「一半」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

一半部３には切り欠き３０が形成されている。例文帳に追加

A cutout 30 is formed on the one half part 3. - 特許庁

内部回路２と、その保護素子３とを同一半導体基板に有する。例文帳に追加

The semiconductor integrated circuit has an internal circuit 2 and the protective element 3 therefor on the same semiconductor substrate. - 特許庁

単一半導体要素の裏側（１１）に基材層（１３）が具備される。例文帳に追加

A base layer(13) is positioned on the back(11) of the single semiconductor element. - 特許庁

各単一半体を接合し、成形作業にて翼形状を付与する。例文帳に追加

Detail halves are bonded and given an airfoil shape in the molding operation. - 特許庁

半導体装置１は、第一半導体チップ１１を支持する支持体１２と、第一半導体チップ１１上に固着されるスペーサ１３と、第一半導体チップ１１に対しワイヤ１４を介して電気的に接続される基板１５とを有する。例文帳に追加

The semiconductor device 1 has a supporter 12 supporting a first semiconductor chip 11, a spacer 13 fixed on the first semiconductor chip 11, and a substrate 15 electrically connected to the first semiconductor chip 11 through the wire 14. - 特許庁

同一半導体基板上にロジック回路と半導体不揮発性メモリとを安価に作成する。例文帳に追加

To inexpensively prepare a logic circuit and a semiconductor nonvolatile memory on one and the same semiconductor substrate. - 特許庁

この半導体装置は、同一半導体基板６上に抵抗１と容量を有する半導体装置である。例文帳に追加

The semiconductor device comprises a resistor 1 and a capacity on the same semiconductor substrate 6. - 特許庁

基板、金属層、絶縁層、第一半導体層、第二半導体層を含む。例文帳に追加

The semiconductor structure comprises a substrate, a metal layer, an insulation layer, a first semiconductor layer, and a second semiconductor layer. - 特許庁

活性層（１５）が基材層（１３）と、単一半導体要素の接触側（２３）との間に配置される。例文帳に追加

An active layer(15) is located between the base layer(13) and the contact side(23) of the single semiconductor element. - 特許庁

ＡとＡ′、ＢとＢ′は各々ビット反転した値であり、同一半径位置に位置している。例文帳に追加

A and A', and B and B' have mutually inverted bits, and are located at the same radial position. - 特許庁

異なる電源電圧で動作する複数の回路を同一半導体基板上に形成する。例文帳に追加

To form, on the same semiconductor substrate, a plurality of circuits that operate at different power supply voltages. - 特許庁

同一半導体装置内に形成した回路間に生じるノイズの影響を抑制する。例文帳に追加

To suppress influence of noise generated between circuits formed in the same semiconductor device. - 特許庁

これら単一半体は続いて接合され、そして成形作業によって翼形状が付与される。例文帳に追加

These detail halves are subsequently bonded and given an airfoil shape in the forming operation. - 特許庁

該係合穴４に、前記ほぞ穴７に一半を係合するパイプ状接合材１を係合する。例文帳に追加

The engaging hole 4 is engaged with a pipe-like joining material 1 engaged with a half thereof in the tenon hole 7. - 特許庁

蝶番の第一半片４０−１は第二水平取付片に固着される。例文帳に追加

A first half piece 40-1 of the hinge is firmly fixed to the second horizontal attaching piece. - 特許庁

槽１の縦断面において一半側に散気部材２，３又は４が設置されている。例文帳に追加

Aeration members 2, 3 and 4 are installed on a half side of the vertical cross section of the tank 1. - 特許庁

各単一半体は、重量軽減のために削り出された複数のキャビティおよびリブを有する。例文帳に追加

Each half body comprises a plurality of cavities and ribs cut out for reducing weight. - 特許庁

これにより、光学的損失を抑えつつ光処理素子を同一半導体基板Ｓ上に集積できる。例文帳に追加

Consequently, the optical processing element can be integrated on the same semiconductor substrate S while suppressing optical loss. - 特許庁

２の翼形ベーンは、単一半径フィレット（１３２）のみによって外側バンドに結合される。例文帳に追加

The vanes are connected to the outside band by a single radial fillet 132 alone. - 特許庁

