「スパッタ装置」に関連した英語例文の一覧と使い方(29ページ目) - Weblio英語例文検索

平面表示装置等の配線膜のプロセス温度域での低抵抗化が可能であるＣｕ合金膜とそのＣｕ合金膜を形成するためのスパッタリングターゲット材を提供する。例文帳に追加

To provide a Cu alloy film for reducing resistance in a process temperature region of a wiring film of a flat display device or the like, and a sputtering target material for forming the Cu alloy film. - 特許庁

ゾルゲル法又はスパッタ法により強誘電体膜等の容量絶縁膜を形成する場合であっても、その配向をより一層揃えることができる半導体装置及びその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor device and a manufacturing method thereof, setting more accurately the orientation of a capacitive insulating film such as a ferroelectric film even when forming the film by a sol-gel method or a sputtering method. - 特許庁

単一の比較的安価な電源で安定して駆動され、且つ基体表面に高い入射エネルギーの粒子を付与することが可能なスパッタリング装置を提供しようというものである。例文帳に追加

To provide a sputtering apparatus which is stably driven by a single and relatively inexpensive power source, and can impart particles of high incident energy onto a surface of a substrate. - 特許庁

基板Ｓ上にＳｉ膜の中間層を成膜するＤＣマグネトロンスパッタ装置２２には、チャンバ１０内に酸素ガスを供給する酸素ガス供給部２７が設けられている。例文帳に追加

A DC magnetron sputtering system 22 for depositing an intermediate layer on an Si film on a substrate S is provided with a gaseous oxygen supplying section 27 for supplying gaseous oxygen into a chamber 10. - 特許庁

ＥＣＲスパッタ法およびＥＣＲプラズマＣＶＤ法を選択的にまたは同時に用いて保護膜の成膜ができるＥＣＲ成膜装置の提供。例文帳に追加

To provide an ECR(electron coupling resonance) film deposition system capable of forming a protective film by means of ECR sputtering and ECR plasma enhanced CVD selectively or simultaneously. - 特許庁

アルミニウムが材料に含まれる上部電極をスパッタ法で形成する際の異常放電の発生を防止することができる構造の半導体装置を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor device having a structure capable of suppressing the occurrence of an abnormal discharge in forming an upper electrode containing aluminum as a material by a sputtering method. - 特許庁

交流電源を用いたスパッタリング装置を、その設置場所と交流電源の設置場所との間の距離に依存せず、精度の良く電力投入できるように構成する。例文帳に追加

To constitute a sputtering apparatus using an AC power source in such a manner that electric power can be applied with high precision without depending on the distance between the installation place thereof and the installation place of the AC power source. - 特許庁

これにより、電極部材のスパッタリングによる消耗を低減させて長寿命化し部品消耗コストを低減するとともに、飛散物による装置内部の汚染を防止することができる。例文帳に追加

Consequently, the consumption of the electrode member due to sputtering is reduced to extend the life of the electrode member and to reduce component consumption cost and the inside of the apparatus can be prevented from being contaminated with scattered objects. - 特許庁

主としてスパッタリング法を採用する場合でも、下部電極の構造を複雑な構造にすることなく、強誘電体膜を良好に配向させることができる半導体装置の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a manufacturing method of a semiconductor device, which orients a ferroelectric film well without forming a complicated structure of a lower electrode even when a sputtering method is mainly employed. - 特許庁

この装置１０を用いて、陽極３上に蒸着法により有機ＥＬ層と、この有機ＥＬ層上にイオンビームスパッタリング法により陰極とを連続して成膜することができる。例文帳に追加

The film-forming method comprises continuously forming an organic EL layer on the anode 3 with a vacuum deposition method, and forming a cathode on the organic EL layer with an ion beam sputtering method, by using the apparatus 10. - 特許庁

ホットワイヤ溶接においてスパッタの発生頻度をより少なくして適正なワイヤ溶融状態に保つように、ワイヤ加熱電流の自動調整を行う溶接方法および装置の提供。例文帳に追加

To provide a method and an apparatus for welding which automatically regulates a wire heating current so as to hold a suitable wire melting state by more reducing occurring frequency of sputtering in hot wire welding. - 特許庁

成膜速度を低下させることなく、ターゲット原子と反応性ガスとが十分に反応した薄膜を基板の表面に形成することのできる反応性スパッタリング装置とその方法を提供する。例文帳に追加

