「スパッタ装置」に関連した英語例文の一覧と使い方(35ページ目) - Weblio英語例文検索

成膜装置は第１の流通カセットから取り出した基板に対し、その記録媒体内の管理番号に対応するスパッタ条件で薄膜を成膜後、その基板を第２の流通カセットに収納してその記録媒体に管理番号を書き込む。例文帳に追加

A film forming apparatus stores, after forming a thin film under sputtering conditions corresponding to the management number in the recording medium to the substrate taken out from the first distribution cassette, the substrate in a second distribution cassette and writes the management number in the recording medium. - 特許庁

複数の磁石ユニットを所定のピッチで組立の容易な磁石組立体およびその組立体を具備したマグネトロンカソード電極部を有し、大型基板に対して、均一な膜厚分布、均質な、かつ効率よく成膜が行えるマグネトロンスパッタ装置を提供する。例文帳に追加

To provide a magnetron sputtering device having a magnet assembled body capable of easily assembling plural magnet units at a prescribed pitch and a magnetron cathode electrode part provided with the assembly and capable of forming a homogeneous film of a uniform film thickness distribution on a large substrate with high efficiency. - 特許庁

ＩＩＩ族窒化物化合物半導体の結晶中におけるドーパント元素の濃度を容易に最適値に制御でき、スパッタ法を用いて効率よく成膜することができる、構成の簡便なＩＩＩ族窒化物化合物半導体の製造装置を提供する。例文帳に追加

To provide an apparatus for manufacturing a group III nitride compound semiconductor, having a simple structure and capable of easily controlling the density of a dopant element in crystals of a group III nitride compound semiconductor at an optimum value, and efficiently forming films by using a sputtering method. - 特許庁

良好な膜質を有するＩＩＩ族窒化物半導体を反応性スパッタ法によって効率よく成膜することができるＩＩＩ族窒化物半導体の製造方法及びＩＩＩ族窒化物半導体製造装置、並びにＩＩＩ族窒化物半導体発光素子の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for manufacturing a group-III nitride semiconductor, which can efficiently form a film of the group-III nitride semiconductor having an adequate film quality on a substrate through a reactive sputtering method. - 特許庁

電子線装置の電子線鏡筒１の内部を排気するためのスパッタイオンポンプＰ１のアノード３１１〜３２２は複数の孔を有し、これら複数の孔が電子線鏡筒１内の真空室１２の周囲に環状に配列される。例文帳に追加

Anodes 311 to 322 of a sputter ion pump P1 for exhausting the inside of an electron beam lens barrel 1 in the electron beam apparatus has a plurality of holes, and the plurality of holes are annularly arranged on the circumference of a vacuum chamber 12 in the electron beam lens barrel 1. - 特許庁

この触媒層１２は基板側から窒化物／遷移金属、又は遷移金属／窒化物／遷移金属との順に積層され、Ｃｕ、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｏから選ばれる少なくとも一つの元素を含有するものであって、スパッタ装置を用いて形成される。例文帳に追加

The catalyst layer 12 is formed by stacking nitride/transition metal in this order or transition metal/nitride/transition metal in this order from the substrate side by using a sputtering apparatus and contains at least one element selected from Cu, Fe, Ni, and Co. - 特許庁

プラズマ処理装置２０は、メタル電極をマスクとして、有機膜と化学反応させるための特定の処理ガス又は有機膜をスパッタするための特定の不活性ガスの少なくともいずれかのガスをガス供給源３６５から処理容器内に導入する。例文帳に追加

In the plasma processing apparatus 20, gas of at least one of particular processing gas for chemical reaction with the organic film or particular inert gas for sputtering the organic film is introduced into a processing container from a gas supply source 365 as a mask for the metal electrode. - 特許庁

本発明は、プラズマディスプレイパネル等に使用する大型のガラス基板に対して薄膜を形成するためのスパッタリング方法及び装置に関し、基板割れを生じることなく、安定且つ確実に薄膜形成することを目的としている。例文帳に追加

