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Weblio 辞書 > 英和辞典・和英辞典 > 熱電半導体に関連した英語例文

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熱電半導体の部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 2702



例文

急速凝固/間圧縮法による熱電半導体材料の製造方法及び製造装置例文帳に追加

PRODUCTION METHOD OF THERMOELECTRIC SEMICONDUCTOR MATERIAL BY RAPID SOLIDIFICATION PROCESSING AND/OR HOT COMPRESSION PROCESSING AND PRODUCTION APPARATUS FOR THE SAME - 特許庁

半導体10は通されて発され、所定温度に自己制御される。例文帳に追加

The generation semiconductor 10 is energized, generated and automatically controlled to a prescribed temperature. - 特許庁

ダイヤモンド半導体を用いて起力を大きくすることが可能な子発素子を提供する。例文帳に追加

To provide a thermionic electricity-generating element having increased electromotive force using a diamond semiconductor. - 特許庁

よって、ダイヤモンド半導体を用いて起力を大きくすることが可能な子発素子となる。例文帳に追加

Thus, the thermionic electricity-generating element is obtained which has the increased electromotive force using the diamond semiconductor. - 特許庁

例文

半導体キャリア基板4の半導体素子実装エリアにフリップチップで実装した半導体素子2を支持し、半導体キャリア基板4の上面に複数の極7と配線12を形成した半導体装置であって、半導体キャリア基板4の上面の複数の極7と配線12以外の部分に、伝導性が良好な金属をめっきした金属めっき放エリア1と、半導体素子実装エリアから金属めっき放エリア1に導く金属めっき放パターン3とを設けた。例文帳に追加

In a semiconductor device wherein a semiconductor element 2 packaged with a flip chip is supported on a semiconductor element package area of a semiconductor carrier board 4, a metallic heat radiating areas 1 plated with a high heat conductive metal as well as metallic plating heat radiating patterns 3 conducting the heat from the semiconductor element packaging area to the metallic plated heat radiating patterns 3. - 特許庁


例文

P型熱電半導体素子102aとN型熱電半導体素子102bとを含む変換素子102にフレキシブル配線104が接続された変換モジュール100であって、フレキシブル配線104は、P型熱電半導体素子102a及びN型熱電半導体素子102bの少なくとも一方の変位に伴って伸縮可能に構成されている。例文帳に追加

In the thermoelectric conversion module 100 where a flexible wiring 104 is connected with a thermoelectric conversion element 102 including a P-type thermoelectric semiconductor element 102a and an N-type thermoelectric semiconductor element 102b, the flexible wiring 104 is configured to be expandable/shrinkable with displacing at least one of the P-type thermoelectric semiconductor element 102a and the N-type thermoelectric semiconductor element 102b. - 特許庁

変換装置は、少なくとも2個のP型半導体素子Ph,Pc及びN型半導体素子Nh,Ncを交互にカスケード接続してなる複数のカスケード半導体素子と、隣接するカスケード半導体素子同士の両端が異なる型の半導体素子となるように対向面に並設した対向する交換基板1,2を備える。例文帳に追加

The thermoelectric conversion device comprises a plurality of cascade semiconductor elements each consisting of at least two p-type semiconductor elements Ph, Pc and n-type semiconductor elements Nh, Nc connected alternately in cascade, and opposing heat exchange substrates 1, 2 juxtaposed on the opposing surfaces such that the opposite ends of adjoining cascade semiconductor elements become different types of semiconductor element. - 特許庁

半導体チップ11と、この半導体チップ11と気的に接続されるインナーリード部14及び外部接続されるアウターリード部15とを有するリード12と、半導体チップ12等を封止する樹脂パッケージ13とを具備する半導体装置において、インナーリード部14と同一リードフレーム構造とされ、かつ半導体チップ11と的に接続された構成の放リード部25Aを設ける。例文帳に追加

In a semiconductor device provided with a lead 12 having electrically connected inner lead part 14 and externally connected outer lead part 15 as well as a resin package 13 sealing the semiconductor chip 12, a heat radiating lead part 25A structured of the same lead frame and thermally connected to the semiconductor chip 12 is provided. - 特許庁

体3からのにより床材7を加する気床暖房装置であって、発体3を半導体交換素子とし、当該半導体交換素子は通されて発するようにしたものである。例文帳に追加

This electric floor heating device for heating floor materials 7 with the heat from a heater 3 is constituted so that the heater 3 is formed of a semiconductor heat exchanger element, and the semiconductor heat exchanger element is electrically conducted to generate heat. - 特許庁

