例文 (999件) |
熱電半導体の部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 2702件
急速凝固/熱間圧縮法による熱電半導体材料の製造方法及び製造装置例文帳に追加
PRODUCTION METHOD OF THERMOELECTRIC SEMICONDUCTOR MATERIAL BY RAPID SOLIDIFICATION PROCESSING AND/OR HOT COMPRESSION PROCESSING AND PRODUCTION APPARATUS FOR THE SAME - 特許庁
発熱半導体10は通電されて発熱され、所定温度に自己制御される。例文帳に追加
The generation semiconductor 10 is energized, generated and automatically controlled to a prescribed temperature. - 特許庁
ダイヤモンド半導体を用いて起電力を大きくすることが可能な熱電子発電素子を提供する。例文帳に追加
To provide a thermionic electricity-generating element having increased electromotive force using a diamond semiconductor. - 特許庁
よって、ダイヤモンド半導体を用いて起電力を大きくすることが可能な熱電子発電素子となる。例文帳に追加
Thus, the thermionic electricity-generating element is obtained which has the increased electromotive force using the diamond semiconductor. - 特許庁
半導体キャリア基板4の半導体素子実装エリアにフリップチップで実装した半導体素子2を支持し、半導体キャリア基板4の上面に複数の電極7と配線12を形成した半導体装置であって、半導体キャリア基板4の上面の複数の電極7と配線12以外の部分に、熱伝導性が良好な金属をめっきした金属めっき放熱エリア1と、半導体素子実装エリアから金属めっき放熱エリア1に導く金属めっき放熱パターン3とを設けた。例文帳に追加
In a semiconductor device wherein a semiconductor element 2 packaged with a flip chip is supported on a semiconductor element package area of a semiconductor carrier board 4, a metallic heat radiating areas 1 plated with a high heat conductive metal as well as metallic plating heat radiating patterns 3 conducting the heat from the semiconductor element packaging area to the metallic plated heat radiating patterns 3. - 特許庁
P型熱電半導体素子102aとN型熱電半導体素子102bとを含む熱電変換素子102にフレキシブル配線104が接続された熱電変換モジュール100であって、フレキシブル配線104は、P型熱電半導体素子102a及びN型熱電半導体素子102bの少なくとも一方の変位に伴って伸縮可能に構成されている。例文帳に追加
In the thermoelectric conversion module 100 where a flexible wiring 104 is connected with a thermoelectric conversion element 102 including a P-type thermoelectric semiconductor element 102a and an N-type thermoelectric semiconductor element 102b, the flexible wiring 104 is configured to be expandable/shrinkable with displacing at least one of the P-type thermoelectric semiconductor element 102a and the N-type thermoelectric semiconductor element 102b. - 特許庁
熱電変換装置は、少なくとも2個のP型半導体素子Ph,Pc及びN型半導体素子Nh,Ncを交互にカスケード接続してなる複数のカスケード半導体素子と、隣接するカスケード半導体素子同士の両端が異なる型の半導体素子となるように対向面に並設した対向する熱交換基板1,2を備える。例文帳に追加
The thermoelectric conversion device comprises a plurality of cascade semiconductor elements each consisting of at least two p-type semiconductor elements Ph, Pc and n-type semiconductor elements Nh, Nc connected alternately in cascade, and opposing heat exchange substrates 1, 2 juxtaposed on the opposing surfaces such that the opposite ends of adjoining cascade semiconductor elements become different types of semiconductor element. - 特許庁
半導体チップ11と、この半導体チップ11と電気的に接続されるインナーリード部14及び外部接続されるアウターリード部15とを有するリード12と、半導体チップ12等を封止する樹脂パッケージ13とを具備する半導体装置において、インナーリード部14と同一リードフレーム構造とされ、かつ半導体チップ11と熱的に接続された構成の放熱リード部25Aを設ける。例文帳に追加
In a semiconductor device provided with a lead 12 having electrically connected inner lead part 14 and externally connected outer lead part 15 as well as a resin package 13 sealing the semiconductor chip 12, a heat radiating lead part 25A structured of the same lead frame and thermally connected to the semiconductor chip 12 is provided. - 特許庁
発熱体3からの熱により床材7を加熱する電気床暖房装置であって、発熱体3を半導体熱交換素子とし、当該半導体熱交換素子は通電されて発熱するようにしたものである。例文帳に追加
This electric floor heating device for heating floor materials 7 with the heat from a heater 3 is constituted so that the heater 3 is formed of a semiconductor heat exchanger element, and the semiconductor heat exchanger element is electrically conducted to generate heat. - 特許庁
