「結晶の粒界」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

マトリクスが多結晶組織からなり、結晶粒とは異なる組成の結晶粒界相が存在し、結晶粒内および結晶粒界相内に同一種類のフォノン散乱粒子が分散している。例文帳に追加

In the nanocomposite thermoelectric conversion material, a matrix comprises a polycrystalline structure, a crystal grain boundary phase of different composition from crystal grains is present, and phonon scattered particles of the same kind are dispersed in the crystal grains and crystal grain boundary phase. - 特許庁

旧オーステナイト粒界を組織に持つ鋼の結晶粒界測定法例文帳に追加

METHOD FOR MEASURING GRAIN BOUNDARY OF STEEL HAVING PRIOR AUSTENITE GRAIN BOUNDARY STRUCTURE - 特許庁

研磨剤の砥粒が、結晶粒界を有する粒子を含むと好ましい。例文帳に追加

It is preferred that the abrasive grains contain particles having grain boundaries. - 特許庁

活性粒界の比率が低い多結晶性ケイ素例文帳に追加

POLYCRYSTALLINE SILICON CONTAINING ACTIVE GRAIN BOUNDARY IN LOW PERCENTAGE - 特許庁

金属表面の結晶粒界部腐蝕方法例文帳に追加

METAL SURFACE CRYSTAL GRAIN BOUNDARY PART CORRODING METHOD - 特許庁

グラニュラー磁性層の結晶粒の均一化および微細化を促進して、結晶粒と非結晶粒界との偏析を略完全に行う。例文帳に追加

Segregation between crystal grains and amorphous grain boundaries is conducted almost in a perfect manner by promoting to make the crystal grains uniform and fine in a granular magnetic layer. - 特許庁

このとき、経路１２の両側に配置される結晶粒界誘導領域１１に不要な結晶粒を成長させて結晶粒界誘導領域１１に不要な結晶粒を追い込むことで、結晶成長領域１０に単一の結晶粒のみを成長させることができる。例文帳に追加

In this case, the unnecessary crystal grains are grown in the crystal grain boundary guiding areas 11 arranged at both sides of the route 12, and the same crystal grains are driven into the crystal grain boundary guiding areas 11 whereby only the single crystal grain can be grown in the crystal growth area 10. - 特許庁

結晶粒界の方向や結晶粒の幅を制御することが可能な結晶性半導体膜の作製方法を提供する。例文帳に追加

To provide a manufacturing method of a crystalline semiconductor film capable of controlling the direction of a crystalline grain boundary and the width of a crystal grain. - 特許庁

次いで２つの結晶間の脱角行列を利用して結晶粒界の特性を糾明する。例文帳に追加

Subsequently, characteristics of the crystal grain boundary are examined using the misorientation matrix between two crystals. - 特許庁

金属材料の結晶粒界をモデル化して粗粒結晶粒界モデル２１を作成し、前記結晶粒界上に発生しうる微小欠陥の発生単位ごとに粒界モデル２１を複数の計算単位（セル）２４に分割する。例文帳に追加

The crystal grain boundary of the metal material is modeled to form a coarse crystal grain boundary model 21 and this grain boundary model 21 is divided into a plurality of calculation units (cells) 24 by the occurrence of a microflaw possible to occur on a crystal grain boundary. - 特許庁

クリティカルパス中のMOS界面欠陥・結晶粒界数・結晶粒界欠陥が低減されている。例文帳に追加

A defect in an MOS interface, the number of crystal grain boundaries and defects in the crystal grain boundaries in the critical path are reduced. - 特許庁

この工程により結晶性半導体薄膜１０３の表面が著しく平坦化され、且つ、結晶粒界及び結晶粒内の欠陥が消滅して単結晶半導体薄膜又は実質的な単結晶半導体薄膜が得られる。例文帳に追加

By this process, the surface of the crystalline semiconductor thin film 103 is markedly planarized, and defects in grain boundaries or crystal grains are eliminated and thus a single-crystal semiconductor thin film or a substantially single-crystal semiconductor thin film is obtained. - 特許庁

