「タングステン」に関連した英語例文の一覧と使い方(17ページ目) - Weblio英語例文検索

チタン合金からなる部材と、タングステン，タングステン合金，鉄系金属及びチタン合金よりなる群から選ばれた１種の金属からなる部材とを強固に接合する方法を提供することを目的とする。例文帳に追加

To provide a method of joining a member consisting of a titanium alloy and a member consisting of one kind of metal selected from the group consisting of tungsten, a tungsten alloy, an iron based metal and a titanium alloy. - 特許庁

一例では、金属は、タングステンであることが好ましいが、その理由は、タングステンは、ｓ偏光状態とｐ偏光状態では、反射率の分布に大きな違いを呈示するからである。例文帳に追加

With an example preferably the metal is tungsten since tungsten shows large difference in distribution of reflectivity between in s-polarization state and p-polarization state. - 特許庁

また、金属ニッケルと金属タングステンの２つの可溶性陽極を併用し、めっき液中のニッケル成分とタングステン成分を析出量に応じて補給することにより、めっき液を老化させることなく連続めっきする。例文帳に追加

The nickel component and tungsten component in the plating liquid are replenished according to a deposition quantity by using the two soluble anodes of metal nickel and metal tungsten, by which the continuous plating is executed without aging the plating liquid. - 特許庁

油中の酸性、塩基性度に感応して電位差が変化する電極対において、基準電極をコバルトもしくはコバルト合金とし、これと組み合わせて使用する感応電極をタングステンもしくはタングステン合金とする。例文帳に追加

In the paired electrode which senses the acidity and basicity in oil in accordance with a potential difference changes, a reference electrode is made cobalt or a cobalt alloy, and a sensitive electrode combined therewith to be used is made of tungsten or a tungsten alloy. - 特許庁

垂直転送部４上に形成された転送電極６をタングステン膜９で埋め込みを行い、汎用のフォトリソグラフィー技術を用いてタングステン膜上にレジストパターンを形成する。例文帳に追加

A transfer electrode 6 formed on a vertical transfer 4 is embedded by a tungsten film 9, and then a resist pattern is formed on the tungsten film using general-purpose photolithography technology. - 特許庁

ＣＭＰ後などの洗浄時にタングステンプラグ１５表面が純水に接触しても、ダミーのタングステンプラグ１５Ｄによる多量の電子の供給源が確保される。例文帳に追加

Even if the tungsten plug 15 touches pure water during cleaning after CMP, a supply source of a large quantity of electrons is secured by the dummy tungsten plug 15D. - 特許庁

酸化タングステンまたは酸化タングステン複合材の微粒子を表面に具備し、長時間親水性を維持することにより、高い防曇性能を有する浴室用鏡を提供する。例文帳に追加

To provide a bathroom mirror having a high antifog performance by having fine particles of tungstic oxide or tungstic oxide composite material on its surface and retaining hydrophilicity for a long period of time. - 特許庁

その後、窒化チタン膜１１８及びタングステン膜１１９を堆積した後、ＣＭＰ法によりコンタクトホール１１７内にのみ窒化チタン膜１１８及びタングステン膜１１９を残す。例文帳に追加

Subsequently, a titanium nitride film 118 and a tungsten film 119 are deposited and left only in the contact hole 117 by CMP. - 特許庁

近赤外線遮蔽剤としてタングステン酸化物及び／又は複合タングステン酸化物、平均粒径０．１〜２０μｍの微粒子、及び粘着剤を含む粘着剤層を有することを特徴とするディスプレイ用光学フィルタ。例文帳に追加

An optical filter for a display comprises an adhesive layer containing: tungsten oxide and/or composite tungsten oxide as a near-infrared ray shielding agent; fine particles with an average particle diameter of 0.1 to 20 μm; and an adhesive. - 特許庁

ポリメタルゲート電極１０３は、下層のポリシリコン膜１０４と、窒化タングステン膜からなるバリアメタル層１０５と、タングステン膜からなる上層の金属膜１０６とからなる。例文帳に追加

The polymetal gate electrode 103 comprises: a polysilicon film 104 of a lower layer; a barrier metal layer 105 composed of a tungsten nitride film; and a metal film 106 of an upper layer composed of a tungsten film. - 特許庁

負極活物質中にタングステンを含み、負極活物質としてのＰｂ１００質量部につき、タングステンを０．００００５〜０．００８質量部含む鉛蓄電池を示す。例文帳に追加

The lead-acid storage battery contain tungsten in an anode active material by 0.00005 to 0.008 pts.mass to 100 pts.mass of Pb as the anode active material. - 特許庁

