「極薄シリコン」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

該負極活物質は、結晶性シリコンを含む新たな構造のシリコン薄膜からなって充放電時の体積変化が小さい。例文帳に追加

The anode active substance is composed of a silicon thin film with a new structure containing crystalline silicon and has a small volume variation at the time of charge/discharge. - 特許庁

シリコン基板上に、緻密で特性の安定した１ｎｍ以下の厚さの極薄シリコン窒化膜は得られない状況にある。例文帳に追加

To solve the problem, wherein an extremely thin and fine silicon nitride film that is stable in characteristics and is 1nm or smaller in thickness cannot be obtained on a silicon substrate. - 特許庁

シリコン基板にリーク電流密度の低い高品質の極薄二酸化シリコン膜を膜厚の制御性よく低温で形成する。例文帳に追加

To provide a method for forming an extremely thin silicon oxide film of low leak current density and high quality on a silicon substrate at a low temperature with highly controllablity of film thickness. - 特許庁

下部電極１２と絶縁性基板１１との間に下部電極１２から電子通過部５が剥れるのを防止する薄膜（例えば、ノンドープの多結晶シリコン、ノンドープのアモルファスシリコン、酸化シリコン、窒化シリコンなど）からなる剥れ防止層１３を介在させてある。例文帳に追加

A peeling off preventing layer 13 comprising a thin film made of (for example, non-doping polycrystalline silicon, non-doping amorphous silicone, silicon oxide, silicon nitride, or the like) preventing the peeling off of the electron passing part 5 from the lower electrode is placed between the lower electrode 12 and an insulating substrate 11. - 特許庁

このような構成によれば、凸部１３とシリコン薄膜電極１４は共にシリコンにより形成されているので固着することがなく、シリコン基板２と絶縁層２０を陽極接合する際にシリコン基板２が絶縁層２０に貼り付くことをより確実に防止できる。例文帳に追加

The projection 13 and the silicon thin film electrode 14 do not adhere each other because both of them are formed of silicon by this constitution, and the silicon substrate 2 can be surely prevented from sticking to the insulating layer 20 when performing anodic bonding between the silicon substrate 2 and the insulating layer 20. - 特許庁

シリコン層３３とソース領域３７との間のベース領域３５上に薄いシリコン酸化膜３８を介してポリシリコンからなるゲート電極３９が形成される。例文帳に追加

A gate electrode 39 consisting of polysilicon is formed on the base region 35 between the silicon layer 33 and source region 37 via a thin silicon oxide 38. - 特許庁

電極駆動信号の少なくとも１つが、ポリシリコン薄膜バッファを介して供給される。例文帳に追加

At least one of the electrode-drive signals is supplied by way of a polysilicon thin-film buffer. - 特許庁

次いで、各対向電極１６に直流パルス電圧を印加し、シリコン系薄膜を成膜する。例文帳に追加

Then, the silicon-based thin film is deposited by applying a DC pulse voltage to each counter electrode 16. - 特許庁

Ｓｉ（１１１）上にゲ—ト誘電体用の極薄結晶質シリコン窒化物を生成する方法例文帳に追加

METHOD OF FORMING ULTRA-THIN CRYSTALLINE SILICON NITRIDE FOR GATE DIELECTRIC ON SILICON (111) - 特許庁

集電体上にシリコンを主成分として含む負極活物質薄膜が形成されている。例文帳に追加

A negative active material thin film containing silicon as the main component is formed on a current collector. - 特許庁

金薄膜７をｎ形シリコン基板１に対して正極として金薄膜７とオーミック電極２との間に電圧を印加することにより、ｎ形シリコン基板１から急速熱酸化された多孔質ポリシリコン層６に注入された電子が金薄膜７を通して放出される。例文帳に追加

