意味 | 例文 (999件) |
スパッタ装置の部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 1913件
スパッタリング装置で使用するカソ−ドのバッキングプレ−トに、炭素、酸化物、金属のいずれかでなる心材と、前記心材を包み込む金属とを一体化させた構造を持たせる。例文帳に追加
The backing plate of a cathode to be used in a sputtering apparatus has such a structure that a core material made from any of carbon, an oxide and a metal is integrated with a metal that wraps the core material. - 特許庁
ウェルドナットの位置ズレを発生させることなく、ウェルドナットのねじ穴にスパッタが付着することを防止し得るウェルドナット溶接装置を提供する。例文帳に追加
To provide an apparatus for welding a weld nut with which the spatters to a screw hole of the weld nut can be prevented from sticking without displacement of the weld nut. - 特許庁
このスパッタ装置100は、基板ホルダ400、ターゲット保持部材220、プラズマ700を発生させる電源(不図示)、イオン照射部300と、を備える。例文帳に追加
The sputtering device 100 includes: a substrate holder 400; a target holding member 220; a power supply (not shown) for generating the plasma 700; and an ion irradiation part 300. - 特許庁
被処理体に対するコンタミネーションを抑制しつつ、プラズマ処理室内壁のスパッタリングおよびエッチングをも効果的に防止したプラズマ処理装置およびプラズマ処理方法を提供する。例文帳に追加
To provide a plasma processing system and a plasma processing method by which contamination to an object to be processed can be suppressed and sputtering and etching of the inside wall of a plasma processing chamber be also effectively prevented. - 特許庁
このような複層樹脂チューブであると、前述の課題を解決すると共に、最適の難燃性、耐摩耗性、柔軟性、を有するものとなり、スパッタ又は火炎が発生する装置の如何なる箇所にも設置可能な複層樹脂チューブとなる。例文帳に追加
The double layer resin tube solves the problem, has the optimum flame retardancy and abrasion resistance and flexibility, and can be installed in any portion of a device generating spattering or flame. - 特許庁
マグネトロンスパッタリング装置に適用される円筒状ターゲットにおいて、ターゲット材料と、これを支持するバッキングチューブの材料選択の可能性を広げるとともに、製造の簡易化と再利用化を可能にする。例文帳に追加
To extend the possibility of material selection for a target material and a backing tube supporting it in a cylindrical target to be used for a magnetron sputtering system, to simplify its manufacture and to attain its recycling. - 特許庁
成膜装置のチャンバー内壁、その部品又はスパッタリングターゲットの表面に付着した汚れを、対象物にダメージを与えることなく、乾式で効率良くクリーニングする手段を提供する。例文帳に追加
To provide a dry-type means for efficiently cleaning dirt adhered to the inner wall of a chamber of a film forming device, its parts or the surface of a sputtering target without damaging an object. - 特許庁
基板の大型化に対応してメンテナンス時のスペースを容易に確保して効率的にメンテナンス作業を行うことが可能な縦型スパッタリングカソード開閉装置を提供する。例文帳に追加
To provide an opening/closing device of a vertical sputtering cathode whose maintenance operation is efficiently performed by easily securing a space for maintenance in accordance with increase in the size of a substrate. - 特許庁
真空チャンバに対し基板を搬入し搬出する際の搬送時間を短縮して生産性を向上させることのできるマルチチャンバ型のスパッタリング装置を提供する。例文帳に追加
To provide a multi-chamber type sputtering apparatus capable of improving its productivity by shortening the carrying time when a base board is carried in and carried out of a vacuum chamber. - 特許庁
有機層に対して蒸着法やスパッタ法を施すことなく電極層を形成するようにしたエレクトロルミネッセンス装置の製造方法を提供する。例文帳に追加
To provide a method of manufacturing an electroluminescent device in which an electrode layer is formed without applying a vapor deposition method or a sputtering method to an organic layer. - 特許庁
良好な作業性で比較的少量の樹脂により効率的に半導体チップをレーザ溶接時のスパッタから保護することができる、熱拡散性に優れた半導体装置等の提供。例文帳に追加
