「スパッタ装置」に関連した英語例文の一覧と使い方(34ページ目) - Weblio英語例文検索

ターゲットを、その膨張を許容しつつバッキングプレートに対して確実に固定でき、スパッタリング時のターゲットの溶融破損を防止できる成膜装置を提供する。例文帳に追加

To provide a film deposition apparatus which can reliably fix a target to a backing plate while permitting the expansion thereof, and prevent the target from being melted and broken during the sputtering. - 特許庁

面積の大きな基材に対して、均一に、スパッタリングによる成膜と、プラズマイオン注入による表面改質とを行うことが可能な基材表面処理装置を提供する。例文帳に追加

To provide an apparatus for treating the surface of a base material, which can uniformly deposit a film on a base material having a large surface area by sputtering and reform the surface of the base material by plasma ion implantation. - 特許庁

Ｓｂ及びＴｅを主成分とする、例えばＡｇＩｎＳｂＴｅ系記録膜のＤＣスパッタ成膜における着火不良現象をなくし、品質安定性に優れた光情報記録媒体を製造する方法及び装置を提供。例文帳に追加

To provide a production method and device of an optical information record ing medium with excellent quality stability to eliminate an ignition defective phenome non for example in the DC sputter deposition of an AgInSbTe base recording films those main components are Sb and Te. - 特許庁

マグネトロンスパッタ装置において、厚いターゲットを用いても非エロージョン部の発生とそれに伴うパーティクルの生成がない、良好な成膜を行う。例文帳に追加

To form an adequate film without formation of non-eroded part and generation of particles therefrom, even with the use of a thick target, in magnetron sputtering equipment. - 特許庁

光路長を微調整可能な光導波回路装置の加熱装置の薄膜ヒータパターンの上にスパッタ法により積層した電極層からウエットエッチングして電極パターンを成形することによりその光導波回路装置の生産性を高める。例文帳に追加

To enhance productivity of an optical wave guide circuit device by forming an electrode pattern by making the wet etching from an electrode layer laminated by sputters on the thin film heater pattern of a heating device of the optical wave guide circuit device which can tune an optical path length finely. - 特許庁

本発明は、蒸着、或いはスパッタ装置類の成膜装置に適用可能で、被成膜物を搭載したワーク位置を常時検出することが可能であり、成膜装置を自動化することができるレリーズ真空位置スイッチを提供すること。例文帳に追加

To provide a release vacuum position switch which can be applied to a film deposition apparatus of vapor deposition apparatuses or sputtering apparatuses, capable of constantly detecting the position of a work with an object to be film-deposited mounted thereon, and automating the film deposition apparatus. - 特許庁

（３）Ｓｂ及びＴｅを記録層の主成分とする相変化型光情報記録媒体の製造装置であって、該記録層のＤＣ（直流）スパッタ室に隣接して、（２）記載の放電トリガー装置を配備したことを特徴とする光情報記録媒体の製造装置。例文帳に追加

(3) The production device of the optical information recording medium of the phase change type which the main components of the recording layer are Sb and Te and the production device of the optical information recording medium which has the characteristic of arranging the discharge trigger device described in (2) next to the DC sputter room of the recording layer. - 特許庁

スパッタ装置やＣＶＤ装置のような高コストでかつ大掛かりな装置を必要とせずに、画素毎の色情報のコントロールが容易にでき、大型の造形物にも展開可能な構造色を用いた情報・画像記録方法及び記録媒体を提供する。例文帳に追加

To provide a method of recording information/image using a structure color applicable to a large shaped article, in which color information for every pixel is easily controllable without using an expensive and large scale apparatus such as a sputter device or a CVD device, and to provide an image recording medium. - 特許庁

本発明は、スパッタ装置及び真空蒸着装置などの真空装置を使い、結晶を堆積させる際、シャッタを真空のチャンバー内部に入れ、安定かつスムーズな動作に加え、シャッタの位置の微調整、動作範囲の縮小するようにすること。例文帳に追加

