「スパッタ装置」に関連した英語例文の一覧と使い方(36ページ目) - Weblio英語例文検索

放電室１とこれと隘路を介して隣接し加速電極２１と試料台３が設置されたプロセス室２とを備える電子ビーム励起プラズマ装置において、プロセス室２にターゲット４を配置して反応プラズマを作用させてスパッタリングするようにしたことを特徴とする。例文帳に追加

In an electron beam exciting plasma system provided with a discharge chamber 1 and a process chamber 2 adjacent thereto via a bottleneck and installed with an accelerating electrode 21 and a sample stand 3, target 4 is arranged at the process chamber 2, reaction plasma is acted, and sputtering is performed. - 特許庁

この光ディスク製造装置は、透明基板１の表面にスパッタ膜２による記録部と、光透過層３とがこの順に形成され、光透過層３を介して光を記録層に照射するようにした光ディスクを製造するためのものである。例文帳に追加

The manufacturing apparatus of the optical disk is used for manufacturing the optical disk wherein a recording part formed of a sputtered film 2 and the light transmission layer 3 are formed in this order on the surface of a transparent substrate 1 and the recording part is irradiated with light via the light transmission layer 3. - 特許庁

真空室内においてシート状材料を連続走行させつつ、プラズマやスパッタ、ＣＶＤ、蒸着等によって表面処理を行なう表面処理装置において、真空引き時におけるシート状材料の巻物体の巻ズレを防止する。例文帳に追加

To prevent a winding deviation of a wound body of a sheet-like material during evacuation, in a surface treatment apparatus for treating the surface with plasma, sputtering, CVD, vapor deposition or the like, while continuously moving the sheet-like material in a vacuum chamber. - 特許庁

簡単な構造によって、ターゲットの大きさによらず、微細なビアホールの側壁部分にも充分に膜を堆積し、ビアホールの側壁内面から底面に渡って良好なカバレッジで堆積膜を形成できるスパッタ装置を提供する。例文帳に追加

To provide a sputtering apparatus which deposits a film adequately on a side wall of a fine via-hole, and forms the deposition film all over the inner face and the bottom face of the via-hole with a satisfactory coverage by a simple structure, regardless of the size of a target. - 特許庁

平面表示装置等の配線膜のプロセス温度域での低抵抗化が可能であるとともに、Ｃｕ系膜で発生するヒロックおよびボイドを抑制可能な耐熱性を有するＣｕ合金膜とそのＣｕ合金膜を形成するためのスパッタリングターゲット材を提供する。例文帳に追加

To provide a Cu alloy film which can reduce the resistance of a wiring film of a flat panel display device or the like in a process temperature region, and which has heat resistance to suppress hillocks and voids caused in a Cu based film, and to provide a sputtering target material for forming the Cu alloy film. - 特許庁

耐スパッタリング性に優れ長寿命化を図れるとともに、大掛かりな設備を必要とすることなく、簡単な装置で、極めて容易に、かつ短時間で製作することができ、製品の低コスト化を図れる冷陰極管用電極を提供する。例文帳に追加

To provide an electrode for a cold-cathode tube which is superior in sputtering resistance characteristics, in which life prolongation can be achieved, which can be manufactured by a simple device, greatly with ease and in a short time without requiring a large-scale installation and in which cost down of products can be achieved. - 特許庁

マイクロ波電界及び荷電粒子を遮蔽して活性化された中性粒子による安定した処理を行いつつ、石英等で表面を保護しなくても多孔遮蔽板のスパッタを防止することができるプラズマ処理装置及びプラズマ処理方法を提供する。例文帳に追加

To provide a plasma processor in which a sputtering of a porous shielding plate can be prevented even if a surface is not protected with quartz and the like while a microwave field and electrically charged particles are shielded and a stable processing by activated neutral particles is performed, and to provide a plasma processing method. - 特許庁

少なくとも（１）ウエハ上にポリイミドを含有する樹脂膜を形成する工程、（２）前記樹脂膜をアルゴンガスで逆スパッタする工程、（３）前記樹脂膜の少なくとも一部を封止樹脂で封止する工程をこの順に有する半導体装置の製造方法。例文帳に追加

