「スパッタ装置」に関連した英語例文の一覧と使い方(37ページ目) - Weblio英語例文検索

ロードロック式インライン型マグネトロンスパッタ装置による低放射率透明積層体の製造方法において、日射遮蔽性、高断熱性を有する透明積層体のうち、特に金属層（Ａg）の耐久性に優れたものを提供する。例文帳に追加

To provide transparent laminates which are particularly excellent in the durability of metallic layers (Ag) among the transparent laminates having solar radiation shieldability and high thermal insulatability in a method of manufacturing the low-emissivity transparent laminates by load locking system inline type magnetron supporting equipment. - 特許庁

ランプ点灯時のブレークダウンからグロー放電、アーク放電への移行を改善、最適化し、点灯プロセスの往復動作が最小化し、スパッタによるランプの黒化を少なくし、ライフに対して光束維持率の良好な点灯装置を提供する。例文帳に追加

To provide a lighting device with a good light flux maintenance rate to a life by improving and optimizing transition from breakdown to glow discharge and arc discharge during lighting a lamp, minimizing the reciprocating operation of a lighting process and lessening the blackening of the lamp with spattering. - 特許庁

デポアップ型スパッタ蒸着装置において、基板を逆さにとりつけても、基板が落下しないようにする基板固定部分と、基板が基板ステージのどこにでも固定できるようにするためのマグネット部分からなる固定器具を用いたことを特徴とするものである。例文帳に追加

In the deposit-up type sputtering vapor deposition apparatus, a fixing tool comprising a substrate fixing part to prevent a substrate from being dropped even when the substrate is mounted upside down, and a magnet part to fix the substrate to any point of a substrate stage is used. - 特許庁

エロージョン面(16a)上の点を通過する回転軸(38)を中心にしてマグネトロンユニット(31)を回転する駆動部を有するスパッタリング装置において、ユニット(31)は、回転軸(38)を含む面によって分離される領域(32a)のいずれか一方に設けられたマグネット部(41,43,47a,49a)を有する。例文帳に追加

In a sputtering system having a driving part rotating a magnetron unit 31 around a rotary axis 38 passing through the point on an erosion face 16a as the center, the unit 31 has a magnet part 43 provided on one of regions separated by the face including the rotary axis 38. - 特許庁

スパッタ法などで保護層を形成する際の半導体層が受けるダメージの不均一性によるＴＦＴ間の特性ばらつきを改善し、このＴＦＴを用いるアクティブマトリクス型表示装置の画像の均一性を向上させる。例文帳に追加

To improve uniformity in the image of an active matrix type display device using TFT by improving variations of characteristics among TFTs caused by unevenness in the damage which a semiconductor layer receives when a protective layer is formed by a sputtering method. - 特許庁

コンタクトプラグを形成する工程では、スパッタ装置のチャンバー内のステージ上に、チャックを介して基板を保持し、チャックに印加するＥＳＣ電圧を第一の電圧、第二の電圧、第三の電圧と、この順に３段階のステップ状に増加させる。例文帳に追加

In the process of forming the contact plug, the substrate is held via a chuck on a stage in a chamber of a sputtering apparatus and en ESC voltage applied to the chuck is increased in three steps: a first voltage, a second voltage and a three voltage, in this order. - 特許庁

電極体における極板の端面部と集電板との接合において、接合強度を維持しながら、スパッタの発生やセパレータの熱による変形および収縮を生じ難い電池の製造方法および電池製造用の接合装置を提供する。例文帳に追加

To provide a manufacturing method of a battery and a joining device for battery manufacture which hardly generate sputter, and deformation and shrinking caused by heat while keeping joining strength when joining an end surface part of an electrode body to a current collection plate. - 特許庁

カラーフィルタ基板の表面に被覆された有機物から放出されるガス成分の影響を排除しつつ、ターゲット全面にわたって均一にプロセスガスを供給することにより、基板全面に膜厚及び膜質が均一な被膜を形成することができるスパッタリング装置を提供する。例文帳に追加

To provide a sputtering apparatus which can form a coating with uniform film thickness and film quality all over a substrate, by uniformly feeding process gas all over the target, along with eliminating an effect of gas components discharged from an organic substance coated on the surface of a color filter substrate. - 特許庁

複数磁石移動方式のマグネトロンスパッタリング装置において、大面積のターゲットは作製困難なことから複数のターゲット分割体の並設体とするが、成膜速度を高くしながら、均一膜厚での成膜を可能とする。例文帳に追加

