「層状ペロブスカイト」に関連した英語例文の一覧と使い方

層状ペロブスカイト酸化物粒子を有機カチオンと接触させ、層状構造を剥離して、薄片状ペロブスカイト酸化物粒子の水性分散体を製造する第一工程、前記水性分散体から薄片状ペロブスカイト酸化物粒子を含む固形分を抽出する第二工程、及び前記固形分を有機溶媒に分散させる第三工程を含む方法により製造する。例文帳に追加

The organic solvent dispersion is produced by a method including: a first step of bringing layered perovskite oxide particles into contact with organic cations, exfoliating the layered structure and producing an aqueous dispersion of flaky perovskite oxide particles; a second step of extracting a solid containing the flaky perovskite oxide particles from the aqueous dispersion; and a third step of dispersing the solid in an organic solvent. - 特許庁

層状ペロブスカイト化合物、窒素酸化物浄化触媒材料及びこれを用いた排ガス浄化用触媒例文帳に追加

LAYER PEROVSKITE COMPOUND, CATALYST MATERIAL FOR CLEANING NITROGEN OXIDE AND CATALYST FOR CLEANING WASTE GAS USING THE SAME - 特許庁

圧電素子１０は、層状ペロブスカイト型構造を有する圧電セラミックスで形成された基体１２を含む。例文帳に追加

This piezoelectric element has a base body 12 formed from a piezoelectric ceramics having a layered perovskite type structure. - 特許庁

層状ペロブスカイト型マンガン酸化物を用いた高感度の磁気抵抗トンネル接合素子の提供する。例文帳に追加

To provide a high-sensitive magnetoresistance tunnel junction element which uses a laminar perovskite type manganese oxide. - 特許庁

紫外線照射によるビスマス系層状ペロブスカイトＳｒＢｉ２Ｔａ２Ｏ９薄膜の新規結晶性・配向性・表面平滑性制御方法例文帳に追加

NEW METHOD FOR CONTROLLING CRYSTALLINITY, ORIENTATION AND SURFACE SMOOTHNESS OF BISMUTH GROUP LAYERED PEROVSKITE SrBi2Ta2O9 THIN FILM BY IRRADIATION OF ULTRAVIOLET RAY - 特許庁

圧電素子１０は、層状ペロブスカイト構造を有する圧電体セラミックス１２を含み、厚み方向に選択配向したＣ軸を有する。例文帳に追加

The piezoelectric element 10 includes the piezoelectric ceramics 12, having a laminar perovskite structure and has a C axis, which is selectively oriented in the thickness direction. - 特許庁

該前駆体は、ビスマスを含有する層状ペロブスカイト型結晶構造を有するセラミックスの板状粉末と、Ｂｉ_2Ｏ_3とからなる。例文帳に追加

The precursor is composed of a plate-like powder of the ceramic having a lamellar perovskite-type crystal structure containing bismuth and Bi_2O_3. - 特許庁

ビスマス層状ペロブスカイト構造強誘電体薄膜素子としてヒロックの発生が抑制されて安定した性能が得られることを目的とする。例文帳に追加

To obtain stable performance by inhibiting the generation of hillock as a bismuth layer-like perovskite structure ferroelectric thin film element. - 特許庁

この単分子膜をそのまま放置することで、水溶液上に層状ペロブスカイト化合物単分子膜が形成される。例文帳に追加

By allowing the monomolecular film to be left as it is, a layered perovskite compound monomolecular film is formed on the aqueous solution. - 特許庁

構造制御の可能な有機無機層状ペロブスカイト化合物薄膜の作製方法を提供すること。例文帳に追加

To provide a method for producing an organic/inorganic layer-shaped perovskite compound thin film capable of structural control. - 特許庁

この層状ペロブスカイト単分子膜を基板上へラングミュア−ブロジェット法を用いて移し取って１層づつ積層する。例文帳に追加

This layered pervoskite monomolecular film is transferred to the surface of a substrate by using a Langmuir project method and is layered one by one. - 特許庁

異方形状粉末としては、特定組成のビスマス層状ペロブスカイト型化合物粉末の酸処理体を採用する。例文帳に追加

As the anisotropically-shaped powder, an acid-treated material of bismuth-layerered perovskite-type compound powder having a specified composition is adopted. - 特許庁

ビスマス層状チタン酸化合物からなり、かつ、その発達面が等方性ペロブスカイト型化合物の擬立方｛１００｝面と格子整合性を有する板状粉末と、この板状粉末と反応して等方性ペロブスカイト型化合物と酸化ビスマスを含む余剰成分とを生成するペロブスカイト生成原料とを混合する（混合工程）。例文帳に追加