この工程により結晶性半導体薄膜１０４の表面が著しく平坦化され、且つ、結晶粒界及び結晶粒内の欠陥が消滅して単結晶半導体薄膜又は実質的な単結晶半導体薄膜が得られる。例文帳に追加

By this process, the surface of the crystalline semiconductor thin film 104 is markedly planarized and defects in grain boundaries or crystal grains are eliminated, and thus a single-crystal semiconductor thin film or a substantially single-crystal semiconductor thin film is obtained. - 特許庁

窒化珪素質焼結体は、窒化珪素結晶粒子を主体とする結晶相と、前記窒化珪素結晶の粒界にある非結晶の粒界相とを具備する。例文帳に追加

The silicon nitride sintered compact has a crystal phase being mainly silicon nitride crystal particles and an amorphous grain boundary phase existing in the grain boundary of the silicon nitride crystals. - 特許庁

未結晶部分と結晶粒界を実質的に含まない単一の大結晶粒を形成できる半導体薄膜の結晶化方法、結晶化装置、位相シフタ、薄膜トランジスタおよび表示装置を提供する。例文帳に追加

To provide a method of crystallizing a thin semiconductor film by which a single large crystal grain substantially containing no uncrystallized portion nor a crystal grain boundary can be formed, and to provide a crystallizer, a phase shifter, a thin film transistor, and a display device. - 特許庁

Ｌａ，Ａｌ，Ｃａ，Ｔｉを含有する多結晶体の誘電体セラミックスであって、その結晶粒界にＣａＡｌ_１２Ｏ_１９（ヒボナイト）結晶を有する。例文帳に追加

The dielectric ceramic is a polycrystal containing La, Al, Ca and Ti, and CaAl_12O_19 (hibonite) crystal is present in the crystal grain boundary. - 特許庁

多数のマグネシウム結晶粒と、マグネシウム結晶粒の内部に固溶されたスカンジウムまたはマグネシウム結晶粒の内部ではない外部として結晶粒界に存在するスカンジウム化合物とを含んで成るマグネシウム母合金。例文帳に追加

The magnesium mother alloy includes a plurality of magnesium grains, and a scandium compound dissolved in the magnesium grains, or a scandium compound crystallized at grain boundaries which are not inside but outside the magnesium grains. - 特許庁

多結晶粒界の成長を抑制してより長い単結晶を成長させることができる単結晶成長装置を提供する。例文帳に追加

To provide a single crystal-growing unit capable of growing a longer single crystal by inhibiting the growth of boundaries among multiple crystal particles. - 特許庁

この方法で製造されたアルミニウム材は、結晶組織において、結晶粒の平均粒径が５０μｍ以下、結晶粒のアスペクト比が１〜１０であり、結晶粒内または結晶粒界における金属間化合物の平均粒径が１０μｍ以下である。例文帳に追加

As to the aluminum material produced by this method, in the crystal structure, the average grain size of the crystal grains is ≤50 μm, the aspect ratio of the crystal grains is 1 to 10, and the average grain size of intermetallic compounds in the crystal grains or crystal boundaries is ≤10 μm. - 特許庁

また、結晶粒界の周囲の領域を、結晶粒界から次式で表されるd1だけの幅をもった領域とする。例文帳に追加

The region around the crystal grain boundary is made a region having a width d1 represented by an expression d1>Nb/Nc from the crystal grain boundary. - 特許庁

結晶粒の方位がそろい、粒界の不純物の少ない多結晶膜からなり、多結晶膜の粒径がトランジスタのチャネル長よりも大きく、チャネル部では単結晶である高性能ＴＦＴを実現する。例文帳に追加

To provide a high performance TFT, comprising a polycrystalline film of unidirectional crystal grain orientation and less impurity at grain boundary, with the particle size of the polycrystalline film larger than the channel length of a transistor, while the size is single crystal at a channel part. - 特許庁

該双晶境界は相互対称の結晶粒境界で，該結晶粒が一方向凝固で上向きに成長し、完全な多結晶シリコン結晶体を成形することを最も主要な特徴とする。例文帳に追加

It is most mainly characterized in that the twin boundaries are crystal grain boundaries symmetrical to each other, the crystal grains grow upward by one direction solidification, thereby forming a perfect polycrystalline silicon crystal. - 特許庁