To provide a reactive sputtering device capable of forming a thin film in which target atoms and reactive gas are sufficiently reacted on the surface of a substrate without reducing the film forming rate and to provide a method therefor. - 特許庁

基板表面で均一・高濃度のイオンフラックスを形成し、またターゲットへの再堆積を生じる事のない、スパッタ成膜用の容量結合型プラズマ処理装置を提供する。例文帳に追加

To provide a capacity-coupling type plasma treatment device for sputtering film deposition in which ion flux is uniformly deposited on a surface of a substrate at high concentration, but not re-deposited on a target. - 特許庁

そして，金属酸化物からなる下部導電体膜の形成されたウェハＷが，前記装置１においてスパッタ処理され，下部導電体膜上に強誘電体膜が形成される。例文帳に追加

A wafer W on which a lower conductor film of a metal oxide is formed is sputtered in the sputtering system 1 to form a ferroelectric film on the lower conductor film. - 特許庁

大面積の基板に対応する薄膜形成においても、均一な優れた品質の薄膜形成を実現し、しかもその経済的コストを抑えて製造することができるスパッタリング装置を提供する。例文帳に追加

To provide a sputtering system which realizes a thin film deposition of uniform and excellent quality in depositing the thin film corresponding to the substrate of a large area, and can manufacture the thin film while suppressing the cost. - 特許庁

試料分析時に試料がイオンスパッタされて、試料表面形状が変化しても、ドリフト補正が正しく行われる試料分析方法および電子線分析装置を提供すること。例文帳に追加

To execute drift correction correctly, even if a sample surface shape is changed by ion sputtering onto a sample at the time of analysis of the sample. - 特許庁

マグネトロンスパッタリング装置は、表面に薄膜が形成される基板４を保持する基板ホルダー３と、基板４に対向配置されたターゲット１２とを真空容器１内に収容している。例文帳に追加

The magnetron sputtering system has a substrate holder 3 for holding a substrate 4 where a thin film is to be deposited on the surface and a target 12 disposed to be opposed to the substrate 4 in a vacuum vessel 1. - 特許庁

本発明の改良されたスパッタ装置は、カソード電極部を外気から遮断するようカソード電極部の背後に設けられた気密室を備え、及びこの気密室内部を所定の真空度まで減圧する機構を備えている。例文帳に追加

The improved sputtering system has an airtight chamber provided behind a cathode electrode in such a way that the cathode electrode is insulated from the outside air and also has a mechanism for evacuating the airtight chamber to a prescribed degree of vacuum. - 特許庁

スパッタリング方法およびその装置において、基板を成膜する際、必要とする膜厚分布および膜厚均一性を得ることを目的とする。例文帳に追加

To obtain the distribution of film thickness and the uniformity of the film thickness to be required at the time of forming a film on a substrate in a sputtering method and a device therefor. - 特許庁

本発明のＮａＴａＯ_３膜作製装置は、基材１ａと、基材加熱手段５と、ＴａまたはＴａ酸化物から成るターゲット２ａとを備えた真空スパッタリング方式のもので、基材がＮａを含んだものである。例文帳に追加

The apparatus for depositing the NaTaO_3 film is of a vacuum sputtering system equipped with a substrate 1a, a substrate heating means 5 and a target 2a composed of Ta or Ta oxide, in which the substrate contains Na. - 特許庁

真空引き、ガス置換が終了したＲＦマグネトロンスパッタ装置において、ＲＦ電圧印加直後のプラズマが不安定な状態で、ＲＦ電源を間欠的にＯＮ−ＯＦＦする。例文帳に追加

The method for producing the nanometal-glass particle aggregate comprises intermittently turning on and off an RF power source while plasma is in an unstable state immediately after RF voltage application in a vacuumed, gas-replaced RF magnetron sputtering apparatus. - 特許庁

この構成では、電子注入層上に仕事関数の低い希土類元素の膜、例えば、ＬａＢ_６膜を回転マグネットスパッタ装置によって広い面積に亘って均一に形成できる。例文帳に追加

The film of the rare earth element having a low work function, for example, a LaB_6 film, can be formed uniformly over a wide area on an electron injection layer by a rotary magnet sputtering apparatus. - 特許庁

放電電圧が低く、高い耐スパッタ性を有するプラズマディスプレイパネル、プラズマディスプレイパネルの製造方法及びプラズマディスプレイパネルの製造装置を提供すること。例文帳に追加

