「プラズマ電子密度」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

これにより，高周波アンテナ１０６により形成された誘導結合プラズマの電子をプラズマ生成空間内に閉じ込めることができるので，プラズマの電子温度の上昇を抑えながら，プラズマ電子密度を高めることができる。例文帳に追加

Accordingly, it is possible to keep the electrons of inductively coupled plasma formed by the high-frequency antenna 106 to be confined inside the plasma-generating space, thereby increasing the plasma electron concentration, while suppressing the rise in the plasma electron temperature. - 特許庁

この高密度電子空間に反応ガスを噴出させることで高密度のプラズマを生成する。例文帳に追加

Injection of a reaction gas into the dense electron space produces dense plasma. - 特許庁

プラズマ１３中の電子を酸素ガスが吸着して自ら負イオンとなり、プラズマ１３中の電子密度を下げる作用をする。例文帳に追加

The oxygen gas adsorbs electrons within the plasma 13, so that the oxygen gas itself becomes negative ions, and these negative ions act to decrease the electron density within the plasma 13. - 特許庁

プラズマの電子温度や電子密度を正確に測定することができるプラズマ測定装置などを提供する。例文帳に追加

To provide a plasma measuring device or the like capable of precisely measuring electron temperature or electron density of plasma. - 特許庁

プロセスプラズマにおいても簡便に電子密度および電子温度の計測が可能なプラズマ計測方法および装置を提供する。例文帳に追加

To provide a plasma measuring method and a device thereof capable of measuring electron density and electron temperature simply even in process plasma. - 特許庁

放電プラズマの電子密度を向上させ、電子温度を低減させるような放電プラズマ発生方法を提供すること。例文帳に追加

To provide a discharge plasma generation method capable of lowering electron temperature by improving electron density of discharge plasma. - 特許庁

マグネトロン３２は２２ＭＨｚ付近のプラズマ波を発生させ、プラズマ波は１ｅＶから２０ｅＶのプラズマの電子と相互作用して、プラズマ密度を向上する。例文帳に追加

The magnetron 32 generates plasma waves in the vicinity of 22 MHz, and the plasma waves interact with the electrons of plasma of 1 to 20 eV to improve plasma density. - 特許庁

このようにして得られたマイクロ波でプラズマを生成すると、マイクロ波からプラズマへのエネルギー供給が停止されたときに、高いプラズマ密度を維持しつつプラズマの電子温度が低下する。例文帳に追加

If plasma is produced by a microwave obtained this way, when energy supply form the microwave to the plasma is stopped, the electron temperature of the plasma falls while maintaining high plasma density. - 特許庁

プラズマにより生じる汚れが付着しても精度良くプラズマ密度、電子温度及びプラズマポテンシャルのプラズマパラメータを測定できるようにする。例文帳に追加

To provide a plasma measuring device capable of measuring a plasma density, an electron temperature, and a plasma parameter of plasma potential with high accuracy even when the contamination caused by plasma is deposited thereon. - 特許庁

急激に低下する密度転移を使用するプラズマ航跡場における背景プラズマ電子の捕捉及び加速方法例文帳に追加

CAPTURE AND ACCELERATION METHOD OF BACKGROUND PLASMA ELECTRON IN PLASMA WAKE USING RAPIDLY DECREASING DENSITY TRANSITION - 特許庁

プラズマの電子温度をさらに低くし、しかも高いプラズマ密度を維持することが可能なマグネトロン電源装置を提供する。例文帳に追加

To provide a magnetron power supply device capable of making an electron temperature of plasma lower, and yet maintaining high plasma density. - 特許庁

低下する密度転移を使用してプラズマ航跡場における背景プラズマ電子を捕捉及び加速する方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method of capturing and accelerating background plasma electrons in a plasma wake using decreasing density transition. - 特許庁

多数の放出孔３６から電子線が照射されるので、プラズマ拡張室１６内部のプラズマ密度を低くすることができる。例文帳に追加

Since electron beams are irradiated from a large number of emitting holes 36, plasma density inside the plasma expansion chamber 16 can be made small. - 特許庁

電子密度分布を均一に制御し、プラズマ処理を被処理体に施すことができるプラズマ処理装置を提供する。例文帳に追加

To provide a plasma processing apparatus capable of performing plasma processing on a workpiece by uniformly controlling an electron density distribution. - 特許庁