To provide a slide shutter apparatus for vacuum film deposition in which a shutter is placed in a vacuum chamber, the position of the shutter is finely adjusted, and the operational range is reduced in addition to the consistent and smooth operation when depositing crystal by using a vacuum device such as a sputtering apparatus and a vacuum vapor deposition apparatus. - 特許庁

既存装置の大幅な設計変更を必要とせず、同装置の製造コストが抑えられ、それと共に平行状態にできるシート状の電子ビームの傾き角度の範囲が大きく、且つシート状への変形領域の幅が小さくならないスパッタリング装置を提供する。例文帳に追加

To provide a sputtering apparatus that does not need to substantially change a design of a conventional apparatus, suppresses a manufacturing cost of the apparatus, can tilt a sheet-shaped electron beam which can be in a parallel state to the target, in a wide angle range, and does not decrease a width of a region in which the electron beam is deformed into a sheet shape. - 特許庁

特にスパッタなどのプロセスを用いて半導体や液晶基板などを製造する製造装置分野において、プロセスの過程で発生するアークを抑制し、発生したアークエネルギを最小限に抑えるのに適した交流型の電源装置およびその装置におけるアーク抑制方法を提供する。例文帳に追加

To provide an alternating current power-supply unit suitable for inhibiting arc from forming in a process of particularly sputtering or the like, which is used in a manufacturing apparatus field for manufacturing a semiconductor, a liquid crystal substrate or the like, and minimizing generated arc energy, and to provide a process for inhibiting the arc in the unit. - 特許庁

真空成膜装置のメンテナンス方法、とりわけ、インライン式スパッタ装置をメンテナンスする場合のシステムベントの方法を必要かつ充分な条件で効率的に行うための手段を提供し、最適な真空成膜装置を提供すること。例文帳に追加

To provide a means for efficiently implementing the maintenance method of a vacuum film deposition apparatus, in particular, the method of a system vent when executing maintenance of an in-line type sputtering apparatus under a necessary and sufficient condition, and to provide an optimal vacuum film deposition apparatus. - 特許庁

高周波電源装置、特にスパッタなどのプロセスを用いて半導体や液晶基板などを製造する製造装置分野において、プロセスの過程で発生するアークを抑制し、発生したアークエネルギーを最小限に抑えるのに適した交流型の電源装置を提供する。例文帳に追加

To provide an AC power supply apparatus suitable for controlling the arc occurring deuring a process and minimizing the arc energy having occurred, in manufacturing apparatus fields in which semiconductors, liquid crystal substrates or the like are manufactured using a high frequency power supply apparatus, a process such as spattering in particular or the like. - 特許庁

この固体電解質薄膜の製造方法を実施するための、特定の防着板を備えた平行平板型マグネトロンスパッタ装置、及びこの装置を用いて得られた固体電解質薄膜を備えた薄膜固体リチウムイオン２次電池を製造する。例文帳に追加

The parallel flat plate type magnetron sputtering device having a specific sticking prevention plate is provided to perform the manufacturing method for a solid electrolyte thin film, and the thin film solid lithium ion secondary battery having the solid electrolyte thin film obtained by the magnetron sputtering device is manufactured. - 特許庁

スパッタリング装置など大規模で高価な装置を用いず、また、水素還元や紫外線照射など煩雑な工程を経ずに、比較的低温で窒素ドープ型酸化チタンに白金化合物を修飾もしくは担持した光触媒体を製造する。例文帳に追加

To manufacture a photocatalyst by modifying nitrogen doped titanium oxide with a platinum compound or carrying the platinum compound on the nitrogen doped titanium oxide at a relatively low temperature without using a large-scaled expensive apparatus such as a sputtering apparatus or the like and a complicated process such as hydrogen reduction, ultraviolet irradiation or the like. - 特許庁

Ｃｕ配線層に含まれるＣｕの周囲への拡散を抑制すると共に密着性および動作特性に優れた半導体装置およびその製造方法、並びに、その半導体装置の製造に用いるスパッタリングターゲットを提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor device which is excellent in adhesion and operation characteristics while preventing the diffusion of Cu included in a Cu wiring layer to the circumference, a method for manufacturing the same, and a sputtering target used for the manufacture of the device. - 特許庁