To provide a plasma display panel with a low discharge voltage and having a high sputtering resistance, and to provide a method and device for manufacturing the plasma display panel. - 特許庁

ＳＮＲ特性がさらに優れた磁気記録媒体、その製造方法、この磁気記録媒体を容易に製造することができるスパッタリングターゲット、およびＳＮＲ特性のさらに優れた磁気記録再生装置を提供する。例文帳に追加

To provide a magnetic recording medium more excellent in SNR characteristics, its manufacturing method, a sputtering target with which the magnetic recording medium can be easily manufactured, and a magnetic recording and reproducing device more excellent in SNR characteristics. - 特許庁

ターゲット抵抗の低いスパッタ用ＺｎＳ系誘電体ターゲット、並びにこのターゲットを用いて非結晶性の相変化光ディスク用誘電体膜を形成する成膜方法及び製造装置の提供。例文帳に追加

To provide a ZnS series dielectric target for spattering having a low target resistance, and a film forming method and manufacturing equipment for forming a dielectric film for an amorphous phase change optical disk by using the target. - 特許庁

本発明に係るマグネトロンスパッタリング装置によれば、磁界形成部３０が１つの磁石によって構成されるため、材料コストの削減を図ることができる。例文帳に追加

According to the magnetron sputtering system in this invention, since a magnetic field forming part 30 is composed of one magnet, the cost of the material can be reduced. - 特許庁

アルミ系金属材料に対して、スパッタやクラック等の溶接欠陥なく深い溶け込みを実現でき、高速にパルスシーム溶接できるレーザ装置を提供する。例文帳に追加

To provide a laser apparatus capable of attaining deep penetration into an aluminum-based metallic material without causing weld defects such as spatters or cracks and performing pulse seam welding at a high speed. - 特許庁

スパッタリング装置に用いられるターゲット基台１のターゲット保持部２は多面体であり、保持面２ａおよび２ｂにターゲットを保持することが可能であるので、ターゲット基台の小型化が達成される。例文帳に追加

A target holding part 2 of the target base 1 used in the sputtering apparatus is a polyhedron, and can make both holding faces 2a and 2b hold the target, so that the target base can be miniaturized. - 特許庁

ＬＰＰ式ＥＵＶ光源装置において、ＥＵＶコレクタミラーのスパッタ量を正確に反映させることにより、ミラー交換の時期を適切に判断できるようにする。例文帳に追加

To make the time for replacing an EUV collector mirror to be appropriately judged by exactly reflecting the sputtering amount on the mirror in an LPP type EUV light source device. - 特許庁

また異種の材料からなるターゲットを保持させる場合、１台のスパッタリング装置で２層からなる積層膜を基板上に容易に形成することが可能になる。例文帳に追加

By making the holding surface 2a and 2b hold targets formed from a different kind of materials, even one sputtering apparatus can easily form a two-layer stacked film on the substrate. - 特許庁

ＲＦマグネトロンスパッタ装置１の真空チャンバ１２内にて、基台８と樹脂シート９の間に放熱シート２０を密着させた状態で、前記樹脂シート９上に蒸着膜１１を成膜する。例文帳に追加

While a heat radiation sheet 20 is tightly stuck to a space between a base 8 and a resin sheet 9 within a vacuum chamber 12 of an RF magnetron sputtering apparatus 1, a vapor deposited film 11 is deposited on the resin sheet 9. - 特許庁

１つのメイン基板上に複数のチップを実装することによって構成される半導体装置において、メタルスパッタやエッチング処理を行わずに複数のチップ間を１０μｍ程度の線幅の配線で結線する。例文帳に追加

To perform wire connection at parts between a plurality of chips by using wires whose width is almost 10μm, without performing metal sputtering and etching, in a semiconductor device which is constituted by mounting a plurality of chips on one main substrate. - 特許庁

成形機とスパッタ装置との間のラインバランスを良好に保持でき、且つ、成膜条件の相違する基板に対応した成膜を行うことを可能とする。例文帳に追加

To excellently hold line balance between a forming machine and a sputtering device and to permit film forming corresponding to substrates having different film-forming conditions. - 特許庁

表面吸着力の弱い原料ガスであっても、スパッタ装置を用いることなく薄膜を堆積させることができる成膜方法を提供する。例文帳に追加

To provide a film deposition method where a thin film can be deposited without using a sputtering system even in the case of a gaseous starting material having weak surface adsorption power. - 特許庁

