「極薄シリコン」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

集電体上にシリコン非結晶薄膜またはシリコンを主成分とする非結晶薄膜を堆積させ、該非結晶薄膜を活物質として用いる負極と、正極と、非水電解質とを備え、充放電サイクル特性に優れたリチウム二次電池を効率良く製造する。例文帳に追加

To efficiently manufacture a lithium secondary battery with excellent charging/discharging property composed of an anode formed by depositing a non-crystalline thin film made of a silicon non-crystalline thin film or silicon as a main component on a current collector, using the non-crystalline thin film as an activator; of a cathode, and a nonaqueous electrolyte. - 特許庁

シリコン基板１側の誘電体前駆体薄膜４におけるＴｉの濃度が、シリコン基板１と反対側の誘電体前駆体薄膜７におけるＴｉの濃度よりも小さくなるようにして、複数の誘電体前駆体薄膜４，…，７を下部電極薄膜３上に形成する。例文帳に追加

Several dielectric precursor thin films 4-7 are formed on a lower electrode thin film 3 in such a way that the concentration of Ti in the dielectric precursor thin film 4 on the side of a silicon substrate 1 is smaller than that of Ti in the dielectric precursor thin film 7 on the side opposite to the silicon substrate 1. - 特許庁

微結晶シリコン薄膜太陽電池が、基板と、該基板の上に形成された、ｐ型水素化微結晶シリコン層、微結晶バッファ層、ｉ型水素化微結晶シリコン層、及びｎ型水素化微結晶シリコン層を少なくとも含む積層構造と、該積層構造の上に形成された反射電極と、を備える。例文帳に追加

A p-type hydrogenated microscopic crystal silicon layer 103 whereon a microscopic crystal silicon thin film solar battery si formed on a substrate 101, a microscopic crystal buffer layer 104, an i-type hydrogenated structure, containing at least an n-type hydrogenated microscopic crystal silicon layer 106, and a reflection electrode, formed on the laminated structure, are provided. - 特許庁

薄膜トランジスタの半導体層４２を形成する工程と、半導体層４２上にゲート絶縁膜２を形成する工程と、ゲート絶縁膜２上に非晶質シリコン層３４Ａを形成する工程と、非晶質シリコン層３４Ａに光を照射してこのシリコン層を結晶化し、多結晶シリコンからなる容量電極層３４を形成する工程と、を備えている。例文帳に追加

The manufacturing method also includes steps of: forming a semiconductor layer 42 of a thin film transistor; forming a gate insulating film 2 on the semiconductor layer 42; forming an amorphous silicon layer 34A on the gate insulating films 2; and crystallizing the amorphous silicon layer by irradiating the amorphous silicon layer 34A with light to form a capacity electrode layer 34 made of polycrystalline silicon. - 特許庁

不透明基板及び不透明電極を備えた場合であっても優れた光電変換特性を有する薄膜シリコン太陽電池を提供すること、及び不透明基板及び不透明電極を使用した場合であっても優れた光電変換特性を有する薄膜シリコン太陽電池を効率よくかつ簡便に得ることが可能な薄膜シリコン太陽電池の製造方法を提供すること。例文帳に追加

To provide a thin-film silicon solar battery having improved photoelectric conversion characteristics even if an opaque substrate and an opaque electrode is provided, and a method for manufacturing the thin-film silicon solar battery for obtaining the thin-film silicon solar battery having improved photoelectric conversion characteristics efficiently and easily even if the opaque substrate and the opaque electrode is used. - 特許庁

多結晶シリコンからなる半導体薄膜５と、シリコンの酸化物からなる酸化膜３と、ゲート電極膜とを含む積層構造を有する薄膜トランジスタを製造する為に、先ず、絶縁性の基板０に非晶質シリコンからなる半導体薄膜５を形成する薄膜形成工程を行なう。例文帳に追加

In order to manufacture the thin film transistor, having a laminated structure provided with a semiconductor thin film 5 composed of polycrystalline silicon, an oxidized film 3 composed of the oxide of silicon and a gate electrode film and a thin-film forming process for forming the semiconductor thin film 5 composed of an amorphous silicon on an insulating substrate 0 is carried out first. - 特許庁

