「極薄シリコン」に関連した英語例文の一覧と使い方(5ページ目) - Weblio英語例文検索

薄膜光電変換装置１００は、基板１上に、透明電極層２と、３つのシリコン系光電変換層９１，９２，９３とを順に備える。例文帳に追加

The thin-film photoelectric conversion device 100 has a transparent electrode layer 2 and three silicon-based photoelectric conversion layers 91, 92 and 93 in order on a substrate 1. - 特許庁

極薄い液体セル、プリズム光学系、およびシリコンロッドなどを用いずに、テラヘルツ波に対して大きな吸収を有する物質中の微量な分子などのテラヘルツ透過スペクトル測定を良好に行うことを可能にする。例文帳に追加

To well measure the terahertz transmission spectrum of a very small amount of the molecules or the like in a substance highly absorbent for terahertz waves, without using an extremely thin liquid cell, a prism optical system, a silicon rod and the like. - 特許庁

極薄い液体セル、プリズム光学系、およびシリコンロッドなどを用いずに、テラヘルツ波に対して大きな吸収を有する物質のテラヘルツ透過スペクトル測定を良好に行うことを可能にする。例文帳に追加

To well measure the terahertz transmission spectrum of a substance highly absorbent for terahertz waves, without using an extremely thin liquid cell, a prism optical system, a silicon rod, and the like. - 特許庁

欠陥が低く、高次シラン混入の少ない高品質なアモルファスシリコン薄膜を大面積で得るために、広い面積に渡り陰極凹部（ホロー）にプラズマを発生できるプラズマＣＶＤ装置を提供する。例文帳に追加

To provide a plasma CVD device which can generate plasma in a cathode depressed part (hollow) across a wide area in order to obtain a high-quality amorphous silicon thin-film of a large size with few defects and few inclusion of high-order silane. - 特許庁

ゲート絶縁膜全体として、シリコン酸化膜換算膜厚の増加を抑制し、高誘電率を有する絶縁膜を主体とした極薄ゲート絶縁膜を構成すること。例文帳に追加

To inhibit increase in film thickness calculated in terms of the film thickness of a silicon oxide film as the whole gate insulating film and to constitute an ultrathin gate insulating film containing an insulating film having a high dielectric constant as its main component. - 特許庁

ＩＴＯ膜と同程度の電極電位を有し、シリコンが拡散することなく、比抵抗が低く、耐熱性に優れたアルミニウム合金薄膜を提供することを目的とする。例文帳に追加

To provide an aluminum alloy thin film which has an electrode potential equal to that of an ITO (indium-tin-oxide) film, has no diffusion of silicon, has low specific resistance, and has excellent heat resistance. - 特許庁

この圧力検出チップ２００のダイアフラム８′は、従来の圧力検出チップと略同様に、絶縁体（絶縁膜２１０）と共有電極（１ａ）とシリコン基板薄膜部１ｃとを合わせて形成されている。例文帳に追加

The diaphragm 8' of a pressure detecting chip 200 is formed substantially similarly to the conventional pressure detection chip by joining an insulator (an insulating film 210), a common electrode (1a) and a silicon substrate thin film part 1c. - 特許庁

さらに、薄肉部５のダイヤフラム部５Ａにはピエゾ抵抗素子８を形成すると共に、このピエゾ抵抗素子８に接続された電極９を下部シリコン基板１の表面１Ａ側に配置する。例文帳に追加

A piezo-resistance element 8 is formed in a diaphragm part 5A of the thin-walled part 5, and an electrode 9 connected to the piezo-resistance element 8 is arranged on the surface 1A side of the silicon substrate 1. - 特許庁

ヒータ電極４が電気的に接続されたポリシリコン抵抗からなるヒータ３上にＢＰＳＧ７及びＴＥＯＳ８からなる層間膜を介してＡｌ_２Ｏ_３とＣｏからなるナノグラニュラー薄膜抵抗１を設ける。例文帳に追加

Above a heater 3 comprising a polysilicon resistance connected electrically with heater electrodes 4, a nano-granular thin-film resistance 1 made of Al_2O_3 and Co is provided via an interlayer film made of BPSG (Boron-doped Phospho-Silicate Glass) 7 and TEOS (tetra ethyl ortho silicate) 8. - 特許庁