電子密度に基づいたプラズマの周波数を電磁波の送受信構造として分析し、プラズマの当該電子密度を測定およびモニタリングするアンテナ構造の周波数探針器を有する構造のプラズマ電子密度測定およびモニタリング装置を提供する。例文帳に追加

To provide a plasma electron density measuring and monitoring device having a frequency probe in an antenna structure for analyzing plasma frequency based on an electron density as a transceiving structure of an electromagnetic wave to measure and monitor the electron density of the plasma. - 特許庁

低圧雰囲気においても，プラズマの電子温度の上昇を抑えつつ，プラズマ電子密度の均一性を制御し，被処理基板へのダメージのない，均一なプラズマ処理を行う。例文帳に追加

To execute uniform plasma processing, without damage to a substrate to be processed by controlling the uniformity of a plasma electron concentration, while suppressing the rise in plasma electron temperature, even under a low-pressure atmosphere. - 特許庁

これにより、プラズマの電子密度ｎ_e及び電子温度Ｔ_eの共振周波数依存性から当該プラズマの電子密度ｎ_e及び電子温度Ｔ_eを算出することができる。例文帳に追加

Consequently, electron density n_e and electron temperature T_e of the plasma can be calculated from resonance frequency dependency of the electron density n_e and the electron temperature T_e of the plasma. - 特許庁

プラズマの電子密度及び電子温度を正確に測定し、リアルタイムモニタリングでき、量産工程に適した、プラズマ電子密度及び電子温度のモニタリング装置並びに方法を提供すること。例文帳に追加

To provide a monitoring device and method of plasma electron density and electron temperature capable of measuring correctly and monitoring in real time the electron density and electron temperature of plasma, and suitable for a mass-production process. - 特許庁

これにより、プラズマの電子密度ｎ_e及び電子温度Ｔ_eの共振周波数依存性から当該プラズマの電子密度ｎ_e及び電子温度Ｔ_eを算出することができる。例文帳に追加

This allows to calculate the electron density n_e and the electron temperature T_e of the plasma from the resonance frequency dependence of the electron density n_e and the electron temperature T_e of the plasma. - 特許庁

プラズマ航跡波が密度転移を通過する時、波長が突然増加するので、いくつかの背景プラズマ電子が、航跡場の加速相の中に注入され、強いプラズマ航跡場によって捕捉及び加速される。例文帳に追加

When a plasma wake wave passes through the density transition, its wavelength suddenly increases, so that, some background plasma electrons are put in a acceleration phase of the wake, they are captured and accelerated by a strong plasma wake. - 特許庁

成膜などを行うプラズマ処理装置において、容器内で発生するプラズマの上下位置での分布電子密度が変化して均一処理ができなくなるのを防止したプラズマ処理装置を提供する。例文帳に追加

To provide a plasma processor which prevents plasma from becoming incapable of being equalized due to the change of density of distributed electrons in the position above or below the plasma generated within a container, in a plasma processor which performs deposition. - 特許庁

パルス方式の電子ビームによる非平衡プラズマにより高密度ラジカルが生成でき、プラズマ反応におけるエネルギー損失が小さく、かつ、小型、高効率なプラズマ反応装置を提供する。例文帳に追加

To provide a plasma reactor which can produce a high-density radical by a non-equilibrium plasma due to an electron beam of a pulse method, has a low energy loss in a plasma reaction, and also is small in size and high in efficiency. - 特許庁

電極対の間において、基板の搬送方向の最上流位置におけるプラズマ電子密度を、最下流位置におけるプラズマ電子密度よりも低くすることにより、前記課題を解決する。例文帳に追加

In the method for manufacturing a functional film, a plasma electron density exerted at the most upstream position in a conveyance direction of the substrate is controlled lower than that at the most downstream position between electrodes in an electrode pair. - 特許庁

誘電体パーツ３１を支持する梁２６は，その端部周辺でのプラズマ電子密度Ｎ_ｅがカットオフのプラズマ電子密度Ｎ_ｃ以上になるように基板側に突出して設けられる。例文帳に追加

In order to make the plasma electron density N_e around the end of the beam 26 not less than the cutoff plasma electron density N_c, the beam 26 for supporting the dielectric parts 31 is so installed as to project to the substrate side. - 特許庁

