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「タングステン」に関連した英語例文の一覧と使い方(14ページ目) - Weblio英語例文検索


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Weblio 辞書 > 英和辞典・和英辞典 > タングステンの意味・解説 > タングステンに関連した英語例文

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タングステンを含む例文一覧と使い方

該当件数 : 3049



例文

粒径が2〜10nmのタングステンカーバイト微粒子を担体に担持させてなる。例文帳に追加

Tungsten carbide fine particles with a particle size of 2 to 10 nm are made carried by the carrier. - 特許庁

6価の状態を取り得る遷移金属として、タングステン(W)を用いることができる。例文帳に追加

As the transition metal capable of having the hexavalent state, tungsten (W) can be used. - 特許庁

タングステン以外の少なくとも1つの金属がナトリウムであるナノ材料組成物。例文帳に追加

In the nanomaterial composition, at least one metal other than tungsten is sodium, and furthermore the composition comprises a tungsten bronze. - 特許庁

結晶性の低い基板の表面に結晶配向した酸化タングステン薄膜を作製する方法例文帳に追加

METHOD FOR PRODUCING THIN FILM FORMED OF ORIENTED CRYSTAL OF TUNGSTEN OXIDE ON SURFACE OF SUBSTRATE HAVING LOW CRYSTALLINITY - 特許庁

例文

また外層は、炭化タングステン粒子を80重量%以上含有することを特徴とする。例文帳に追加

Furthermore, the outer layer contains tungsten carbide particles of80 wt.%. - 特許庁


例文

ブラウンガスの燃焼火炎を水中においてタングステン片に接触させる。例文帳に追加

Combination flame of a Brown's gas is brought into contact with tungsten chips under the water. - 特許庁

真密度の高い合金が得られるタングステン合金の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for producing a tungsten alloy capable of obtaining an alloy having a high true density. - 特許庁

タングステンと第IIIb族元素、第IVb族元素、第Vb族元素または酸素を除く第VIb族元素とからなるタングステン化合物およびタングステン金属からなる群から選ばれる少なくとも一種と過酸化水素とを反応せしめてなるタングステン酸化物触媒の存在下に、カルボニル化合物とアンモニアと過酸化水素を反応させることを特徴とするオキシム化合物の製造方法。例文帳に追加

The method for producing the oxime compound comprises carrying out a reaction between the carbonyl compound, ammonia and hydrogen peroxide in the presence of a tungsten oxide catalyst prepared by reaction of hydrogen peroxide with metallic tungsten and/or a tungsten compound made from tungsten and a group IIIb element, group IVb element, group Vb element or group VIb element except oxygen. - 特許庁

タングステンと第IIIb族元素、第IVb族元素、第Vb族元素または酸素を除く第VIb族元素とからなるタングステン化合物およびタングステン金属からなる群から選ばれる少なくとも一種と過酸化水素とを反応せしめてなるタングステン酸化物触媒の存在下に、三級アミンと過酸化水素とを反応させることを特徴とするN−オキシド類の製造方法。例文帳に追加

The method for producing the N-oxide comprises carrying out a reaction between the tertiary amine and hydrogen peroxide in the presence of a tungsten oxide catalyst prepared by reaction of hydrogen peroxide with metallic tungsten and/or a tungsten compound made from tungsten and a group IIIb element, group IVb element, group Vb element or group VIb element except oxygen. - 特許庁

例文

酸化タングステンナノ構造物とその複合体ならびにそれらの製造方法例文帳に追加

TUNGSTEN OXIDE NANO-STRUCTURE, ITS COMPOSITE BODY AND THEIR PRODUCING METHODS - 特許庁

例文

遮蔽体は、プラスチック成形体に、タングステン及び/又は鉛成形体を組みこむ。例文帳に追加

For the shield object, tungsten and/or a lead molding is incorporated into a plastic molding. - 特許庁

これにより、バリヤ層として十分に機能するタングステン膜を形成する。例文帳に追加

By this setup, a tungsten film functioning enough as a barrier layer can be formed. - 特許庁