To provide a semiconductor device and the like capable of efficiently protecting a semiconductor chip from sputters at the time of laser welding by a relatively small quantity of resin and with a good workability, and having an excellent thermal diffusion property. - 特許庁
本発明は、試料を載置する回転自在なる試料台が備わるイオンスパッタ装置において、前記試料台の回転移動に伴い試料台を傾斜させる傾斜支持台を設けたことを特徴とする。例文帳に追加
In the ion sputtering system provided with a freely rotatable sample stand to be mounted with a sample, a tilting support stand of tilting the sample stand in accordance with the rotary movement of the sample stand is provided. - 特許庁
ターゲット間でのプラズマの閉じ込めを向上し、基板の近くでの放電を防止して、低ダメージで低温成膜が可能な対向ターゲット式のデュアルマグネトロンスパッタ装置を提供すること。例文帳に追加
To provide a dual magnetron sputtering apparatus of an opposed target type in which a low-temperature film formation can be performed with low damage by improving the confinement of plasma between the targets, therby preventing electric discharge near a substrate. - 特許庁
マグネトロンユニット(31)をターゲット(16)とは反対の側に配置したスパッタリング装置において、マグネトロンユニット(31)は、第1のマグネット部(43,49a)と、第1のマグネット部(43,49a)の外側に配置されて第2のマグネット部(43,47a)とを有する。例文帳に追加
In a sputtering system of a structure wherein a magnetron unit 31 is arranged on the opposite side to a target 16, the unit 31 has first magnet parts 43 and 49 and second magnet parts 43 and 47 arranged on the outsides of the magnet parts 43 and 49. - 特許庁
また加熱によりスパッタ装置内で発生するパーティクルとの熔着率が増加して、その後のパーティクルの脱落によるチタン膜1におけるピンホール2の発生数が減少する。例文帳に追加
The deposit rate of particles that are generated in a sputtering device by heating and deposited on the titanium film 1 is increased, and pinholes 2 opening up due to the separation of the particles are decreased in number. - 特許庁
従来のマグネトロンスパッタリング装置では、成膜する間、磁石組立体を連続して移動させていたので、ターゲット前方のプラズマが揺らぎ、異常放電が発生し易くなる。例文帳に追加
To solve the problem that it is liable to cause an abnormal discharge since a magnet assembly is continuously moved during film deposition to swing plasm in front of a target in the conventional magnetron sputtering system. - 特許庁
高圧放電灯点灯装置において、始動時の制御に起因する黒化、立ち消え、スパッタリング等の問題を、従来の回路構成を変更せずに解決する。例文帳に追加
To provide a high pressure discharge lamp lighting device in which problems of blackening, going-out, sputtering or the like due to controlling at starting up are solved without changing a conventional circuit configuration. - 特許庁
段差部のアスペクト比が大きな基板の表面に対して、従来よりもより一層均一な膜厚を形成することができ、しかも、迅速な成膜処理が可能なスパッタ装置を提供する。例文帳に追加
To provide a sputtering device which forms film with uniform thickness on the surface of the substrate having a large aspect ratio of a step part and enables rapid film forming. - 特許庁
イオンビームスパッタ法により光学薄膜を形成するに際し、反射率低下を招く拡散層の形成を抑制し、光吸収の低減化を図ることが可能となる光学薄膜の製造方法および製造装置を提供する。例文帳に追加
To provide a method and an apparatus for manufacturing optical thin film capable of suppressing the formation of a diffusion layer that brings about the degradation of reflectance, and reducing light absorption when forming an optical thin film according to an ion beam sputtering method. - 特許庁
銅スパッタ膜の上にポリイミドが付着してしまうことによるめっき欠落を防止し、かつ耐熱ピール強度の低下を防止できるフレキシブル基材並びにその製造方法及び製造装置を提供する。例文帳に追加