The semiconductor device manufacturing method comprises at least a process (1) for forming a resin film containing a polyimide on a wafer, a process (2) for inversely sputtering the resin film by argon gas and a process (3) for sealing at least a part of the resin film by seal resin in this order. - 特許庁

情報信号層７を構成する積層膜の上層誘電体膜６を、２回に分け、スパッタリング装置における第５の真空チャンバと第６の真空チャンバとを用いて、第１の上層誘電体膜６ａと第２の上層誘電体膜６ｂとを用いて順次成膜する。例文帳に追加

The upper layer dielectric film 6 of the layered films composing the information signal layer 7 is successively deposited two times by using a fifth vacuum chamber and a sixth vacuum chamber in a sputtering system, and a first upper layer dielectric film 6a and a second upper layer dielectric film 6b. - 特許庁

酸化チタンの結晶性は成膜初期のスパッタ粒子の入射角度で決定され、その入射角度が８６°以下であればアナターゼ型結晶が成長するので、成膜装置１によれば光触媒活性の高いアナターゼ型酸化チタン薄膜を得ることができる。例文帳に追加

The crystallinity of titanium oxide is determined by the incident angle of sputter particles at the initial stage of film deposition, and, anatase type crystals grow when the incident angle is ≤86°, so that an anatase type titanium oxide thin film having high photocatalytic activity can be obtained by the film deposition system 1. - 特許庁

揺動磁石型スパッタリング装置用に用いられる、バッキングプレート上に複数のターゲット部材を配設してなる多分割ターゲットであって、各ターゲット部材表面の研削方向が、磁石の揺動方向に対する法線方向の±１０度以内にある多分割ターゲット。例文帳に追加

The multi-segmental target is used for a rocking magnet type sputtering apparatus and formed by arranging a plurality of target members on a backing plate and the grinding direction of the surface of each target member is in ≤±10° of the normal line to the rocking direction of the magnet. - 特許庁

平滑化したきれいな界面を有する膜が形成でき、多層膜を形成した場合には、多層膜界面での散乱が抑えられ高反射率のＥＵＶ多層膜ミラーを得る事ができるスパッタリング装置及び方法を提供すること。例文帳に追加

To provide a sputtering apparatus and a method therefor which enable a film having smoothed fine boundaries to be deposited, and, when a multilayer film is deposited, an EUV (extreme ultraviolet) multilayer mirror with a high reflectivity in which scattering at the boundaries of the multilayer film is suppressed to be obtained. - 特許庁

従来構成のＰＤＰ装置においてＰＤＰパネル本体から放出される電磁波を低減するために低導電率を有する金属メッシュやスパッタが使用されていたが、ＰＤＰパネル内部に流れる放電電流により発生する交番磁界に対して十分な遮断が出来ていない。例文帳に追加

To provide a plasma display device in which an electric field and a magnetic field from a panel body are reduced. - 特許庁

定置式溶接装置の可動電極チップ１１の駆動ユニット６を、サーボモータ８を駆動源とする電動式駆動ユニットで構成するものにおいて、ワークの溶け込みに対する可動電極チップ１１の追従性を良くして、スパッタの飛散を防止する。例文帳に追加

To prevent spatters from splashing by making the follow-up property of a movable electrode tip 11 satisfactory to the penetration of a work in the one constituted of the drive unit 6 of the movable electrode tip 11 of a stationary type welding equipment by a motor driven system drive unit whose drive source is a servomotor 8. - 特許庁

矩形波点灯で点灯させる高圧放電灯点灯装置において、始動時のランプ電流の周波数と電流値をパラメーターにして、高圧放電灯にスパッタによる黒化の発生を極力抑える条件を設定する。例文帳に追加

In the high-pressure discharge lamp which lights up by means of rectangular waves, the condition which prevents blackening due to sputtering of the high-pressure discharge lamp, as much as possible, is set, by setting the frequency and the current value of the lamp current at the starting as parameters. - 特許庁

成膜対象物の最内周から最外周に向かって均一な膜厚分布を実現することができるスパッタリング装置、及び、それを用いた光記録媒体の製造方法、並びに、光記録媒体を提供すること目的とする。例文帳に追加