To stably and securely deposit a thin film without generating substrate cracks as for a sputtering method and a device for a thin film deposition on a large glass substrate used for a plasma display panel or the like. - 特許庁

ポリイミドフィルムと金属薄膜層との間の接着性を向上させ、乾式蒸着法であるマグネトロンスパッタリング法により形成された銅積層膜の応力を除去して、高効率の軟性銅箔積層フィルムを製造する軟性回路基板の製造装置及び方法を提供する。例文帳に追加

To provide an apparatus and method for manufacturing a highly efficient flexible copper film-laminated strip by improving adhesiveness between a polyimide strip and a thin metal film, and removing stress from copper films laminated through magnetron sputtering being a dry deposition process. - 特許庁

ゾルゲル法又はスパッタ法により強誘電体膜等の容量絶縁膜を形成する場合であっても、その配向をより一層揃えながらリーク電流を抑制することができる半導体装置及びその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor device and a manufacturing method thereof, suppressing leak current while more accurately setting the orientation of a capacitive insulating film such as a ferroelectric film even when forming the film by a sol-gel method or a sputtering method. - 特許庁

有機物材料膜の上に非反応性スパッタリング法で導電性材料保護膜を積層し、その後、この膜の表面から低電子温度高密度プラズマ装置による酸素ラジカルイオンを使ったプラズマ酸化法を利用して酸化物膜へと変換させて、電極を形成する。例文帳に追加

After laminating a conductive material protection film on the organic material film by non-reactive sputtering method, an electrode is formed from the surface of this film by conversion to an oxide film by making use of a plasma oxidation method using oxygen radical ions by a low electron temperature high-density plasma apparatus. - 特許庁

２つのカソードに交流電圧を印加し、真空槽内に配置された基板にターゲット成分を含む膜を付着するデュアルマグネトロンスパッタリング装置において、各ターゲットの周囲にはアースシールドが設けられ、かつ、チャンバー内のカソードの周辺をアースと電気的に絶縁した。例文帳に追加

In the dual magnetron sputtering apparatus for depositing a film containing a target component to a substrate disposed in a vacuum chamber, by applying an AC voltage to two cathodes, an earth shield is disposed around each target, and the periphery of a cathode in the chamber is electrically insulated. - 特許庁

ＩｎＰ系の化合物半導体からなる半導体層エピタキシャル層（半導体層）１０２を備えた基板１０１の上に、ＥＣＲスパッタ法により、ＩＩＩ族元素の窒化物であるＡｌＮ膜（ゲート絶縁膜）１０３を形成することで、ＭＩＳ型化合物半導体装置を製造する。例文帳に追加

The MIS compound semiconductor device is manufactured by forming an AlN film (gate insulating film) 103 composed of a nitride of a group III element on a substrate 101 provided with an epitaxial layer (semiconductor layer) 102 composed of an InP-based compound semiconductor by the ECR sputtering method. - 特許庁

上部電極と下部電極の間にデータを蓄積するための可変抵抗体を形成してなる半導体記憶装置の製造方法であって、導電性の金属酸化物を、酸素を含まない雰囲気中でスパッタリングし、前記可変抵抗体を形成する可変抵抗体形成工程を実行する。例文帳に追加

The method for manufacturing the semiconductor memory device with the variable resistive element for storing data formed between an upper electrode and a lower electrode comprises the steps of sputtering an electrically conductive metallic oxide in an atmosphere including no oxygen, and forming the variable resistive element. - 特許庁

配線抵抗が小さく、エレクトロマイグレーション耐性や耐酸化性に優れ、さらには膜組成均質性と膜厚均質性に優れた配線膜を形成することが可能であるような高純度銅合金スパッタリングターゲットと薄膜形成装置部品を提供する。例文帳に追加

To provide a highly pure copper alloy sputtering target capable of forming a wiring film which has small wiring resistance, resistances to electro- migration and oxidation and excellent film compositional uniformity and film thickness uniformity, and to provide parts used in an apparatus for forming the thin film. - 特許庁