ｎ形シリコン基板１の主表面側に強電界ドリフト部６が形成され、強電界ドリフト部６上に金薄膜よりなる表面電極７が形成されている。例文帳に追加

In this field emission electron source, a strong electric field drift part 6 is formed on the main surface side of a n-type silicon substrate 1, and a surface electrode 7 of a gold foil film is formed on the strong electric field drift part 6. - 特許庁

多結晶シリコン膜を上下の電極層として有するキャパシタにおいて、絶縁層をなす酸化膜の膜厚が１００Å以下と非常に薄い場合でも、信頼性の高いキャパシタを得る。例文帳に追加

To obtain a capacitor whose reliability is high, even when the film thickness of an oxide film forming an insulating layer is extremely thin, for example, 100 Å or smaller in a capacitor having polycrystalline silicon films as the upper and lower electrode layers. - 特許庁

チャネル部を形成する多結晶シリコン膜をゲート電極と重なり合う領域で分離することにより、放熱を大きくして温度上昇を抑制し、信頼性に優れた薄膜トランジスタが得られる。例文帳に追加

The thin film transistor having the excellent reliability can be obtained by increasing a heat sink and suppressing the temperature rise by separating a polycrystal silicon film for forming a channel by a region to be superposed with a gate electrode. - 特許庁

肉薄な部分を含む変位部（梁部６＋重り７）８を備えた半導体素子３のシリコン基板２に、キャップ１５を陽極接合により接合する。例文帳に追加

A cap 15 is bonded by the anode-bonding to an Si substrate 2 of a semiconductor element 3 which has a displacement part (beam 6 plus weight 7) including a thin-walled part. - 特許庁

本方法におけるフォトリソグラフィー工程は、線状遮光体形成、多結晶シリコン薄膜形成、ゲート電極形成、の３工程のみとなる。例文帳に追加

The photolithographic processes of the present method comprise only three steps of forming the linear light shielding bodies, forming the polycrystalline silicon thin film and forming the gate electrode. - 特許庁

シリコンを主成分とする薄膜を負極活物質として備えたエネルギーデバイスの大容量化とサイクル特性の向上とを両立させる。例文帳に追加

To enhance cycle characteristics of an energy device equipped with a thin film having silicon as a main component as a negative electrode active material while allowing it to have a large capacity. - 特許庁

透明絶縁基板１上に少なくとも第１の金属膜２、陽極酸化膜３、第１の絶縁膜４、多結晶シリコン膜５、第２の絶縁膜６、及び、第２の金属膜７を順に積層して薄膜半導体装置を構成する。例文帳に追加

At least, a first metallic film 2, an anode oxide film 3, a first insulating film 4, a polycrystalline silicon film 5, a second insulating film 6, and a second metallic film 7 are successively laminated on a transparent insulating substrate 1. - 特許庁

集電体と負極活物質薄膜との界面近傍に、集電体の主成分元素及びシリコンの組成分布がなだらかに変化する組成傾斜層が形成されている。例文帳に追加

A composition inclining layer gently changing composition distribution of a main component element of a current collector and silicon is formed in the vicinity of the interface between a current collector and the negative active material thin film. - 特許庁

ガラス板等の絶縁性の基板１１に、所定の電極形状に形成されたシリコン等の半導体薄板２０が積層され、基板１１の半導体薄板２０の積層面とは反対側から半導体薄板２０に達する複数の透孔１２が形成されている。例文帳に追加

Semiconductor thin sheets 20 of silicon or the like, formed so as to have predetermined electrode configurations, are laminated on a substrate 11 having insulation properties such as a glass plate or the like, while a plurality of through holes 12 extend to the semiconductor thin sheets 20 from the opposite side of the laminated surface of the semiconductor thin sheets 20 on the substrate 11. - 特許庁

ウエハレベル・チップサイズのパッケージ構造は、シリコン基板１１上に形成された半導体回路を一様に覆う薄い絶縁膜１５と、この薄い絶縁膜１５上に各外部電極２２に対応して形成されて、各外部電極２２を搭載するドーナツ状の厚い絶縁膜１８とを有する。例文帳に追加