液晶表示装置、エレクトロルミネッセンス表示装置等に用いられ、特に、太陽電池に用いられるのに好適な透明導電膜を提供するとともに、この透明導電膜を用いた太陽電池さらにはこの透明導電膜を形成するのに適したスパッタリングターゲットを提供する。例文帳に追加

To provide a transparent conductive film used for a liquid crystal display device, for an electroluminescent display device or the like, and particularly suitable for use in a solar battery, and to provide the solar battery using the transparent conductive film, and further a sputtering target suitable for forming the transparent conductive film. - 特許庁

本願発明は、単一チャンバ＆マルチ成膜サイト型多層スパッタリング成膜装置を用いた半導体装置の製造方法において、少なくとも一つの成膜サイトにおいて、磁性および非磁性ターゲットの両方を切り替えて用い、磁性および非磁性膜の両方の膜を成膜するものである。例文帳に追加

A method of manufacturing a semiconductor device which uses the single-chamber and multi-film-deposition-site type sputtering film deposition device is characterized by changing over and using both magnetic and nonmagnetic targets at least at one film deposition site to form both the magnetic and nonmagnetic films. - 特許庁

加えて、本発明においては、基板７の給送動作に同期化させて回転ベルト式マスク２６を移動させる態様の成膜装置や、基板７の給送動作に同期化させて円筒状回転マスク３６を回転させる態様のスパッタリング成膜装置が提供される。例文帳に追加

A film-deposition device of the embodiment, that a rotational belt type mask 26 is moved to be synchronized with feeding operation of the substrate 7, and a sputtering film-deposition device of the embodiment, that a cylindrical rotational mask 36 is rotated to be synchronized with feeding operation of the substrate 7, are provided. - 特許庁

スパッタリング装置は、仕込み室５と真空成膜室４と取り出し室６がゲートバルブＧＶ７，ＧＶ８を介して一列に連結され、仕込み室５と真空成膜室４と取り出し室６の間で基板２ａ，２ｂ，２ｃ，２ｄ，２ｅを連続して搬送可能な搬送装置を備えている。例文帳に追加

The sputtering apparatus has a conveying device in which a supply chamber 5, a vacuum film deposition chamber 4 and a delivery chamber 6 are connected to each other in one row via gate valves GV7, GV8, and substrates 2a, 2b, 2c, 2d, 2e are continuously conveyed among the supply chamber 5, the vacuum film deposition chamber 4, and the delivery chamber 6. - 特許庁

短絡やスパッタ等の影響を受けにくく、高速オシレート周波数による溶接速度の高速化にも対応可能で、さらにオシレート振幅範囲よりも溶接母材の開先幅が狭い突合せ溶接等にも適用可能な、溶接線倣い判定装置と倣い制御装置を提供すること。例文帳に追加

To provide a weld line profiling judging device and a profiling control device which are hardly influenced by a short circuit, spattering, or the like, and can correspond to acceleration of welding speed by a high speed oscillation frequency, and are further applicable to butt welding or the like in which a groove width of a welding base metal is narrower than the oscillation amplitude range. - 特許庁

溶接鋼管の溶接継ぎ目部の超音波探傷を行なう超音波探傷装置において、超音波探触子の上流側に配設されて刃先が溶接継ぎ目部に接触するスクレーパーおよび噴射ノズルを有する溶接スパッター・スラグ残り除去装置である。例文帳に追加

The device for removing weld spatter/slug residues is arranged on the upstream side of an ultrasonic probe and has a scraper with a blade tip being brought into contact with a weld joint, and an ejection nozzle in an ultrasonic flaw detector for performing the ultrasonic flaw detection of the weld joint of a welded steel tube. - 特許庁

スパッタ装置において、真空室内での異常放電の発生を抑制してパーティクルの発生を無くし、半導体ウエハ上に形成される製品の製造歩留りの向上を図り、かつターゲットの消費効率を向上させて装置の稼働率向上を図る。例文帳に追加