本発明は、清浄な界面を有する多層膜をぞれぞれの膜質に最適な基板温度で形成することができ、また、堆積した膜表面に所定の表面処理を連続的に施すことができるスパッタリング装置及び薄膜形成方法を提供することを目的とする。例文帳に追加

To provide a sputtering device and a thin film forming method, wherein a multilayer film having a clean interface can be formed at a substrate temperature optimal for each film quality, and a predetermined surface treatment can be continuously carried out on a deposited film surface. - 特許庁

この発明は、ＬＳＩなどの半導体装置におけるエレクトロマイグレーション耐性に優れた銅配線を形成する際に下地層として形成するシード層およびこのシード層を得るための銅合金スパッタリングターゲットを提供する。例文帳に追加

To provide a seed layer being formed as an underlying layer when a copper interconnect line excellent in electromigration resistance is formed in a semiconductor device, e.g. an LSI, and to provide a copper alloy sputtering target required for obtaining the seed layer. - 特許庁

この回転塗布装置では、スパッタ膜２上に紫外線硬化樹脂を回転塗布するとともに、紫外線光源６１からの紫外線を、光ファイバー６２およびレンズ６３を介して、透明基板１の裏面側から紫外線硬化樹脂の塗布膜に照射して光透過層を形成する。例文帳に追加

In the rotary application device, the light transmission layer is formed by rotatively applying a UV curing resin on the sputtered film 2 and irradiating the applied film of the UV curing resin with UV from a UV light source 61 via an optical fiber 62 and a lens 63 from the rear surface side of the transparent substrate 1. - 特許庁

コンタクトホールへのＷプラグ形成後に、再度、層間絶縁膜全面エッチバック又は、Ａｒスパッタエッチを施すことにより、上層導電層（メタル配線）の段差被覆性の向上を図り得る、信頼性の高い半導体装置を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor device having a high reliability that can improve a step coverage property of an upper conductive layer (metal wiring) by performing an etchback or an Ar sputter etch on the entire surface of the interlayer insulating film again after a W plug is formed in a contact hole. - 特許庁

本発明は、特に強磁性体ターゲットを用いた場合であっても、ターゲット材料の付着効率が高く、さらには低圧での安定した放電を可能とするマグネトロンカソード及びスパッタリング装置を提供することを目的とする。例文帳に追加

To provide a magnetron cathode in which the deposition efficiency of a target material is high even when a ferromagnetic target is used, and the discharge at a low pressure is stable, and a sputtering apparatus. - 特許庁

本発明は、基板自公転方式の優れた特徴を生かし、薄膜均一性及び高い生産性を維持しつつ、効果的に電子の基板への流入を防止して低温成膜を可能とするマグネトロンスパッタリング装置を提供することを目的とする。例文帳に追加

To provide magnetron sputtering equipment which makes use of a superior characteristic of a substrate rotation and revolution type, and effectively prevents flow of electrons into a substrate, while maintaining uniformity of thin film and high productivity, to form a film at low temperature. - 特許庁

被処理体を載置する載置台の電極にバイアス用の高周波電力を供給する方式のプラズマ処理装置において、プラズマ電位の振動を抑制し、安定なプラズマを生成させると共に、金属製の対向電極のスパッタリングによるコンタミネーションの発生を防止する。例文帳に追加

To provide a plasma processing apparatus with a method of supplying high-frequency power for biasing to an electrode of a mounting table to mount a workpiece, capable of suppressing vibration of plasma potential, generating stable plasma, and preventing contamination from occurring due to sputtering of metal counter electrodes. - 特許庁

ポリイミドフィルムの表面に金属被膜を形成するスパッタリング工程、及び得られた金属被膜上に、連続めっき装置を用いて、金属導電体を形成する電気めっき工程を含む製造方法であって、 下記の（１）及び（２）の要件を満足することを特徴とする。例文帳に追加