To provide a sputtering system by which uniform film thickness distribution from the innermost peripheral part toward the outermost peripheral part of a film-deposition object can be attained, to provide a manufacturing method of an optical recording medium using the same and to provide the optical recording medium. - 特許庁

時間による膜厚制御により、ダイクロ等の長時間成膜、或いは長期的な連続成膜を可能とする安定した成膜レートを得るスパッタリングによる光学薄膜の製造方法、及び製造装置を提供すること。例文帳に追加

To provide a method and a system for manufacturing an optical thin film by sputtering by which stable film deposition rate capable of enabling long-term film deposition or long-term continuous film deposition of dichroic film, etc., can be obtained by means of film thickness control by time. - 特許庁

固有振動数センサ１０を半導体製造装置のプラズマ処理室内に設け、エッチング又はスパッタ等による削れ量、及びデポジションによる堆積によって生じる固有振動数の変化を検知して、処理室のメンテナンスのタイミングを検出する。例文帳に追加

A peculiar vibration frequency sensor 10 is provided in a plasma processing chamber of the semiconductor manufacturing apparatus, and detects a shaving amount by an etching, a sputter, or the like and a change of a peculiar vibration frequency caused by a deposition, to detect a timing of the maintenance of the processing chamber. - 特許庁

水平磁界強度を１０００Ｇａｕｓｓ以上に保持するとともに、スパッタ電圧を従来の飽和電圧よりも低下させて電気抵抗率の特性が優れた透明導電膜の製造方法及び製造装置を提供することを課題とする。例文帳に追加

To provide a method and apparatus for forming a transparent conductive film having the excellent characteristics of electric resistivity by maintaining horizontal magnetic field intensity of ≥1,000 Gauss and making a sputtering voltage lower than the conventional saturation voltage. - 特許庁

プラズマガスのガス吐出口での異常な放電状態を回避し，所望のスパッタ効果を得るため，いわゆるセルフバイアス現象を維持し，特に酸化膜エッチングにて重要視されるデポ膜制御を効率よく行うことのできるプラズマ処理装置を提供する。例文帳に追加

To provide plasma treatment equipment wherein the so-called self bias phenomenon is maintained for evading abnormal discharge state of plasma gas at a gas jetting port and obtaining desired sputter effect, and control of a deposition film which is especially regarded as important in etching of an oxide film can be effectively performed. - 特許庁

磁界形成部からの磁界を外周側に広げ、プラズマの高密度領域をターゲットの外縁部周辺にまで形成することが可能な、ターゲット利用効率の高いマグネトロンスパッタリング装置を提供することを目的とする。例文帳に追加

To provide a magnetron sputtering device having high target use efficiency, which is capable of forming a high density area of plasma up to the periphery of the outer edge of the target by expanding a magnetic field from a magnetic field forming unit to the outer circumferential side. - 特許庁

スパッタ法のようなイオンが存在する雰囲気下で物理的に成膜する場合に、基板へのダメージを軽減し、基板劣化を低減できる半導体装置の製造方法を提供すること、及びこの製造方法によって製造された信頼性の高い発光ダイオード素子を提供すること。例文帳に追加

To provide a method for manufacturing a semiconductor device wherein damage to a substrate is reduced and substrate deterioration can be reduced when a film is formed physically in an atmosphere where ions are present like a sputtering method, and to provide a light emitting diode element of high reliability which is manufactured by the method for manufacturing. - 特許庁

高い反射率を維持した上で、可視光範囲での反射率が一定値になり、かつ低い電気抵抗を有し、さらに耐熱性、耐食性を兼ね備えたＡｇ合金膜とそのＡｇ合金膜を形成するためのスパッタリングターゲット材および低消費電力な平面表示装置を提供する。例文帳に追加

To provide an Ag alloy film in which a reflectance in a visible light range takes a fixed value while keeping a high reflectance and which has low electric resistance and combines heat resistance and corrosion resistance and also to provide a sputtering target material for depositing the Ag alloy film and a flat panel display device having low power consumption. - 特許庁