例文

本発明は、耐性の高い材料でゲート極を形成した後、非晶質半導体膜の結晶化を促進する触媒金属層、非晶質半導体膜、及びドナー型元素又は希ガス元素を有する層を形成し加して、非晶質半導体膜を結晶化すると共に触媒元素を結晶性半導体膜から除いた後、該結晶性半導体膜の一部を用いて半導体領域を形成し、該半導体領域に気的に接するソース極及びドレイン極を形成し、ゲート極に接続するゲート配線を形成して、逆スタガ型TFTを形成する。例文帳に追加

Subsequently, a semiconductor region is formed using a part of the crystalline semiconductor film, a source electrode and a drain electrode touching the semiconductor region electrically are formed, and a gate interconnect line connected with the gate electrode is formed, thus forming the inverse stagger TFT. - 特許庁

例文

本発明は、耐性の高い材料でゲート極を形成した後、非晶質半導体膜の結晶化を促進する触媒元素を有する層、非晶質半導体膜、及びドナー型元素又は希ガス元素を有する層を形成し加して、非晶質半導体膜を結晶化すると共に触媒元素を結晶性半導体膜から除いた後、該結晶性半導体膜の一部を用いて半導体領域を形成し、該半導体領域に気的に接するソース極及びドレイン極を形成し、ゲート極に接続するゲート配線を形成して、逆スタガ型TFTを形成する。例文帳に追加

Subsequently, a semiconductor region is formed using a part of the crystalline semiconductor film, a source electrode and a drain electrode touching the semiconductor region electrically are formed, and a gate interconnect line connected with the gate electrode is formed, thus forming the inverse stagger TFT. - 特許庁

本発明は、金属酸化物半導体微粒子を含有する多孔質層上に、当該多孔質層の半導体特性を損なうことなく、スプレー分解法によって金属酸化物からなる極層を形成することが可能であり、半導体特性に優れた酸化物半導体極用積層体および酸化物半導体極を提供することを主目的とする。例文帳に追加

To provide a laminated body for an oxide semiconductor electrode and an oxide semiconductor electrode with superior semiconductor characteristics capable of forming an electrode layer made of metal oxide by using a spray thermal decomposition method on a porous layer including metal oxide semiconductor fine particles without damaging semiconductor characteristics of the porous layer. - 特許庁

p型半導体とn型半導体からなる素子に、機械的強度を向上させるために充填したエポキシ樹脂は伝導率が0.3W/m℃と大きいために、素子の性能が低くなる。例文帳に追加

To overcome a problem that an epoxy resin having big thermal conductivity of 0.3 W/m°C, which is filled into an thermoelectric device comprising a p-type thermoelectric semiconductor and an n-type thermoelectric semiconductor so as to enhance mechanical strength thereof, reduces thermoelectric performance of the thermoelectric device. - 特許庁

熱電半導体素子によって発生したを効率的にヒートシンクに伝達することができ、熱電半導体素子とヒートシンクの接合強度を構造的に高めて、熱電半導体素子の破断を防止することができる高性能のサーモモジュールを提供する。例文帳に追加

To provide a high-performance thermo-module capable of efficiently transmitting heat generated by a thermoelectric semiconductor element to a heat sink, and preventing fracture of the thermoelectric semiconductor element by structurally enhancing joint strength between the thermoelectric semiconductor element and the heat sink. - 特許庁

表面に凸部が形成された第1の半導体層2を有する基板と、第1の半導体層2上に形成され、第1の半導体層2の半導体材料よりも伝導率の低い金属材料からなる極層4と、凸部の上部領域に選択的に形成され、第1の半導体層2の構成材料と極層4の構成材料との合金からなる合金層5とを備える。例文帳に追加

A semiconductor device is equipped with a board with a first semiconductor layer 2 provided with projections on its surface, an electrode layer 4 formed of metal material having lower thermal conductivity than semiconductor material that forms the first semiconductor layer 2, and an alloy layer 5 of alloy of the component material of the first semiconductor layer 2 and the component material of the electrode layer 4. - 特許庁

半導体装置の放板及び静吸着装置の極板等に適用される。例文帳に追加

This composite material is applicable to a heat dissipation plate of a semiconductor device, an electrode plate of electrostatic adsorption equipment, etc. - 特許庁

性が良く、閾値流が低く、静容量が小さい半導体レーザ素子を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor laser device of a well heat dissipation, low threshold current, and small electrostatic capacity. - 特許庁

力供給装置、構造体、及び半導体素子の放組立て構造例文帳に追加

POWER SUPPLY DEVICE, STRUCTURE, AND HEAT-DISSIPATING ASSEMBLY STRUCTURE OF THE POWER SEMICONDUCTOR DEVICE - 特許庁

P型変換半導体1とN型変換半導体2とを間に絶縁物4を介在させて導体3により接続し、かつ、P型変換半導体1とN型変換半導体2との間に空気などの絶縁物4を充填して、これらを断容器7に収納した。例文帳に追加