This manufacturing method includes a sputtering process for forming a metal coating film on a surface of a polyimide film and an electroplating process for forming a metal conductor on the acquired metal coating film by using a continuous plating device, and satisfies following requirements of (1) and (2). - 特許庁

また、スパッタ装置の成膜条件により変化させることができる酸化スズ薄膜の表面状態を、結晶成長途中の状態もしくは結晶成長後の結晶同士が相互に引き合う状態とするように形成した膜応力可変薄膜であること。例文帳に追加

Further, the surface states of the tin oxide thin membranes which can be changed by the membrane forming conditions of the sputtering unit is the membrane stress variable thin membranes formed to the state on the way of the crystal growth or the state that the crystals after the growth draw each other. - 特許庁

既存の装置における超高真空を維持する必要のある空間に容易にかつ簡単に取り付けることができしかもこのような空間をもつ機器の動作に実質的に影響を及ぼさずに空間内を超高真空にできるスパッタイオンポンプを提供する。例文帳に追加

To provide a sputter ion pump that can be easily and simply mounted to a space necessary for maintaining an ultra-high vacuum for an existing device, capable of generating ultra-high vacuum without substantially affecting the operation of an equipment having such a space. - 特許庁

本発明は、薄膜均一性及び高い生産性を維持しつつ低温での成膜を可能とし、さらにはターゲットの使用開始から寿命に至るまで、優れた膜厚均一性を継続できるマグネトロンスパッタリング装置の提供を目的とする。例文帳に追加

To provide a magnetron sputtering equipment which can form film at a low temperature while keeping thin film uniformity and high productivity, and can maintain superior film thickness uniformity from the beginning to the end of using the target. - 特許庁

マグネトロンスパッタリング装置１は、ターゲットが保持される保持面１１ａを有するカソード電極１１と、ターゲット上に磁界を形成すると共に保持面１１ａに直交する回転軸Ｚ８１で回転する磁界形成部８０とを備える。例文帳に追加

The magnetron sputtering system 1 comprises: a cathode electrode 11 having a holding face 11a to which a target is held; and a magnetic field forming part 80 forming a magnetic field on the target, and further rotating at a rotary axis Z81 orthogonal to the holding face 11a. - 特許庁

ＬＳＩなどの半導体装置におけるエレクトロマイグレーション耐性に優れた銅配線を形成する際に下地層として形成するシード層およびこのシード層を得るための銅合金スパッタリングターゲットに関するものである。例文帳に追加

To provide a seed layer being formed as an underlying layer when a copper interconnect line excellent in electromigration resistance is formed in a semiconductor device, e.g. an LSI, and to provide a copper alloy sputtering target required for obtaining that seed layer. - 特許庁

基板11をパレット12に搭載し搬送するパレット搬送型成膜方式のスパッタリング成膜装置を用いて、1カソード15に多種ターゲット13、14を順次繰り返し搭載することで、極薄多層積層磁性膜の成膜を可能とした。例文帳に追加

By using a pallet conveyance type of film-forming system sputtering film-forming apparatus for mounting a substrate 11 to a pallet 12 for conveying, diverse targets 13, 14 are successively and repeatedly mounted to one cathode 15, thus forming an extremely thin multilayer laminated magnetic film. - 特許庁

マグネトロンスパッタ法によるクラスター生成装置のクラスター生成室を構成する筒状体の少なくとも一部を電気的に浮かせることにより、その内壁面の全部または一部を、得ようとする極性を有するクラスターと同じ極性に帯電させる。例文帳に追加

By making electrically float at least a part of a cylindrical body structuring a cluster generation chamber of a cluster generation device by a magnetron sputtering method, a whole or a part of its inner wall surface is made to be charged as the same polarity with the cluster having the desired polarity. - 特許庁

前処理エッチング専用のチャンバーを別に設けることを不要し、さらには、前処理エッチングによる付着物からターゲット等を保護するシャッターの開閉専用の駆動系をも不要とするスパッタリング装置及びそのクリーニング方法を提供する。例文帳に追加