短いレーザーパルス又は電子パルスが、急激に低下する密度転移を伴う低密度プラズマを通って進行する。例文帳に追加

A short laser pulse or an electron pulse proceeds through a low density plasma with rapidly decreasing density transition. - 特許庁

処理ガス導入部の効率化を図り、プラズマ密度分布の均一性ないし制御性に優れた高密度・低電子温度のプラズマ生成を可能とすること。例文帳に追加

To provide a plasma treatment apparatus capable of improving efficiency of a treatment gas introducing portion and generating plasma having superior uniformity and controllability of plasma density distribution and high-density/low electron temperature. - 特許庁

プラズマ電子銃から発射される電子ビームパルスは、大きい断面積であってエネルギ密度が低いと言う特徴がある。例文帳に追加

An electron beam pulse emitted from a plasma electron gun is characterized by a large cross section and a low energy density. - 特許庁

高圧力プラズマの電子密度および／または電子衝突周波数測定が可能な測定方法及び測定装置例文帳に追加

MEASUREMENT METHOD AND MEASURING DEVICE CAPABLE OF MEASURING ELECTRON DENSITY AND/OR ELECTRON COLLISION FREQUENCY OF HIGH-PRESSURE PLASMA - 特許庁

特別なセンサを被加工物周辺のプラズマ中に挿入すること無く、被加工物近傍の電子密度と電子温度の情報を取得する。例文帳に追加

To acquire information on electron density and electron temperature in the vicinity of a work piece without inserting a specific sensor into plasma around the work piece. - 特許庁

温度変化による電極板の抵抗率の変化を抑えることでプラズマの電子密度のドリフトを抑制し、これにより基板間の処理のばらつきを低減することのできるプラズマ処理用の電極板及びプラズマ処理装置を提供すること。例文帳に追加

To provide a plasma treatment electrode plate and plasma treatment device that reduce unevenness in treatment among substrates, by suppressing resistivity changes of an electrode plate due to temperature changes so as to inhibit drift of a plasma electron concentration. - 特許庁

プラズマ処理において被処理物品へのイオン照射量を示すイオン電流密度を、イオン電流計測器に頼ることなく、プローブ計測器を利用して、プラズマ密度や電子温度と併せて計測できるイオン電流密度計測方法及び装置を提供する。例文帳に追加

To provide an ion current density measuring method and a device for measuring ion current density indicating the amount of ion irradiation to a treated article in plasma treatment, along with plasma density and an electron temperature using a probe measuring instrument without depending on an ion current measuring instrument. - 特許庁

シャワープレート電極２３のホルダ側に漏洩した磁場はプラズマ中の電子をトラップし、より高密度なプラズマがシャワープレート電極２３の近傍全域に均一に形成される。例文帳に追加

The magnetic field leaked on the holder side of the shower plate electrode 23 traps electrons in the plasma, resulting in a higher-density plasma evenly formed over the entire region near the shower plate electrode 23. - 特許庁

プラズマの密度分布の変化に影響を及ぼすリング状の中空陰極プラズマを作り出すために、電子源電極に対向するように基板の周囲に設けられたリング状電極が使用される。例文帳に追加

A ring-like electrode, provided at a periphery of the substrate as opposed to the electron source electrode, is used to generate a ring-like hollow cathode plasma that affects the variations of density distribution of the plasma. - 特許庁

高周波アンテナ１６への高周波電圧の印加により高周波アンテナの内壁に垂直な方向に生じる誘導電界が、プラズマ電子をその方向に加速し、プラズマ密度が高くなる。例文帳に追加

Induced electric fields generated in the vertical direction on the inner walls of the antennas by applying a high-frequency voltage to the antennas 16 accelerate plasma electrons in the direction, and increase a plasma density. - 特許庁

プラズマ工程を進行する際に、プラズマを発生させるための電力をパルスとして供給することによって電子エネルギー増加によるウェハー表面のチャージ密度増加を防止する。例文帳に追加

When a plasma process is continued, an increase in charge density on the surface of a wafer caused by an increase in electron energy is prevented by supplying power as a pulse for generating plasma. - 特許庁