本発明は、耐熱性の高い材料でゲート電極を形成した後、非晶質半導体膜の結晶化を促進する触媒金属層、非晶質半導体膜、及びドナー型元素又は希ガス元素を有する層を形成し加熱して、非晶質半導体膜を結晶化すると共に触媒元素を結晶性半導体膜から除いた後、該結晶性半導体膜の一部を用いて半導体領域を形成し、該半導体領域に電気的に接するソース電極及びドレイン電極を形成し、ゲート電極に接続するゲート配線を形成して、逆スタガ型TFTを形成する。例文帳に追加
Subsequently, a semiconductor region is formed using a part of the crystalline semiconductor film, a source electrode and a drain electrode touching the semiconductor region electrically are formed, and a gate interconnect line connected with the gate electrode is formed, thus forming the inverse stagger TFT. - 特許庁
本発明は、耐熱性の高い材料でゲート電極を形成した後、非晶質半導体膜の結晶化を促進する触媒元素を有する層、非晶質半導体膜、及びドナー型元素又は希ガス元素を有する層を形成し加熱して、非晶質半導体膜を結晶化すると共に触媒元素を結晶性半導体膜から除いた後、該結晶性半導体膜の一部を用いて半導体領域を形成し、該半導体領域に電気的に接するソース電極及びドレイン電極を形成し、ゲート電極に接続するゲート配線を形成して、逆スタガ型TFTを形成する。例文帳に追加
Subsequently, a semiconductor region is formed using a part of the crystalline semiconductor film, a source electrode and a drain electrode touching the semiconductor region electrically are formed, and a gate interconnect line connected with the gate electrode is formed, thus forming the inverse stagger TFT. - 特許庁
本発明は、金属酸化物半導体微粒子を含有する多孔質層上に、当該多孔質層の半導体特性を損なうことなく、スプレー熱分解法によって金属酸化物からなる電極層を形成することが可能であり、半導体特性に優れた酸化物半導体電極用積層体および酸化物半導体電極を提供することを主目的とする。例文帳に追加
To provide a laminated body for an oxide semiconductor electrode and an oxide semiconductor electrode with superior semiconductor characteristics capable of forming an electrode layer made of metal oxide by using a spray thermal decomposition method on a porous layer including metal oxide semiconductor fine particles without damaging semiconductor characteristics of the porous layer. - 特許庁
p型熱半導体とn型熱半導体からなる熱電素子に、機械的強度を向上させるために充填したエポキシ樹脂は熱伝導率が0.3W/m℃と大きいために、熱電素子の熱電性能が低くなる。例文帳に追加
To overcome a problem that an epoxy resin having big thermal conductivity of 0.3 W/m°C, which is filled into an thermoelectric device comprising a p-type thermoelectric semiconductor and an n-type thermoelectric semiconductor so as to enhance mechanical strength thereof, reduces thermoelectric performance of the thermoelectric device. - 特許庁
熱電半導体素子によって発生した熱を効率的にヒートシンクに伝達することができ、熱電半導体素子とヒートシンクの接合強度を構造的に高めて、熱電半導体素子の破断を防止することができる高性能のサーモモジュールを提供する。例文帳に追加
To provide a high-performance thermo-module capable of efficiently transmitting heat generated by a thermoelectric semiconductor element to a heat sink, and preventing fracture of the thermoelectric semiconductor element by structurally enhancing joint strength between the thermoelectric semiconductor element and the heat sink. - 特許庁
表面に凸部が形成された第1の半導体層2を有する基板と、第1の半導体層2上に形成され、第1の半導体層2の半導体材料よりも熱伝導率の低い金属材料からなる電極層4と、凸部の上部領域に選択的に形成され、第1の半導体層2の構成材料と電極層4の構成材料との合金からなる合金層5とを備える。例文帳に追加
A semiconductor device is equipped with a board with a first semiconductor layer 2 provided with projections on its surface, an electrode layer 4 formed of metal material having lower thermal conductivity than semiconductor material that forms the first semiconductor layer 2, and an alloy layer 5 of alloy of the component material of the first semiconductor layer 2 and the component material of the electrode layer 4. - 特許庁
半導体装置の放熱板及び静電吸着装置の電極板等に適用される。例文帳に追加
This composite material is applicable to a heat dissipation plate of a semiconductor device, an electrode plate of electrostatic adsorption equipment, etc. - 特許庁
放熱性が良く、閾値電流が低く、静電容量が小さい半導体レーザ素子を提供する。例文帳に追加
To provide a semiconductor laser device of a well heat dissipation, low threshold current, and small electrostatic capacity. - 特許庁
電力供給装置、構造体、及び電力半導体素子の放熱組立て構造例文帳に追加
POWER SUPPLY DEVICE, STRUCTURE, AND HEAT-DISSIPATING ASSEMBLY STRUCTURE OF THE POWER SEMICONDUCTOR DEVICE - 特許庁
P型熱電変換半導体1とN型熱電変換半導体2とを間に絶縁物4を介在させて導電体3により接続し、かつ、P型熱電変換半導体1とN型熱電変換半導体2との間に空気などの絶縁物4を充填して、これらを断熱容器7に収納した。例文帳に追加