The package structure of the semiconductor device in a wafer-level chip size has a thin insulating film 15 covering uniformly semiconductor circuits formed on a silicon substrate 11, and thick doughnut-formed insulating film 18 which is formed on the thin insulating film 15 corresponding to each of external electrodes 22 and mounts the external electrodes 22. - 特許庁

半導体基板を製造する工程で、絶縁膜層であるＳｉＮ（窒化シリコン）等のドライエッチング時に発生する残渣物を容易に除去でき、さらにガラス基板や薄膜回路に使用されるａ−Ｓｉ、ポリシリコンや配線材料を全く腐食することなく極めて効率良く半導体基板を洗浄する方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for easily removing a residual generated in dry-etching on SiN (silicon nitride) which is an insulting film layer in a process for manufacturing a semiconductor substrate and efficiently cleaning the semiconductor substrate without the corrosion of a-Si, polysilicon and a wiring material, which are used for a glass substrate and a thin film circuit. - 特許庁

本発明の薄膜キャパシタ１００は、誘電体膜（シリコン窒化膜）１５がキャパシタ下部電極（アルミニウム）１２上の第１の絶縁膜（シリコン酸化膜）１３に設けられた開口部１４内面に沿って形成され、開口部１４の底部コーナ１４ａは、底部コーナ１４ａだけを部分的に覆う第２の絶縁膜（無機ＳＯＧ膜）１０１で被覆されている。例文帳に追加

The thin film capacitor 100 has a dielectric film (silicon nitride film) 15 formed along the inner surface of an opening 14 provided in a first insulating film (silicon oxide film) 13 on the lower electrode (aluminum) 12 of the capacitor wherein the bottom corner 14a of the opening 14 is coated with a second insulating film (inorganic SOG film) 101 covering only the bottom corner 14a partially. - 特許庁

本発明に係る圧力波発生装置は、圧力波を発生させる圧力波発生装置１であって、シリコン基板１１と、当該シリコン基板１１上に設けられたガラス基板１２と、当該ガラス基板１２上に形成され、電気的に駆動される発熱体薄膜から構成された電極１３とを備えたものである。例文帳に追加

The pressure-wave generator 1 for generating a pressure wave has a silicon substrate 11, a glass substrate 12 arranged on the silicon substrate and an electrode 13 which is formed on the glass substrate 12 and structured of a heating-element thin-film driven electrically. - 特許庁

可変形状鏡の上部基板１０１は、単結晶シリコン基板１０５に形成された枠部及びミラー開口部１０３と、上記シリコン基板１０５全面にわたって形成された少なくとも２層の薄膜であるポリイミド膜１０６及び電極膜１０により上記ミラー開口部１０３に形成されたダイヤフラムと、を少なくとも有するダイヤフラム構造体である。例文帳に追加

An upper substrate 101 of a variable form mirror is of a diaphragm structure body having at least a frame part and a mirror opening part 103 formed on a single crystal silicon substrate 105, and a diaphragm formed at the mirror opening part 103 with a polyimide film 106 and an electrode film 10 which are at least two layers of thin films formed over the whole face of the silicon substrate 105. - 特許庁

ランプ光５０を用いて、絶縁膜３０もしくはゲート電極２０を選択的に加熱して絶縁膜３０を成膜し、連続してアモルファスシリコン膜７０を成膜することによって、基板１０の温度を低温に保ったまま高品質の絶縁膜及び非晶質シリコン膜を形成でき、スループットを落とすことなく、信頼性及び性能の優れた薄膜トランジスタが得られる。例文帳に追加

Lamp light 50 is used, an insulating film 30 or a gate electrode 20 is selectively heated to form the insulating film 30, and an amorphous silicon film 70 is continuously formed, thus forming a high-quality insulating film and amorphous silicon film while the temperature in a substrate 10 is kept low, and hence obtaining the thin-film transistor having excellent reliability and performance without deteriorating the throughput. - 特許庁

接合工程は、薄肉のダイアフラム部にピエゾ抵抗効果を有する複数の歪みゲージをブリッジ回路状に形成してなる検出部４ａを複数備えるシリコン基板（半導体基板）２０をガラス基板２１上に配設し、シリコン基板２１及びガラス基板２１を陽極接合法によって接合する。例文帳に追加