To form a film having uniform thickness with a high film-forming speed by using a plurality of target divided bodies which are arranged side by side, as a target having a large surface area is difficult to produce, in a magnetron sputtering device of a plural magnet moving system. - 特許庁

イオンビームスパッタリング法を用い、製膜工程と配向工程とを同時に行う単一の工程で液晶用配向膜を形成することが可能で、かつ、基板のサイズが大きく制限されない配向膜形成装置及び方法を提供する。例文帳に追加

To provide an apparatus and method for forming an alignment layer, by which an alignment layer for a liquid crystal can be formed in a single step of simultaneously carrying out a film forming step and an aligning step by using an ion beam sputtering method and the size of a substrate is not much limited. - 特許庁

成膜の際に基板８の表面付近にその表面に沿った特定の向きの磁界を印加してその特定の向きにのみ磁化され易い性質を付与する容易軸付与用磁界発生装置７が、スパッタチャンバー１の外に設けられている。例文帳に追加

An easy-axis impart magnetic field generating system 7 for applying easy magnetizing property in a prescribed direction, while a magnetic field is applied along the surface at the position near to the surface of the substrate 8 for formation of the film is provided outside the sputter chamber 1. - 特許庁

スパッタリング用マルチターゲット装置は、ターゲットテーブル２１のターゲット２９がターゲット保持部３０の真下に停止するよう位置決めする位置決め手段を有し、前記ターゲット保持部３０の位置に複数のターゲット９を順次供給する。例文帳に追加

The multitarget system for sputtering comprises a positioning means performing positioning in such a manner that a target 29 in a target table 21 is stopped directly below a target holding part 30, and a plurality of targets 9 are successively fed to the position of the target holding part 30. - 特許庁

本発明の目的は、成膜途上で成膜基板への成膜を一度或いは復数ともに停止させることなく生産性を落とさずに連続成膜の内に正確に膜厚を管理して、目標とする膜厚に実成膜加工を施すスパッタリング成膜装置を提供することにある。例文帳に追加

To provide a sputtering film deposition system in which, as for film deposition on a film depositing substrate, the film thickness is correctly controlled in continuous film deposition without stopping the film deposition one or more times in the process of the film deposition, and actual film deposition working is performed so as to obtain an objective film thickness. - 特許庁

マグネトロンを用いたプラズマスパッタリング装置内に、薄膜を堆積する基板の進行方向及び／又はその反対方向に向って一つ又はそれ以上のマイクロ波アンテナを配置して、基板表面上にマイクロ波を放射して基板表面近傍に支援プラズマを形成する。例文帳に追加

This method comprises arranging one or more microwave antennas along a traveling direction of the substrate to be thin-film-deposited and/or the opposite direction, in a plasma sputtering apparatus using a magnetron, and forming assisted plasma in the proximity of the surface of the substrate by irradiating the surface of the substrate with a microwave. - 特許庁

これによって装置構成を複雑にすることなく、金属モードに近い状態でスパッタ粒子を基板に被着させることができるために薄膜堆積速度が速く、且つ、化学量論的に理論値に近い金属酸化物を効率良く作製することが可能になる。例文帳に追加

In this way, sputtering particles can be deposited on a substrate in a state close to a metal mode without complicating the apparatus constitution, thus metal oxide having a stoichiometric value close to the theoretical one can be efficiently produced at a high thin film deposition rate. - 特許庁

低い電気抵抗と耐熱性、耐食性、そして基板への密着性およびパタニング性を兼ね備えた電子部品用Ａｇ合金膜とそのＡｇ合金膜を形成するためのスパッタリングターゲット材および低消費電力な平面表示装置を提供する。例文帳に追加

To provide an Ag-alloy film for electronic parts which combines low electric resistance, heat resistance, corrosion resistance, adhesion to substrates, and pattering characteristics, a sputtering target material for depositing the Ag-alloy film, and a flat panel display device having low power consumption. - 特許庁

ハンドリング装置２０は、装着ヘッド２２によってディスク基板２をマスク部材１６，１７を介してホルダ部１３に装着させた後、クリーニングヘッド２３によってディスク基板２のエアーブローを行って付着したスパッタフレーク１９等を除去する。例文帳に追加