By impressing a voltage between the gold thin film 7 and an ohmic electrode 2, using the gold thin film 7 as an positive electrode for the n-type silicon board 1, electrons injected form the n-type silicon board 1 into the rapid thermally oxidized porous polysilicon layer 6 are emitted through the gold thin film 7. - 特許庁

透明な絶縁性基板上に、少なくとも透明電極膜、ｐ型、ｉ型、ｎ型の微結晶シリコン層および裏面電極膜が積層形成された薄膜シリコン太陽電池において、ｐ型微結晶シリコン層とｉ型微結晶シリコン層との間のｐ／ｉ界面およびその近傍部位に炭素を含有するシリコン層を有する。例文帳に追加

This thin film silicon solar battery where at least a transparent electrode film, p-type, i-type, and n-type microcrystal silicon layers, and a back electrode film are laminated on a transparent insulating substrate is provided with a silicon layer containing carbon on a p/i interface between the p-type microcrystal silicon layer and the i-type microcrystal silicon layer and the neighborhood site. - 特許庁

ガラス基板１０上に絶縁膜１１を介して形成された多結晶シリコン膜１２と、多結晶シリコン膜１２上に形成されたシリコン酸化膜１３と、シリコン酸化膜１３上に形成されたモリブデン電極１５を備えた薄膜トランジスタにおいて、シリコン酸化膜１３とモリブデン電極１５との間に、タンタルからなる反応防止膜１４を介在させた。例文帳に追加

A thin film transistor is equipped with a polycrystalline silicon film 12 formed on a glass substrate 10 through the intermediary of an insulating film 11, a silicon oxide film 13 formed on the polycrystalline silicon film 12, and a molybdenum electrode 15, where a reaction stop film 14 of tantalum is interposed between the silicon oxide film 13 and the molybdenum electrode 15. - 特許庁

シリコン基板に対する密着性が極めて大で、かつその密着性が大直径のシリコン基板の全面にわたって均質な強い密着性を有するダイヤモンド薄膜を製造するためのシリコン基板およびダイヤモンド薄膜電極を提供する。例文帳に追加

To provide a silicon substrate for manufacturing a diamond thin film having extremely high adhesibility to the silicon substrate, the adhesibility being uniform and strong over the entire surface of the silicon substrate of a large diameter, and to provide a diamond thin film electrode. - 特許庁

そして、このポリシリコン薄膜３上にゲート絶縁膜４を形成し、このゲート絶縁膜４上に上層金属薄膜６及び下層マイクロクリスタルシリコン薄膜５の２層構造からなるゲート電極を形成する。例文帳に追加

A gate insulating film 4 is formed on the polysilicon thin film 3, and the gate electrode constituted of a two-layer structure of an upper layer metal thin film 6 and a lower layer microcrystal silicon thin film 5 is formed. - 特許庁

これにより、負極活物質薄膜の厚みを増大させても、シリコン薄膜の層数を増大させることにより、１層あたりのシリコン薄膜の厚みの増大を防止できる。例文帳に追加

Increase in thickness of the silicon thin film per layer can be prevented by increasing the number of silicon thin film layers even if the thickness of the negative active material thin film is increased. - 特許庁

これにより、負極活物質薄膜の厚みを増大させても、シリコン薄膜の層数を増大させることにより、１層あたりのシリコン薄膜の厚みの増大を防止できる。例文帳に追加

Thereby, even if the thickness of the negative electrode active material thin film is increased, the thickness of the silicon thin film per one layer is prevented from increasing by increasing the number of layers in the silicon thin film. - 特許庁

非晶質シリコン層及び結晶性シリコン層を半導体層とする薄膜トランジスタにおいて、ドレイン電極が、半導体層の結晶性シリコン層と直接接することにより、電流の立ち上がり特性を向上させることを特徴とする薄膜トランジスタ。例文帳に追加

This thin-film transistor having an amorphous silicon layer and a crystalline silicon layer as semiconductor layers is characterized in that the current rise characteristics are improved because a drain electrode is made to directly touch the crystalline silicon layer of the semiconductor layer. - 特許庁