To provide a flexible substrate that prevents a lack of plating caused by adhesion of polyimide on a copper sputter film, and also prevents deterioration of heat resistant peel strength, and also to provide a manufacturing method and equipment therefor. - 特許庁
層間絶縁膜の損傷を抑えながらタンタルを主成分とするバリア膜をスパッタによって成膜する半導体装置の製造方法を提供する。例文帳に追加
To provide a manufacturing method of a semiconductor device for forming a barrier film having tantalum as a main component by sputtering while suppressing damages of an interlayer insulating film. - 特許庁
車体をろう付けして組み立てる際に発生、飛散するスパッタが車体に付着することを防止する車体組立ラインのろう付け方法及び装置の提供。例文帳に追加
To provide a method and device for brazing in a vehicle body assembly line preventing spatter generated and scattering during vehicle body assembly with brazing from adhering to a vehicle body. - 特許庁
電極部材やリード線のスパッタリングに起因する問題を解消し、高効率で長寿命の放電ランプおよびバックライト装置を提供する。例文帳に追加
To provide a discharge lamp and a back light device having high efficiency and a long serve life, by eliminating the problem caused by sputtering of an electrode member and a lead wire. - 特許庁
特に少なくとも1つの真空チャンバを備え、複合膜を基板上に成膜するためのマグネトロンスパッタリング装置のシステムコストを削減する。例文帳に追加
To reduce the system cost of a magnetron sputtering device which comprises at least one vacuum chamber and is intended for the coating of multicomponent films on a substrate. - 特許庁
円筒形ターゲットの内部にマグネットを搭載し、この円筒形ターゲットを複数配置したスパッタリング装置において、円筒形ターゲットを一対の電極間に概ね平行に、かつ概ね等間隔に配置する。例文帳に追加
In a sputtering device in which the inside of a cylindrical target 4 is mounted with a magnet, and the cylindrical targets are plurally arranged, the cylindrical targets are arranged approximately parallel to a space between a pair of electrodes and also approximately at equal intervals. - 特許庁
液晶表示装置の配線および電極を形成するための熱欠陥発生がなくかつ密着性に優れた銅合金薄膜並びにその薄膜を形成するためのスパッタリングターゲットを提供する。例文帳に追加
To provide a copper alloy thin film for forming a wiring and an electrode for a liquid crystal display, free from occurrence of a thermal defect and having excellent adhesiveness, and to provide a sputtering target for forming the thin film. - 特許庁
スパッタ装置10は、基板1とターゲット5を対向して設置し、その開口部13の面積をターゲット面積より小さく形成したアースシールド15を備えた。例文帳に追加
The sputtering apparatus 10 is provided with: a substrate 1 and a target 5 to be opposed to each other; and a ground shield 15 in which the area of an aperture 13 is smaller than the target area. - 特許庁
膜厚ばらつきの調整作業を効率的に行うことが可能であり、また基板5へのパーティクルの付着を防止することが可能な、スパッタ装置を提供する。例文帳に追加
To provide a sputtering apparatus capable of efficiently performing adjusting work of dispersion in the film thickness, and preventing any deposition of particles on a substrate 5. - 特許庁
大型サイズの基板であっても、なお且つ複数種類の基板サイズに対しても、いずれも欠陥品質が良好で、光学特性の面内均一性が良好な薄膜を形成できるスパッタリング装置を提供する。例文帳に追加
To provide a spattering device for forming thin films having good quality against defects and good in plane uniformity in optical characteristics even for large size substrates and further various kinds of substrate sizes. - 特許庁
電極スパッタリングの前後の基板の温度を一定に保持でき、剥離の生じず、また膜質がよく信頼性の高い電極膜を製造できる薄膜太陽電池の製造装置を提供する。例文帳に追加
To provide a thin film solar cell manufacturing device which is capable of keeping the temperature of a board unchanged before and after electrode sputtering is carried out and manufacturing an electrode film that hardly peels off and is excellent in film quality and reliability. - 特許庁
