| 意味 | 例文 (999件) |
スパッタ装置の部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 1913件
第一ターゲット１７ａ及び第二ターゲット１７ｂが、それぞれ基板６及び他のターゲットに対して斜めに対向して配置され、基板６を搬送経路１５に沿って搬送しながら成膜する連続方式のスパッタリング装置において、高品質の膜が得られるようにすると共に、粒子のチャンバー３内拡散を防止できるようにする。例文帳に追加
To obtain a high quality film and to prevent particles from diffusing in a chamber 3 in a sputtering apparatus of a continuous system that a first target 17a and a second target 17b are arranged to obliquely face a substrate 6 and other targets to form a film while conveying the substrate 6 along a conveying part 15. - 特許庁
半導体、磁気ディスク、液晶等の平面表示装置（フラットパネルディスプレイ）等の製品の製造に用いられている薄膜形成用のターゲットの大型化に対応するために適用されている多分割ターゲットで問題となっている、スパッタリング時に発生するパーティクルを抑制するための低コストなターゲットを提供する。例文帳に追加
To provide an inexpensive target capable of reducing particles produced during the sputtering that is a problem in a multi-fraction target applied to cope with the jumboizing of the target for thin film deposition used in manufacturing products of flat panel displays such as semi-conductor, magnetic disk and liquid crystal at low cost. - 特許庁
ターゲットと、該ターゲットの裏側に配置され中心磁石及び外周磁石からなる磁石ユニットと、から構成されるスパッタリング装置のマグネトロンカソードにおいて、前記ターゲットは基板方向に傾斜する部分を有し、前記ターゲットの外周部側で前記外周磁石を中心磁石より高くしたことを特徴とする。例文帳に追加
In the magnetron cathode of the sputtering apparatus comprising the target, and a magnet unit disposed on a back side of the target and comprising a center magnet and an outer circumferential magnet, the target has a part inclined in the direction of a substrate and the outer circumferential magnet is higher than the center magnet on an outer circumferential part side of the target. - 特許庁
帯状シート材をその幅方向が鉛直方向となるように連続走行させつつ、プラズマ等による表面改質処理やスパッタ法、プラズマＣＶＤ法等による成膜処理などの表面処理を行なう表面処理装置において、シート材を正逆走行可能に構成した場合でも、簡易な構造でシート材の下方へのズレを防止する。例文帳に追加
To prevent a sheet from being shifted downward by a simple structure even when the sheet can travel in the forward and reverse directions in a surface treatment apparatus for performing surface reforming treatment by plasma or the like and surface treatment including film deposition by a sputtering method, a plasma CVD method, etc., while continuously transporting the strip- like sheet so that the width direction thereof is perpendicular. - 特許庁
酸素：０．０４〜１質量％を含有し、残部がＣｕおよび不可避不純物からなる組成を有する銅ターゲットを用い、不活性ガス雰囲気中または酸素：３体積％以下含んだ不活性ガス雰囲気中でスパッタリングする熱欠陥発生がなくかつ密着性に優れた液晶表示装置用配線または電極の形成方法。例文帳に追加
The method for forming electric wiring or the electrode for the liquid crystal display, which does not have the thermal defect and is superior in adhesiveness, includes: using a copper target having a composition comprising 0.04 to 1 mass% oxygen and the balance Cu with unavoidable impurities; and sputtering the target in an inert gas atmosphere or in an inert gas atmosphere containing 3 vol% or less oxygen. - 特許庁
絶縁層の熱処理によっても下層の配線層に含まれる不純物が金属シリサイドのゲート電極側に拡散することがない半導体装置の製造方法、チャージアップによるパーティクルの発生を抑えることができる金属シリサイド配線用スパッタターゲット、及びその製造方法の提供を課題とする。例文帳に追加
To provide a method of manufacturing a semiconductor device in which the impurity contained in a lower wiring layer is not diffused to a metal silicide gate electrode side even when an insulating layer is heat-treated, and to provide a sputtering target for metal silicide wiring which can suppress the particles generated by charge-up, and its manufacturing method. - 特許庁
真空室内においてシート状材料を連続走行させつつ、プラズマやスパッタ、ＣＶＤ、蒸着等によって表面処理を行なう表面処理装置において、前処理室と表面処理室との間のガスシールとして、簡易な構造でありながら、シート状材料が広幅になった場合でも十分な性能が得られるものを提供する。例文帳に追加
