「挟む」に関連した英語例文の一覧と使い方(7ページ目) - Weblio英語例文検索

中心電極(11)とこの中心電極(11)を挟む状態で対向配置した２つの周縁電極(12)(13)とで放電電極(４)を構成する。例文帳に追加

The discharge electrodes (4) are structured by a center electrode (11) and two fringe electrodes (12) (13) arranged facing each other in a condition of pinching the center electrode (11). - 特許庁

絶縁材を間に挟むように複数の電極を設けて一体化すると共に少なくとも１つの電極に炭素膜を設けた構成。例文帳に追加

Disclosed is a configuration in which a plurality of electrodes are disposed with insulation materials therebetween and at least one of the electrodes is provided with a carbon film. - 特許庁

外部電極２０ａ，２０ｃは、外部電極２２ａ，２２ｃと共に絶縁体２４を挟むことにより容量を形成している。例文帳に追加

External electrodes 20a and 20c form capacitors with the external electrodes 22a and 22c by sandwiching the insulator 24 in-between. - 特許庁

一対の反射板１０は、紫外線ランプ９を挟むように配置され、紫外線ランプ９の上方が開放されている。例文帳に追加

A pair of reflectors 10 are disposed to hold the UV lamp 9 between and the UV lamp 9 is opening upward. - 特許庁

一対の第２電極棒５０ｂは複数の第１電極棒５０ａ、９０を挟むように配置される。例文帳に追加

A pair of the second electrode rods 50b are arranged in such a manner that they sandwich a plurality of the first electrodes 50a and 90. - 特許庁

このように半導体ウェハ２をヒータ１と冷却材３により挟むことで、半導体ウェハ２の厚さ方向に温度勾配を形成する。例文帳に追加

Temperature gradient is formed in the thickness direction of the semiconductor wafer 2 by holding the semiconductor wafer 2 between the heater 1 and the cooling material 3 in this way. - 特許庁

半導体基板の表面内には、ゲート電極の下の領域を挟むように１対のソース／ドレイン領域が形成される。例文帳に追加

A pair of source/drain regions are formed in the surface of the semiconductor substrate so as to pinch a region below the gate electrode. - 特許庁

光学素子であるパワーを備えるレンズ１、２、４を光軸方向に重ねて、レンズ２、４の間に光学フィルター３を挟む構成とする。例文帳に追加

Lenses 1, 2 and 4 provided with powers as optical elements are overlapped in the direction of the optical axis and an optical filter 3 is inserted between the lenses 2 and 4. - 特許庁

電解質膜を挟む電極をもつ複数個の単位電池と、単位電池間に配置された複数個のセパレータ３とを具備している。例文帳に追加

This fuel cell includes plural unit cells each having electrodes sandwiching an electrolyte film, and plural separators 3 disposed between the unit cells. - 特許庁

捲回電極体１０の正極端部３０に正極端子５０を溶接する際に，正極端部３０にスペーサＭを挟む。例文帳に追加

When welding a positive electrode terminal 50 to a positive electrode end 30 of a wound electrode body 10, a spacer M is held in the positive electrode end 30. - 特許庁

このベース層１３を挟むように、ゲート絶縁膜１４を介して複数のゲート電極１５が形成されている。例文帳に追加

A plurality of gate electrodes 15 are formed via gate insulating layers 14 so that the base layer 13 is located between the gate electrodes 15. - 特許庁

これら一対の付勢アーム９は、互いの間に各フェライト８を挟む位置に配置されかつ当該フェライト８の四隅を付勢する。例文帳に追加

The pair of energization arms 8 is arranged so as to hold the each ferrite piece 8 therebetween and energizes four corners of the ferrite 8. - 特許庁

前記通口２９を間に挟む供給管２５の左右２箇所には、刺激センサー４・４が配置されている。例文帳に追加

The stimulus sensors 4, 4 are set up at both sides of the supply pipe 25 sandwiching the opening 29 between the stimulus sensors 4, 4. - 特許庁

はさみ形状の操作アーム１ａ１ｂを握り、歯ブラシの毛を挟む修正くちばし３ａ３ｂを支点軸２で支える。例文帳に追加

Scissors-shaped operation arms 1a and 1b are grasped to support correction beaks 3a and 3b for clamping a toothbrush bristle by a pivot shaft 2. - 特許庁