半導体基板とショットキー電極との間に窒化シリコン（ＳｉｘＮｙ）薄膜が設けてあることを特徴とする。例文帳に追加

A silicon nitride (SixNy) thin film is provided between a semiconductor substrate and the schottky electrode. - 特許庁

水素濃度を分析するための水素標準試料が、濃度既知の重水素が含有されている極薄シリコン絶縁膜５からなる。例文帳に追加

A hydrogen standard sample for analyzing hydrogen concentration is made of an extremely thin silicon insulation film 5 containing deuterium whose concentration is known. - 特許庁

電極３Ａ，３Ｂが形成されたシリコン基板１上に、ペンタセン薄膜４を形成し、その上にフォトマスク５を載せる。例文帳に追加

A pentacen thin film 4 is formed on a silicon substrate 1 where electrodes 3A, 3B are formed, and a photomask 5 is placed on it. - 特許庁

シールド電極１６の上に薄膜のシリコン酸化膜３０を介して、厚膜のポリイミド系樹脂膜３１を設ける。例文帳に追加

A thick polyimide resin film 31 is provided on the shield electrode 16 with a silicon oxide film in between. - 特許庁

このゲート電極２の上にゲート絶縁膜を介して多結晶シリコンからなる半導体薄膜５を形成する。例文帳に追加

A semiconductor thin film 5 made of polycrystalline silicon is formed on the gate electrode 2, with a gate insulation film interposed in between. - 特許庁

高誘電体膜とシリコン基板とを分離する、極薄かつ緻密な界面層を形成する半導体デバイスの製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method of manufacturing a semiconductor device, by which an ultrathin and fine interface layer is formed which separates a high-k film and a silicon substrate. - 特許庁

薄膜トランジスタ１は、基板１０上にゲート電極１１およびゲート絶縁膜１２を介してシリコン膜１３を有している。例文帳に追加

A thin-film transistor 1 includes a silicon film 13 on a substrate 10 with a gate electrode 11 and a gate insulating film 12 therebetween. - 特許庁

結晶シリコン基板を陽極化成して多孔質層を形成し、この多孔質層上にエピタキシャル成長法により薄膜結晶を成長させる。例文帳に追加

A crystal silicon substrate is anodized to form a porous layer 102, on which a thin-film crystal is grown by an epitaxial growing method. - 特許庁

多結晶シリコン層３上にゲート絶縁膜５を介してゲート電極６が形成されてなる薄膜トランジスタである。例文帳に追加

The thin-film transistor is the one where a gate electrode 6 is formed on a polycrystal silicon layer 3 via a gate insulating film 5. - 特許庁

これにより、誘電体を極力薄くすることができ、シリコンウェハ６を十分な静電保持力で保持することができる。例文帳に追加

Consequently, the silicon wafer 6 can be held with sufficient electrostatic holding power, because the thickness of the can be reduced to the utmost. - 特許庁

振動板１０と電極基板３のギャップスペーサ部１３とをシリコンを含有した金属薄膜２０で接合した。例文帳に追加

The diaphragm 10 and a gap spacer section 13 of the electrode substrate 3 are bonded with each other by means of a metallic thin film 20 including silicon. - 特許庁

その後、エッチング用回転電極ＥＲを用いて前記薄膜の表面部分、例えばアモルファスシリコンの部分を除去する。例文帳に追加

Subsequently, the surface part of the thin film, e.g. an amorphous silicon part is removed by using a rotating electrode ER for etching. - 特許庁

シリコンを主成分とする薄膜を負極活物質として備え、サイクル特性の良好なエネルギーデバイスを提供する。例文帳に追加

To provide an energy device having a thin film containing silicon as the main component and having high cycle characteristics. - 特許庁

シリコンを主成分とする薄膜を負極活物質として備え、サイクル特性の良好なエネルギーデバイスを提供する。例文帳に追加

To provide an energy device having a thin film containing silicon as the main component as a negative active material, and enhancing cycle characteristic. - 特許庁

荷電粒子ビーム露光装置用マスクを、極薄マスク部とシリコン製支持部の二部構成とする。例文帳に追加

In the semiconductor mask, a mask for the charged-particle beam exposure system is formed in the two constitutions of an extremely thin mask and supporting sections made of a silicon. - 特許庁

シリコン薄膜からなる負極活物質を備え、サイクル特性に優れたエネルギーデバイスを提供する。例文帳に追加

To provide an energy device which comprises a cathode active substance made of a silicon thin film and is excellent in cycle performance. - 特許庁