本発明においては、半導体ウェハの温度を常温から100℃まで、容易に制御可能な冷却機構を有するスパッタリング装置を提供することを目的としている。例文帳に追加
To provide a sputtering apparatus having a cooling mechanism for easily controlling the temperature of a semiconductor wafer from the normal temperature to 100°C. - 特許庁
同一のチャンバー内部で行われる複数のカソードを配置するマルチカソード型のスパッタリング装置であって、少なくとも一基のカソードの位置に前処理エッチング時の付着物を付着させるシールド13を設ける構成。例文帳に追加
In the multi-cathode type sputtering apparatus having a plurality of cathodes inside a same chamber, a shield 13 for depositing deposits during the pretreatment etching is provided at the position of at least one cathode. - 特許庁
工程効率の低下なしに、基板に極低濃度に蒸着される金属触媒の均一度を向上することができるスパッタリング装置を提供する。例文帳に追加
To provide a sputtering apparatus capable of improving uniformity of a metal catalyst deposited on a substrate at an extremely low concentration without reducing process efficiency. - 特許庁
このスパッタリング装置は、チャンバ101、ウェハステージ102、リングチャック104、金属ターゲット105、防着シールド107、マグネット108、コリメータ109、並びに直流電源110,120を備えている。例文帳に追加
The sputtering device includes a chamber 101, a wafer stage 102, a ring chuck 104, a metal target 105, an adhesion-preventive shield 107, a magnet 108, a collimator 109, and DC power sources 110, 120. - 特許庁
生産(成膜)開始前のターゲットクリーニングを、ダミー基板を使用することなく実施できる、生産性を向上させたインラインスパッタリング装置を提供する。例文帳に追加
To provide an in-line sputtering apparatus capable of executing the target cleaning before starting the production (film deposition) without using any dummy substrate, and enhancing the productivity. - 特許庁
そして、反射性導電膜を形成する工程において、半導体層の電流が流れる方向に沿ってインラインスパッタリング装置80で透光性基板1を搬送する。例文帳に追加
In the step of forming the reflective and conductive film, the translucent substrate 1 is carried along the direction in which the current of the semiconductor layer flows by the in-line sputtering device 80. - 特許庁
基板表面で均一・高濃度のイオンフラックスを形成し、またターゲットへの再堆積を生じる事のない、スパッタ成膜用の容量結合型プラズマ処理装置を提供する。例文帳に追加
To provide a capacitive coupling type plasma treatment apparatus for sputtering film deposition, wherein an ion flux with a uniform high concentration is formed on the surface of a substrate, without causing re-deposition to a target. - 特許庁
真空容器内に強い誘導電磁界を形成することができ、且つ、アンテナ導体のスパッタリングや温度上昇及びパーティクルの発生を防ぐことができるプラズマ処理装置を提供する。例文帳に追加
To provide a plasma processing device capable of forming a strong induction field in a vacuum vessel, and preventing spattering, the temperature rise of an antenna conductor, and generation of particles. - 特許庁
スパッタリング装置を用いずに形成することができるプリント配線板用基板、およびそのプリント配線板用基板の製造方法を提供する。例文帳に追加
To provide a substrate for a printed wiring board, capable of being formed without using a sputtering device, and a method for manufacturing the substrate for a printed wiring board. - 特許庁
本発明のある態様のスパッタリング成膜装置においては、帯状の可撓性基板7を継続的に送り、円筒状のターゲット部4と基板7との間にマスク25を配置して成膜処理を行う。例文帳に追加
A belt-like flexible substrate 7 is continuously fed and a mask 25 is disposed between a cylindrical target part 4 and the substrate 7 to perform film-deposition processing. - 特許庁
ターゲット抵抗の低いスパッタ用ZnS系誘電体ターゲット、並びにこのターゲットを用いて非結晶性の相変化光ディスク用誘電体膜を形成する成膜方法及び製造装置の提供。例文帳に追加
To provide a ZnS based dielectric target for sputtering having low target resistance, and to provide a film deposition method and a producing device for forming a dielectric film for an amorphous phase change optical disk using the target. - 特許庁