半導体基板の表層部のうち、ゲート電極を挟む領域の各々に、ソース及びドレイン領域が形成されている。例文帳に追加

A source region and a gate region are formed, in regions sandwiching the gate electrode from among the surface layer part of the semiconductor substrate. - 特許庁

電磁石５７の磁路９５内にパイロットクラッチ６１を設け、アーマチャ７１と電磁石５７とによってパイロットクラッチ６１を挟む。例文帳に追加

A pilot clutch 61 is disposed in a magnetic passage 95 of an electromagnet 57 and sandwiched with an armature 71 and the electromagnet 57. - 特許庁

そのアレー状に設けたその端子電極２３を両側から挟むようにして、前記裏面の基板の両側に、補強パターン２５を形成しておく。例文帳に追加

Reinforcement patterns 25 are formed on both sides on the rear surface thereof in a manner that the array-like terminal electrode 23 is pinched from both sides. - 特許庁

遮光膜（２）を有するＴＦＴ電極側基板（６）と対向電極側基板（７）で液晶（４）を挟む。例文帳に追加

A liquid crystal (4) is held between the TFT electrode substrate (6) having a light-shielding film (2) and a counter electrode substrate (7). - 特許庁

また、図８（ｃ）に示すパターンを両面の電極に採用することで、同じパターンの電極で圧電セラミックスを挟むことになる。例文帳に追加

Further, as the pattern indicated in the figure (c) is adopted to the electrodes on both surfaces, the piezoelectric ceramics is clasped by the electrodes with the same pattern. - 特許庁

シートベルトの腹部固定部にウレタンシートを挟むことで、腹部圧迫による不快感を解消させた。例文帳に追加

A urethane sheet is inserted in an abdomen fixing part of the seat belt to eliminate an unpleasant feeling caused by pressing the abdomen. - 特許庁

誘電体１０１の表面側及び裏面側には誘電体１０１を挟むように一対の電極が装着されている。例文帳に追加

A pair of electrodes are fitted to the surface and back face sides of the dielectric 101 so as to sandwich it. - 特許庁

符号Ｓ１は、製材を積み重ねて乾燥するにあたり、製材と製材の間に挟むスペーサを示している。例文帳に追加

A symbol S1 indicates the spacer interposed between the sawing lumbers when piled up to be dried. - 特許庁

この配線パターン２５の配列方向Ｄ１に配線パターン２５を挟むように、幅広の配線パターン２６が形成されている。例文帳に追加

Wide wiring patterns 2 are formed sandwiching the wiring patterns 25 in the arrangement direction D1 of the wiring patterns 25. - 特許庁

ブッシュ（51）はブレード（27）を進退可能に挟むと共に、ブレード（27）と一体にブッシュ孔（26）内を揺動する。例文帳に追加

The bush (51) pinches the blade (27) for back and forth movement, and oscillates in the bush hole (26) together with the blade (27). - 特許庁

第一ヘリカルスライダー５８と第二ヘリカルスライダー６０とをＥリング５６と摩擦プレート６２とで挟む。例文帳に追加

The first helical slider 58 and the second helical slider 60 are sandwiched by an E-ring 56 and a friction plate 62. - 特許庁

ソース／ドレイン拡散層２５は、ゲート電極下のチャネル領域を挟むように半導体基板の表面に形成される。例文帳に追加

A source/drain diffused layer 25 is formed on the surface of the semiconductor substrate so as to sandwich a channel region under a gate electrode. - 特許庁

サーミスタ層６を挟むように二以上の内部電極層８ａ〜８ｃが内蔵してある素子本体４を有するサーミスタ素子２である。例文帳に追加

The thermistor element 2 has the element body 4 having two or more built-in internal electrode layers 8a to 8c so as to sandwich a thermistor layer 6 therebetween. - 特許庁

そのプランジャーＬ３を挟むように、対向する位置に配置された一対の電磁石Ｄ１、Ｄ２が設けられている。例文帳に追加

A pair of electromagnets D1 and D2 are situated in positions opposed to each other with the plunger L3 nipped therebetween. - 特許庁

ロボット・シーム溶接方法は、多関節ロボット１に被溶接物５を把持し、この被溶接物を定置の電極輪７ａ，７ｂで挟む。例文帳に追加

In the method for the robot seam welding, a workpiece 5 is held by an articulated robot 1, and is gripped by means of fixed electrode rings 7a, 7b. - 特許庁

ゲート電極を間に挟むように第２半導体層の表面内に第１及び第２トレンチ３、４が形成される。例文帳に追加

First and second trenches 3, 4 are formed on the surface of the second semiconductor layer so as to sandwich the gate electrode therebetween. - 特許庁