金属配線を２ステップスパッタにより形成する場合、金属配線の電気抵抗の上昇や、ばらつきを抑制しつつ、２ｎｄステップの初期段階におけるＡｌ膜の凝集によるカバレッジ不良を抑制できる半導体装置およびその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor device capable of suppressing coverage failures caused by the cohesion of an Al film in an early stage of a second step while preventing an increase or variation in the electric resistance of a metallic wire when forming the metallic wire by two-step sputtering, and a manufacturing method therefor. - 特許庁

更に、磁界形成装置２５を基板１０に対しても移動するようにすれば、ターゲット１５が多くスパッタリングされる領域が基板１０に対して移動することになり、基板１０に形成される膜の膜厚分布がいっそう均一になる。例文帳に追加

Further, when the magnetic field forming apparatus 25 is also made to move to the substrate 10, the region to be largely sputtered in each target 15 moves to the substrate 10, and thus, the film thickness distribution of the film deposited on the substrate 10 is made more uniform. - 特許庁

本発明は、矩形ターゲットの全面にわたりエロージョンの均一性を向上させ、ターゲット利用率の高いマグネトロンカソードを実現することにより、より小型のターゲットで矩形基板上に膜厚分布に優れた成膜が可能なマグネトロンスパッタリング装置を提供することを目的とする。例文帳に追加

To provide a magnetron sputtering apparatus, which can form a film superior in film thickness distribution on a rectangular substrate with a smaller target than before, by improving uniformity of erosion over the whole surface of the rectangular target, and by realizing a magnetron cathode for efficiently utilizing a target. - 特許庁

平面表示装置等の配線膜のプロセス温度域で、低抵抗化が可能であるとともに、ガラス基板やＳｉ層への密着性が良好で、かつＳｉ拡散バリア性を有するＣｕ系配線膜を形成するために使用されるスパッタリングターゲットを提供する。例文帳に追加

To provide a sputtering target which is used for forming a Cu based wiring film of which the resistance is reduced, the adhesion to a glass substrate and an Si layer is successful, and which has Si diffusion barrier nature in a process temperature range of a wiring film of a flat panel display device or the like. - 特許庁

反応性スパッタ成膜法により下電極用金属膜などの薄膜を複数の基板に連続的に形成した場合でも、組成や膜質にばらつきの発生しない非線形素子の製造方法、薄膜形成方法、非線形素子、および電気光学装置を提供すること。例文帳に追加

To provide a nonlinear element manufacturing method, a thin film forming method, a nonlinear element, and a nonlinear electrooptical device, which can avoid variations in composition and film quality even when such a thin film as a metallic film for a lower electrode is continuously formed on a plurality of substrates. - 特許庁

また、スパッタ装置１０は、基板Ｓを加熱する加熱面を有して、基板Ｓを該加熱面に吸着しながら加熱する基板ステージ１３と、基板ステージ１３を基板Ｓの周方向に回転させる回転部１８とを備えている。例文帳に追加

In addition, the sputtering apparatus 10 includes a substrate stage 13 which has a heating surface for heating a substrate S and heats the substrate S while sucking it to the heating surface, and a rotary section 18 for turning the substrate stage 13 in the circumferential direction of the substrate S. - 特許庁

高精細な大型ＴＶや低いプロセス温度の種々の平面表示装置に適応可能なより低抵抗で高い信頼性を有する優れた配線膜用Ａｌ合金膜とそのＡｌ合金膜を形成するためのスパッタリング用ターゲットを提供する。例文帳に追加

To provide an Al alloy film for a wiring film, which is applicable to a high-definition large-sized TV and such various flat display devices as to be processed in a low temperature, and has low resistance and high reliability, and to provide a sputtering target for forming the Al alloy film. - 特許庁

前室と成膜室とを備えるロードロック式スパッタリング装置を用い、第一超伝導体層の形成にはニオブをターゲットとし、引き続き、第二誘電体層の形成には酸化マグネシウムをターゲットとして、同一真空下で連続的に成層するようにしてもよい。例文帳に追加