A P-type thermoelectric conversion semiconductor 1 and an N-type thermoelectric conversion semiconductor 2 are connected to each other through a conductor 3 by interposing an insulator 4 between them, the insulator 4 such as air is filled between the P-type thermoelectric conversion semiconductor 1 and the N-type thermoelectric conversion semiconductor 2, and all of them are housed in an insulating container 7. - 特許庁
半導体基板上に形成される半導体素子であって、半導体基板と、半導体基板の一主面に形成される不純物拡散層と、不純物拡散層上に形成される絶縁膜と、絶縁膜上に形成され所定の熱処理により正電荷の量が変動して不純物拡散層の表面近傍の不純物濃度を制御するシリコン窒化膜と、を備えることを特徴とする半導体素子。例文帳に追加
The semiconductor device is formed on a semiconductor substrate; and comprises the semiconductor substrate, an impurity diffusion layer formed on one main surface of the semiconductor substrate, an insulating film formed on the impurity diffusion layer, and a silicon nitride film which is formed on the insulating film and in which the amount of positive charges is changed by a given heat treatment to control impurity concentration near the surface of the impurity diffusion layer. - 特許庁
熱電半導体のインゴットを作製するインゴット作製工程と、該インゴット作製工程で作製された複数の熱電半導体のインゴットを一体化させると同時に塑性変形させる塑性加工工程を含むことを特徴とする熱電半導体の製造方法とする。例文帳に追加
This method for manufacturing a thermoelectric semiconductor comprises an ingot manufacturing process for manufacturing the ingot of a thermoelectric semiconductor, and a plastic working process for simultaneously integrating and plastically deforming the ingots of plural thermoelectric semiconductors manufactured by the ingot manufacturing process. - 特許庁
仕切板と、その仕切板に貫通された状態で固定された熱電半導体結晶と、その熱電半導体結晶の両端面に接続された電極とを具備した熱電素子において、仕切板の熱歪みを抑制する。例文帳に追加
To suppress heat distortion of a diaphragm in a thermoelement having: the diaphragm; a thermoelectric semiconductor crystal fixed in a state in which it penetrates the diaphragm; and electrodes connected to both end faces of the thermoelectric semiconductor crystal. - 特許庁
前記P型熱電変換半導体1となる原料粉末と前記N型熱電変換半導体2となる原料粉末とが接合した状態となるように成形して、当該成形物を放電プラズマ法により焼結させて、前記第N型の熱電変換半導体および前記P型の熱電変換半導体を直接接合したものであることを要旨とする。例文帳に追加
Raw material powder as the P type electrothermal conversion semiconductor 1 and raw material powder as the N type electrothermal conversion semiconductor 2 are molded so as to be bonded to each other, and the moldings are burnt by the electric discharge plasma method, and the N type electrothermal conversion semiconductor and the P type electrothermal conversion semiconductor are directly bonded to each other. - 特許庁
断続通電試験装置1は、半導体パッケージ2に接触することによって、この半導体パッケージ2の放熱を行う放熱板5,6と、これら放熱板5,6の間に設けられ、半導体パッケージ2の発熱状態に基づいて伸縮変形するバイメタル7とを備えている。例文帳に追加
An intermittent energization testing device 1 comprises heat radiation plates 5 and 6 which contact with a semiconductor package 2 to radiate the heat of the semiconductor package 2; and a bimetal 7 which is provided between the heat radiation plates 5 and 6, and expanded/contracted on the basis of a heat generating state of the semiconductor package 2. - 特許庁
熱電半導体単結晶の加工方法及びペルチェモジュールの製造方法例文帳に追加
PROCESSING METHOD OF THERMOELECTRIC SEMICONDUCTOR SINGLE CRYSTAL AND MANUFACTURING METHOD OF PELTIER MODULE - 特許庁
半導体素子70は、熱電子冷却器24を駆動するための回路を含んでいる。例文帳に追加
The semiconductor element 70 includes a circuit for driving the thermoelectron cooling device 24. - 特許庁
配向度の大きいビスマス−テルル系の熱電半導体の均一な材料を得ることができる。例文帳に追加
To obtain the uniform material of the thermoelectric semiconductor in a bismuth-tellurium base with a large orientation degree. - 特許庁
高い耐熱性と低い誘電率を有する半導体メモリ用絶縁膜材料を提供すること。例文帳に追加
To provide an insulation film material having high thermal stability and low dielectric constant for a semiconductor memory. - 特許庁
電磁波シールド効果をもち、且つ放熱効果が高い半導体モジュールを提供する。例文帳に追加