シリコンを主成分とする薄膜を負極活物質としたエネルギーデバイスのサイクル特性を向上させる。例文帳に追加

To improve cycle characteristics of an energy device having a thin film composed of silicon of a main component as a cathode active material. - 特許庁

このＨｉｇｈ−ｋ膜４１２上にＡＬＤ法などにより１０Å以下の極薄のシリコン窒化膜４１３を形成する。例文帳に追加

On the High-k film 412, an extremely thin silicon nitride film 413 of 10 Å or less is further formed by an ALD (atomic layer deposition) method or the like. - 特許庁

シリコンを主成分とする薄膜を負極活物質として備えたエネルギーデバイスの大容量化とサイクル特性の向上とを両立させる。例文帳に追加

To enhance both of capacity and cycle characteristics of an energy device using a thin film containing silicon as the main component as a negative active material. - 特許庁

また、前記負極活物質の薄膜が、シリコン系の合金で形成され、厚さ３μｍ以下であることが好ましい。例文帳に追加

More preferably, the thin films of the negative electrode active material are formed of a silicon-based alloy, with a thickness of ≤3 μm. - 特許庁

キャパシタホールの内壁とコンタクトホールの内壁にメタル薄層を形成し、キャパシタホール内にこのメタル薄層に内接するポリシリコンのキャパシタ下部電極を形成し、併せて、コンタクトホール内にメタル薄層に内接するポリシリコンの接続プラグを形成する。例文帳に追加

The method for manufacturing the semiconductor device includes the steps of forming metal thin layers on the inner wall of a capacitor hole and the inner wall of a contact hole, forming the lower part electrode of a polysilicon capacitor inscribed with the metal thin layer in the capacitor hole, and forming the connecting plug of the polysilicon inscribed with the metal thin layer in the contact hole. - 特許庁

シリコンを含む薄膜と集電体との密着性の経時劣化や、シリコンを含む薄膜の集電体からの剥離を抑制することができ、充放電サイクル特性を高めることができるリチウム二次電池用負極及びその製造方法並びに該負極を用いたリチウム二次電池を得る。例文帳に追加

To provide an anode for a lithium secondary battery, and its manufacturing method, capable of restraining deterioration with time of adhesiveness of a thin film containing silicon with a collector, restraining exfoliation of the film containing silicon from the collector, and enhancing charge/discharge cycle characteristics, and a lithium secondary battery using the anode. - 特許庁

光反射性金属膜（１２１）を含む裏面電極（１２）と、一導電型層（１３１）、結晶質シリコン系薄膜からなる光電変換層（１３２）および逆導電型層（１３３）を含むシリコン系薄膜光電変換ユニット（１３）と、透明前面電極（１４）とを備える。例文帳に追加

The silicon thin-film photoelectric conversion device is provide with a rear side electrode 12 containing a light-reflective metal film 121; a silicon thin-film photoelectric conversion unit 13 containing a one-conductivity type layer 131, a photoconductive layer 132 made of a crystalline silicon thin film, and an inverse-conductivity type layer 133; and a transparent front side electrode 14. - 特許庁

透明前面電極膜（１２）と、一導電型層（１３１）、結晶質シリコン系薄膜からなる光電変換層（１３２）および逆導電型層（１３３）を含むシリコン系薄膜光電変換ユニット（１３）と、透明裏面導電膜（１４）と、裏面金属電極膜（１５）とを備える。例文帳に追加

This transducer is provided with a transparent front electrode film 12, a silicon-based thin-film photoelectric conversion unit 13 which contains are conductivity type layer 131, a photoelectric conversion layer 132 composed of crystalline silicon-based thin-film, and an opposite conductivity type layer 133, a transparent rear conducting film 14, and a rear metal electrode film 15. - 特許庁

支持基板５の上に絶縁膜を介してシリコン薄膜が配置され、シリコン薄膜にて重り部１５と可動電極１６，１７を有する梁構造体１０および固定電極２０，２４を有する片持ち梁構造体１１，１２が区画形成されている。例文帳に追加

A silicon thin film is arranged on a support board 5 through the intermediary of an insulating film, and a beam structure 10 equipped with an overlap 15 and movable electrodes 16 and 17 and cantilever beam structures 11 and 12 each equipped with fixed electrodes 20 ad 24, are formed and partitioned on the silicon thin film. - 特許庁