By the use of a load locked type sputtering device with a front chamber and a film-forming chamber, with niobium as the target in the formation of the first superconductive material and with magnesium oxide as the target in the formation of the second dielectric layer, the above formations can be continuously laminated under the same vacuum. - 特許庁

本発明のスパッタ装置１０１は、ターゲット３と処理基板５との間の空間に、回転駆動系（図示せず）によって回転可能に軸１０２に保持されたマスク１０３を配設しており、ダミー基板５ｂに成膜するときに用いる。例文帳に追加

The objective sputtering apparatus 101 has a mask 103 which is held by a shaft 102 so as to be rotatable through a rotational drive system (not shown), in a space between a target 3 and a substrate 5 to be treated, and which is used for forming a film on a dummy substrate 5b. - 特許庁

同一チャンバ内で基板ステージ上の処理基板に対し、ＡＬＤ法による成膜とスパッタリング法による成膜とを行い得るように成膜装置を構成する場合に、ターゲットが、ＡＬＤ法を行う際に導入する原料ガスや反応ガスによって汚染されないようにする。例文帳に追加

To prevent the contamination of a target caused by a gaseous starting material or reaction gas to be introduced at the time of performing an ALD (Atomic Layer Deposition) process in the case a film deposition system is composed so that film deposition by an ALD process and film deposition by a sputtering process can be performed to a treatment substrate on a substrate stage in the same chamber. - 特許庁

溶接スパッタ付着防止装置１１は、排気管１３の開口部を閉塞する閉塞部材１５と、閉塞部材１５に対して進退移動可能に支持されたスライド部材１６と、スライド部材１６の進退移動を調整するスプリング１７等とを備えている。例文帳に追加

This device 11 is provided with a plugging member 15 for plugging the opening part of the gas exhaust pipe 13, a slide member 16 supported to be vertically movable to/from the plugging member 15, a spring 17 for adjusting the vertical movement of the slide member 16, etc. - 特許庁

斜方蒸着或いは指向性スパッタリングにより形成するＳｉＯｘ膜等の無機系配向膜の微粒子の柱状積層の微細構造の角度や密度をコントロールし、液晶配向を揃え、色ムラを低減して高輝度、高精細、高性能の液晶表示装置を提供する。例文帳に追加

To provide a high-precision and high-performance liquid crystal display device having high luminance, by controlling the angle or the density of the fine structure of a particulate columnar laminate of an inorganic alignment layer, such as a SiOx film formed by oblique vapor deposition or directional sputtering, by arranging the alignment of liquid crystal in the order, and by reducing color unevenness. - 特許庁

減圧室１０１とターゲットホルダ１０２と対象物ホルダ１０３とをもつチャンバ１０４と、ターゲットホルダ１０２の裏側に設けられた超電導磁石１０５と、超電導磁石１０５を極低温に冷却する冷凍機１０８とをもつスパッタ装置１００を用いる。例文帳に追加

In the carrying/supporting methods, a sputtering system 100 is used wherein the system includes a chamber 104 having a decompression chamber 101, a target holder 102 and an object holder 103, a superconducting magnet 105 provided at the rear side of the target holder 102, and a freezer 108 which cools the superconductive magnet 105 to cryogenic temperatures. - 特許庁

スパッタリング装置において、防着板７ａ、７ｂを複数の金属材にて二重に且つ互いに非接触状態に設置するとともに、外側の防着板７ｂに、残留ガス検出手段１５から得られる残留ガス量を解析して直流負電位を印加するように構成する。例文帳に追加

In the sputtering system, chucking-proof plates 7a, 7b are installed by a plurality of metal members doubly and in a non-contact state therebetween, and also, an amount of a residual gas obtained from a residual gas detecting means 15 is analyzed and a DC negative potential is applied to the outside chucking-proof plate 7b. - 特許庁

中空紡糸口金から中空ガラス繊維を紡出し、巻取装置で巻き取る過程で、この中空ガラス繊維の冷却固化と、これにつづく中空ガラス繊維外周面へのＡｌ等の導電性物質のスパッタ成膜とを行うことで、導電性中空ガラス繊維５０を得る。例文帳に追加