To inhibit formation of particles by inhibiting occurrence of abnormal discharge in a vacuum chamber in a sputtering apparatus, to improve a manufacturing yield of a product formed on a semiconductor wafer, and to increase an operating efficiency of an apparatus by improving consumption efficiency of a target. - 特許庁

安定した表面加工を行う生産装置と、それをスパッタ工程の直前にインラインで構成する製造方法の構築により、安定した製品品質の垂直磁気記録媒体が生産できる製造方法、及び装置を提供する。例文帳に追加

To provide a manufacturing method for manufacturing a perpendicular magnetic recording medium with stable product quality by organizing a production apparatus to conduct stable surface working and a manufacturing method to install the surface working in-line immediately before a sputtering step. - 特許庁

このスパッタリング装置は、１つのロードロックチャンバ３０と１つ以上のプロセスチャンバ３１〜３５とを備える真空チャンバ装置４１と、ロードロックチャンバに対し基体の受け渡しを行うために基体を搬送する搬送機構２０とを備える。例文帳に追加

This sputtering apparatus comprises a vacuum chamber device 41 having one load lock chamber 30 and more then one process chambers 31-35, and a carrying mechanism 20 for carrying the base board in order to deliver the base board to the load lock chamber. - 特許庁

このように、半導体装置の製造方法において、ゲートパターン上に層間絶縁膜１３０を形成する時にスパッタエッチング工程を行えば、ゲート１２０間のギャップがボイド欠陥無しに埋め込まれ、半導体装置の信頼性を高めることができる。例文帳に追加

In such method of fabricating semiconductor device, the gap between the gates 120 is embedded without any void defect, and reliability of semiconductor device can be improved by conducting the sputter etching process when the inter-layer insulation film 130 is formed on the gate pattern. - 特許庁

溶接部材を良好に密着させ、飛散したスパッタが半導体装置に付着することを防止し、さらにレーザ光で損傷を受けないレーザ溶接用治具およびそれを用いた半導体装置の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a laser welding tool with which members to be welded are made to finely adhere and scattered spatters are prevented from sticking to the semiconductor device and which are not damaged with a laser beam, and to provide a method of manufacturing a semiconductor device by using the laser welding tool. - 特許庁

一般産業機械やスパッタ装置のチャンバ内部等で使用されるロボットアームの関節部用軸受装置に関し、搬送時におけるワークの振動を低減することにより、ワークの位置ずれを防止でき、かつ、搬送速度も高めることができる。例文帳に追加

To provide a bearing arrangement for joints of a robot arm, which is employed for the inside chamber of a general industrial machinery or a spattering system or the like, prevents a misregistration of a work by damping the oscillation of the work at the time of transfer, and improves a conveyance speed. - 特許庁

電子ビーム励起プラズマ装置を利用し、一部の成分についてガスの代わりに固体ターゲットを利用することにより必要な成分の薄膜を表面に堆積させて高性能材料を製造するプラズマスパッタリング装置を提供する。例文帳に追加

To provide a plasma sputtering system by which a thin film of required components is deposited on a surface, and a high capacity material is produced by utilizing an electoron beam exciting plasma system and utilizing a solid target in place of gas as for a part of components. - 特許庁

液晶ディスプレイ装置用透明導電膜あるいは抵抗膜式タッチパネル装置等の高抵抗透明導電膜等の形成に使用する高密度ＩＴＯスパッタリングターゲット及びその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a high-density ITO sputtering target which is used for depositing a transparent conductive film for a liquid crystal display device or a high-resistance transparent conductive film or the like for a resistance film type touch panel device or the like, and a method for manufacturing the same. - 特許庁

超電導体を効果的に冷却でき、更に、着磁に必要な機器（超電導マグネット、着磁コイル、パルス電源等）が小型で済み、強力な磁場を発生できるコンパクトな磁極を持った高性能な超電導磁石装置とそれによるスパッタリング成膜装置を提供する。例文帳に追加

To provide a high-performance superconductive magnet device which is capable of effectively cooling down a superconductor, reducing apparatuses (a superconductive magnet, a magnetizing coil, a pulse power supply and the like) which are required for magnetization in size, and has magnetic poles capable of generating a strong magnetic field and compact in structure and to provide a film sputtering device using the same. - 特許庁