その他の金属として重量比で０〜５０％の銅を含み、重量比で０〜１０％の焼結助剤を含むタングステンの重量比とで１００％のタングステンと銅の複合体。例文帳に追加

Copper of 0-50% in weight percentage is contained as other metal and tungsten containing 0-10% in weight percentage a sintering aid forms a composite substance of 100 wt.% tungsten and copper. - 特許庁

本発明は、タングステンプラグ上に酸化膜を形成しても、タングステンプラグとメタル配線とのオーミック抵抗が大きくなることを防止することができる半導体装置の提供を目的とする。例文帳に追加

To provide a semiconductor device for preventing the ohmic resistance between a tungsten plug and metal wiring from increasing, even if an oxide film is formed on the tungsten plug. - 特許庁

続いて、スパッタリング法を用いて、ターゲットとして弗素の含有量が１０ｐｐｍ以下のタングステンを使用し、タングステン膜１４を形成する。例文帳に追加

Continuously, tungsten in which a content of fluorine is 10 ppm or less is used as a target by use of a sputtering method to form a tungsten film 14. - 特許庁

また、金属鉄と金属タングステンの２つの可溶性陽極を併用し、めっき液中の鉄成分とタングステン成分を析出量に応じて補給することにより、めっき液を老化させることなく連続めっきする。例文帳に追加

Further, the continuous plating is performed without aging the plating liquid by jointly using two soluble anodes of metal iron and metal tungsten and replenishing an iron component and a tungsten component in the plating liquid in accordance with their precipitation quantities. - 特許庁

高電圧電極１としてタングステンワイヤー（純度９９．９％、φ１ｍｍ）を用い、前処理として２〜４μｍのダイアモンド粉を用いてエタノール中でタングステン表面に傷を付けた。例文帳に追加

A tungsten wire (99.9% purity and 1 mmϕ) is used as the high voltage electrode 1 and is pretreated by scratching the surface of the tungsten using 2-4 μm diamond powder in ethanol. - 特許庁

タングステン（Ｗ）膜を含むゲート電極７Ａ、７Ｂ、７Ｃを形成し、続いて実質的にタングステン膜を酸化しない条件で再酸化処理を行う。例文帳に追加

Gate electrodes 7A, 7B, and 7C that include a tungsten (W) film are formed, followed by being subjected to re-oxidation a treatment on condition that the tungsten film is not practically oxidized. - 特許庁

その結果、導電性を有するバリアメタル膜１１を介してのみポリパッド電極７ａとタングステン膜１０とが接続されることになるため、ポリパッド電極７ａとタングステン膜１０との電気伝導は良好に行われる。例文帳に追加

Consequently, the polypad electrode 7a and tungsten film 10 are connected through only the bimetal film 11 which is conductive, so that satisfactory electrical conduction is obtained between the polypad electrode 7a and the tungsten film 10. - 特許庁

タングステン炭化物として遷移金属元素を強制固溶し、超硬合金原料に用いるのに適したタングステン合金炭化物粉末を提供する。例文帳に追加

To provide a tungsten alloy carbide powder as a tungsten carbide that includes a transition metal element forcibly dissolved as a solid solution, and is suitable as a material for cemented carbides. - 特許庁

本発明の金型補修用粉末は、タングステン焼結合金製金型の補修を行うのに用いる金型補修用粉末であって、液相線温度が１０００℃以上のＮｉ系粉末ロウにタングステン粉末を混合させてある。例文帳に追加

The die repair powder is used for the repair of a die made of tungsten sintered alloy and is obtained by mixing a tungsten powder in a Ni-based powder filler metal having a liquidus temperature of ≥1,000°C. - 特許庁

高融点金属であるタングステンに耐酸化性を有するように特性改善を行い、ランプ内に微量の酸素が存在する場合でも、その寿命を長くすることが出来るタングステン材料を提供すること。例文帳に追加

To provide a tungsten material whose service life can be elongated even if a trace amount of oxygen is present in a lamp by improving the properties of tungsten as a high melting point metal so that the tungsten has oxidation resistance. - 特許庁

金属バリア層と銅との間の密着促進剤として用いられる超薄膜タングステン金属膜および超薄膜タングステン金属膜を用いた基板に銅薄膜を密着させる方法例文帳に追加

ULTRA-THIN TUNGSTEN METAL FILM USED AS ADHERENCE PROMOTER BETWEEN METAL BARRIER LAYER AND COPPER, AND METHOD FOR CLOSELY ADHERING COPPER THIN FILM TO SUBSTRATE USING IT - 特許庁