これの代わりにあるいはこれに加えて、単一半導体要素の少なくとも一つの側面が絶縁層（２５）を具備し、かくして単一半導体要素のキャリアボードへのはんだ付けに際して短絡が防止される。例文帳に追加

As a substitute for this, or in addition to this, at least one side of the single semiconductor element has a dielectric layer(25), whereby short circuiting can be prevented, when the single semiconductor element is soldered to the carrier board. - 特許庁

表面Ａ´の一端側の一半部Ａ´ａと他の一半部Ａ´ｂにポリエチレン袋商品内容を表わす文字、図形、記号などの商品表示４を互いに独立して、かつ、反対方向にして施す。例文帳に追加

Then, on one half part A'a on one end side of the front surface A' and the other half part A'b on the surface A' of the packaging bag, a commodity display 4 such as characters, figures and marks showing the polyethylene bag commodity content is applied independently in the opposite directions from each other. - 特許庁

貫通孔３５は、第一半径ｄ_１からなる円柱状の第一貫通孔３６と、第一半径ｄ_１よりも大きな第二半径ｄ_２からなる円柱状からなる第二貫通孔３７とを有している。例文帳に追加

The through hole 35 includes a first cylindrical through hole 36 comprising a first radius d_1 and a second through hole 37 comprising a cylindrical shape comprising a second radius d_2 larger than the first radius d_1. - 特許庁

第一の導電型を有する第一半導体層と、第二の導電型を有する第二半導体層と、第一半導体層と第二半導体層との間に設けられた活性層と、を含む半導体膜と、第一半導体層に接続された第一電極と、第二半導体層に接続され且つ第一電極に対向する第二電極と、を含む。例文帳に追加

An optical semiconductor element includes: a semiconductor film including a first semiconductor layer having a first conductive type, a second semiconductor layer having a second conductive type, and an active layer provided between the first semiconductor layer and the second semiconductor layer; a first electrode connecting with the first semiconductor layer; and a second electrode connecting with the second semiconductor layer and facing the first electrode. - 特許庁

（一）　半オクターブの周波数帯域を一〇マイクロ秒未満で同調可能な可変周波数共振器を六以上有するもの例文帳に追加

1. Devices having 6 or more variable frequency resonators capable of tuning across a half-octave frequency band in less than 10 microseconds  - 日本法令外国語訳データベースシステム

原因は大宮有忠が胴元となった四一半（サイコロを用いた丁半賭博のようなもの）にあった。例文帳に追加

This was caused by shiichi-han (type of chohan tobaku, or gambling at a game of dice) whose bookmaker was Aritada OMIYA.  - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

ターボファンガスタービンエンジン用の中空ファンブレードは二つの別個の単一半体から形成される。例文帳に追加

Hollow fan blades for turbo fan gas turbine engines are formed of two separate detail halves. - 特許庁

該第二半導体層の第二電気抵抗値は該第一半導体層の第一電気抵抗値より大きい。例文帳に追加

The second electric resistance value of the second semiconductor layer is larger than the first electric resistance value of the first semiconductor layer. - 特許庁

貫通電極は、第一半導体チップ１２２に設けられた電源配線またはＧＮＤ配線に接続される、例文帳に追加

The through electrodes are connected to a power wiring line or a GND wiring line provided to the first semiconductor chip 122. - 特許庁

半導体ナノクリスタルヘテロ構造は、第二半導体物質のオーバーコーティングにより囲まれた、第一半導体物質のコアを有する。例文帳に追加

A semiconductor nanocrystal heterostructure has a core of a first semiconductor material surrounded by an overcoating of a second semiconductor material. - 特許庁

ＴＬＰＭとプレーナ型デバイスとを同一半導体基板上に有するＩＣチップの小型化、低オン抵抗化および低コスト化を実現すること。例文帳に追加

To realize miniaturization, low on-resistance and cost reduction of an IC chip having a TLPM and a planar device on the same semiconductor substrate. - 特許庁

ＰチャネルパワーＭＯＳＦＥＴとショットキーバリアダイオードとが同一半導体基板に形成された半導体装置を実現する。例文帳に追加

To achieve a semiconductor device in which a P-channel power MOSFET and a Schottky barrier diode are formed on an identical substrate. - 特許庁