A P-type thermoelectric conversion semiconductor 1 and an N-type thermoelectric conversion semiconductor 2 are connected to each other through a conductor 3 by interposing an insulator 4 between them, the insulator 4 such as air is filled between the P-type thermoelectric conversion semiconductor 1 and the N-type thermoelectric conversion semiconductor 2, and all of them are housed in an insulating container 7. - 特許庁

半導体基板上に形成される半導体素子であって、半導体基板と、半導体基板の一主面に形成される不純物拡散層と、不純物拡散層上に形成される絶縁膜と、絶縁膜上に形成され所定の処理により正荷の量が変動して不純物拡散層の表面近傍の不純物濃度を制御するシリコン窒化膜と、を備えることを特徴とする半導体素子。例文帳に追加

The semiconductor device is formed on a semiconductor substrate; and comprises the semiconductor substrate, an impurity diffusion layer formed on one main surface of the semiconductor substrate, an insulating film formed on the impurity diffusion layer, and a silicon nitride film which is formed on the insulating film and in which the amount of positive charges is changed by a given heat treatment to control impurity concentration near the surface of the impurity diffusion layer. - 特許庁

熱電半導体のインゴットを作製するインゴット作製工程と、該インゴット作製工程で作製された複数の熱電半導体のインゴットを一体化させると同時に塑性変形させる塑性加工工程を含むことを特徴とする熱電半導体の製造方法とする。例文帳に追加

This method for manufacturing a thermoelectric semiconductor comprises an ingot manufacturing process for manufacturing the ingot of a thermoelectric semiconductor, and a plastic working process for simultaneously integrating and plastically deforming the ingots of plural thermoelectric semiconductors manufactured by the ingot manufacturing process. - 特許庁

仕切板と、その仕切板に貫通された状態で固定された熱電半導体結晶と、その熱電半導体結晶の両端面に接続された極とを具備した素子において、仕切板の歪みを抑制する。例文帳に追加

To suppress heat distortion of a diaphragm in a thermoelement having: the diaphragm; a thermoelectric semiconductor crystal fixed in a state in which it penetrates the diaphragm; and electrodes connected to both end faces of the thermoelectric semiconductor crystal. - 特許庁

前記P型変換半導体1となる原料粉末と前記N型変換半導体2となる原料粉末とが接合した状態となるように成形して、当該成形物を放プラズマ法により焼結させて、前記第N型の変換半導体および前記P型の変換半導体を直接接合したものであることを要旨とする。例文帳に追加

Raw material powder as the P type electrothermal conversion semiconductor 1 and raw material powder as the N type electrothermal conversion semiconductor 2 are molded so as to be bonded to each other, and the moldings are burnt by the electric discharge plasma method, and the N type electrothermal conversion semiconductor and the P type electrothermal conversion semiconductor are directly bonded to each other. - 特許庁

断続通試験装置1は、半導体パッケージ2に接触することによって、この半導体パッケージ2の放を行う放板5,6と、これら放板5,6の間に設けられ、半導体パッケージ2の発状態に基づいて伸縮変形するバイメタル7とを備えている。例文帳に追加

An intermittent energization testing device 1 comprises heat radiation plates 5 and 6 which contact with a semiconductor package 2 to radiate the heat of the semiconductor package 2; and a bimetal 7 which is provided between the heat radiation plates 5 and 6, and expanded/contracted on the basis of a heat generating state of the semiconductor package 2. - 特許庁

熱電半導体単結晶の加工方法及びペルチェモジュールの製造方法例文帳に追加

PROCESSING METHOD OF THERMOELECTRIC SEMICONDUCTOR SINGLE CRYSTAL AND MANUFACTURING METHOD OF PELTIER MODULE - 特許庁

半導体素子70は、子冷却器24を駆動するための回路を含んでいる。例文帳に追加

The semiconductor element 70 includes a circuit for driving the thermoelectron cooling device 24. - 特許庁

配向度の大きいビスマス−テルル系の熱電半導体の均一な材料を得ることができる。例文帳に追加

To obtain the uniform material of the thermoelectric semiconductor in a bismuth-tellurium base with a large orientation degree. - 特許庁

高い耐性と低い誘率を有する半導体メモリ用絶縁膜材料を提供すること。例文帳に追加

To provide an insulation film material having high thermal stability and low dielectric constant for a semiconductor memory. - 特許庁

磁波シールド効果をもち、且つ放効果が高い半導体モジュールを提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor module which has electromagnetic shield effect and high heat dissipation effect. - 特許庁