To provide a sputtering apparatus capable of omitting separate provision of a chamber exclusive for the pretreatment etching, and also omitting any driving system exclusive for opening/closing a shutter to protect a target or the like from any deposit caused by the pretreatment etching, and its cleaning method. - 特許庁

高音質抵抗膜は、抵抗値電圧係数ＶＣＲが−１５０乃至＋１５０ｐｐｍ／Ｖである窒化タンタル膜の単層膜であり、この窒化タンタル膜は、半導体装置の製造工程で常温から４００℃までの温度で、窒素ガス分圧比を３乃至１０％としてスパッタリングにより成膜されたものである。例文帳に追加

The high sound-quality resistance film is a single-layer tantalum nitride film, having a voltage coefficient of resistance (VCR) in the range of -150 to +150 ppm/V. - 特許庁

放電ランプの放電電流を増加して光出力を大きくすることができるとともにスパッタリングによる水銀の消耗を抑制し得る電極部材、この電極部材を用いた冷陰極放電ランプ及び発光装置を提供することを目的とする。例文帳に追加

To provide an electrode member which can increase a light output by increasing a discharge current of a discharge lamp and can suppress the consumption of mercury caused by sputtering, and to provide a cold cathode discharge lamp and a light emitting device using the electrode member. - 特許庁

スパッタ法にて基板上にパターンを形成する際に、パターンボケが生じるのを抑制することができるパターン形成方法、パターン形成装置、圧電振動子、圧電振動子の製造方法、発振器、電子機器および電波時計を提供する。例文帳に追加

To provide a pattern forming method and apparatus capable of suppressing the occurrence of pattern blurring when forming a pattern on a substrate by a sputtering method, a piezoelectric vibrator, a method of manufacturing the piezoelectric vibrator, an oscillator, an electronic apparatus and a radio-controlled clock. - 特許庁

これにより、薄膜抵抗Ｒと接触する第１金属層５を形成する際に、スパッタ装置内に窒化ラジカルが基本的には存在していない条件で第１金属層５の成膜を行うことができるため、薄膜抵抗Ｒの露出部分に窒化物が形成されないようにできる。例文帳に追加

Consequently, when the first metal layer 5 coming into contact with the thin-film resistance R is formed, the first metal layer 5 is formed under a condition wherein a nitriding radical is basically not present in the sputtering device, so no nitride is formed at an exposed part of the thin-film resistance R. - 特許庁

また、荷電粒子線装置の試料作成方法であって、基板表面に微細な凹凸を形成するステップと、前記基板表面にスパッタにより金属微粒子を付着させるステップと、を有することを特徴とする試料作成方法を提供する。例文帳に追加

Also, the sample preparation method for the charged particle device includes a step of forming fine irregularities on the surface of the substrate and a step of attaching metal fine particles on the surface of the substrate by sputtering. - 特許庁

同一のプラズマ処理室１０９内に、プラズマ源を備え、被処理基板１０２の前処理を行なう表面処理部１０６と、複数の膜によって形成されたシード層を形成する複数のスパッタ成膜部１０７、１０８を備えた配線基板プラズマ処理装置とする。例文帳に追加

A wiring board plasma-processing device includes, in the same plasma processing chamber 109, a plasma source, a surface processing unit 106 for performing a pretreatment of the board 102 to be processed, and a plurality of sputtering film deposition units 107, 108 for forming a seed layer formed of a plurality of films. - 特許庁

スパッタ法などで保護層を形成する際の半導体層が受けるダメージの不均一性によるＴＦＴ間の特性ばらつきを改善し、このＴＦＴを用いるアクティブマトリクス型表示装置の画像の均一性を向上させる。例文帳に追加

To improve variations in characteristics among TFTs due to the unevenness of damage, which a semiconductor layer receives when a protective layer is formed by sputtering or the like, and to enhance the evenness of an image in an active matrix type display apparatus employing the TFTs. - 特許庁