The handling device 20 mounts the disk substrates 2 by a mounting head 22 to holder sections 13 by means of the mask members 16 and 17 and removes the sputter flakes 19, etc., sticking to the disk substrates 2 by executing air flow to the disk substrates by a cleaning head 23. - 特許庁

光学的に透明な基台１上にスパッタ成膜装置等により光学的に不透明なＳｉ膜２を成膜した後、フォトリソグラフィー技術およびエッチング技術を用いて、所定の幅で光の通路となる部分のＳｉ膜２の一部を取り除き、スリット３を作製する。例文帳に追加

An optically opaque silicon film 2 is deposited on an optically transparent base substrate 1 using a sputter deposition apparatus or the like, and then a portion of the silicon film 2 serving as a passage of light is removed with the specified slit width using a photolithography technique and an etching technique so as to produce the slit 3. - 特許庁

成膜室の内部にマグネトロン磁場形成手段１２２を備えた円筒状ターゲット１２３と、該ターゲットの一方の開口部を塞ぐように設置されたアノード１２５と、を有し、前記円筒状ターゲットと対向する基板上に薄膜を堆積させるスパッタ装置を、つぎのように構成する。例文帳に追加

The sputtering apparatus has a cylindrical target 123 equipped with a magnetron magnetic field forming means 122 and an anode 125 provided so as to plug one opening part of the target at the inside of a film deposition chamber, and deposits the thin film on a substrate opposing to the cylindrical target 123. - 特許庁

このように、スパッタリング時のシリコン基板側に印加するバイアス電圧を０Ｖもしくは接地電位とすることにより、Ａｌ合金配線膜の膜応力の経時変化量を小さくすることができ、半導体装置の出力（オフセット）の経時変化を小さくすることができる。例文帳に追加

By setting the bias voltage applied to the silicon substrate side during sputtering to 0 V or ground potential, a change with the passage of time in the film stress of the Al alloy interconnection film can be reduced, and a change with the passage of time can be reduced in the output (offset) of the semiconductor device. - 特許庁

多孔体とこれを固定する治具との間の逆スパッタに起因する多孔体の表面の接触抵抗の上昇を防止することが可能な多孔体コーティング装置およびコーティング多孔体の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a porous coating device capable of preventing the increase of the contact resistance I on the surface of a porous body caused by reverse sputtering between the porous body and a tool for fixing the porous body, and to provide a method for producing a coated porous body. - 特許庁

対向ターゲット式スパッタ装置の相対する２個のターゲット５，６に組成の異なる化合物ターゲット用い、かつ基板ホルダー４をターゲットに対して垂直から平行まで左または右に様々な角度をつけることによって組成比を制御する。例文帳に追加

The composition ratio is controlled by using compound targets of different compositions for two facing targets 5, 6 of a facing target type sputtering apparatus, and arranging a substrate holder 4 at a diversified angle to the right or to the left from the vertical direction to the parallel direction with respect to the targets. - 特許庁

基板サイズの大型化に伴うターゲットサイズの大型化により問題となる膜厚と比抵抗の基板内分布で該特性の良好な薄膜を形成することを可能とするスパッタリング装置のマルチカソード構造を提供する。例文帳に追加

To provide a multicathode structure of a sputtering system capable of forming a thin film in which the distributions of film thickness and specific resistance in a substrate causing a problem by the enlargement of a target size accompanying the enlargement of a substrate size are satisfactory. - 特許庁

ＥＣＲスパッタ装置におけるターゲットにＳｉターゲット材２３を用い、流量が３０ｃｃ／ｍｉｎのアルゴンガス及び流量が４．５ｃｃ／ｍｉｎで堆積時よりも少量の酸素ガスを薄膜堆積室２２に導入しながらＥＣＲプラズマを生成する。例文帳に追加

With an Si target material 23 used as a target for an ECR sputter device, argon gas of flow rate 30 cc/min and an oxygen gas of flow rate 4.5 cc/min which is less than at deposition are introduced in a thin-film deposition chamber 22 for generating an ECR plasma. - 特許庁

口径、厚みを各種のコラムに対応でき、裏当て金をコラムに密着させるのに十分な押圧力を作用させることができると共に、設置が容易でスパッタの付着による動作不良も生じない裏当て金押さえ装置を提供する。例文帳に追加

To provide a device for supporting a backing metal, which device can make the diameter and thickness of the backing metal cope with various columns, and can apply a pushing force sufficient for bringing the backing metal into close contact with the columns, and can be easily mounted, and does not cause the defective operation due to the sticking of spatters. - 特許庁