A plate-like powder which consists of a bismuth-layered titanate compound and whose developed faces have a lattice matching with the pseudo- cubic {100} face of the isotropic perovskite-type compound is mixed with a perovskite-forming raw material which reacts with the above plate-like powder to produce the isotropic perovskite-type compound and surplus components including a bismuth oxide (a mixing process). - 特許庁

および（００１）配向のホタル石型結晶の上に、単純ペロブスカイト型結晶の薄膜が（０１１）配向にエピタキシャル成長し、その上に層状ペロブスカイト構造を有する結晶の薄膜がエピタキシャル成長しているエピタキシャル複合構造体。例文帳に追加

Preferably, the epitaxial composite structure has the thin film comprising the simple perovskite type crystal epitaxially grown in the (011) orientation on the fluorite-type crystal in the (001) orientation, and a laminar perovskite structure epitaxially grown thereon. - 特許庁

遷移金属酸化物、ペロブスカイト並びに層状ペロブスカイト酸化物、超ＬＳＩ、高温超伝導、スイッチング、強誘電体メモリーなどに利用することができる結晶構造歪による固体電子物性の制御方法、及び該方法により得られた酸化物を提供する。例文帳に追加

To provide a method for controlling solid electronic physical properties of transition metal oxide, perovskite and laminar perovskite oxide by their crystal structure distortion which can be utilized for VLSI (Very Large Scale Integration), high-temperature superconduction, switching, ferroelectric memory, etc., and the oxide obtained by this method. - 特許庁

半導体基板１上に形成された強誘電体キャパシタ１９を被覆する層間絶縁膜２０として、ペロブスカイト型金属酸化物絶縁体、ビスマス層状ペロブスカイト型酸化物強誘電体などのような金属酸化物を含む絶縁体からなる膜を用いる。例文帳に追加

An interlayer insulation film 20 covering the ferroelectric capacitor 19 formed on a semiconductor substrate 1 employs an insulator containing metal oxide such as a perovskite metal oxide insulator, a bismuth stratified perovskite oxide ferroelectric or the like. - 特許庁

本発明は、一般式（ＲＮＨ_３）_２ＭＸ_４で表される有機無機層状ペロブスカイト型化合物（式中、Ｒは不飽和結合を有する炭化水素基、Ｘはハロゲン原子、ＭはＩＶａ族金属、Ｅｕ、Ｃｄ、Ｃｕ、Ｆｅ、Ｍｎ又はＰｄを表す。）の該不飽和結合を架橋させることにより生成する有機無機層状ペロブスカイト型重合化合物である。例文帳に追加

An organic and inorganic lamellar perovskite type polymer compound comprises crosslinking of the unsaturated bond of the organic and inorganic lamellar perovskite type compound represented by the formula: (RNH3)2 MX4 (wherein R is a hydrocarbon group having an unsaturated bond; X is a halogen atom; and M is group IVa metal, Eu, Cd, Cu, Fe, Mn, or Pd). - 特許庁

ペロブスカイト含有層状化合物層をその化合物の層状積層方向を基板に平行方向に配向させて結晶成長させる技術を提供すること。例文帳に追加

To provide a technique for growing a perovskite-containing laminar compound layer in crystals as the direction of lamination of the compound layer is oriented in parallel with a board. - 特許庁

本発明に係る電子デバイス用基体１００は、シリコンからなる基板１１と、基板１１の被成膜面上に順にエピタキシャル成長して積層された、フルオライト構造を有する第一バッファ層１２及び第二バッファ層１３、層状ペロブスカイト構造を有する第一酸化物電極層１４、および単純ペロブスカイト構造を有する第二酸化物電極層１５とから構成されている。例文帳に追加

An electronic device 100 is composed of a substrate 11 formed of silicon, a first buffer layer 12 and a second buffer layer 13 laminated by being epitaxially grown in order on a film forming surface of the substrate 11 and having a fluorite structure, a first oxide electrode layer 14 having a laminar perovskite structure, and a second oxide electrode layer 15 having a simple perovskite structure. - 特許庁

酸素イオン伝導体に用いるコバルト酸化物は、化学式ＲＡＥＭ_２Ｏ_５＋ｘの組成で表されると共に層状ペロブスカイト型結晶構造を備えている。例文帳に追加

The cobalt oxide used for this oxygen ion conductor is expressed by a composition of chemical formula R AE M_2O_5+x, and having a stratiform perovskite type crystal structure. - 特許庁