In a junction process, a silicon substrate (semiconductor substrate) 20 on which a plurality of detection parts 4a in which a plurality of strain gauges having a piezoresistance effect in its thin diaphragm part are provided to form a bridge circuit is provided on a glass substrate 21 and put the silicon substrate 20 and the glass substrate 21 together by an anodic junction method. - 特許庁

基板とラダー状の電極との間にシリコンを含む原料ガスおよび水素ガスを供給するとともに周波数が１０ＭＨｚ以上３００ＭＨｚ以下の高周波を印加することにより生成されるプラズマを利用するプラズマＣＶＤ法を用いて基板上に製膜されたシリコン系薄膜を光電変換層として有する。例文帳に追加

Silicon-containing material gas and hydrogen gas are fed between a board and a ladden-shaped electrode, and a high-frequency power of 10 to 300 MHz is applied to generate a plasma, by which a silicon thin film is formed on the board through a plasma CVD method using the generated plasma, and the silicon thin film is used as a photoelectric conversion layer. - 特許庁

本発明の不揮発性メモリ素子は、完全空乏型の薄膜ＳＯＩ表面に形成されたトンネル酸化膜と、該トンネル酸化膜表面に所定の密度で形成された複数のシリコンドットと、該シリコンドットを挟んで、トンネル酸化膜上に形成された酸化膜と、該酸化膜の表面に形成されたゲート電極とを備える。例文帳に追加

The non-volatile memory device comprises a tunnel oxide film formed on the surface of a fully-depleted SOI thin film, the plurality of silicon dots formed at a prescribed concentration on the surface of the tunnel oxide film, an oxide film formed on the tunnel oxide film via the silicon dots, and a gate electrode formed on the surface of the oxide film. - 特許庁

表面シリコン原子の再配列によって形成した複数のステップ１１およびテラス１２を有するミスオリエンテーション基板１０を用いて、その基板１０のテラス１２上にエピタキシャル成長させた極薄の結晶質二酸化シリコン膜１５をゲート絶縁膜としてＭＯＳ電界効果型トランジスタを構成する。例文帳に追加

With the use of a mis-orientated wafer 10 with a plurality of steps 11 and terraces 12 formed by rearranged surface silicon atoms, a MOS field-effect transistor is structured with a very thin crystalline silicon dioxide film 15 which is grown epitaxially on the terrace 12 of the wafer 10 as a gate insulating film. - 特許庁

基板に対して形成される絶縁性アンダーコート層と、該絶縁性アンダーコート層の上に形成される多結晶シリコンからなる半導体活性層と、該半導体活性層上に絶縁して形成されるゲート電極とを備え、該絶縁性アンダーコート層は、テトラエトキシシランを材料とし、プラズマＣＶＤで形成されたシリコン酸化膜層である薄膜トランジスタである。例文帳に追加

The thin-film transistor comprises an insulating undercoat layer formed on a substrate, a semiconductor active layer composed of polysilicon formed on the insulating undercoat layer, and a gate electrode formed on the semiconductor active layer, while being insulated wherein the insulating undercoat layer is a silicon oxide film layer formed by plasma CVD, using tetraethoxy silane as the material. - 特許庁

ｐ型シリコン半導体基板を薄くした場合でも、塗布量を減らさないで、所望のＢＳＦ効果を十分達成することができ、かつ焼成後のｐ型シリコン半導体基板の変形を抑制することが可能なペースト組成物と、その組成物を用いて形成された不純物層または電極層を備えた太陽電池を提供することである。例文帳に追加

To provide paste composition to fully achieve requested BSF effect without decreasing the amount of application, even when thinning a p-type silicon semiconductor board, and to control deformation of the p-type silicon semiconductor board after baking and a solar cell equipped with an impurities layer or an electrode layer formed with the composition. - 特許庁

シリコン基板１００上に、同装置内で連続して電極層と圧電体層を積層し、積層された電極層と圧電体層との両方を同一のマスクを用いてエッチングすることにより、下部電極層１０４と圧電体薄膜１０５を形成する。例文帳に追加