ＣＶＤ法、スパッタリング法、ゾルゲル法、蒸着法を用いて薄膜、厚膜、粉体、ウイスカを製造する装置において、装置内壁、冶具等に堆積した不要な堆積物を除去するためのガスクリーニング方法を提供する。例文帳に追加

To provide a gas cleaning method for removing the unnecessary deposit on the inner wall, fixture or the like of an apparatus for manufacturing a thin film, a thick film, a powder and a whisker using a CVD method, a sputtering method, a sol-gel method and a vapor deposition method. - 特許庁

歯科矯正用材料の製造方法は、基材をセットしたマグネストロンスパッタリング装置のチャンパー内を排気して真空にし、装置内温度を１５０℃以下にしてＡｒガスを導入しエッチングし、機材に下地層としてＴｉを成膜し、その後、Ｎ_２ガスを導入してＴｉＮ膜を形成する。例文帳に追加

The orthodontic material is manufactured by evacuating a chamber in a magnetron spattering apparatus in which the base material is set, lowering the temperature inside the apparatus to 150°C or lower, introducing Ar gas for etching, forming a film of Ti as an underlayer on the base material, and thereafter, introducing N_2 gas to form the TiN film. - 特許庁

液晶表示装置、エレクトロルミネッセンス表示装置、帯電防止導電膜コーティング、ガスセンサー、太陽電池などに用いられる透明導電膜およびこの透明導電膜を形成するためのスパッタリングターゲットを提供する。例文帳に追加

To provide a transparent conductive film used for a liquid crystal display, electroluminescent display device, anti-static conductive film coating, gas sensor, solar battery or the like, and a sputtering target for forming the transparent conductive film. - 特許庁

プラズマ中のエネルギによる表面のダメージがない薄膜電解質を製造できるマグネトロンスパッタ装置、この装置を用いて固体電解質薄膜を製造する方法、及び薄膜固体リチウムイオン２次電池を製造する方法を提供する。例文帳に追加

To provide a magnetron sputtering apparatus capable of producing an electrolyte thin film free from damage to the surface due to energy in plasma, to provide a method for producing a solid electrolyte thin film using the apparatus, and to provide a method for producing a thin film solid lithium ion secondary battery. - 特許庁

本発明の真空処理装置の一例のスパッタリング装置１０は、均一に分布配置され、かつ、互いにずれた位置に設けられた通気孔１０２ｃ，１０３ｃ、を有する内側防着板１２と外側防着板１３とからなるニ重構造の防着板１１を備えた。例文帳に追加

A sputtering apparatus 10 of an example of the vacuum treatment apparatus has a deposition shield 11 having a double structure which comprises an inner deposition shield 12 and an outer deposition shield 13 respectively having permeable pores 12c and 13c that are uniformly distributed but formed at positions staggered from pores in each other shield. - 特許庁

本発明は、マグネトロンスパッタ装置において基材上にクロム層を形成する前行程と、アーク式イオンプレーティング装置において基材の温度を１００〜２００℃に保持して前記Ｃｒ層の上にＣｒＮ層を形成する後行程とを含むことを特徴とする。例文帳に追加

This method comprises: a previous process where a chromium layer is deposited on the basis material in a magnetron sputtering system; and an after process where the temperature of the basis material is held at 100-200°C and a CrN layer is deposited on the above Cr layer in an arc discharge ion plating system. - 特許庁

この記録媒体用カートリッジ１によれば、スパッタ装置等の高価で大掛かりな設備を用いずにスクリーン印刷装置等の比較的安価な製造設備で製造することができるため、帯電防止機能を備えた記録媒体用カートリッジ１の製造コストを十分に低減することができる。例文帳に追加

By adopting this recording medium cartridge 1, the manufacturing cost of the recording medium cartridge 1 furnished with the antistatic function is satisfactorily reduced since the cartridge is manufactured by the comparatively inexpensive manufacturing equipment such as a screen printer without using expensive and large scaled equipment such as a sputtering device. - 特許庁