誘電体をスパッタリング装置で成膜する際に防着板１９に付着した誘電体膜が帯電し、その誘電体膜が絶縁破壊すると飛散してパーティクルとなるのを防止する。例文帳に追加

To prevent puncture of insulation of a dielectric film resulting in scattering of the film in the form of particles by preventing the dielectric film adhered to an adhering protection board from being electrostatically charged when the dielectric film is formed by a sputtering device. - 特許庁

グロー放電によって試料表面をスパッタリングしながら原子発光を分光検出し、元素分析を行うグロー放電発光分光分析装置１において、第１の電極〜第３の電極を備える。例文帳に追加

In a glow discharge emission spectrum analyzer for spectrally detecting atomic emission while sputtering the surface of a sample by glow discharge to analyze an element, first - third electrodes are provided. - 特許庁

実施形態に係る半導体発光装置の製造方法は、被処理ウェーハとターゲットとの間に磁界を介在させるスパッタ法を用いて透明電極を形成する。例文帳に追加

The method for manufacturing a semiconductor light-emitting device, forms the transparent electrode using a sputtering method which interposing a magnetic field between a wafer to be processed and a target. - 特許庁

Ｂ：５〜２０００ｗｔｐｐｍを含み、残部がＣｕおよび不可避不純物からなる組成を有する液晶表示装置の配線および電極用銅合金薄膜およびその薄膜を形成するためのスパッタリングターゲット。例文帳に追加

The copper alloy thin film has a composition that 5 to 2,000 wt.ppm B(boron) is contained in pure copper (especially oxygen free copper having ≥99.99% purity) and the rest comprises Cu and inevitable impurities. - 特許庁

溶接不良を発生させることなく安定して高い溶接速度で溶接することが可能であり、耐熱性及び耐久性に優れ、しかもスパッタの付着しにくいアーク溶接用電極チップ及び溶接装置を提供すること。例文帳に追加

To provide an arc welding electrode tip and welding equipment that perform stable welding at high welding speed without causing weld defects, that have excellent heat resistance and durability, and that prevent spatters from sticking to them. - 特許庁

耐スパッタリング性に優れ長寿命化を図れるとともに、大掛かりな設備を必要とすることなく、簡単な装置で、極めて容易に、かつ短時間で製作することができる冷陰極管用電極を提供する。例文帳に追加

To provide an electrode for a cold-cathode tube which is superior in sputtering resistance characteristics, in which life prolongation can be achieved and which can be manufactured by a simple device greatly with ease and in a short time without requiring a large-scale facility. - 特許庁

カソードを収容するカソードケースの周囲にガス噴出管を配置し、プロセスガスを基板中央付近まで均一に行き渡るようにして膜厚分布を改善したスパッタリング装置を提供する。例文帳に追加

To provide a sputtering system improved in a film thickness distribution by arranging a gas jet tube is arranged around a cathode case housing a cathode, thereby spreading a process gas uniformly near the center of a substrate. - 特許庁

本発明の目的は、所望の屈折率を有し紫外域から可視域にわたり吸収のない膜を、スパッタリング法によって形成するフッ化物薄膜の形成方法及び形成装置を提供することにある。例文帳に追加

To provide a method and an apparatus for depositing a fluoride thin film in which the film having a desired refractive index and having no absorption from a ultraviolet ray zone to a visible zone is deposited by the sputtering method. - 特許庁

平面性に優れ且つ生産性にも優れる両面金属ベース層付耐熱性樹脂フィルムを効率よく製造できるスパッタリング装置を提供する。例文帳に追加

To provide a sputtering device capable of efficiently manufacturing a heat-resistant resin film with metal base layers on both surfaces thereof excelling in flatness and productivity. - 特許庁

真空容器の真空を維持したまま、基板処理の区切りで必要に応じてターゲットの侵食量の変化を、直接的に、精度よく計測可能なスパッタリング装置を提供する。例文帳に追加

To provide a sputtering system capable of directly measuring changes in the amount of target erosion with high precision when necessary after one stage of substrate processing while maintaining the vacuum of a vacuum vessel. - 特許庁

薄膜試料１を試料台２に固定し、超高真空装置内に導入し、試料台２を回転させながら、１００Å程度イオンスパッタを行う。例文帳に追加

A thin film sample 1 is fixed to a sample stand 2 to be introduced into an ultrahigh vacuum apparatus and ion sputtering of about 100 Åis performed while the sample stand 2 is rotated. - 特許庁