陽極酸化の対象であって電解液１に表面の一部が接する多結晶シリコン薄膜５の裏面側のｎ形単結晶シリコン基板３を正極とし、電解液１に浸された白金を負極４とする。例文帳に追加

An n-type single crystal silicon substrate 3 on the rear side of a polycrystalline silicon thin film 5 to be anodized with a part of the surface dipped in an electrolyte 1 is used as a positive electrode and a platinum dipped in the electrolyte 1 as a negative electrode 4. - 特許庁

集電体層上に直接又は下地層を介して設けられる負極活物質薄膜がシリコンを主成分として含む２以上のシリコン薄膜を含む多層構造を有する。例文帳に追加

A negative active material thin film installed directly or through a primary coat on a current collector layer has a multilayer structure containing two or more silicon thin films containing silicon as the main component. - 特許庁

集電体上にシリコン層が設けられ、該シリコン層の表面には所定の範囲の厚さを有する薄膜層が設けられており、該薄膜層にはフッ素が含まれている電極を蓄電装置に用いる。例文帳に追加

An electricity storage device comprises an electrode comprising a silicon layer on a collector, and a membrane layer on the surface of the silicon layer having a thickness in a prescribed range and containing fluorine. - 特許庁

集電体２上に活物質となるシリコン薄膜を形成するリチウム二次電池用電極の製造方法において、密着性良く集電体２上にシリコン薄膜を形成する。例文帳に追加

To form a silicon thin film on a current collector 2 with a good adhesiveness in a manufacturing method of electrode for lithium secondary battery in which a silicon thin film that forms an active substance on the current collector 2 is formed. - 特許庁

シリコン基板４上の第１層間絶縁膜膜８上に下部電極薄膜９を形成し、その上に強誘電体薄膜１０を形成する。例文帳に追加

A lower-part electrode thin film 9 is formed on a first inter-layer insulating film 8 on a silicon substrate 4, over which a ferroelectric thin film 10 is formed. - 特許庁

シリコン窒化膜６０が、薄いシリコン酸化膜５９のみを介して各画素アンプ１５のゲート電極４５を覆うように、ゲート電極４５の付近に局所的に設けられる。例文帳に追加

A silicon nitride film 60 is locally provided near the gate electrode 45 to cover the gate electrode 45 of each pixel amplifier 15 via only a thin silicon oxide film 59. - 特許庁

リチウムと合金化しない金属からなる集電体（例えば、銅箔）の上にシリコンを含む活物質層（例えば、非晶質シリコン薄膜）を設けた電極を負極として用いたリチウム二次電池のサイクル特性を高める。例文帳に追加

To improve the cycle characteristic of a lithium secondary battery using an electrode with an active substance layer containing silicon (such as amorphous silicon thin film) on a collector consisting of metal which is not alloyed with lithium (for example, copper foil), as a negative electrode. - 特許庁

貫通細孔５を有する薄いシリコン電極板２，２１，２２を複数枚重ね合わせて貫通細孔５を有する冷却板３にボルト６で固定してなるプラズマエッチング用多層シリコン電極板。例文帳に追加

The multilayer silicon electrode plate for plasma etching is formed by piling a plurality of thin silicon electrode plates 2, 21 and 22 having through small holes 5 and fixing them to a cooling plate 3 having the through small holes 5 by means of bolts 6. - 特許庁

薄いシリコン基板上に形成する外部電極の電極容量を低く抑え、且つ、シリコン基板の反り量を小さく抑えた半導体装置及びその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor device wherein the electrode capacitance of its each external electrode formed on a thin silicon substrate is suppressed to be low and the warping quantity of the silicon substrate is suppressed to be small, and to provide a method of manufacturing the same. - 特許庁