このような構成にすることにより、フリッカを抑制できる高品質な表示を行うことができる液晶表示装置において、スパッタリングやフォトリソなどの工程数を少なくすることができ、かつ、不良の発生を抑制することができる。例文帳に追加

By constituting the display device as such, the number of processes such as spattering and photo lithography is reduced and generation of faults is suppressed in a liquid crystal display device by which high quality display in which flicker can be suppressed is performed. - 特許庁

複数の金属元素を含有する組成の導電性化合物からなる導電膜の成膜方法であって、複数のターゲット１〜４を使用可能な成膜装置１０を用いて、前記複数の金属元素のうち２種以上の金属元素を含有する第１のターゲットに対するスパッタリングと、前記複数の金属元素のうち１種の金属元素を含有する第２のターゲットに対するスパッタリングとを、繰り返し行う。例文帳に追加

The method for forming the conductive film comprising a conductive compound with a composition containing a plurality of metal elements includes repeatedly performing the sputtering to a first target containing two or more metal elements among the plurality of metal elements and the sputtering to a second target containing one metal element among the plurality of metal elements by using a film-forming apparatus 10 capable of using a plurality of targets 1 to 4. - 特許庁

高品質で光学特性の優れた多層構成の光学用薄膜をローコストで作成でき、スパッタリング成膜装置では、比較的安易には加工できない主に最終層で用いられるフッ化マグネシウム膜部分を真空蒸着装置で加工することができ、尚かつ連続成膜が可能な複合成膜装置の提供。例文帳に追加

To provide a composite film deposition system where a thin film for optical use with a multilayer constitution having high quality and excellent optical properties can be produced at a low cost, a magnesium fluoride film part used mainly in the final layer which can not relatively easily be worked by a sputtering film deposition device can be worked by a vacuum deposition device, and also, continuous film deposition is made possible. - 特許庁

絶縁膜による段差を有する半導体基板上を覆うＡｌ電極膜の厚さが、前記段差の２倍以上の厚膜とする場合であっても、前記絶縁膜段差の上方でＡｌ電極膜にボイドが形成され難くすることのできる半導体装置の製造方法および半導体装置製造用スパッタ装置を提供すること。例文帳に追加

To provide a method of manufacturing a semiconductor device, in which it is made hard to form a void in the Al electrode film above the insulating film step, even when an Al electrode film covering the semiconductor substrate having a step of an insulating film is more than twice as thick as the step, and to provide a sputtering apparatus for manufacturing the semiconductor device. - 特許庁

光又は熱を用いて信号を記録・再生する層を複数有する貼り合わせ多層構造型ディスク状光記録媒体の製造装置において、光透過層の厚さが均一であり、また気泡やしわの発生が極めて少なく、反射膜や記録膜を汎用のスパッタ装置で形成することができ、製造後のチルトの安定性が極めて高い製造装置を提供する。例文帳に追加

To provide a manufacturing machine of a multiplayer optical recording disk medium consisting of several signal recording/reproducing layers stacked by using light or heat, which can manufacture a disk having light transmissive layers of even thickness with less bubbles and wrinkles and form the reflector layers and recording layers using a general use sputtering machine and also with tilting stabilized after manufacturing. - 特許庁

本発明は、イオンビームを照射できるイオンビーム装置と、真空試料室内に配置されたプローブを駆動するプローブ制御装置と、を備えたプローブ装置において、プローブをイオンビームで加工するための領域を試料室内に設け、プローブのスパッタ粒子やプローブ近傍を通過したイオンビームを当該領域に捕捉させることに関する。例文帳に追加

In a probe device having an ion beam system for irradiating an ion beam, and a probe control device for driving the probe arranged in a vacuum sample chamber, a zone for processing the probe with ion beams is arranged in the sample chamber, and sputter particles of the probe and ion beams passing through in the vicinity of the probe are captured in the zone. - 特許庁

イオン交換膜２の両側に陽極側電極板１ｂ及び陰極側電極板１ａを接触させる水電解ガス発生装置において、イオン交換膜２表面に白金又はパラジウムをスパッタリングにてコートし、その上面に白金及びイリジウムの無電解メッキを施し、イオン交換膜と陰極側電極板間にカーボン粒３を密着保持させたことを特徴とする水電解ガス発生装置。例文帳に追加

