「タングステン」に関連した英語例文の一覧と使い方(18ページ目) - Weblio英語例文検索

電極先端部１１は希土類金属を１種以上含む硼化物およびタングステンとの合金により形成され、電極基部１２は高融点金属である例えばタングステンで形成される。例文帳に追加

The electrode tip 11 is formed of an alloy of a boride containing one kind or more of a rare earth metal and tungsten, and the electrode base 12 is formed of, for example, tungsten being a high melting-point metal. - 特許庁

窒化タングステン膜（ＷＮ）上で物理的蒸着法（ＰＶＤ）でない化学気相蒸着法（ＣＶＤ）で形成されたタングステンをゲート電極で用いる高集積メモリ素子のゲート電極形成方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method of forming a gate electrode of a high-density integrated memory device formed on a tungsten nitride film (WN) by chemical vapor deposition rather than physical vapor deposition. - 特許庁

タングステン電極は、Ｓｉを５ｐｐｍ未満、Ｋを５〜２０ｐｐｍ、Ａｌを５〜２０ｐｐｍ含み、残部が実質的にタングステンからなり、密度が１９１００ｋｇ／ｍ^３以上である。例文帳に追加

The tungsten electrode contains less than 5 ppm of Si, 5-20 ppm of K and 5-20 ppm of Al, and residual parts are practically formed of tungsten, and the tungsten electrode has 19100 kg/cm^3 or more of density. - 特許庁

液の分解や基板の腐食が無く、低コストであって、かつタングステン系金属のエッチングレートの大きいエッチング液およびエッチングによるタングステン系金属の除去方法を提供する。例文帳に追加

To provide an etchant which is free of dissolution of liquid and the corrosion of a substrate, and low in cost and has a high etching rate for tungsten-based metal, and a removing method for the tungsten-based metal. - 特許庁

第２の過エッチングでは等方性エッチング特性が強い条件でエッチングし、タングステンプラグはエッチングされず、タングステン残留物を完全に除去する。例文帳に追加

In the second etching, etching is carried out under the condition where isotropic etching characteristics are strong, and the etching of the tungsten plug is not carried out so that tungsten residues can be completely removed. - 特許庁

当該エッチバック工程及びガス感受性層の形成工程を除いて、タングステンヒーター６を含む他のすべての層は、タングステン金属化を用いたＣＭＯＳプロセスが利用される。例文帳に追加

Except for the back-etch and the gas-sensitive layer formation, all other layers including the tungsten resistive heater 6, are made using a CMOS process employing tungsten metallization. - 特許庁

クロムめっき層の被覆厚は５〜１００μｍの範囲とし、ニッケル−タングステン合金めっき層の被覆厚は１０〜２００μｍの範囲とし、タングステン含有量を１０〜５０％の範囲とした。例文帳に追加

Coating thickness of the chromium plated layer is within the range of 5 to 100 μm, coating thickness of the nickel-tungsten alloy plated layer is within the range of 10 to 200 μm and content of tungsten is within the range of 10 to 50%. - 特許庁

他の成分を添加することなしに優れた焼結性を有し、電気伝導性と熱伝導性とが優れた放熱板用タングステン−銅系焼結合金製造のためのタングステン−銅系複合粉末の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method of producing tungsten-copper composite powder for producing a tungsten-copper sintered alloy for a heat-radiation material, which has excellent sinterability without the addition of other components, and has excellent electrical and thermal conductivity. - 特許庁

試料固定板１１０の主面である固定板主面１３０上には、ＴＥＭ試料１４０の観察面である試料観察面１５０がタングステン１６０により接着（タングステンデポジション）される。例文帳に追加

The observing sample-surface 150 of the TEM sample is adhered to the fixing plate main surface 130 of the sample fixing plate 110 by tungsten 160 (tungsten deposition). - 特許庁

同図（ｃ）に示す埋込み膜工程では、ＷＦ_6及びＨ_2の反応性ガスを供給し、タングステン埋込み膜群３をタングステン核形成膜群２の上に成膜する。例文帳に追加

In an embedding film process shown in Fig. 1 (c), a tungsten-embedding film group 3 is formed on the tungsten nucleus forming film group 2 by supplying reactive gas of WF6 and H2. - 特許庁

成膜材料収容部１０は、貫通孔１６を画成する部分の上部がタングステン材料で形成されるタングステン材料部１８であり、その他の部分が炭素材料で形成される炭素材料部２０である。例文帳に追加

In the film forming material housing part 10, the upper part of the part at which the through-hole 16 is formed is a tungsten material part 18 formed with a tungsten material and the other part is a carbon material part 20 formed with a carbon material. - 特許庁