基板、半導体素子および放器を備えた子装置を製造容易にする。例文帳に追加

To easily manufacture an electronic apparatus having a substrate, a semiconductor element and a heat radiator. - 特許庁

合金インゴットの製造方法及び装置、並びに、熱電半導体材料及びその製造方法例文帳に追加

METHOD AND APPARATUS FOR PRODUCING ALLOY INGOT, THERMOELECTRIC SEMICONDUCTOR MATERIAL, AND PRODUCTION METHOD THEREOF - 特許庁

子冷却素子は、半導体デバイスを含む被測定体1と的に接続される。例文帳に追加

The electronic cooling elements are connected thermally to an object to be measured 1 including a semiconductor device. - 特許庁

外部接続極における応力の集中を緩和することができる半導体装置を実現する。例文帳に追加

To implement a semiconductor device capable of alleviating concentration of thermal stress in an external connection electrode. - 特許庁

シリコン基板及びその製造方法、モジュール、並びに半導体レーザ装置例文帳に追加

SILICON SUBSTRATE, MANUFACTURING METHOD THEREFOR, THERMOELECTRIC MODULE, AND SEMICONDUCTOR LASER DEVICE - 特許庁

そのため、放効率が向上し、効果的に半導体チップ2を冷却することが可能である。例文帳に追加

Therefore, the heat radiation efficiency is improved, so it can effectively cool a power semiconductor chip 2. - 特許庁

さらに、リッドは、気絶縁性接着剤で半導体チップに的に接続される。例文帳に追加

Further, the lid is thermally connected to the semiconductor chip by an electrically insulating adhesive material. - 特許庁

性に優れた、光変換機能を有する半導体装置を提供すること。例文帳に追加

To provide a semiconductor device having excellent heat resistance and a photoelectric conversion function. - 特許庁

これらの元素は、気および半導体用途のクラスレートの製造に好ましい。例文帳に追加

These elements are preferable for the production of clathrate for thermoelectric and semiconductor applications. - 特許庁

性および磁ノイズの遮蔽性に優れた半導体モジュールを提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor module excellent in heat dissipating property and shielding property for electromagnetic noise. - 特許庁

そのための温度センサとしては、対或いは半導体温度センサを使用することができる。例文帳に追加

Either a thermocouple temperature sensor or a semiconductor temperature sensor is used as a temperature sensor for the purpose. - 特許庁

高周波の圧発振器を駆動する半導体部品の放効果を高めること。例文帳に追加

To enhance the thermal radiation effect of a semiconductor part which drives a high-frequency piezoelectric oscillator. - 特許庁

半導体素子21の膨張係数は5.0ppm/℃未満かつ比誘率が4未満である。例文帳に追加

The semiconductor element 21 has a thermal expansion coefficient smaller than 5.0 ppm/°C and a dielectric constant smaller than 4. - 特許庁

サイクルに起因して発生する応力によって半導体チップの極が破壊されるのを防止する。例文帳に追加

To prevent a semiconductor chip electrode from breakdown due to stress produced by heat cycles. - 特許庁

柱状の半導体材料を伝導加するために気エネルギーを変換する装置例文帳に追加

ELECTRIC-ENERGY CONVERTING APPARATUS FOR HEATING CYLINDRICAL SEMICONDUCTOR MATERIAL CONDUCTION-WISE - 特許庁

子機器は、発する半導体パッケージ(12)を収容した筐体(4)を備えている。例文帳に追加

The electronic apparatus is provided with a cabinet (4) storing a semiconductor package (12) generating heat. - 特許庁

Si−Ge半導体素子およびその製造方法ならびに変換モジュール例文帳に追加

SI-GE SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURE OF THE SAME, AND THERMOELECTRIC CONVERSION MODULE - 特許庁

半導体素子等の子部品の高密度実装が可能であり、放性に優れする。例文帳に追加

To allow high-density mounting of electronic components such as semiconductor elements for superior heat radiation property. - 特許庁

半導体装置等の子部品の放板において、樹脂系接着剤との接着性を向上させる。例文帳に追加

To improve an adhesiveness of radiators with resin adhesives for electronic components such as a semiconductor device. - 特許庁

酸素濃度が10000ppm以下の雰囲気酸素濃度環境下で熱電半導体を塑性加工する。例文帳に追加

A thermoelectric semiconductor is plastic-worked in such atmospheric environment with oxygen concentration 10,000 ppm or below. - 特許庁

例文

体DBRに起因する低い放性を改善する面発光半導体レーザを提供する。例文帳に追加

To provide a surface-emitting semiconductor laser of improved low heat radiation characteristics caused by dielectrics DBR. - 特許庁

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