同一半導体基板上に半導体装置が実回路である半導体集積回路１０と、合わせずれ検出回路１１とを備えている。例文帳に追加

The semiconductor device comprises a semiconductor integrated circuit 10 and a misalignment detection circuit 11 provided on the same semiconductor substrate. - 特許庁

本発明は単一半導体装置を構成する複数個のチップでヒューズ信号を伝送できる半導体装置を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor device capable of transmitting a fuse signal by a plurality number of chips constituting a single semiconductor device. - 特許庁

キャパシタとＭＯＳトランジスタとを同一半導体基板上に備えた半導体装置において、キャパシタの絶縁破壊を防止する。例文帳に追加

To prevent insulating breakdown of a capacitor in a semiconductor device equipped with the capacitor and a MOS transistor on the same semiconductor substrate. - 特許庁

他の半導体光装置と同一半導体基板上に集積化が容易な、ファラデー回転子を用いない光アイソレータ装置を提供すること。例文帳に追加

To provide an optical isolator apparatus which does not use a Faraday rotator and is easily integrated with another semiconductor optical apparatus on the same semiconductor substrate. - 特許庁

まず、半導体基板１１の第３の領域３Ｃを含む主面１１ａ上に単一半導体層からなる光導波層１５を形成する。例文帳に追加

First, an optical waveguide layer 15 formed of a single semiconductor layer is formed on a principal surface 11a of a semiconductor substrate 11 including a third region 3C. - 特許庁

同一半導体基板に、ＭＯＳＦＥＴとショットキーバリアダイオードを集積し、消費電力を抑制し、チップサイズを縮小する。例文帳に追加

To integrate a MOSFET and a Schottky barrier diode on the same semiconductor substrate, to suppress power consumption, and to reduce a chip size. - 特許庁

同一半導体基板内や半導体基板間で、幅、高さの均一なリッジ部を作製することを可能とする。例文帳に追加

To manufacture a ridge whose width and height is uniform at the same semiconductor substrate or between semiconductor substrates. - 特許庁

半導体装置１００は、ＦＥＴ１０２と、ＦＥＴ１０２よりも高い閾値電圧を持つＦＥＴ１０４を同一半導体基板上に備える。例文帳に追加

The semiconductor device 100 has the FET 102 and the FET 104, having the higher threshold voltage than the FET 102, on the same semiconductor substrate. - 特許庁

ＳＯＩ基板上に高品質の非ＳＯＩ領域を形成することができ、ロジック回路とＤＲＡＭを同一半導体チップに効果的に集積する。例文帳に追加

To form a high-quality non-SOI region on an SOI substrate, and to effectively integrate a logic circuit and a DRAM on the same semiconductor chip. - 特許庁

この滑り止め材４は、その厚み方向の一半側が補強層３から突出し、他半側が補強層３中に埋設されている。例文帳に追加

One half side of the anti-skid material 4 is protruded from the reinforcing layer 3, and the other half side thereof is embedded in the reinforcing layer 3. - 特許庁

簡便な方法により、同一半導体チップの複数回の電気的特性試験を可能にするとともに、ワイヤボンディングの信頼性を向上させる。例文帳に追加

To ensure a plurality of times of electric characteristic tests for the same semiconductor chip, and improve reliability of wire bonding with a simplified method. - 特許庁

同一半導体基板の主面上に３種類のゲート絶縁膜厚を有するＭＩＳトランジスタの製造コストを低減する。例文帳に追加

To reduce manufacturing cost of a MIS transistor having three kinds of gate insulated film thickness on the principal surface of the same semiconductor substrate. - 特許庁

スイッチング素子とダイオード素子を同一半導体基板に備えた昇圧型ＤＣ−ＤＣコンバータ用の半導体装置である。例文帳に追加

The step-up DC-DC converter comprises a switching element and a diode element on the same semiconductor substrate. - 特許庁

同一半導体基板上に形成された複数種類のゲート絶縁膜の膜厚及び電気的特性のバラツキを防止する。例文帳に追加

To prevent the variation of the thickness and electrical properties of a plurality of insulation film formed on the same semiconductor substrate. - 特許庁