タングステン(W)を含む構造体の製造方法および構造体の製造装置を提供する。例文帳に追加

To provide a method for manufacturing a structure containing tungsten (W), and to provide an apparatus for manufacturing the structure. - 特許庁

酸化タングステンナノシートは、2Dパイロクロア構造を有することを特徴とする。例文帳に追加

The tungsten oxide nanosheet has a 2D-pyrochlore structure. - 特許庁

柱状結晶部5、および本体部3はともにタングステンで構成されている。例文帳に追加

Both of a columnar crystal part 5 and a main body part 3 are made up of tungsten. - 特許庁

凝集性金属としては、鉄、銅、ニッケル、モリブデンおよびタングステンが挙げられる。例文帳に追加

Aggregating metals include iron, copper, nickel, molybdenum and tungsten. - 特許庁

金属層4は、ニッケル、クロム、タングステン及び真鍮から選択される1種又は2種以上を含む。例文帳に追加

The metal layer 4 contains one or more materials selected from nickel, chromium, tungsten, and brass. - 特許庁

タングステン又はモリブデンを含むヘテロポリ酸として12タングストリン酸が挙げられる。例文帳に追加

As the heteropolyacid including tungsten or molybdenum, 12-tungstophosphoric acid is cited. - 特許庁

レニウム入りのタングステンの特徴を生かしながら安価なハロゲンランプを実現する。例文帳に追加

To provide an inexpensive halogen lamp while utilizing characteristics of tungsten with rhenium. - 特許庁

第1金型は、タングステン基合金またはモリブデン基合金から形成される。例文帳に追加

The first die is formed of the tungsten-based alloy or the molybdenum-based alloy. - 特許庁

第2金型は、タングステン基合金またはモリブデン基合金から形成される。例文帳に追加

The second die is formed of the tungsten-based alloy or the molybdenum-based alloy. - 特許庁

抵抗発熱体層82は、例えば、モリブデン珪化物、タングステン珪化物等で形成される。例文帳に追加

The resistance heating element layer 82 is formed of a molybdenum silicide, a tungsten silicide or the like. - 特許庁

<100>方位単結晶タングステンロッド11aには、補助棒11b、11cが取り付けられている。例文帳に追加

Auxiliary rods 11b, 11c are attached to the <100> azimuth single crystalline tungsten rod 11. - 特許庁

その溶融物に炭化水素ガスをスパージングして炭化タングステンを形成する。例文帳に追加

A hydrocarbon gas is sparged to the molten material to form tungsten carbide. - 特許庁

含浸材は、タングステンまたはモリブデンより熱伝導性の高い金属材料からなる。例文帳に追加

The impregnating material is made of a metal material having higher thermal conductivity than tungsten or molybdenum. - 特許庁

電気ニッケル−タングステン合金めっき浴用のタングステンの補給液、特に、陽極として、不溶性陽極を単独で用いるか、或いは、不溶性陽極とニッケル陽極を用いる電気ニッケル−タングステン合金めっき方法において、従来の問題点を解消し得るタングステンの補給液を提供する例文帳に追加

To provide a tungsten replenishing liquid for nickel-tungsten alloy electroplating bath capable of solving the conventional problem in a method of nickel-tungsten alloy electroplating using, especially, as anode, an insoluble anode singly, or using the insoluble anode and a nickel anode. - 特許庁

その後、バルクタングステン充てん物を堆積させる前に、成膜された核生成層を処理する。例文帳に追加

Thereafter, the deposited nucleation layer is treated prior to depositing a bulk tungsten fill. - 特許庁

低温下でパルス核生成層プロセスを用いてタングステン核生成層を形成する。例文帳に追加

A tungsten nucleation layer is formed using a pulsed nucleation layer process at low temperature. - 特許庁

破壊用物質22はニトロメタンであり、金属細線24はタングステンにより形成される。例文帳に追加

The destruction material 22 is made of nitromethane, and the thin metallic wire 24 is made of tungsten. - 特許庁