第２の電解質膜は、プロトン伝導性を有し、かつ、第１の電解質膜よりも低い酸化物イオン伝導性を有する層状ペロブスカイト構造を有する化合物により形成されている。例文帳に追加

The secondary electrolyte film is formed with the compound having the layered perovskite structure with proton conductivity and oxide ionic conductivity lower than that of the primary electrolyte film. - 特許庁

ランタンガレート系酸化物１を母材とする焼結体であって、Ｋ_２ＮｉＦ_４構造を有する粒子２または層状ペロブスカイト構造を有する粒子が前記母材中に分散されてなる焼結体。例文帳に追加

The sintered compact comprises a lanthanum gallate oxide 1 as a matrix, in which particles 2 having a K_2NiF_4 structure or particles having a layered perovskite structure are dispersed. - 特許庁

層状ペロブスカイト構造を有する圧電体セラミックスを用いても、低インピーダンスで、電気機械結合係数が大きく、高周波低損失の特性を有する圧電素子を得る。例文帳に追加

To obtain a piezoelectric element wherein impedance is low, electro- mechanical coupling coefficient is large and low loss characteristics at high frequency is ensured, when piezoelectric ceramics having a laminar perovskite structure is used. - 特許庁

このビスマス層状ペロブスカイト型化合物は，ロットゲーリング（Ｌｏｔｇｅｒｉｎｇ）法による平均配向度が８０％以上であり，かつ，相対密度９５％以上の体積が９５％以上を占めている。例文帳に追加

The bismuth layered perovskite-type compound has ≥80% average orientation degree according to the Lotgering method, and 95 vol.% or more of the compound has ≥95% relative density. - 特許庁

密度と配向度の歩留まりが高く，圧電特性が大きく，かつ特性の再現性に優れた結晶配向ビスマス層状ペロブスカイト型化合物及びその製造方法を提供すること。例文帳に追加

To provide a crystal-oriented bismuth layered perovskite-type compound in which yield in both density and orientation degree is high, and piezoelectric property and its reproducibility are excellent, and to provide a method for producing the same compound. - 特許庁

すなわち、層状ペロブスカイト構造単位胞１００は、基板１０２の膜形成主面１０４上に、矢印Ｆ23で示すようにｃ軸が傾いて形成される。例文帳に追加

Namely, the layered perovskite structure unit cell 100 is formed on a film-forming main face 104 in a state in which (c) axis is inclined as shown in the arrow F23. - 特許庁

ｐ型熱電変換材料１１は、組成式Ａ_2ＢＯ_4（ＡおよびＢは１個または複数個の元素）で示される層状ペロブスカイト構造を有している。例文帳に追加

The p-type thermoelectric conversion material 11 has a layered perovskite structure represented by a compositional formula: A_2BO_4 (wherein A and B represent one or more elements). - 特許庁

第１の原料液は、Ｂｉ系層状ペロブスカイト構造を有する強誘電体を生成するための原料液であり、第２の原料液は、ＡサイトがＢｉであるＡＢＯ系酸化物を生成するための原料液である。例文帳に追加

The first is a raw material liquid for forming a ferroelectric which has a Bi layered perovskite structure and the second is a raw material liquid for forming an ABO type oxide whose A site is Bi. - 特許庁

ｎ型熱電変換材料１２は、組成式Ｄ_2ＥＯ_4（ＤおよびＥは１個または複数個の元素）で示される層状ペロブスカイト構造を有している。例文帳に追加

The n-type thermoelectric conversion material 12 has a layered perovskite structure represented by a compositional formula: D_2EO_4 (wherein D and E represent one or more elements). - 特許庁

正孔輸送性を有する有機分子層と電子輸送性を有する有機分子層とが臭化鉛系層状ペロブスカイト発光層を挟持している三層積層型の素子とする。例文帳に追加

The element is of a three-layered lamination type, where an organic molecular layer with hole transport properties and an organic molecular layer with electron transport properties hold the lead bromide system layered perovskite luminescent layer in between. - 特許庁

例文

化学式Ｌ_2(Ａ_1-wＲ_w)_2Ａ_n-1Ｍｎ_nＯ_2n+4+xにより表され、結晶構造内に(Ｌ−Ｏ)_2層を有する層状ペロブスカイト型マンガン酸化物１４を含む磁気抵抗トンネル接合素子を形成した。例文帳に追加

A magnetoresistance tunnel junction element is formed, which represented by a chemical equation L2(A1-wRw)2An-1MnnO2n+4+x, comprises a laminar perovskite type manganese oxide 14 comprising (L-O)2 layer in a crystal structure. - 特許庁

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