コンタクトプラグ１１０上部に、タングステンのソースガスとしてＷＦ_6を用い，窒素のソースガスとしてＮＨ_3を用いた熱ＣＶＤ法により、窒化タングステンからなるバリア膜１１０ａを形成する。例文帳に追加

A barrier film 110a composed of tungsten nitride is formed on the upper part of the contact plug 110 by a thermal CVD method in which WF6 is used for source gas of tungsten and NH3 is used for source gas of nitrogen. - 特許庁

タングステンを固溶したインジウム酸化物を含有し、タングステンがインジウムに対する原子数比で０．００１以上０．０３４以下含まれ、密度が４．０ｇ／ｃｍ^3以上６．５ｇ／ｃｍ^3以下である酸化物焼結体とする。例文帳に追加

The oxide sintered compact contains an indium oxide formed by solutionizing tungsten, in which the tungsten is contained at ≥0.001 to ≤0.034 in the ratio of tungsten atoms to indium, and the density is ≥4.0 to ≤6.5 g/cm^3. - 特許庁

ポリカルボン酸を含有する水溶液からなる半導体装置用洗浄剤を使用することにより、タングステン配線形成後にタングステンおよび絶縁膜上に生じる微細な残渣物を完全に除去する。例文帳に追加

Use of a cleaning agent for a semiconductor device as an aqueous solution, containing polycarboxylic acid, which enables complete removal of fine residues generated on tungsten and insulation film, after the formation of tungsten wiring. - 特許庁

堆積されたタングステン粒子のうち急峻で突出している突起の頂点を選択的に除去することによって、除去処理は、凹状部分の側壁に沿ってタングステンを研磨することになる。例文帳に追加

By selectively removing sharp and protruding peaks of projections of the deposited tungsten grains, the removal operation polishes the tungsten along the recessed feature sidewall. - 特許庁

炭化タングステン粉末の製造方法は、タングステン粉末と、一次粒子径が0.1μm以下でかつ二次粒子径が5〜10μmの範囲の二次粒子を有する炭素粉末とを混合する工程を具備する。例文帳に追加

The method for manufacturing the tungsten carbide powder includes a process of mixing a tungsten powder and a carbon powder having secondary particles of ≤0.1 μm in primary particle diameter and having a range of 5 to 10 μm in secondary particle diameter. - 特許庁

タングステンを含む構成要素が設けられた基板におけるシリサイド形成工程で、タングステンの溶解を防止しつつ基板を確実に清浄化する。例文帳に追加

To prevent tungsten from being melted and surely clean a substrate in a silicide formation step for a substrate provided with elements which include a tungsten. - 特許庁

低圧放電灯の両電極１２１，１２２のうち、低電圧側の電極１２２をドープタングステン材とし、高電圧側の電極１２１をトリエーテッドタングステン材とした。例文帳に追加

In both electrodes 121,122 of a low-pressure discharge lamp, the electrode 122 on a low voltage side is made of a doped tungsten material and the electrode 121 on a high voltage side is made of a thoriated tungsten material. - 特許庁

発明者は、上記エッチングガスを用いて、タングステン層１７ａのエッチングを行うと、タングステン層１７ａのエッチングが基板垂直方向に進むと共に、基板水平方向にも進むことを見出した。例文帳に追加

When carrying out the etching of the tungsten layer 17a using the etching gas, the etching progresses in a vertical direction of the substrate and progresses in a horizontal direction of the substrate too. - 特許庁

半導体基板１上のゲート絶縁膜５上に、多結晶シリコン膜６、窒化タングステン膜７およびタングステン膜８を積層してパターニングすることにより、ゲート電極１０ａ，１０ｂ，１０ｃを形成する。例文帳に追加

A polycrystalline silicon film 6, a tungsten nitride film 7, and a tungsten film 8 are laminated on a gate insulating film 5 formed on a semiconductor substrate 1, and the laminate is patterned for the formation of gate electrodes 10a, 10b, 10c. - 特許庁

ダミーのタングステンプラグ１５Ｄは、タングステンプラグ１５から離れた補助パターン１１Ｓ上に複数設けられ、下層配線１１と結合されるが上層において電気的にはオープンになっている。例文帳に追加

A plurality of dummy tungsten plug 15D are provided on the auxiliary pattern 11S spaced apart from the tungsten plug 15 and connected with the lower layer wiring 11 but it is electrically open on the upper layer. - 特許庁

次に、逆スパッタエッチングを行わずに全面にタングステン層を形成し、容量形成領域にレジスト膜を形成し、これを用いてタングステン層のエッチングを行う。例文帳に追加

Then, a tungsten layer is formed over the entire surface without implementing the reverse sputter etching, and a resist film is formed in the capacitance formation region, which is used to etch the tungsten layer. - 特許庁