優れた光触媒活性を発現しうる酸化タングステン光触媒体を提供する。例文帳に追加

To provide a tungsten oxide photocatalyst capable of exhibiting excellent photocatalytic activity. - 特許庁

ホール注入層3は酸化タングステン薄膜をスパッタ成膜して形成する。例文帳に追加

The hole injection layer 3 is formed by film-forming spatteringly a tungsten oxide thin film. - 特許庁

タングステンがドープされてなるタングステンドープ酸化チタン又はタングステンとガリウムとが共ドープされてなるタングステン・ガリウム共ドープ酸化チタンの表面に二価の銅塩及び/又は三価の鉄塩が担持されてなり、可視光活性を有する光触媒材料及びその製造方法である。例文帳に追加

There are provided the photocatalyst material having the visible light activity wherein a divalent copper salt and/or a trivalent iron salt are carried on the surface of a tungsten/gallium-codoped titanium oxide formed by codoping tungsten-doped titanium oxide formed by doping tungsten or by codoping tungsten and gallium, and the method for manufacturing the same. - 特許庁

高アスペクト比のフィーチャーをタングステン含有材料で充填する。例文帳に追加

To provide a method of filling a tungsten-containing material in a feature having a high aspect ratio. - 特許庁

本発明の酸化タングステン光触媒体は、酸化タングステン粒子に電子吸引性物質が担持されてなる酸化タングステン光触媒体であって、飛行時間型二次イオン質量分析(TOF−SIMS)により分析したときに、電子吸引性物質の二次イオン強度(M)と酸化タングステンの二次イオン強度(WO)との強度比(M/WO)が0.038〜0.050である、ことを特徴とする。例文帳に追加

The tungsten oxide photocatalyst is obtained by depositing an electron attracting substance on a tungsten oxide particle and has 0.038-0.050 strength ratio (M/WO) (wherein M is secondary ionic strength of the electron attracting substance; WO is that of tungsten oxide) when analyzed by time-of-flight secondary ion mass spectrometry (TOF-SIMS). - 特許庁

前記海島構造は、合成樹脂非相溶対により構成し、この合成樹脂非相溶対を成す一方をタングステン酸化物微粒子、及び/または、複合タングステン酸化物微粒子含有合成樹脂として、このタングステン微粒子含有合成樹脂と、前記合成樹脂非相溶対を成すもう一方の合成樹脂とを混合して、海成分または島成分のいずれか一方にタングステン微粒子を含有させる。例文帳に追加

The sea-island structure is composed of a synthetic resin immiscible pair, the one composing the synthetic resin immiscible pair is composed of the synthetic resin containing tungsten oxide fine particles and/or composite tungsten oxide fine particles, and the tungsten fine particle-containing synthetic resin is mixed with the other synthetic resin composing the synthetic resin immiscible pair, to include the tungsten fine particles into any one of the sea component or island component. - 特許庁

電界発光素子の発光材料として、タングステン配位化合物を用いる。例文帳に追加

A tungsten coordination compound is used as the luminescent material for the electroluminescenct device. - 特許庁

タングステン(W)による異常成膜の発生を抑制できる配線層形成方法を提供する。例文帳に追加

To realize a method for forming a wiring layer, which can suppress formation of an abnormal film caused by tungsten (W). - 特許庁

溶射用粉末は、タングステンカーバイドと金属との複合材であるサーメット、あるいは、タングステンカーバイドとタングステンカーバイド以外のセラミックスと金属との複合材であるサーメットからなり、一次粒子の平均粒子径が2.5μm以上5μm未満であるタングステンカーバイドを50重量%以上含有する。例文帳に追加

The powder for thermal spraying consists of cermet which is a composite material of tungsten carbide and metal or cermet which is a composite material of the tungsten carbide and the ceramic exclusive of the tungsten carbide and the metal and contains the tungsten carbide of2.5 to <5 μm in average particle size of the primary particles at ≥50wt%. - 特許庁

表面にタングステン等の金属膜を有する半導体基板の洗浄液を提供する。例文帳に追加

To provide a cleaning solution for cleaning a semiconductor substrate with a metal film of tungsten or the like formed on its surface. - 特許庁