The electrically conductive hollow glass fiber 50 is obtained by performing the cooling and solidifying of the hollow glass fiber and the successive sputter film formation of the electrically conductive substance such as aluminum on the outer surface of the hollow glass fiber in the process of spinning out the hollow glass fiber from the hollow spinneret and winding the fiber by the winding device. - 特許庁

高抵抗透明導電膜、特に抵抗膜式タッチパネル装置等の画面位置確定のために使用されるシート抵抗５００〜２０００Ω／□程度の高い表面抵抗率を有する透明導電膜の形成に有用である高抵抗透明導電性膜用スパッタリングターゲットを提供する。例文帳に追加

To provide a sputtering target for a high resistance transparent electroconductive film which is useful for the formation of a transparent, electroconductive film having a high surface resistivity satisfying a sheet resistance of 500 to 2,000 Ω/square, and used for defining the position of the screen of a resistance film type touch panel apparatus or the like. - 特許庁

複数の成膜室を備えたスパッタリング装置の各成膜室に装填するターゲット及びバッキングプレートにおいて、ターゲットを載置した状態での外形をすべて共通として、ターゲットの厚みに応じてバッキングプレートとの接合位置を任意に変える例文帳に追加

In a target and a backing plate charged in each film deposition chamber of the sputtering apparatus having a plurality of film deposition chambers, the contours of the targets in a placed condition are common to each other, and the joining position with the backing plate is arbitrarily changed according to the thickness of the target. - 特許庁

基板を保持する保持具における付着物の剥離を十分に抑制することができる積層膜形成システム、そのような積層膜形成システムで使用されるスパッタ装置、および、上記の積層膜形成システムで実行される積層膜形成方法を提供する。例文帳に追加

To provide a laminated film deposition system capable of sufficiently suppressing the peeling of deposits on a holer for holding a substrate, a spattering system used in such laminated film deposition system and laminated film deposition method implemented in the laminated film deposition system. - 特許庁

その構成としては、カルーセルタイプ等のスパッタ装置上あるいは真空蒸着による真空蒸着成膜上に於いて、成膜基板を通常成膜時と同様にターゲット面に対して水平（正面）位置に設置することによって、膜厚補正機構を用いて複数個のウエッジ膜を加工可能とする。例文帳に追加

In a sputtering system of a Carrousel type or in a vacuum evaporation film deposition, substrates to be film-deposited are set in a position horizontal (front) to target faces similarly to the case in normal film deposition so that plural wedge films can be worked by using a film thickness compensation mechanism. - 特許庁

磁化固定層、非磁性中間層、及び磁化自由層を含む磁気抵抗膜のうち、非磁性中間層及び磁化自由層を構成する少なくとも１つの薄膜を、スパッタ装置を用い基板近傍の圧力を８．０×１０^−３Ｐａ以下として形成する。例文帳に追加

Magnetoresistive films including a magnetization fixing layer, a non-magnetic intermediate layer, and a magnetization free layer, at least one thin film making up the non-magnetic intermediate layer and the magnetization free layer is formed by using a sputtering apparatus while a pressure around a substrate is set at 8.0×10^-3 Pa or lower. - 特許庁

基板への荷電粒子の衝突を抑えることで、基板表面のダメージおよび温度上昇を抑制するとともに、高速に基板表面に薄膜形成可能なマグネトロンスパッタリング装置およびこれを用いた薄膜形成方法を提供する。例文帳に追加

To provide a magnetron sputtering system capable of reducing the damage and temperature rising on the surface of a substrate, and also depositing a thin film on the surface of the substrate at a high speed by suppressing the collision of charged particles against the substrate, and to provide a thin film deposition method using the magnetron sputtering system. - 特許庁

直径よりも軸方向長さの方が２倍以上長い管状材１を一方の電極とし、もう片方の電極を管状材１中を通過するケーブル、帯、柱状材などの長尺の被処理材２そのものとする筒状スパッタ装置４を構成する。例文帳に追加

A cylindrical sputtering system 4 is constituted so that as one electrode, a tubular material 1 in which the length in the axial direction is longer than the diameter by ≥2 times is used, and, as the other electrode, the long-length material 2 to be treated such as a cable, a belt and a columnar material it self is used. - 特許庁