Ｕ字型溝４３の内部にゲート電極４６を埋め込み形成し、ゲート電極４６の凹みに薄いシリコン酸化膜５３を介してポリシリコン層５４を埋め込み形成している。例文帳に追加

A method for manufacturing the semiconductor device comprises the steps of embedding and forming the gate electrode 46 in the U-shaped groove 43, and embedding and forming a polysilicon layer 54 in a recess of the electrode 46 via a thin silicon oxide film 53. - 特許庁

次にシリコンチップ内部に絶縁層を介してギャップ電極と引出電極を形成、シリコンチップ外周部の凹部の表面を金薄膜で被う。例文帳に追加

A gap electrode and a drawing electrode are then formed inside the silicon chip through an insulating layer, and a front surface of a recess along the outer periphery of the silicon chip is covered with a gold thin film. - 特許庁

シリコン基板と、前記シリコン基板上に形成された厚さ０．５〜４ｎｍのシリコン酸窒化膜と、前記シリコン酸窒化膜上に形成されたＢｉ系ペロブスカイト強誘電体またはＰｂ系ペロブスカイト強誘電体の薄膜と、前記強誘電体薄膜上に形成された電極とを備えることを特徴とする強誘電体メモリ。例文帳に追加

The ferroelectric memory comprises a silicon substrate, a silicon oxynitride film formed on the substrate and having a thickness of 0.5 to 4 nm, a Bi perovskite ferroelectric or Pb-perovskite ferroelectric thin film formed on the silicon oxynitride film, and an electrode formed on the ferroelectric thin film. - 特許庁

透明導電膜上に、シリコンを堆積する初期にアモルファスシリコン層もしくは微結晶シリコンからなる極薄膜を成膜し、その後に光電変換層を形成する事を特徴とする光起電力素子の作製方法である。例文帳に追加

The method for manufacturing the photovoltaic element comprises the steps of forming an extra-thin film made of the amorphous silicon layer or the microcrystal silicon at an initial time of depositing the silicon on the transparent conductive film, and thereafter forming the photoelectric conversion layer. - 特許庁

しかし、オゾン水処理による非晶質シリコン膜表面への極薄シリコン酸化膜の成膜工程を実際の工程に適用した結果、ロット内の一部の基板に於いて、熱結晶化後の結晶質シリコン膜に渦状の模様の発生が認められた。例文帳に追加

As pretreatment of the spin doping process of a catalytic element solution, a step of forming an extremely thin silicon oxide film by ozone water treatment is practically included in the actual process. - 特許庁

シリコン基板１１における下部酸化シリコン膜１６Ａ及び上部酸化シリコン膜１８Ａの開口部に露出した領域の表面及び陰極１７の表面は、低仕事関数材料からなる薄い表面被覆膜２０により覆われている。例文帳に追加

An area surface, which is exposed through the openings of the lower dioxide silicon film 16A and the upper dioxide silicon film 18A in the silicon substrate 11, and a surface of the cathode 17 are coated with a thin surface coating film 20 formed from materials of lower work function. - 特許庁

ｐ型よりｎ型のポリシリコンの方がエッチング速度が速いため、ｎＭＯＳ領域ＢよりもｐＭＯＳ領域Ａのポリシリコン膜４を薄くすることにより、ゲート電極形成時に、ｐＭＯＳ領域ＡとｎＭＯＳ領域Ｂのポリシリコン膜４のエッチングをほぼ同時に終了できる。例文帳に追加

Since n-type polysilicon has a larger etching rate than p-type polysilicon has, the etching of the polysilicon film 4 in the p and n-type MOS regions A and B can be completed at nearly the same time, when the thickness of the film 4 in the region A is made thinner than that of the film 4 in the region B. - 特許庁

シリコンウェハー１を陽極化成し、表面に多孔質シリコン層２を形成し、多孔質シリコン層２の上にダイヤモンド状炭素を含む中間層３を気相成長により形成し、中間層３の上にダイヤモンド薄膜を気相成長により形成する。例文帳に追加

