程と、誘電体膜上にプレート電極を蒸着する工程と、プレート電極上にキャッピング膜を蒸着しながら当該半導体基板上に水素原子（Ｈ）を含有するガスを供給して、当該電極内に残留する反応不純物を排出させる工程と、を含む構成とした。例文帳に追加

The method for forming the capacitor of the semiconductor element includes processes of forming a storage node electrode on a semiconductor substrate, forming a dielectric film having a high dielectric constant on the storage node electrode, evaporating a plate electrode on the dielectric film, and supplying a gas containing hydrogen atoms (H) on the semiconductor substrate while evaporating a capping film on the plate electrode to discharge a reacted impurity remained in the electrode. - 特許庁

上記課題は入手容易な光学活性４−置換−３−ヒドロキシブチロニトリルに金属触媒存在下、アニリン化合物と水素を作用させることにより、光学活性１−アリール−３−ピロリジノール又はその塩を製造することにより解決される。例文帳に追加

The method for producing the optically active 1-aryl-3-pyrrolidinol or the salt thereof includes reacting an aniline compound and hydrogen with an easily available optically active 4-substituted-3-hydroxybutyronitrile in the presence of a metal catalyst. - 特許庁

ＭＯＳキャパシター４及びセルトランジスター３が形成された構造物には層間絶縁膜１２０を有し、コンタクト電極１２６は、セルトランジスター３のソース／ドレーン１１８またはＭＯＳキャパシター４のストレージノード電極１１４を連結する。例文帳に追加

A structure on which the MOS capacitor 4 and the transistor 3 are formed has an interlayer insulating membrane 120, and a contact electrode 126 connects the source/drain 118 of the cell transistor 3 or the storage node electrode 114 of the MOS capacitor 4. - 特許庁

特定のヘキサデカフルオロ亜鉛フタロシアニン化合物を、置換基を有してもよいピリジノール、置換基を有してもよいイミダゾールおよび置換基を有してもよいピラゾールからなる群より選択される少なくとも一種と、反応させることによるフタロシアニン化合物の製造方法に関する。例文帳に追加

The phthalocyanine compound is produced by a reaction of a particular hexadecafluoro-zinc-phthalocyanine compound with at least one sort of compound selected from the group consisting of a pyridinol that may have a substituent, an imidazole that may have a substituent, and a pyrazole that may have a substituent. - 特許庁

本発明によれば、ストレージノードホール１０１の内面に円筒形状のキャパシタ電極１０３を形成した後、キャパシタ電極１０３の周りに残っていたシリコン酸化膜１００を除去するに際し、ｌｅａｎｉｎｇを回避できる。例文帳に追加

The present invention can avoid the "leaning" at the removing of the silicon oxide film 100, left in the periphery of the capacitor electrode 103, after the cylindrical capacitor electrode 103 is formed on the inner surface of a storage node hole 101. - 特許庁

アミノ酸エステル誘導体類又はその酸塩とアンモニアとを反応させてα−アミノ−α−ハロアルキルアミド誘導体類又はその酸塩を製造し、これをグリオキサートと反応させてピラジノール誘導体類を製造し、これをハロゲン化することを特徴とするピラジン誘導体類の製造方法。例文帳に追加

This method for producing the pyrazine derivatives is characterized by reacting amino acid ester derivatives or their acid salts with ammonia to produce α-amino-α-haloalkylamide derivatives, reacting the above with a glyoxate to produce pyrazinol derivatives and then halogenating it. - 特許庁

３−キヌクリジノンに、該化合物を不斉還元する能力を有する微生物、その処理物、酵素、または該酵素を産生する能力を有する形質転換体及びその処理物を作用させて還元することにより、光学活性３−キヌクリジノールを製造する方法を提供する。例文帳に追加

The method for producing an optically active 3-quinuclidinol includes letting a microorganism capable of asymmetrically reducing the compound, a treated material thereof, an enzyme or a transformant capable of producing the enzyme or a treated material thereof on a 3-quinuclidinone. - 特許庁

ＤＲＡＭセルは、プレートノード電極、ストレージノード電極１１４、絶縁体薄膜１１０，１１１からなるＭＯＳキャパシター４と、活性領域の上部面に形成されたゲート絶縁膜１１０及びゲート電極１１２、ソース／ドレーン１１８を含むセルトランジスター３と、を含む。例文帳に追加

The DRAM cell includes a MOS capacitor 4 composed of a plate node electrode, a storage node electrode 114 and insulator membranes 110 and 111, and a cell transistor 3 comprising a gate insulating membrane 110, a gate electrode 112, and a source/drain 118 formed on the top surface of an active region. - 特許庁

本発明は、３−キヌクリジノン又はその塩を、塩基化合物、第８族〜第１０族の遷移金属と光学活性二座配位子との錯体、及び光学活性ジアミンの存在下、水素と反応させることを特徴とする光学活性３−キヌクリジノール又はその塩の製造方法に関する。例文帳に追加

The method for producing the optically active 3-quinuclidinol or its salt comprises reacting 3-quinuclidinone or its salt with hydrogen in the presence of a basic compound, a complex between a transition metal of group 8 to group 10 and an optically active bidentate ligand and an optically active amine. - 特許庁

エッジノード１Ｄ〜１Ｆで、加入者ノード１Ｊ〜１Ｒからのパケットを全てパケット品質制御ノード１Ａ，１Ｂに転送し、各パケット品質制御ノードからのパケットをその宛先アドレスを参照して該当加入者ノードに転送する。例文帳に追加

Edge nodes 1D-1F transfer packets from subscriber nodes 1J-1R to packet quality control nodes 1A, 1B and transfer packets from each packet quality control node to the subscriber nodes by referencing their destination addresses. - 特許庁