To provide a semiconductor module which has electromagnetic shield effect and high heat dissipation effect. - 特許庁
基板、半導体素子および放熱器を備えた電子装置を製造容易にする。例文帳に追加
To easily manufacture an electronic apparatus having a substrate, a semiconductor element and a heat radiator. - 特許庁
合金インゴットの製造方法及び装置、並びに、熱電半導体材料及びその製造方法例文帳に追加
METHOD AND APPARATUS FOR PRODUCING ALLOY INGOT, THERMOELECTRIC SEMICONDUCTOR MATERIAL, AND PRODUCTION METHOD THEREOF - 特許庁
電子冷却素子は、半導体デバイスを含む被測定体1と熱的に接続される。例文帳に追加
The electronic cooling elements are connected thermally to an object to be measured 1 including a semiconductor device. - 特許庁
外部接続電極における熱応力の集中を緩和することができる半導体装置を実現する。例文帳に追加
To implement a semiconductor device capable of alleviating concentration of thermal stress in an external connection electrode. - 特許庁
シリコン基板及びその製造方法、熱電モジュール、並びに半導体レーザ装置例文帳に追加
SILICON SUBSTRATE, MANUFACTURING METHOD THEREFOR, THERMOELECTRIC MODULE, AND SEMICONDUCTOR LASER DEVICE - 特許庁
そのため、放熱効率が向上し、効果的に電力半導体チップ2を冷却することが可能である。例文帳に追加
Therefore, the heat radiation efficiency is improved, so it can effectively cool a power semiconductor chip 2. - 特許庁
さらに、リッドは、電気絶縁性接着剤で半導体チップに熱的に接続される。例文帳に追加
Further, the lid is thermally connected to the semiconductor chip by an electrically insulating adhesive material. - 特許庁
耐熱性に優れた、光電変換機能を有する半導体装置を提供すること。例文帳に追加
To provide a semiconductor device having excellent heat resistance and a photoelectric conversion function. - 特許庁
これらの元素は、熱電気および半導体用途のクラスレートの製造に好ましい。例文帳に追加
These elements are preferable for the production of clathrate for thermoelectric and semiconductor applications. - 特許庁
放熱性および電磁ノイズの遮蔽性に優れた半導体モジュールを提供する。例文帳に追加
To provide a semiconductor module excellent in heat dissipating property and shielding property for electromagnetic noise. - 特許庁
そのための温度センサとしては、電熱対或いは半導体温度センサを使用することができる。例文帳に追加
Either a thermocouple temperature sensor or a semiconductor temperature sensor is used as a temperature sensor for the purpose. - 特許庁
高周波の圧電発振器を駆動する半導体部品の放熱効果を高めること。例文帳に追加
To enhance the thermal radiation effect of a semiconductor part which drives a high-frequency piezoelectric oscillator. - 特許庁
半導体素子21の熱膨張係数は5.0ppm/℃未満かつ比誘電率が4未満である。例文帳に追加
The semiconductor element 21 has a thermal expansion coefficient smaller than 5.0 ppm/°C and a dielectric constant smaller than 4. - 特許庁
熱サイクルに起因して発生する応力によって半導体チップの電極が破壊されるのを防止する。例文帳に追加
To prevent a semiconductor chip electrode from breakdown due to stress produced by heat cycles. - 特許庁
柱状の半導体材料を伝導加熱するために電気エネルギーを変換する装置例文帳に追加
ELECTRIC-ENERGY CONVERTING APPARATUS FOR HEATING CYLINDRICAL SEMICONDUCTOR MATERIAL CONDUCTION-WISE - 特許庁
電子機器は、発熱する半導体パッケージ(12)を収容した筐体(4)を備えている。例文帳に追加
The electronic apparatus is provided with a cabinet (4) storing a semiconductor package (12) generating heat. - 特許庁
Si−Ge半導体素子およびその製造方法ならびに熱電変換モジュール例文帳に追加
SI-GE SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURE OF THE SAME, AND THERMOELECTRIC CONVERSION MODULE - 特許庁
半導体素子等の電子部品の高密度実装が可能であり、放熱性に優れする。例文帳に追加
To allow high-density mounting of electronic components such as semiconductor elements for superior heat radiation property. - 特許庁
半導体装置等の電子部品の放熱板において、樹脂系接着剤との接着性を向上させる。例文帳に追加
To improve an adhesiveness of radiators with resin adhesives for electronic components such as a semiconductor device. - 特許庁
酸素濃度が10000ppm以下の雰囲気酸素濃度環境下で熱電半導体を塑性加工する。例文帳に追加
A thermoelectric semiconductor is plastic-worked in such atmospheric environment with oxygen concentration 10,000 ppm or below. - 特許庁
誘電体DBRに起因する低い放熱性を改善する面発光半導体レーザを提供する。例文帳に追加
To provide a surface-emitting semiconductor laser of improved low heat radiation characteristics caused by dielectrics DBR. - 特許庁
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