高密度・高解離度の窒素原子プラズマを発生させるための電子ビーム励起イオン源、プラズマを溜め窒化処理を行う処理槽，真空系装置，加熱装置，原料ガス系装置からなる処理装置を使用する。例文帳に追加

A treatment device composed of: an electron beam excitation ion source for generating nitrogen atom plasma with a high density and a high dissociation degree; a treatment tank for storing plasma and performing nitriding treatment; a vacuum system device; a heating apparatus; and a gaseous starting material system device is used. - 特許庁

したがって、基板Ｗ１に実装される電子部品Ｗ２の高さにばらつきがあるなどしても、ワークＷに対するプラズマ発生ノズルの高さを一定に維持し、均一な密度でプラズマ照射を行うことができる。例文帳に追加

Therefore, even if there are variations in the height of the electronic component W2 mounted on the substrate W1, the height of the plasma generating nozzles to the workpiece W is maintained and plasma irradiation can be carried out with a uniform density. - 特許庁

半導体基板上に半導体素子を形成する工程と、マイクロ波をプラズマ源とし、半導体基板の表面近傍において、プラズマの電子温度が１．５ｅＶよりも低く、かつプラズマの電子密度が１×１０^１１ｃｍ^−３よりも高いマイクロ波プラズマを用いたＣＶＤ処理によって半導体素子上に膜を形成する工程とを含む。例文帳に追加

The manufacturing method includes a process for forming the semiconductor element on a semiconductor substrate, and a process for forming a film on the semiconductor element by CVD treatment using microwave plasma in which a microwave is a plasma source, an electron temperature of plasma is lower than 1.5 eV and an electron density of the plasma is higher than 1×10^11 cm^-3 in the vicinity of a surface of the semiconductor substrate. - 特許庁

電子ビームにより励起させた高密度・高解離度の窒素原子プラズマ浴中でチタンおよぴチタン合金を処理する。例文帳に追加

Titanium or a titanium alloy is treated in a nitrogen atom plasma bath with a high density and a high dissociation degree excited by electron beams. - 特許庁

調整可能な一様性及び統計的電子過熱を有し、ガス・クラッキングを低減する高密度プラズマ・ツール例文帳に追加

HIGH-DENSITY PLASMA TOOL HAVING ADJUSTABLE UNIFORMITY AND STATISTICAL ELECTRONIC OVERHEAT AND REDUCING GAS CRACKING - 特許庁

プラズマは、カソードからやってきて、アノードを通して電源に戻る高密度の電子によって点火される。例文帳に追加

A plasma is ignited by high-density electrons coming from a cathode and returning to a power supply through the anode. - 特許庁

簡単な装置構成で高精度にプラズマ電子密度および温度を測定し得る方法ならびに装置を提供すること。例文帳に追加

To provide a method and a device wherein density and temperature of plasma electrons can be measured precisely by a simple device constitution. - 特許庁

測定された電子密度に基づいて、生成用電力制御部４を操作することによって、生成用電力を操作してプラズマ処理を行う。例文帳に追加

Based on the measured electron density, perform the plasma processing by operating the power supply for generating by operating the electric power controlling part 4 for generating. - 特許庁

プラズマ密度が大きいところではペルチェ素子５に捕獲される電子量が多く、冷却効果が大きくなり、逆にプラズマ密度が小さいところでは冷却効果が小さくなるので、ウエハの面内温度の均一性を高めることができる。例文帳に追加

The amount of electrons captured by the Peltier element 5 is large where plasma density is high, resulting in higher cooling effect, while the cooling effect is lower where the plasma density is low, so the uniformity of in-plane temperature of the wafer is improved. - 特許庁

金属箔１２の位置における電子密度がプラズマ中で最も電子密度が高い領域の５０％未満の電子密度で、かつ金属箔１２の位置におけるセルフバイアス電圧が−２０Ｖ以上となるように、プラズマ発生源から離れた位置に金属箔１２を設置し、金属箔１２上にシリコン薄膜を形成することを特徴としている。例文帳に追加

The silicon thin film is formed on the metal foil 12 which is installed apart from a plasma generating source so that an electron density at the position of the metal foil 12 is 50% or less of an electron density in a plasma area having the highest electron density and a self-bias voltage at the position of the metal foil 12 is -20 V or higher. - 特許庁