ガスフロースパッタリングにより、加熱基板１６上に成膜された光触媒酸化タングステン薄膜と成膜後に焼成されてなる酸化タングステン薄膜は、優れた可視光応答光触媒活性を示す。例文帳に追加

A photocatalytic tungsten oxide thin film deposited on a heated substrate 16 by gas flow sputtering and a tungsten oxide thin film fired after the film deposition exhibit excellent visible light response photocatalytic activity. - 特許庁

第１の金属材料１を、タングステン粒子を微量の添加物を加えて成型プレス、仮焼した後、タングステン粒子間の空隙に銅を溶浸して焼結合金とする。例文帳に追加

A first metal material 1 is made into a sintered alloy by infiltrating a cupper in the clearance between tungsten particles, after mold-pressing and false burning the tungsten particles while adding a very small quantity of additive. - 特許庁

鉄系金属とタングステン又はタングステン合金という接合が著しく困難な材料を強固に接合する方法を提供することを目的とするものである。例文帳に追加

To provide a method for strongly joining a ferrous metal and tungsten or a tungsten alloy which are extremely difficult to be joined to each other. - 特許庁

ビアホール内に十分なタングステン膜を形成し、もって製品の信頼性を向上するのに好適なタングステンプラグの形成方法を提供する。例文帳に追加

To provide a tungsten plug forming method by which the reliability of a tungsten plug can be improved ideally by forming sufficiently thick tungsten films in via holes. - 特許庁

成形金型等の材料として用いられるタングステンやタングステン基合金を効率的に振動切削加工するための切刃等を備えた切削工具を提供する。例文帳に追加

To provide a cutting tool with a cutting blade for efficient vibration cutting work of a tungsten or a tungsten base alloy to be used as a material for a mold. - 特許庁

酸化シリコン膜３の研磨速度に対してタングステン膜５ｂの研磨速度が速い第１研磨液を用いて、タングステン膜５ｂの研磨を酸化シリコン膜３が露出する前に終了する。例文帳に追加

The polishing of a tungsten film 5b is ended before a silicon oxide film 3 is exposed using a first polishing solution exhibiting a higher polishing rate for the tungsten film 5b than for the silicon oxide film 3. - 特許庁

ダミーのタングステンプラグ１５Ｄは、タングステンプラグ１５に隣り合うように設けられ、下層導電領域１１と結合されるが上層において電気的にはオープンになっている。例文帳に追加

The dummy tungsten plug 15D is provided contiguously to the tungsten plug 15 and connected with the lower layer conductive region 11 but it is electrically open on the upper layer. - 特許庁

絶縁膜に形成された孔に対するタングステン膜の埋め込み性を向上させ、タングステン膜の結晶粒を大きくすることができ、かつ生産性を向上させることができる半導体装置の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method of manufacturing a semiconductor device capable of improving the embedding quality of tungsten film for holes formed on an insulating film, broadening crystalline grains of the tungsten film, and improving the productivity. - 特許庁

加熱処理は、タングステン酸化合物と硫酸化合物等のタングステン酸化合物以外の化合物を混合して複合酸化物粒子に被着してから行う。例文帳に追加

Heat treatment is performed after the tungstic acid compound and the compound such as the sulfuric acid compound other than the tungstic acid compound are mixed and attached to the composite oxide particles. - 特許庁

１価金属のタングステン酸塩及び２価金属のタングステン酸塩よりなる群から選ばれる１種又は２種以上を有効成分とする重金属不溶化剤。例文帳に追加

The heavy metal insolubilizing agent contains one or two or more kinds selected from the group consisting of a tungstate of monovalent and a tungstate of divalent metal as an active ingredient. - 特許庁

隅肉部(3)は、電極(1)内のニッケル(Ni)と同一の金属から成る基材中に電極(1)のタングステン粒子(W)と同一の金属から成るタングステン粒子(W)を分散した金属組織構造を有する。例文帳に追加

The fillet portion (3) has a metal organizing structure wherein tungsten particles (W) comprising the same metal as the tungsten particles (W) of the electrode (1) are dispersed in a base material comprising the same metal as the nickel powder (Ni) contained inside the electrode (1). - 特許庁

面状発熱体１は、樹脂組成物と、導電体とから成り、導電体がタングステンまたはタングステン化合物である高分子抵抗体５で構成される。例文帳に追加

The planar heating element 1 is composed of a resin composition and a conductor, and the conductor is constructed of a polymer resistor 5 of tungsten or a tungsten compound. - 特許庁