ゲート酸化物層、ドープシリコン層、シリコンゲルマニウム層、窒化タングステン層、タングステン層から順番に形成された多層ゲート構造が記載されている。例文帳に追加

To provide a method of manufacturing a multilayered gate structure composed of a gate oxide layer, a doped silicon layer, a silicon germanium layer, a tungsten nitride layer, and a tungsten layer which are laminated in this sequence. - 特許庁

また、密着性を高め、靱性の高い長寿命のロータとするために、タングステンカーバイドを含有しない自溶合金とタングステンカーバイドを含有したサーメットの複層構造の溶射皮膜を形成するのが有効である。例文帳に追加

In order to obtain the rotor of high adhesion and toughness and of the prolonged service life, it is effective to form a thermal-sprayed coating of a composite-layer structure of the self-fluxing alloy containing no tungsten carbide and cermet containing tungsten carbide. - 特許庁

容易かつ低コストで、従来より高純度の六フッ化タングステンの製造が可能な高純度六フッ化タングステンの精製方法を提供すること。例文帳に追加

To provide a method for purifying high-purity tungsten hexafluoride at a low cost enabling the easy production of tungsten hexafluoride having a purity higher than the purity attainable by conventional method. - 特許庁

タングステンプラグの製造方法を提供し、タングステン層を更に堆積する時、フッ素イオンが下層の半導体基板等を侵蝕（attack）するのを防止する。例文帳に追加

To provide the method of manufacturing a tungsten plug and to prevent a semiconductor substrate, which is a layer under the plug, and the like from being attacked with fluorine ions when a tungsten layer is furthermore deposited in a contact hole. - 特許庁

これによって、その界面にひずみが発生してタングステン粒径が小さくなり、空孔を内包させる粒界長が増すことで、タングステン配線３０における断線を低減する。例文帳に追加

Consequently, since distortion occurs in the interface, the grain size of tungsten becomes smaller, and by making the grain boundary length which is made to include holes increase, breaking of the tungsten wire 30 is reduced. - 特許庁

高融点金属であるタングステンに耐酸化性を有するように特性改善を行い、例えば、ランプ内に微量の酸素が存在する場合でも、その寿命を長くすることが出来るタングステン合金を提供すること。例文帳に追加

To improve the properties of a tungsten alloy being a high-melting metal so as to give oxidation resistance thereto and provide, for example, a prolonged life to a lamp even when it contains a trace amount of oxygen. - 特許庁

その後、第１研磨液と、タングステン膜５ｂの研磨速度に対して酸化シリコン膜３の研磨速度が速い第２研磨液とを混合した第３研磨液を用いて、残りのタングステン膜と酸化シリコン膜の一部を研磨する。例文帳に追加

Subsequently, the remaining tungsten film and a portion of the silicon oxide film are polished using a third polishing solution generated by mixing the first polishing solution and a second polishing solution exhibiting higher polishing rate for the silicon oxide film 3 than for the tungsten film 5b. - 特許庁

また、まず複合酸化物粒子に硫酸化合物等のタングステン酸化合物以外の化合物を被着させて加熱処理し、その後にタングステン酸化合物を被着させて加熱処理するようにしてもよい。例文帳に追加

Alternatively, the compound such as the sulfuric acid compound other than the tungstic acid compound may be first attached to the composite oxide particles and heat-treated, and then the tungstic acid compound may be attached and heat-treated. - 特許庁

さらに、タングステンブロンズを含むナノ材料組成物であり、ナノ粒子を含むタングステンを試薬と反応させることによって調製される、ナノ材料組成物。例文帳に追加

The nanomaterial composition is prepared by reacting tungsten comprising nanoparticles with a reagent. - 特許庁

ダマシン構造の金属配線形成において、バリアメタル膜形成工程を省略し、タングステンのグレインサイズを大きくし、電気抵抗の低いタングステン配線を形成する方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for forming a tungsten wiring having low electric resistance by omitting a process of forming a barrier metal film and increasing a grain size of tungsten, in forming a metal wiring of a damascene structure. - 特許庁

エッチバック法によるタングステン配線形成後にタングステンおよび絶縁膜上に生じる微細な残渣物を完全に除去でき、また、安全で環境面でも優れた半導体装置用洗浄剤を提供すること。例文帳に追加

To provide a cleaning agent for a semiconductor device which can completely remove fine residues, generated on tungsten and insulating film after the formation of a tungsten wiring by an etch-back method, and to provide a safe and superior environment. - 特許庁

銅−炭化タングステン複合材料中の炭化タングステン強化材の含有率が３０〜８０％の範囲となるようにして電気接点材料を構成する。例文帳に追加

In the electric contact material, the content of a tungsten carbide reinforcing material in a tungsten carbide/copper composite material ranges from 30 to 80%. - 特許庁