スパッタリング装置の接電端子は、その深さ方向に所定のテーパー角を有する凹部が形成され、給電端子２２が凹部に進入して電気的に接続された時、該凹部の最底部は該給電端子の先端部が接することのできない空間を有していることを特徴とする。例文帳に追加

In the connection terminal of the sputtering apparatus, a recessed part having a prescribed tapered angle in its depth direction is formed and the bottom part of the recessed part has such a space that the tip part of the feeding terminal can not come in contact with the bottom part when the feeding terminal 22 advances to the recessed part and electrically connected. - 特許庁

給電端子がそれぞれの接続端子への接触と離間を繰り返したとしても、給電端子と接続端子の接触面に発生した異物を挟んでしまうことを低減させることができ、その結果、接触抵抗の増加による温度上昇を回避することができるスパッタリング装置を提供する。例文帳に追加

To provide a sputtering apparatus in which insertion of a generated foreign matter between contact surfaces of a feeding terminal and a connection terminal can be reduced even if the feeding terminal repeats touch to and separation from the connection terminal and as a result, temperature increase due to increase in contact resistance can be avoided. - 特許庁

本発明の実施形態に係るスパッタリング装置は、ターゲットユニット２１を空間部１９に対して着脱操作する際、リブ１８と対向するターゲット部３１を、リブ１８と対向する第１の状態からリブ１８と対向しない第２の状態へ変換可能な変換機構を備える。例文帳に追加

The sputtering system concerning to the embodiment has a conversion mechanism where, when a target unit 21 is subjected to attachment/detachment operations to a space part 19, a target 31 confronted with a rib 18 can be converted from a first state where it is confronted with the rib 18 to a second state where it is not confronted with the rib 18. - 特許庁

低屈折率膜と高屈折率膜を交互に積層した多層膜を有する光学素子の製造工程において、ターゲットユニット１００を用いたスパッタ成膜装置により、基体１０１上に充填率０．８４以下の低屈折率材料からなる多孔質膜を成膜する。例文帳に追加

In a step of manufacturing the optical element having a multilayered film in which a low refractive index film and a high refractive index film are alternately laminated, by means of a sputtering film forming apparatus using a target unit 100, a porous film composed of a low refractive index material with a filling rate ≤0.84 is formed on a substrate 101. - 特許庁

６００℃±５℃の均熱性を保持しながら強誘電体膜などをスパッタリングするプロセスにおいて、被処理基板を保持するトレーの反りや被処理基板からトレーへの放熱を防止し、処理被処理基板上での温度均一性を確保することが可能な成膜装置を提供することを目的とする。例文帳に追加

To provide a film deposition apparatus for preventing warping of a tray to hold a substrate to be treated or heat radiation from the substrate to the tray and ensuring the temperature uniformity on the substrate in a process for sputtering a ferroelectric film or the like while maintaining the heat uniformity of 600°C±5°C. - 特許庁

電極のスパッタを抑制し、金属などの飛散による透過率低下及び放電特性変化を防止し、画面全域が安定で長寿命なプラズマアドレス表示装置を、駆動上・構造上簡易で低コスト化が可能なＤＣ放電タイプで提供することを目的とする。例文帳に追加

To provide a plasma addressed display device, which is stable in the whole screen and durable, in a DC discharge type simple in driving and construction and capable of cost reduction by suppressing sputtering of electrodes and preventing reduction of transmissivity and a change in electric discharge characteristics due to splashing of metal or the like. - 特許庁

耐熱性樹脂フィルム管状体２と、この耐熱性樹脂フィルム管状体の外周表面に銅以外の金属層３と銅層４と表面離型層５とが順に形成されてなる定着装置用シームレスパイプであって、上記金属がスパッタリング法によって形成される。例文帳に追加

In the seamless pipe for the fixing device in which the heat resistant resin film tube body 2, a metal layer 3 which is other than copper, a copper layer 4 and a surface release layer 5 are sequentially formed on the outer peripheral surface of the heat resistant resin film tube body, the metal is formed by a sputtering method. - 特許庁