On a silicon substrate 100, an electrode layer and a piezoelectric layer are stacked continuously within the same device, and both the stacked electrode layer and piezoelectric layer are etched using the same mask to form a lower electrode layer 104 and a piezoelectric thin film 105. - 特許庁

薄膜電子源として、絶縁基板上にアルミニウム又はアルミニウム合金を好適とする金属で形成した下部電極１１と、この下部電極１１の上にトンネル絶縁層１２を有し、さらにこの上層にシリコンの上部電極２３を積層した構造とする。例文帳に追加

The thin-film electron source is provided with a lower electrode 11 formed of metal, suitably, aluminum or an aluminum alloy on an insulation substrate, and a tunnel insulation layer 12 on the lower electrode 11, on which, further, a silicon-made upper electrode 23 is laminated. - 特許庁

絶縁ゲート型電界効果トランジスタにおいて、側周壁部を極薄シリコン窒化膜で覆われたゲート電極を形成し、側壁によるコンタクト面積の減少を抑え、かつ、ゲート電極の周辺下端の酸化膜を厚くすることにより、そこでの電界集中を防ぐ。例文帳に追加

In an insulated gate field effect transistor, a gate electrode whose side peripheral wall is covered with a very thin silicon nitride film is provided, a contacting face is restrained from decreasing in area due to the side wall, and an oxide film is made thick around the lower end of the gate electrode so as to prevent an electric field from concentrating thereon. - 特許庁

開示される薄膜トランジスタ１０は、ゲート絶縁膜７とゲート電極９との間の位置に、多結晶シリコン薄膜３とゲート絶縁膜７との界面のダングリングボンドに水素を拡散するための水素供給層８が形成されている。例文帳に追加

In the disclosed thin film transistor 10, the hydrogen feeding layer 8 for diffusing hydrogen to a dangling bond on an interface between a polycrystalline silicon thin film 3 and a gate insulating film 7 in a position between the film 7 and a gate electrode 9. - 特許庁

ガラス基板を覆う絶縁性アンダーコート薄膜層と、この絶縁性アンダーコート薄膜層上に形成される多結晶シリコンの半導体活性層２６と、この半導体活性層２６上に絶縁して形成されるゲート電極２８とを備える。例文帳に追加

This thin film transistor has an insulating undercoat thin film layer which covers the glass substrate, a semiconductor active layer 26 of polycrystalline silicon formed on the insulating undercoat thin film layer, and a gate electrode 28 which is insulated and formed on the semiconductor active layer 26. - 特許庁

補強線を有する導体電極表面に例えば多層タンデム構造の薄膜アモルファスシリコン層の光吸収起電力層とそれらに付随する各層総てを同心円筒状に積層するか、またはシート状のフレキシブル薄膜太陽電池を縦沿え合せ捲きにする。例文帳に追加

On the surface of a conductor electrode having reinforcement wire, for example, optical absorption electromotance layers of thin film amorphous silicon layers of multilayer tandem structure and all the respective layers accompanying them are laminated like a concentric cylinder, or a sheet-like flexible thin film solar battery is vertically attached and wound together. - 特許庁

シリコン等の基板４１１上にダイヤモンド薄膜４２を成膜する成膜工程と、前記ダイヤモンド薄膜４２をエッチングすることで所定の箇所を除去しマイクロ電極４２ｐを設けるエッチング工程とを備えるようにする。例文帳に追加

The manufacturing method of the micro-diamond electrode includes a film forming process for forming a diamond thin film 42 on a substrate 411 comprising silicon or the like and an etching process for etching the diamond thin film 42 to remove a predetermined place to provide the microelectrode 42p. - 特許庁

可動構造体９の上には可動薄膜１３がシリコン基板２の表面に垂直なＺ方向に所定の間隔をおいて移動可能に支持され、可動薄膜１３と可動構造体９により角速度検出用の対向電極が構成されている。例文帳に追加

A thin movable film 13 is supported on the movable structure 9 at a specified interval in Z direction perpendicular to the surface of the silicon substrate 2 and counter electrodes for angular speed detection are constituted of the thin movable film 13 and the movable structure 9. - 特許庁