基板はＳｉ（１００）もしくはＧａＡｓ（１００）面を使用し、その上に水素化窒化炭素薄膜をスパッタ装置およびプラズマＣＶＤ装置によって２層もしくは多層成長し、膜厚増加方向に窒素含有量が増加するように成長させる。例文帳に追加

In a white light emitting element, an Si(100) or GaAs (100) surface is used as a substrate, and two layers or multiple layers of hydrogenated carbon nitride thin films are grown using a sputtering apparatus and a plasma CVD apparatus on the substrate while nitrogen content is increased in the film thickness increase direction. - 特許庁

チャンバ（２）内のＡｒガスは、スパッタ装置（１）がスタンバイ状態にある際、排気経路部（１０）だけでなく、制御装置（１００）の制御下で駆動されるクライオポンプ（１４）の動作に応じて排気経路部（１１）を介しても排出される。例文帳に追加

Ar gas in a chamber (2) is exhausted not only via the exhaust passage part (10) but also via the exhaust passage part (11) in accordance with the operation of a cryopump (14) driven under the control by a controller (100) when the sputtering system (1) lies in a standby state. - 特許庁

シリコンウェハ主面にＭＯＳデバイスを形成するプロセスにおいて、プラズマを用いるプロセス装置（エッチング装置、アッシング処理装置、スパッタ装置、ＣＶＤ装置）によるウェハ加工前に、予めウェハ裏面に絶縁膜を形成しておき、プラズマを用いるプロセス装置起因によるデバイスヘのダメージを低減する。例文帳に追加

In a process forming the MOS device on the main face of a silicon wafer, before wafer processing by the process device (an etching device, an ashing processing device, a sputter device and a CVD device) using the plasma, an insulating film is previously formed on the wafer rear face and reduces damage to the device caused by the process device using the plasma. - 特許庁

回転可能にセットされた基板２と、ターゲット３とを備えたスパッタリング装置において、前記基板２の法線に対する前記ターゲット３の中心軸線Ａのなす角度をθ、前記ターゲット３の中心軸線Ａと前記基板２の表面を含む平面との交点Ｐと基板２の回転軸線Ｂとの距離をＦ、前記交点Ｐと前記ターゲット３の中心との距離をＬとした時に、前記ターゲット３を、以下の条件を満たすと共に、前記基板２の表面を含む平面への前記ターゲット３の投影面が前記基板２の外側となる位置に設けたスパッタリング装置とする。例文帳に追加

The sputtering system includes a substrate 2 that is rotatably set, and a target 3. - 特許庁

アルゴンガス又は窒素ガス等を密閉された溶接部空間内に供給するとともに、溶接後は合理的にスパッタ・ヒュームガスを除去してアルゴンガス又は窒素ガス等を回収して再利用するようにしたレーザ溶接方法及びその装置を提供する。例文帳に追加

To provide a laser welding method and an apparatus therefor in which argon gas or nitrogen gas or the like is supplied into a hermetically sealed welding space and spatters and fume gas are rationally removed after welding, and the argon gas, the nitrogen gas or the like is recovered and reused. - 特許庁

シャッタ駆動用ソレノイドを真空槽の中に配置した場合に、ソレノイドへのスパッタ粒子の付着を防止し、長期間にわたって安定した動作信頼性を得ることができる周波数調整装置のソレノイド被覆構造を提供する。例文帳に追加

To provide a solenoid coating structure for a frequency adjusting device which provides stable operation reliability for a long time by preventing sputter particles from being deposited onto a solenoid for shutter drive when the solenoid is disposed inside a vacuum tank. - 特許庁

気相堆積装置１は、半導体ウェハＷが収容されるチャンバ１０内に、スパッタターゲット１３とサセプタ１５とが対向配置され、更にサセプタ１５の周囲上方に、電極３ａ，３ｂから成る電極対３が設けられたものである。例文帳に追加

For a gas-phase stacker 1, a sputtering target 13 and a susceptor 15 are counterposed within a chamber 10 where a semiconductor wafer W is stored, and further an electrode pair 3 consisting of electrodes 3a and 3b is provided above the periphery of the susceptor 15. - 特許庁