プロセス処理変更のタイミングに同期させて電源制御の変更コマンドを送信することで、シリアル通信の遅れによる誤差をなくし、高精度且つ再現性のよいスパッタリング装置を提供する。例文帳に追加
To provide a sputtering system in which the change command of power source control is transmitted synchronously with the timing of a process treatment change to eliminate an error by the delay of a serial communication, and which has high precision and high reproducibility. - 特許庁
真空チャンバ内の雰囲気を維持しつつ順次複数のターゲットによる成膜が可能であるとともに、構造がシンプルで小型化、低コスト化に優れたマルチターゲットスパッタ装置を提供する。例文帳に追加
To provide a multiple target sputtering apparatus which allows successive film formation with a plurality of targets while maintaining the atmosphere in a vacuum chamber, has a simple structure, and is excellent in reducing size and cost. - 特許庁
基板ホルダの基板以外の領域の表面に成膜材料が付着するのを防止することができ、基板上に成膜される膜の品質及び生産性を向上させることができるスパッタリング装置を提供する例文帳に追加
To provide a sputtering apparatus capable of preventing deposition of a film forming material on the surface in a region except for a substrate on a substrate holder and improving quality and productivity of the film formed on the substrate. - 特許庁
そして、反射性導電膜を形成する工程において、半導体層12の電流が流れる方向とインラインスパッタリング装置80での透光性基板1の搬送方向を異ならせる。例文帳に追加
In the process of forming the reflective conductive film, a direction in which the current of the semiconductor layer 12 flows is made different from a transport direction of the translucent substrate 1 by the inline sputtering device 80. - 特許庁
スパッタリング方法および装置において、低温プロセスで高品質な膜を形成するとともに、膜の性質を自由に制御可能な成膜方法を提供する。例文帳に追加
To provide a film deposition method which forms a high-quality film in a low-temperature process and which can freely control a nature of the film in a sputtering method and a sputtering apparatus. - 特許庁
配線基板の製造においてスパッタプロセスを採用しつつ、スループットの向上及びランニングコストの低減が可能な配線基板の製造装置及び製造方法を提供する。例文帳に追加
To provide an apparatus for manufacturing a wiring board and a method therefor by which the throughput can be improved and the running cost can be reduced while employing a sputter process in manufacturing the wiring board. - 特許庁
本発明に係るスパッタリング装置10の真空槽12内は、差圧シールド26内の空間24と、それ以外の空間40とに、隔離されている。例文帳に追加
The inside of a vacuum vessel 12 of the sputtering system 10 is partitioned into a space 24 inside a differential pressure shield 26 and a space 40 other than that. - 特許庁
バリア膜形成による配線の抵抗値増大及びボイドの発生を防ぐことができる半導体装置、その製造方法及びその製造方法に用いるスパッタリングターゲットを提供すること。例文帳に追加
To provide: a semiconductor device capable of preventing increase of a resistance value of a wire due to barrier film formation and the occurrence of a void; a method of manufacturing the same; and a sputtering target used for the same. - 特許庁
ターゲットの表面上に発生する磁場の強度を高めながら、ターゲットを適切に冷却することができ、なお且つ、ターゲットの小径化に対応可能なマグネトロンスパッタ装置を提供する。例文帳に追加
To provide a magnetron sputtering apparatus which can adequately cool a target while increasing the strength of a magnetic field generated on the surface of the target, and also, can cope with the tendency of reducing the size of the target. - 特許庁
意味 | 例文 (999件) |
Copyright © Japan Patent office. All Rights Reserved. |
ログイン |
Weblio会員(無料)になると 検索履歴を保存できる! 語彙力診断の実施回数増加! |
ログイン |
Weblio会員(無料)になると 検索履歴を保存できる! 語彙力診断の実施回数増加! |