集電体上にシリコンを含む薄膜を形成したリチウム二次電池用負極において、シリコン薄膜が形成された集電体の表面に突起が形成された場合に、このリチウム二次電池用負極を改善し、リチウム二次電池において短絡が生じるのを防止する。例文帳に追加

To prevent the generation of a short circuit in a lithium secondary battery by improving a negative electrode for the lithium secondary battery when a projection is formed on the surface of a current collector on which a silicon thin film is formed in the negative electrode for the lithium secondary battery in which a thin film containing silicon is formed on the current collector. - 特許庁

集電体となる金属箔１２上にプラズマＣＶＤ法により、活物質となるシリコン薄膜を形成するリチウム二次電池用電極の製造方法において、金属箔１２に対するダメージを抑制して、シリコン薄膜を形成する。例文帳に追加

To form a silicon thin film while inhibiting damage to a metal foil in a method of manufacturing an electrode for a lithium secondary battery, which has the silicon thin film as an active material formed on the metal foil as a collector in a plasma CVD method. - 特許庁

シリコン単結晶からなるボンドウェーハを、直接あるいは１００ｎｍ以下と極めて薄いシリコン酸化膜を介してベースウェーハと貼り合わせる際に、貼り合わせウェーハの薄膜や貼り合わせ界面に発生する欠陥を防止できる貼り合わせウェーハの製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a manufacturing method of a laminated wafer which can prevent a failure occurring in the thin film of the laminated wafer or in the interface of lamination when laminating a bond wafer composed of a silicon single crystal on a base wafer directly or through an extremely thin silicon oxide film of not larger than 100 nm. - 特許庁

シリコン非結晶薄膜またはシリコンを主成分とする非結晶薄膜を集電体上に堆積させた負極を用いたリチウム二次電池において、非水電解質中に溶解している二酸化炭素の量が少なくても、良好な充放電サイクル特性を示すリチウム二次電池を製造する。例文帳に追加

To manufacture a lithium secondary battery showing superior charging and discharging cycle characteristics, even if the quantity of carbon dioxide dissolved in the non-aqueous electrolyte is small, in a lithium secondary battery using a negative electrode, in which silicon amorphous thin film or amorphous thin film made mainly of silicon is piled on a current collector. - 特許庁

不揮発性メモリのコントロールゲート電極と配線、多結晶シリコン薄膜抵抗素子を比較的薄い多結晶シリコン膜で形成し、ＥＳＤ保護素子形成のための高濃度不純物注入をコントロールゲート配線にも行うことを特徴とする製造方法。例文帳に追加

The manufacturing method comprising the steps of forming a control gate electrode of non-volatile memory, wiring, and the polycrystalline silicon thin film resistive element with a relatively thin polycrystalline silicon film and performing a highly doped implantation for forming an ESD protective element on a control gate wiring also. - 特許庁

１×１０^１６ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以上でかつ固溶限の濃度以下のホウ素および炭素よりなる群から選ばれた少なくとも１種の元素をシリコン中に含有してなるダイヤモンド薄膜製造用シリコン基板およびこのようにして得られるダイヤモンド薄膜電極。例文帳に追加

The silicon substrate for manufacturing the diamond thin film containing at least one element selected from the group consisting of boron and carbon having the concentration above 1x10^16 atoms/cm^3 and below the concentration of the solubility limit and the diamond thin film electrode obtainable in such a manner are provided. - 特許庁

炭化珪素基板としては、ＳＯＩ基板の表面シリコンを薄層化し、その極薄シリコン層を炭化処理により炭化珪素層に変性し、その上にＣＶＤ（化学気相成長）法により炭化珪素エピタキシャル膜を形成させたものが好ましい。例文帳に追加

The semiconductor silicon carbide substrate is preferably a semiconductor silicon carbide substrate in which surface silicon of an SOI substrate is made thin, the extremely thin silicon layer is denatured into a silicon carbide layer through carbonization, and a silicon carbide epitaxial film is deposited thereon by a CVD (chemical vapor-deposition) method. - 特許庁