In this case, the surface of the membrane 2 is coated with platinum or palladium by sputtering, the upper surface is electroless-plated with platinum and iridium, and a carbon grain 3 is firmly held between the membrane and cathode plate. - 特許庁

次に、シリコンターゲットが設けられたＥＣＲスパッタ装置内にバー状半導体レーザを設置し、装置内を真空引きした後、プラズマ室にアルゴンガスと窒素ガスとを混合したクリーニングガスを導入してＥＣＲプラズマを生成させ、所定の時間だけ前記劈開面の一方をプラズマに曝してクリーニングを行う。例文帳に追加

Then, the bar-shaped semiconductor laser device is arranged inside an ECR sputtering apparatus with a silicon target formed therein; and after the sputtering apparatus is evacuated, a cleaning gas which is a mixture of argon gas and nitrogen gas is introduced into the plasma chamber to have ECR plasma generated. - 特許庁

半導体材料に代表されるターゲット材と、前記ターゲット材と同じ材質の溶射物に被覆された部品を具備するスパッタリング装置を用いて、希ガスを含む雰囲気中で高周波電力を印加して、前記ターゲット材を用いて半導体層の成膜を行う発光装置の作製方法。例文帳に追加

There is provided a method of manufacturing the light emitting device for depositing a semiconductor layer by using a the target material representative of a semiconductor material and the sputtering apparatus having parts covered with the thermal spraying material with the same material as the target material, and applying high-frequency power by using the target material in an atmosphere containing rare gases. - 特許庁

カラーフィルタ基板の製造工程で発生した品質基準を満足しないガラス基板、あるいはスパッタリング装置のダミー基板の再生プロセスにおいて、透明電極処理に酸処理を用いずに、カラーフィルタを効率的に再生処理するガラス基板の再生装置及びこれを用いた再生方法を提供する。例文帳に追加

To provide a glass substrate regenerating apparatus for efficiently regenerating a color filter without using acid treatment for transparent electrode treatment in a regenerating process of a glass substrate which is produced in the manufacturing step of a color filter substrate but does not meet quality standards or a dummy substrate of a sputtering device, and to provide a regenerating method using the regenerating apparatus. - 特許庁

スパッタリング法を用いて基板に膜を成膜する成膜装置であって、前記基板に前記基板の外径よりも小さいビーム径を有するレーザー光を照射する照射手段と、前記レーザー光を前記基板の全面に走査させる走査手段とを有することを特徴とする成膜装置を提供する。例文帳に追加

The film-forming apparatus is directed at forming the film on a substrate by using a sputtering technique, and has: an irradiating means for irradiating the substrate with a laser beam having a smaller beam diameter than the external diameter of the substrate; and a scanning means for scanning the whole area of the substrate with the laser beam. - 特許庁

また本発明による有機エレクトロルミネッセンス素子の製造装置は、上部に保護層を形成すべき有機エレクトロルミネッセンス素子の上面に対して３０〜７０度の角度を成して配置され、各々交流電力の印加される保護層構成材質の二つのターゲットを備えたスパッタリング装置を有する。例文帳に追加

Furthermore, the organic electroluminescence element manufacturing device is arranged by forming an angle of 30 to 70 ° relative to the upper face of the organic electroluminescence element in which a protective layer should be formed on the upper part, and has a sputtering device provided with two targets of a protective layer constituent material impressed with alternating current power, respectively. - 特許庁

次に、シリコンターゲットが設けられたＥＣＲスパッタ装置内にバー状半導体レーザを設置し、装置内を真空引きした後、プラズマ室にアルゴンガスと窒素ガスとを混合したクリーニングガスを導入してＥＣＲプラズマを生成させ、所定の時間だけ前記劈開面の一方をプラズマに曝してクリーニングを行う。例文帳に追加

Then, the bar-shaped semiconductor laser is installed inside an ECR sputtering device provided with a silicon target, the inside of the device is evacuated, then a cleaning gas for which an argon gas and a nitrogen gas are mixed is introduced to a plasma chamber to generate ECR plasma, one of the cleavage planes is exposed to the plasma for prescribed time and cleaning is executed. - 特許庁

通過型であるインライン型のスパッタリング等の真空処理装置において、連続する基板に成膜する際に隣り合う基板間（先行する基板とその後方の基板の間）の距離はコンダクタンスに影響し、処理チャンバ内のガス圧に影響するため、隣り合う基板間の距離が均一になるような機構を具備し、その制御を可能にする真空処理装置を提供することにある。例文帳に追加