出口エッジノード１４はパケットを受取ると、そのパケットがラベル多重されていれば、そのパケットを元のパケットに分離し、分離後のパケットのヘッダによってその優先度に応じてスイッチングを行い、それぞれの宛先に転送する。例文帳に追加

When an exit edge node 14 receives the packet and the packet is label-multiplexed, the packet is separated to the original packets, switching is performed in accordance with the priority according to the header of the packets after separation, and transfers them to each destination. - 特許庁

ラジカル重合可能な化合物をベースにして樹脂組成物と反応性樹脂モルタルの反応性とゲル化時間の設定のために立体障害のあるフェノール誘導体と5−ピリミジノール誘導体との混合物の使用を記載している。例文帳に追加

To use a mixture of a sterically hindered phenol derivative and a 5-pyrimidinol derivative for adjusting the reactivity and the gel time of a resin composition and reactive resin mortar based on a radically polymerizable compound. - 特許庁

コントロールノードＣＮ１は、アクセス履歴を参照し、コントロールノードＣＮ３からのアクセスが頻発していることを検出すると、太線矢印で示すように、コントロールノードＣＮ３が管理するストレージノードＳＮ３へ、ファイル「ｆｉｌｅ＿１ａ」のレプリケーションもしくはマイグレーションを行う。例文帳に追加

When the control node CN 1 refers to the access history, and detects that the access from the control node CN3 frequently occurs, the replication or migration of the file "file_1a" is performed on a storage node SN3 managed by the control node CN3. - 特許庁

メモリセルのスイッチを構成するトランジスタ１３の拡散層領域１３１と容量１５の一方の電極を構成するストレージノード１５１を酸素を含有する薄い酸素含有層１５１ａと酸素を含有していない酸素非含有層１５１ｂとから形成する。例文帳に追加

A diffusion layer region 131 of a transistor 13, constituting a switch of a memory cell and a storage node 151 constituting one electrode of a capacitor 15 are formed of a thin layer 151a, containing oxygen and a layer 151b in which oxygen is not contained. - 特許庁

ゲート電極１３ａ等を有するトランジスタが形成されている半導体基板１１の上に、第１の層間絶縁膜１５を堆積し、第１の層間絶縁膜１５の上に、ストレージノード電極等からなるメモリセル容量部又は導体配線を形成する。例文帳に追加

A first interlayer insulating film 15 is deposited on a semiconductor substrate 11 on which a transistor having a gate electrode 13a, etc., is formed and a capacitor section of a memory cell composed of storage node electrodes, etc., or a conductor wiring is formed on the insulating film 15. - 特許庁

エッジノード２は、サービスネットワーク７から送信されたサービスネットワークの制御情報を、カプセル化によってバックボーンネットワークの制御情報に含め、サービスネットワーク８へ向けて転送するバックボーン情報処理部を備える構成とした。例文帳に追加

An edge node 2 is configured to include a backbone information processing section that includes the control information of the service network transmitted from the service network 7 into the control information of the backbone network through capsulation and transfers the resulting information to the service network 8. - 特許庁

セルキャパシタにおいて、ストレージノード電極ＳＮはＲｕ膜１６とＳＲＯ膜１７の積層膜により構成され、キャパシタ絶縁膜はＢＳＴ膜１８により構成され、セルプレート電極はＳＲＯ膜１９により構成されている。例文帳に追加

In a cell capacitor, a storage node electrode SN is constituted of an Ru film 16 and an SRO film 17, a capacitor insulating film is constituted of a BST film 18, and a cell plate electrode is constituted of an SRO film 19. - 特許庁

そして、誘電体膜８を覆うように白金で構成された第１導電層９１が配設され、さらに第１導電層９１を全面的に覆うように、ＴｉＮで構成された第２導電層９２が配設され、両者でストレージノード電極に対する対向電極９０を構成している。例文帳に追加

A first conductive layer 91 comprising platinum is provided to cover the dielectric film 8, and further second conductive layer 92 comprising TiN is provided so as to cover the first conductive layer 91 entirely, while both constituting a counter electrode 90 facing the storage node electrode. - 特許庁

また、この酸化膜３８ｂは、ストレージノード４２を粗面化する際のシリコン原子の移動の障壁となるため、外壁４２の部分と内壁４４の部分とは、それぞれ独立してその膜厚と不純物濃度で粗面形状を制御することができる。例文帳に追加

The oxide film 38b functions as a barrier to the movement of silicon atoms when the storage node 42 is roughened, so that the outer wall 42 and the inner wall 44 can be controlled separately into a shape of roughened surface with their thickness and impurity concentration. - 特許庁

３−キヌクリジノン不斉還元酵素遺伝子及び補酵素再生系酵素遺伝子を含む組換えベクター、該ベクターが導入された遺伝子組換え体並びに該組換え体を用いた光学活性（Ｒ）−３−キヌクリジノールの製造方法。例文帳に追加

There are disclosed a recombinant vector comprising a 3-quinuclidinone asymmetric reductase gene and a coenzyme-regenerative enzyme gene, a gene recombinant in which the vector is introduced, and a method for producing optically active (R)-3-quinuclidinol by using the recombinant. - 特許庁

ポイントツーポイントの通信経路（パス）で構成されるネットワークシステムにおいて、隣接する中継ノードとの間の同一物理通信路上に、目的エッジノードが異なる複数のパスが多重された場合に、フラッディングフレームの数を低減する。例文帳に追加

To reduce the number of flooding frames when multiple paths having different destination edge nodes are multiplexed on the same physical communication path with an adjacent relay node in a network system comprising point-to-point communication paths (paths). - 特許庁