そして、シリコン基板は、多孔質領域形成工程において、弗酸を含有する電解液中で陽極酸化されることにより、一部領域を含む周囲領域に選択的に多孔質シリコン領域が形成され、多孔質シリコン領域とマスク薄膜との間に多彩な発色を示す表面薄膜が形成される。例文帳に追加

Then, the silicon substrate is subjected to anodic oxidation in an electrolyte containing hydrofluoric acid in a porous area formation step, thereby a porous silicon area is selectively formed in an area surrounding the partial area and a surface thin film developing various colors is formed between the porous silicon area and the mask thin film. - 特許庁

極めて薄い（例えば２．５ｎｍ以下）膜厚を有する絶縁膜としてＳｉＯ_２膜およびＳｉＯＮ膜を用い、電極としてポリシリコン、アモルファスシリコン、ＳｉＧｅを用いた良好な電気特性を有する電子デバイス（例えば高性能ＭＯＳ型半導体装置）構造の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method of manufacturing an electronic device structure (such as a high performance MOS semiconductor device) having excellent electric characteristics using an SiO_2 film and an SiON film having extremely thin (such as 2.5 nm or less) film thickness as an insulating film, and using polysilicon, amorphous silicon, and SiGe as an electrode. - 特許庁

基板１２のビアホール２０に面する位置にて、酸化シリコンまたは窒化シリコンを主成分とする誘電体膜からなる絶縁体層１３、下部電極１５、圧電体薄膜１６および上部電極１７がこの順に積層された圧電積層構造体１４を備える。例文帳に追加

The piezoelectric thin film resonator is characterized by having a piezoelectric lamination structure 14 wherein an insulator layer 13 constituted of a dielectric film whose main component is silicon oxide or silicon nitride, a lower electrode 15, a piezoelectric thin film 16 and an upper electrode 17 are laminated in this order at a position facing a viahole 20 of a substrate 12. - 特許庁

また、Ｐチャネル型ＭＯＳトランジスタのゲート電極については、フィールド酸化膜形成工程で用いた薄い酸化膜３をゲート酸化膜として用い、且つ第１のポリシリコン層４と第２のポリシリコン層８を積層してゲート電極９としている。例文帳に追加

In addition, as for a gate electrode of a P channel type MOS transistor, a thin oxide film 3 used in the step for forming the field oxide film is used as a gate oxide film, and the first poly-silicon layer 4 and the second poly-silicon layer 8 are laminated and used as the gate electrode 9. - 特許庁

極めて薄い膜厚を有する絶縁膜としてＳｉＯ_２膜およびＳｉＯＮ膜を用い、電極としてポリシリコン、アモルファスシリコン、ＳｉＧｅを用いた良好な電気特性を有する電子デバイス（例えば高性能ＭＯＳ型半導体装置）構造の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method of manufacturing an electronic device (high-performance MOS type semiconductor device, for example) structure having favorable electrical characteristics using an SiO_2 film and an SiON film as an insulation film having an extremely thin film thickness and using polysilicon, amorphous silicon, and SiGe as an electrode. - 特許庁

その後、少なくともゲート電極の膜厚よりも厚く、かつ、ゲート電極の膜厚と分離絶縁膜のエッチング膜厚とを合計した膜厚よりも薄いシリコン酸化膜を形成し、このシリコン酸化膜上に、エッチングストッパ膜を形成する。例文帳に追加

Then, a silicon oxide film is formed that is at least thicker than the film thickness of the gate electrode and thinner than the film thickness totalling the film thickness of the gate electrode and the thickness of the etched isolation insulating film, and an etching stopper film is formed on top of the silicon oxide film. - 特許庁

基板上のアルミニウムから成るゲイト電極と、前記ゲイト電極上のアルミニウムの酸化物から成る薄膜と、前記アルミニウムの酸化物から成る薄膜上のアモルファスシリコン膜と、前記アモルファスシリコン膜上であって、前記ゲイト電極上方の窒化珪素膜と、前記窒化珪素膜上および前記アモルファスシリコン膜上のＮ型のアモルファスシリコン膜とを有することを特徴とする半導体装置。例文帳に追加

This semiconductor device is provided with a gate electrode which consists of alminum on a substrate, films which consist of alminum oxide on the gate electrode, an amorphous silicon film on the film which consists of the alminum oxide, and a silicon nitride film over the gate electrode, and an amorphous silicon film of ntype on the silicon nitride film and the amorphous silicon film. - 特許庁