To provide a transit-type inline vacuum processing apparatus, such as a sputtering apparatus, which has a mechanism capable of uniforming the distance between adjacent substrates and can control the mechanism, since the distance between substrates (between a preceding substrate and a succeeding substrate) that are continuous and adjacent to each other when depositing, has the effect on the conductance and also the gas pressure in a process chamber. - 特許庁

ターゲットからの粒子の分布をより精密に測定することができ、測定値のシミュレーション関数としての適切な表現等による測定データ処理が可能となるスパッタシミュレーションのための膜厚分布関数の測定装置、及び該測定装置による測定データの処理方法等を提供する。例文帳に追加

To provide a device for measuring a film thickness distribution, which can more precisely measure a distribution of particles sputtered from a target, and can provide a distribution function for sputter simulation by processing the measured data into an appropriate expression as the simulation function of the measured values, and to provide a method for processing the measured data by the measuring device. - 特許庁

発光装置のマイクロキャビティ構造用の多層ミラーの形成方法であって、発光装置の透明基板上にバッファ層を形成する工程と、前記バッファ層上に異なる屈折率の複数の薄膜をスパッタリングし、多層ミラーとする工程とからなることを特徴とする上記方法、及びマイクロキャビティ構造用の多層ミラー。例文帳に追加

The forming method of the multi-layered mirror for the manufacture of a micro-cavity of a light emitting device comprises a process of forming the buffer layer on a transparent base plate of the light emitting device, and a process of forming the multi-layered mirror by sputtering a plurality of thin films having different refractive index from each other on the buffer layer. - 特許庁

基板１上に、第１透明電極層２と、光電変換層３と、第２透明電極層５と、金属膜からなる裏面電極層４と、が順に積層される光電変換装置１００の製造方法であって、水蒸気分圧を０．６％以下に制御した製膜室内で、スパッタリング法により第２透明電極層５を形成する光電変換装置１００の製造方法である。例文帳に追加

In the method of manufacturing a photoelectric conversion device 100 where a first transparent electrode layer 2, a photoelectric conversion layer 3, a second transparent electrode layer 5, and a back electrode layer 4 consisting of a metal film are laminated sequentially on a substrate 1, the second transparent electrode layer 5 is formed by sputtering in a film deposition chamber where the partial water vapor pressure is controlled below 0.6%. - 特許庁

第１電極を金属と酸化物導電体との積層構造とした場合に、酸化物導電体のスパッタリングターゲットに起因するパーティクルを低減し、金属と酸化物導電体との間で良好な通電特性を得ることができる表示装置の製造方法および表示装置を提供する。例文帳に追加

To provide a manufacturing method for a display unit, and a display unit, wherein particles arising due to a sputtering target of an oxide conductor are reduced to assure excellent conducting characteristics between a metal and an oxide conductor when a first electrode is of a laminated structure of the metal and the oxide conductor. - 特許庁

固体酸化物形燃料電池、水蒸気電解装置、水素分離装置、水素センサー等の電解質部材として適用可能な良好なプロトン導電性を有し且つ優れた耐久性を有する高密度焼結体、及び良好なプロトン導電性を有する薄膜電解質材料を形成するために利用し得るスパッタターゲットとして有用な焼結体を提供する。例文帳に追加

To provide a high-density sintered compact which is excellent in durability and has a high proton conductivity suitable as an electrolyte member of a solid oxide fuel cell, a water vapor electrolytic apparatus, a hydrogen separation apparatus, a hydrogen sensor, etc., and a sintered compact useful as a sputtering target for forming a thin-film electrolyte material having a high proton conductivity. - 特許庁

素子分離埋め込み酸化膜を有する半導体装置の製造方法において、シリコン半導体基板に分離溝を形成した後に、同一のプラズマＣＶＤ装置を用いて、処理条件（デポジション／スパッタリング比）を変更した複数回の連続した成膜処理を実行することにより、前記分離溝に埋め込み酸化膜を埋設する。例文帳に追加

In a manufacturing method for a semiconductor device having a device isolating embedded oxide film, after an isolating trench is formed in a silicon semiconductor substrate, the embedded oxide film is embedded using the same plasma CVD apparatus in the isolating trench, by executing successive film formation processings altering processing conditions (deposition/ sputtering ratio) plurality of times. - 特許庁