To provide a gas seal between a pre-treatment chamber and a surface treatment chamber with a simple structure which can ensure the sufficient performance even when a sheet-like material is wide in a surface treatment device for performing the surface treatment by plasma, sputtering, CVD, vapor deposition, or the like, while allowing the sheet-like material to continuously travel in a vacuum chamber. - 特許庁
グロー放電による試料Ｓ表面へのスパッタリングを用いて試料Ｓの深さ方向の成分分析を行なうグロー放電分析装置１であって、試料の各部の成分比によって層に分類した各層の成分比の平均を、深さ方向の位置に対応させて表わす深さ成分比グラフ３６の表示部３５を有する。例文帳に追加
The glow discharge analysis apparatus 1 analyzes components in a depth direction of the sample S by sputtering to a surface of the sample S using a glow discharge, and has a display 35 for displaying a depth component ratio graph 36 for indicating so as to correspond an average of the component ratio of each layer classified by the component ratio of each region of the sample to a location in the depth direction. - 特許庁
半導体基板上の絶縁膜に設けられた凹部にＣｕ−Ｔｉ合金が直接埋め込まれてなる半導体装置のＣｕ系配線の製造方法であって、前記Ｃｕ−Ｔｉ合金が、Ｔｉを０．５原子％以上３．０原子％以下含むものであり、かつ、前記Ｃｕ−Ｔｉ合金をスパッタリング法で形成し、該Ｃｕ−Ｔｉ合金を前記凹部に埋め込む時または埋め込み後に、該Ｃｕ−Ｔｉ合金を下記加熱条件で加熱する工程を含むことを特徴とする半導体装置のＣｕ系配線の製造方法。例文帳に追加
In a method of manufacturing the Cu-based wiring of a semiconductor device formed by embedding a Cu-Ti alloy directly in a recessed part provided to an insulating film on a semiconductor substrate, the Cu-Ti alloy contains 0.5 to 3.0 atom% of Ti, and is formed by a sputtering method and heated under heating conditions when or after being buried in the recessed part. - 特許庁
複数の基板を保持する基板保持部と、前記基板の表面を平坦化するプラズマ処理部と、前記基板の表面を絶縁膜を形成するスパッタ成膜処理部と、前記基板の表面と裏面を装置内で反転させる反転部と、基板と基板との表面を向かい合わせに貼り合わせ、一対の基板とする貼り合せ部と、前記一対の基板を熱処理する熱処理部と、を有する半導体基板の製造装置にて、表面清浄化、平坦化処理を行いつつ、工程中の基板移動距離を少なくする。例文帳に追加
In the manufacturing apparatus, the moving distance of the substrate during the process is reduced, while cleaning the surface, and performing planarization treatment. - 特許庁
ピーク期間Ｔｐ中は溶滴移行をさせる値のピーク電流Ｉｐを通電し、続けてベース期間Ｔｂ中は溶接ワイヤの溶融を促進させない値のベース電流Ｉｂを通電する消耗電極パルスアーク溶接にあって、溶接電源装置の外部特性を、上記ピーク期間Ｔｐ中は定電圧特性に制御し、上記ベース期間Ｔｂ中は定電流特性に制御するピーク電流変調制御方法において、溶接中に外乱によってアーク長が大きく変化すると、ピーク電流値Ｉｐも大きく変化して１パルス１溶滴移行の電流範囲外になるために、大粒のスパッタが発生して不良なビード外観となる。例文帳に追加
To provide a peak current modulation control method in which the peak current Ip is changed while maintaining the state of transfer of one-pulse and one-droplet, and the arc length can be returned to the original appropriate value even when the arc length is largely changed by the disturbance during the welding. - 特許庁
スパッタ装置内における半導体ウエハＷの固定を、半導体ウエハＷと接する当接部６ｂ、ひさし部６ａおよび板バネ６ｄを有するクランプリング６と、ヒータ７とで行い、ひさし部６ａの長さをチップ取得数向上のために短くし、ひさし部６ａ内の膜成分の巻き込みが多くなり、当接部６ｂと半導体ウエハＷとの境界部に膜成分が堆積しても、成膜工程終了後にヒータ７が下降する際、板バネ６ｄの延びる力により半導体ウエハＷと当接部６ｂとを引き離す。例文帳に追加
The length of the peak 6a is reduced to increase the number of chips acquisition and also a lot of film components are involved in the peak 6a. - 特許庁
本発明によると、絶縁基板上に酸素濃度が７×１０^１９ｃｍ^−３以下である第１の非晶質性半導体膜を形成し、前記第１の非晶質性半導体膜を熱処理により結晶化し、アルゴンを含む雰囲気下、単結晶シリコンをターゲットに用いたマグネトロン型ＲＦスパッタ法により、第２の非晶質性半導体膜を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法が提供されている。例文帳に追加
In the preparing method for a semiconductor device, a first amorphous semiconductor film where the concentration of oxygen is set to 7×10^19 cm^-3 or less is formed on an insulating board, the first amorphous semiconductor film is crystallized by heat treatment, and a second amorphous semiconductor film is formed by a magnetron type RF sputtering method using a single crystal silicon as a target under an atmosphere containing argon. - 特許庁
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