A silicon wafer 1 is made into anode, a porous silicon layer 2 is formed on the surface, an intermediate layer 3 containing diamond-like carbon is formed on the porous silicon layer 2 by vapor phase growth, and the diamond membrane is formed on the intermediate layer 3 by vapor phase growth. - 特許庁

シリコン系薄膜成膜装置１０では、複数の対向電極１６の各々に隙間をもって対向するように各透明電極６２を配置する。例文帳に追加

In the silicon-based thin film deposition apparatus 10, each transparent electrode 62 is disposed so as to spatially oppose each of a plurality of counter electrodes 16. - 特許庁

島状の不純物を含むシリコン層に接触するように、金属薄膜のソース電極と信号線を形成し陽極酸化する。例文帳に追加

The signal conductor is formed with the source electrode of a metallic thin-film and anode-oxidized so as to be brought into contact with a silicon layer containing insular impurities. - 特許庁

負極集電体１の上にシリコンの柱状粒子３０を含む負極活物質薄膜が形成される。例文帳に追加

A cathode active substance thin film including silicon columnar particles 30 is formed on a negative electrode collector 1. - 特許庁

アモルファスシリコンまたは多結晶シリコンからなる半導体薄膜１３上にはゲート絶縁膜１４を介してゲート電極１５が設けられている。例文帳に追加

A gate electrode 15 is formed on a semiconductor thin film 13 made of amorphous silicon or polycrystal silicon with a gate insulation film 14 in between. - 特許庁

信号伝送回路を構成する例えばＣＰＷ５とシリコン基板２との間に、当該シリコン基板と陽極接合され、イオン移動した薄膜のパイレックス（登録商標）ガラス３を設けた。例文帳に追加

A thin film of ion-migrated Pyrex (R) glass 3 anodic-bonded to a silicon substrate 2 is provided between, e.g., a CPW 5 constituting a signal transmission circuit and the silicon substrate 2. - 特許庁

多孔質領域形成工程において陽極酸化の条件が制御されることにより、シリコン基板の一主面上における多孔質シリコン領域の表面に形成された薄膜の反射スペクトルが調整される。例文帳に追加

By controlling the conditions for the anodic oxidation in the porous area formation step, reflection spectra of the thin film formed on the surface of the porous silicon area on the main surface of the silicon substrate are adjusted. - 特許庁

極薄膜状態であっても、物理的な特性及び電気的な特性に優れている窒化シリコン膜を成膜することが可能な窒化シリコン膜の成膜方法を提供すること。例文帳に追加

To provide a forming method of a silicon nitride film capable of forming the silicon nitride film excellent in physical characteristics and electric characteristics even if the silicon nitride film is extremely thin. - 特許庁

多数枚の半導体ウエハを一括して反応容器内に搬入し、酸化処理を行って極薄のシリコン酸化膜を形成するにあたり、膜質の良いシリコン酸化膜を形成できるようにすること。例文帳に追加

To form a silicon oxide film having an excellent film quality when a large number of semiconductor wafers are carried collectively into a reaction vessel and the extremely thin silicon oxide film is formed by oxidation. - 特許庁

また絶縁層２０の下面２０ｂの凸部１３に対向する位置にはスパッタリング法によりシリコンを成膜することによりシリコン薄膜電極１４が形成されている。例文帳に追加

A silicon thin film electrode 14 is formed on a position facing to the projection 13 of the under surface 20b of the insulating layer 20 by forming a film from silicon by a sputtering method. - 特許庁

シリコンウェハ１１０が薄膜化された後に、当該シリコンウェハ１１０にスルーホールが形成され、更に当該スルーホールの内部に貫通電極となる導電体１５０が形成される。例文帳に追加

After a silicon wafer 110 is formed into a thin film, a through hole is formed in the wafer 110 and a conductor 150 to be a penetrating electrode is further formed in the through-hole. - 特許庁