第1の金属材料1におけるタングステンの割合を55wt%以上とする。例文帳に追加

The rate of the tungsten in the first metal material 1 is taken as 55 wt.% or more. - 特許庁

発明は更に低抵抗を有するタングステンフィルムの堆積方法に関する。例文帳に追加

Also provided are methods of depositing thin tungsten films having low-resistivity. - 特許庁

この治療装置は第一のタングステン標的を用いて治療用の高出力X線を生む。例文帳に追加

The therapeutic device uses a first tungsten target to generate therapeutic high output X-rays. - 特許庁

タングステン配線上部に第二の層間絶縁膜が成膜される前に、該タングステン配線成膜後の工程で負荷される最高温度C、すなわち600℃以上の熱履歴をあらかじめ施すことで、タングステン配線の内部に不安定な原子配列が形成されるのを防止し、タングステン配線の応力緩和と緻密化を図る。例文帳に追加

Before forming a second layer insulation film on the upper side of a tungsten wiring, the thermal budget at a maximum temperature C of 600°C or more to be loaded in process steps after forming the tungsten wiring film is applied beforehand, to avoid forming an unstable atomic configuration in the tungsten wiring, thereby relaxing the stress of the tungsten wiring and compacting it. - 特許庁

また、本発明のセラミックヒータの製造方法は、発熱抵抗体が、含有する酸素量が0.9質量%以下であり、焼成後、窒化珪素となる窒化珪素粉末と、焼成後、炭化タングステンとなる炭化タングステン粉末とを、該窒化珪素粉末と該炭化タングステン粉末との合計を100質量%とした場合に、炭化タングステン粉末が58〜73質量%含有するように混合し、その後、焼成する。例文帳に追加

Furthermore, in the manufacturing method of the ceramic heater, when the total of silicon nitride powders which become silicon nitride after calcination and tungsten carbide powders become tungsten carbide after calcination is made to be 100 wt.%, oxygen amount contained in the heating resistor is 0.9 wt.% or less, and tungsten carbide powders are mixed so as to contain 58 to 73 wt.% and calcined afterwards. - 特許庁

溶媒中に、タングステン酸化物微粒子、複合タングステン酸化物微粒子から選ばれる1種以上を含み、アクリル系高分子分散剤を添加した近赤外線吸収粘着体用分散液であって、タングステン酸化物微粒子、複合タングステン酸化物微粒子の平均分散粒径が800nm以下であることを特徴とする近赤外線吸収粘着体用分散液を提供する。例文帳に追加

A dispersion liquid for a near-infrared absorbing adhesive comprise a solvent and, dissolved therein, at least one selected from a tungsten oxide fine particle and a composite tungsten oxide fine particle and also an acrylic polymer dispersant, and is characterized in that it has an average dispersion particle diameter of the tungsten oxide fine particles and the composite tungsten oxide fine particles are not greater than 800 nm. - 特許庁

タングステンのエッチングを、SF_6に代えて、CF系のガスを用いて行う。例文帳に追加

At the time of etching the tungsten film, a CF-based gas is used instead of the SF6. - 特許庁

この反応は酸化還元反応であり、同一の反応炉内で行わせることでタングステンを反応に再利用できる。例文帳に追加

This is oxidation- reduction reaction. - 特許庁

次いで、ビット線16上にのみ所望の厚さのタングステン層18を形成する。例文帳に追加

Then, tungsten layers 18 each having a desired thickness are formed only on the bit lines 16. - 特許庁

これにより、バリヤ層として十分に機能するタングステン膜を形成する。例文帳に追加

This method allows to obtain a tungsten film fully functional as a barrier layer can be formed. - 特許庁

例文

半導体基材のタングステン膜を略常圧場においてプラズマエッチングする。例文帳に追加

To provide an atmospheric plasma etching method for tungsten by which a tungsten film of a semiconductor substrate can be etched with plasma under an almost atmospheric pressure field. - 特許庁

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