そのダミービット線は、セルトランシズタを有しない中央の線をセルトランジスタを有する左右の線が挟むように配置する。例文帳に追加

The dummy bit lines are arranged so that the center line having no cell transistor is held between the left and right lines having cell transistors. - 特許庁

光電変換膜２１Ｂを挟む電極２２Ｂ−１及び２２Ｂ−２の間に電圧を印加することによって、光電荷が発生する。例文帳に追加

By applying voltage between electrodes 22B-1 and 22B-2 which hold the photoelectric transfer film 21B in between, optical charges are generated. - 特許庁

水平エッジ量検出部４０１は、補間対象画素を挟む上下２画素ａ，ｂの差分値を算出する。例文帳に追加

A horizontal edge amount detection part 401 calculates a difference value of upper and lower 2 pixels a, b on both sides between a pixel for interpolation. - 特許庁

真空容器１ｖｃの周囲には、その側面を挟むように二対の偏向コイル１ｃｉ，１ＣＩが設けられている。例文帳に追加

Two pairs of deflection coils 1ci, 1CI are set around a vacuum vessel 1vc so as to pinch its sides. - 特許庁

多孔体流路層４をその両側から挟むようにガス分配路１０とガス回収路１２とを形成する。例文帳に追加

A gas distribution path 10 and a gas collection path 12 are formed so as to interpose a porous body passage layer 4 from both sides. - 特許庁

ブロック境界を2画素目と3画素目の間に挟む連続した4画素についてそれぞれ隣接する画素についての差分の絶対値をとる。例文帳に追加

The absolute value of a difference is calculated for adjacent pixels for consecutive four pixels, having a block boundary sandwiched between a second pixel and a third pixel. - 特許庁

合成樹脂製の芯枠２と、合成樹脂製の芯枠２を挟むように張り付けた透明な合成樹脂板３と、から成るコンクリート型枠１である。例文帳に追加

This concrete framework 1 comprises a synthetic resin core frame 2 and transparent synthetic resin plates 3 stuck so as to hold the synthetic resin core frame 2. - 特許庁

１対のソース／ドレイン領域Ｓ／Ｄが、チャネル領域を挟むように半導体基板の表面に設けられる。例文帳に追加

A pair of source/drain regions S/D are provided on the surface of the semiconductor substrate across the channel region. - 特許庁

さらに、電極２３、２４間にフィルター２５を挟む構成としているので、装置の小型化が可能となる。例文帳に追加

Besides, since the device has a structure sandwiching the filter 25 between the electrodes 23, 24, the miniaturization of the device is enabled. - 特許庁

ブッシュ１はゴム１ｂを外スリーブ１ａと内スリーブ１ｃで挟む構造の円筒形に構成される。例文帳に追加

A bush 1 is formed cylindrically to clamp a rubber 1b between an outer sleeve 1a and an inner sleeve 1c. - 特許庁

活性層３を挟むようにしてｎ型窒化物半導体層２とｐ型窒化物半導体層４が形成されており、ダブルへテロ構造を有する。例文帳に追加

An n-type nitride semiconductor layer 2 and a p-type nitride semiconductor layer 4 are formed while sandwiching the active layer 3 in a double hetero structure. - 特許庁

挟む物の厚さに対応して、片手で確実に挟持固定する事が出来るプラスチック製挟持具を提供することにある。例文帳に追加

To provide a plastic-made clamper capable of surely clamping and fixing a material by one hand corresponding to the thickness of the material to be clamped. - 特許庁

逆スタガー型構造においてもソース／ドレイン電極を絶縁性基板とゲート絶縁膜とで挟む構成とする。例文帳に追加

The two source-drain electrodes are sandwiched by the insulating substrate and the gate insulating film even in an inverse stagger structure. - 特許庁

各くし型電極部２、１、３を上記伝搬方向に沿って両側から挟む反射器４、５をそれぞれ設ける。例文帳に追加

Reflectors 4 and 5 sandwiching each interdigital electrode part 2, 1 and 3 from the sides along the propagation direction are provided, respectively. - 特許庁

半導体基板の表面には、第２絶縁膜下方の領域を挟む第２ソース／ドレイン領域２３が形成される。例文帳に追加

On the surface of the semiconductor substrate, second source/drain region 23 sandwiching a region below the second insulating film is formed. - 特許庁