接続孔内にタングステンプラグを埋め込む際、タングステン膜を堆積した後のエッチバック工程でＴｉＮ膜が抜けてしまうことを抑制できる半導体装置の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for manufacturing a semiconductor device which can suppress missing of a TiN film in an etch-back step after deposition of a tungsten film when a tungsten plug is buried into a connection hole. - 特許庁

下層に存在する酸化膜とタングステン、或いはタングステンシリサイドのエッチング速度の選択比を大きくしたプラズマエッチング方法を提供する。例文帳に追加

To provide a plasma etching method which is capable of increasing an etching rate selection ratio between an oxide film as a lower layer and a tungsten film or a tungsten silicide film. - 特許庁

タングステンカーバイド溶射が表面に施されており、該タングステンカーバイド溶射が施された表面がバーチカル研磨仕上げされている、光学用フィルムの成形用冷却ロール。例文帳に追加

In this cooling roll for the molding of the optical film, a tungsten carbide spray coating is applied on the surface, and the surface on which the tungsten carbide spray coating has been applied is finished by vertical polishing. - 特許庁

酸化タングステンまたは酸化タングステン複合材の微粒子を庫内表面に具備し、長時間親水性を維持することにより、高い防曇性能を有する加熱保温用ショーケースを提供する。例文帳に追加

To provide a showcase for heating and warming, which has a high antifog performance by providing a chamber having fine particles of tungstic oxide or tungstic oxide composite material on its inner surface, and retains hydrophilicity for a long period of time. - 特許庁

局所ヒータ４２は、パッケージ体４４の面上に作り込まれている微細タングステン線を発熱体とするヒータであって、タングステン線４６は、幅Ｗが０．１ｍｍ、厚みが１５μｍである。例文帳に追加

The local heaters 42 are each equipped with a fine tungsten wire 46 as a heater built on the surface of the package 44, and the tungsten wire 46 is 0.1 mm wide and 15 μm thick. - 特許庁

酸化タングステンまたは酸化タングステン複合材の微粒子を表面に具備し、長時間親水性を維持することにより、高い防曇性能を有する自動車用ドアミラーを提供する。例文帳に追加

To provide a door mirror for an automobile provided with a fine particle of tungsten oxide or a tungsten oxide composite material on a surface and having high anti-fogging performance by maintaining hydrophilic property for a long period of time. - 特許庁

日射遮蔽体形成用タングステン酸化物微粒子の製造方法、日射遮蔽体形成用タングステン酸化物微粒子および日射遮蔽体形成用分散液並びに日射遮蔽体例文帳に追加

METHOD FOR PRODUCING TUNGSTEN OXIDE FINE PARTICLE FOR FORMING SOLAR RADIATION SHIELDING MATERIAL, TUNGSTEN OXIDE FINE PARTICLE FOR FORMING SOLAR RADIATION SHIELDING MATERIAL, DISPERSION FOR FORMING SOLAR RADIATION SHIELDING MATERIAL, AND SOLAR RADIATION SHIELDING MATERIAL - 特許庁

タングステン棒・板ヒータ又はタングステン網ヒータよりも安価に且つ供給でき、さらに、網ヒータにおいては、炉内温度の等温化を損なわないという利点を備えた加熱高温炉用ヒータを提供すること。例文帳に追加

To provide a heating high temperature furnace heater that can be supplied at a lower cost than the tungsten bar/plate heater or tungsten net heater and, in the case of net heater, has an advantage that it does not damage equalized temperature inside the furnace. - 特許庁

タングステンコンタクトプラグを形成する時、発生されるバリヤメタルの浮く現象及びこれによる火山現象を防止する半導体装置のタングステンコンタクトプラグの形成方法を提供する。例文帳に追加

To provide the forming method of the tungsten contact plug of a semiconductor device, which prevents the floating phenomenon of a barrier metal and a volcano phenomenon due to this floating phenomenon, which are generated when the plug is formed. - 特許庁

これにより、タングステン層１８が第１窒化膜１９及び第２窒化膜２０で覆われることになり、この後に行われる熱処理や薬液処理からタングステン層１８を保護することができる。例文帳に追加

Thereby, the tungsten layers 18 are resultantly covered with the first nitride films 19 and the second nitride films 20, and the tungsten layers 18 can be protected from a heat treatment and a chemical treatment which are executed thereafter. - 特許庁

第１のタングステン膜１５を形成する際に、第１のタングステン膜１５におけるコンタクトホール１２ａの底面上に形成されている部分の結晶粒の粒径の平均値を３０ｎｍ以下に抑制する。例文帳に追加

