「フレッシュ」に関連した英語例文の一覧と使い方(6ページ目)

スクリーンリフレッシュ動作を行うフレームバッファ領域４０とDRAMリフレッシュ動作を行うDRAMリフレッシュデータ貯蔵領域４２に分離されたメモリセルアレイ５０を具備したグラフィックメモリ装置のリフレッシュ制御方法であって、DRAMリフレッシュ制御信号ＲＥＦに応じてフレームバッファ領域４０を除いたDRAMリフレッシュデータ貯蔵領域４２のメモリセルアレイをリフレッシュする。例文帳に追加

In this refresh control method of a graphics memory provided with a memory cell array 50 which is separated into a frame buffer area 40 performing a screen refresh operation and a DRAM refresh data storage area 42 performing a DRAM refresh operation, the memory array of the DRAM refresh data storage area 42 other than the frame buffer area 40 is refreshed in accordance with a DRAM refresh control signal REF. - 特許庁

動画像送信装置６１に、動画像受信装置からのリフレッシュ指示に基づいてリフレッシュ周期が短くなるように制御するリフレッシュ制御部２０３と、短くなった後の最初のリフレッシュ周期の後尾画像を特定できるリフレッシュ情報を生成するリフレッシュ情報生成部２０４と、リフレッシュ情報を動画像に多重する多重部２０５とを備える。例文帳に追加

A moving image transmitter 61 is provided with a refresh control part 203 for controlling a refreshing period to be shorten based on refreshing instruction from the moving image receiver, a refresh information generation part 204 for generating refresh information by which the end image of the first refreshing period after becoming short can be specified, and a multiplexing part 205 for multiplexing the refresh information to a moving image. - 特許庁

このように、本発明によれば、オートリフレッシュモードによるリフレッシュ周期とセルフリフレッシュモードによるリフレッシュ周期をそれぞれ独立に制御可能であることから、各モードにおける特性を考慮したリフレッシュ動作を行うことが可能となる。例文帳に追加

In this way, the refresh cycle according to the auto-refresh mode and the refresh cycle according to the self-refresh mode can be controlled independently, the refresh operation considering characteristic of each mode can therefore be executed. - 特許庁

リフレッシュアドレス発生回路（２０ｂ、８６，８８）は、動作モード指示信号がリフレッシュモードを指定するとき、リフレッシュ領域指定アドレスが指定する領域内のメモリセルのリフレッシュを行なうようにリフレッシュアドレスを発生する。例文帳に追加

A refresh address generation circuit (20b, 86 and 88) generates a refresh address so as to refresh a memory cell in the region specified by the refresh region specification address, when the operation mode specification signal specifies the refresh mode. - 特許庁

外部から供給されるリフレッシュコマンドＲＥＦに応答してリフレッシュ実行信号ＩＲＥＦを生成するリフレッシュ制御回路１２と、リフレッシュ実行信号ＩＲＥＦの活性化に応答してカウント動作を行うリフレッシュアドレスカウンタ１６とを備える。例文帳に追加

The semiconductor device includes: a refresh control circuit 12 for generating a refresh execution signal IREF in response to a refresh command REF supplied from the outside, and a refresh address counter 16 for executing a counting operation in response to activation of the refresh execution signal IREF. - 特許庁

リフレッシュの必要なメモリ回路１２を内部に備えたＳ−ＤＲＡＭ等の半導体メモリは、自身をリフレッシュするためのリフレッシュコントローラ１０２をデバイス内に備えており、外部からの指示なしにメモリ回路１２をリフレッシュするオートリフレッシュ機能を有する。例文帳に追加

A semiconductor memory 101 of S-DRAM and the like provided with a memory circuit 12 required for refreshing inside is provided with a refreshing controller 102 for refreshing itself in a device, and has an auto- refreshing function refreshing the memory circuit 12 without external indication. - 特許庁

リフレッシュは、リフレッシュの対象となるメモリセルからデータを読み出し、リフレッシュ対象メモリセルのデータを一時記憶するリフレッシュ用データ記憶部に記憶し、その後、リフレッシュ対象メモリセルのデータを消去する。例文帳に追加

In refreshing, a data is read out from a memory cell to be refreshed, it is stored in a data storing section for refreshing temporarily storing data of a memory cell to be refreshed, after that, the data of a memory cell to be refreshed is erased. - 特許庁

即リフレッシュを命令する信号がプロセッサ１０１から出力された場合、リフレッシュインターバルカウント部２０２は、リフレッシュインターバルパラメータを所定の値に戻して、リフレッシュ要求をリフレッシュ要求検出部２０３に出力する。例文帳に追加

When a signal instructing for refreshing is outputted from a processor 101, a refresh-interval counting section 202 restores the refresh-interval parameter to a prescribed value, and outputs refresh-request to a refresh request detecting section 203. - 特許庁

本発明は、DRAMのリフレッシュ制御方式において、セルフリフレッシュサイクルに入る直前と、抜けた直後に全メモリロウアドレスをリフレッシュするためのＣＢＲリフレッシュサイクルを省略するリフレッシュ制御方式を提供することを目的とする。例文帳に追加

To provide a refresh control method for addreviating a CBR refresh cycle for refreshing all memory row addresses immediately before entering a self refresh cycle and immediate after leaving from it in the refresh control method of a DRAM. - 特許庁

複数のメモリセルブロック２０７_1〜２０７_4毎にメモリセルを順次リフレッシュし、リフレッシュ欠陥メモリセルが存在する場合には、リフレッシュ欠陥メモリセルと同一のローアドレスを有する他のメモリセルブロックのメモリセルをリフレッシュする時にリフレッシュ欠陥メモリセルも共にリフレッシュする。例文帳に追加

A memory cell is refreshed successively for each of a plurality of memory cell blocks 2071-2074, and a refresh defect memory cell is also refreshed when the memory cell of the other memory cell blocks with the same row address as the refresh defect memory cell is to be refreshed when the refresh defect memory cell exists. - 特許庁

リフレッシュ動作を行うことを示すリフレッシュコマンドの発行を検出し、リフレッシュ検出信号を生成する、リフレッシュコマンド検出回路と、前記リフレッシュ検出信号に基づいて、リフレッシュ動作時に駆動される複数の昇圧回路の動作を制御するための制御信号群を生成する、台数決定回路とを具備する。例文帳に追加

A semiconductor integrated circuit device includes a control circuit for booster circuit that comprises: a refresh command detection circuit for detecting an issue of a refresh command showing the performance of a refresh operation and generating a refresh detection signal; and a circuit number determination circuit for generating a group of control signals for controlling operation of multiple booster circuits driven during the refresh operation based on the refresh detection signal. - 特許庁