そして、自発光素子１は、電極基板２と薄膜電極３との間に電圧が印加されると、電子加速層４で電子を加速させてホットエレクトロンを生成し、該ホットエレクトロンにより電子加速層４中のシリコン微粒子５表面が励起して発光する。例文帳に追加

The self-light-emitting element 1 creates hot electron by accelerating electron in the electron acceleration layer 4 when voltage is impressed between the electrode substrate 2 and the thin-film electrode 3, and surfaces of the silicon fine particles 5 in the electron acceleration layer 4 are excited by the hot electron to emit light. - 特許庁

誘電体として、アモルファスシリコンに、シフター（ｓｈｉｆｔｅｒ）およびディプレッサー（ｄｅｐｒｅｓｓｏｒ）作用を付与するため、チタン酸バリウムおよびチタン酸ストロンチウム等の添加物を添加し、極薄鋼電極板には、ラジカル酸化膜またはラジカル窒化膜の絶縁膜を設けた構成の蓄電器とする。例文帳に追加

The capacitor is structured such that an additive such as barium titanate or strontium titanate is added to amorphous silicon as a dielectric material in order to impart shifter and depressor action thereto, and an insulation film of a radical oxide film or a radical nitride film is formed on an extremely-thin steel electrode plate. - 特許庁

図４（ｂ）の薄膜抵抗体４９は、アルミ電極４５ａ、４５ｃを形成すると共に、第１層のアルミ電極を形成する際に、同時にＣｒＳｉ膜４１の形成領域を囲むようにシリコン基板３３にトレンチ５０を形成した構成としている。例文帳に追加

In a semiconductor device, the thin-film resistor 49 shown in a Fig. 4(b) forms aluminum electrodes 45a, 45c, and forms a trench 50 on a silicon substrate 33 so that the formation region of a CrSi film 41 is surrounded simultaneously when the aluminum electrode of a first layer is formed. - 特許庁

自発光素子１は、電極基板２と、薄膜電極３と、これらの間に挟持されシリコン微粒子５と導電微粒子６および塩基性分散剤６０の少なくとも一方とが含まれる電子加速層４とを備えている。例文帳に追加

The self-light-emitting element 1 has an electrode substrate 2, a thin-film electrode 3, and an electron acceleration layer 4 sandwiched between the electrode substrate 2 and the thin-film electrode 3 and including silicon fine particles 5 and at least either conductive fine particles 6 or basic dispersants 60. - 特許庁

基板１０上に、下部電極３２、強誘電体薄膜３４及び上部電極３６がこの順に形成されてメモリ容量３０が構成され、該メモリ容量３０を覆って層間絶縁膜４０が形成され、該絶縁膜４０上に多結晶シリコンＴＦＴ２０が形成されている。例文帳に追加

A lower electrode 32, a ferroelectric-material thin film 34 and an upper electrode 36 are formed in this order on a substrate 10 to constitute a memory capacity 30, an interlayer insulating film 40 is formed covering the memory capacity 30, and polycrystal silicon TFT20 is formed on the insulating film 40. - 特許庁

集電体１の凸部２の上に柱状に成長させた電極活物質の薄膜３ａ〜３ｂを二段以上に積層させて多層構造としたことにより、充放電時のリチウムの吸蔵・放出によるシリコンの体積の膨張・収縮の影響が緩和され集電体１から電極活物質の剥がれを抑制できる。例文帳に追加

Thereby, effect of expansion and contraction of the volume of silicon due to occlusion and discharge of lithium during charge and discharge is relieved and peeling of the electrode active material from the collector 1 can be suppressed. - 特許庁

半導体装置１０ｘの薄膜トランジスタ３０ｎにおいて、ゲート電極３ｎは、その表面を酸化してなるシリコン酸化膜３ｓにより覆われて、エッジ部分３ｗ、３ｘ、３ｙ、３ｚが丸みを有しているため、ゲート電極３ｎには、電界の集中するエッジ部分がない。例文帳に追加

In the thin-film transistor 30n of the semiconductor device 10x, the surface of a gate electrode 3n is covered with a silicon oxide film 3s formed by being oxidized, and edge parts 3w, 3x, 3y and 3z are rounded, so there is not an edge part where electric field is concentrated. - 特許庁