In forming the first tungsten film 15, the mean value of the grain diameter of a crystal grain at the part formed on the bottom surface of the contact hole 12a in the first tungsten film 15 is suppressed to 30 nm or smaller. - 特許庁

本態様にかかる抗ウイルス性を有するカーテンは酸化タングステン微粒子および酸化タングステン複合材微粒子から選ばれる少なくとも１種の微粒子を具備する。例文帳に追加

The curtain with high antivirus property includes at least one kind of particulates to be selected from tungstic oxide particulates and tungstic oxide composite material particulates. - 特許庁

不純物を除去することにより高純度のタングステン酸アンモニウム水溶液を製造することができるタングステン酸アンモニウム水溶液の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for producing an ammonium tungstate aqueous solution by which an ammonium tungstate aqueous solution of high purity can be produced by removing impurities. - 特許庁

導電性の高いタングステン酸化物または／および複合タングステン酸化物を含んでなる導電性微粒子、並びにその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide conductive particulates which contain tungsten oxide or/and a compound tungsten oxide with high conductivity, and to provide a manufacturing method thereof. - 特許庁

タングステン電極１を構成するタングステン焼結体において、ホウ化ランタンの含有量は０．４〜４質量％の範囲であることが好ましい。例文帳に追加

It is preferable that the content of lanthanum boride lie in a range of 0.4 and 4 mass%, in a tungsten sintered object constituting the tungsten electrode 1. - 特許庁

複合部材１１は、タングステンまたはモリブデンからなる多孔質体と、多孔質体に含浸されているとともにタングステンまたはモリブデンより熱伝導性の高い金属材料からなる含浸材とを含んでいる。例文帳に追加

The composite member 11 includes: a porous body made of tungsten or molybdenum; and an impregnating material with which the porous body is impregnated and which is made of a metal material having higher thermal conductivity than tungsten or molybdenum. - 特許庁

有機アミン（Ａ）、第4級アンモニウムヒドロキシド（Ｂ）、キレート剤（Ｃ）および水（Ｗ）を必須成分とし、ｐHが７．０〜１４．０であることを特徴とするタングステンおよびタングステン合金配線半導体用洗浄剤を用いる。例文帳に追加

The cleaning agent for a semiconductor provided with tungsten and tungsten alloy wiring contains organic amine (A), quaternary ammonium hydroxide (B), a chelating agent (C), and water (W) as essential ingredients, and its pH is 7.0-14.0. - 特許庁

１ｍａｓｓｐｐｍ以上、１００ｍａｓｓｐｐｍ以下のタングステンを必須成分として含有し、タングステン及びガス成分を除く純度が９９．９９８％以上であることを特徴とするタンタルスパッタリングターゲット。例文帳に追加

The sputtering target of tantalum includes 1-100 mass ppm tungsten as an indispensable component and has a purity of 99.998% or more when tungsten and a gas component are excluded. - 特許庁

本発明の電極は、タングステンのフィラメント２と、タングステンよりも抵抗値の高い高融点金属材料のフィラメント３とを、互いにねじり合わせた線材１が、素線フィラメントとして構成されている。例文帳に追加

The electrode includes, as a strand filament, a wire 1 formed by mutually twisting together a tungsten filament 2 and a filament 3 formed of a high melting point metal material having a higher resistance value than tungsten. - 特許庁

第２遮蔽体３２はタングステン遮蔽筐体５１ａおよびタングステン遮蔽蓋体５１ｂと、銅遮蔽筐体５２ａおよび銅遮蔽蓋体５２ｂと、樹脂遮蔽筐体５３ａおよび樹脂遮蔽蓋体５３ｂとを備える。例文帳に追加

The second shield 32 includes a tungsten shielding enclosure 51a, a tungsten shielding lid 51b, a copper shielding enclosure 52a, a copper shielding lid 52b, a resin shielding enclosure 53a and a resin shielding lid 53b. - 特許庁

スパッタリング法を用いて形成されるタングステン膜の比抵抗を低下させることができる成膜方法及びこの成膜方法の実施に用いられるタングステンターゲットを提供する。例文帳に追加

To provide a film deposition method capable of reducing a resistivity of a tungsten film deposited by using a sputtering method and to provide a tungsten target used for the film deposition method. - 特許庁

複合タングステン酸化物を含んでなる導電性粒子をより低温で生成させる製造方法と、複合タングステン酸化物を含んでなる導電性粒子を提供する。例文帳に追加

To provide a manufacturing method which forms conductive particulates composed by containing complex tungsten oxide in lower temperatures, and to provide the conductive particulates composed by containing the complex tungsten oxide. - 特許庁