窒化物単結晶基板の反りや粒界生成を抑制することである。例文帳に追加

To inhibit the occurrence of warping or grain boundaries of a nitride single crystal substrate. - 特許庁

半導体バリア結晶粒界コンデンサーの構造と製造方法例文帳に追加

STRUCTURE OF SEMICONDUCTOR BARRIER CRYSTAL GRAIN BOUNDARY CAPACITOR AND ITS MANUFACTURING METHOD - 特許庁

含Ｃｒ−Ｍｏ−Ｖ系熱間ダイス鋼の結晶粒界現出方法例文帳に追加

CRYSTAL GRAIN BOUNDARY DEVELOPING METHOD OF CR-MO-V CONTAINING TYPE HOT DIE STEEL - 特許庁

単結晶または指向性凝固された物品の粒界を強化する方法例文帳に追加

METHOD FOR STRENGTHENING GRAIN BOUNDARY OF SINGLE CRYSTAL OR DIRECTIONALLY SOLIDIFIED ARTICLE - 特許庁

強磁性鉄基硼化物は、Ｒ_2Ｔ_14Ｑ型化合物結晶粒の粒界でフィルムを形成し、Ｒ_2Ｔ_14Ｑ型化合物相結晶粒の表面を覆っている。例文帳に追加

The ferromagnetic iron based boride forms a film along the boundaries in between R_2T_14Q type compound crystal grains, and covers the grain surfaces. - 特許庁

熱処理によって再結晶が進行することで、結晶粒が大結晶粒に成長して結晶粒界が低減するとともに、原子空孔、転位などの格子欠陥も低減される。例文帳に追加

By the progress of recrystallization by annealing, crystal grains grow to be large crystal grains, a grain boundary is reduced, and lattice defects such as atomic vacancies or dislocation are reduced as well. - 特許庁

２つの結晶の方位関係と結晶粒界の特性をリアルタイムで正確に確認できることを特徴とし、透過電子顕微鏡のゴニオメ−タを利用した隣り合う結晶粒の結晶学的方位関係と結晶粒界の特性を測定する測定装置及びその測定方法を提示する。例文帳に追加

To provide an apparatus and method of measuring crystallographic orientation relationship of adjacent crystal grains using the goniometer of a transmission electron microscope capable of accurately observing the orientation relationship of two crystal grains and characteristics of their grain boundary in real time. - 特許庁

この製造方法により、多結晶基材の被成膜面と平行な面に沿う多結晶薄膜の結晶粒の同一結晶軸が構成する粒界傾角が２０度以下に抑えられた、結晶配向性の高い多結晶薄膜が安定して製造できる。例文帳に追加

By the production method, the polycrystal thin film in which the inclination of grain boundaries composed by the same crystal axes of the crystal grains of the polycrystal thin film along the face parallel to the face to be film-formed in the polycrystal base material is suppressed to ≤20 degrees, and having high crystal orientation properties can stably be produced. - 特許庁

二種の粉末の炭化珪素を焼結して結晶粒の大きさを０．０１０から０．０３０ｍｍの範囲の結晶組織に形成すると共に、この結晶粒界の間に沿って黒鉛結晶層を形成するものある。例文帳に追加

Two kinds of silicon carbide powder are sintered to form crystal organization having crystal grain size in a range of 0.010 to 0.030 mm and further a graphite crystal layer is formed along the crystal grain boundary. - 特許庁

再結晶組織は単結晶化しており、その結晶粒の大きさは、導電率１０６［％］以下の４Ｎ銀材よりも粗大化し、且つ、４Ｎ銀材に比べて単位体積あたりの結晶粒界密度が少い。例文帳に追加

The recrystallized structure is crystallized into a single crystal, wherein the size of the crystal grains is coarsened to a size larger than in a 4N silver material having an electrical conductivity of 106 (%) or less, and the grain boundary density per unit volume is lower than that of the 4N silver material. - 特許庁

本願発明によれば、絶縁体基板上に、粒界、粒径、結晶方位を制御でき、結晶化の仮定で生じる膜のラフネスと結晶欠陥を低減した高品質の多結晶半導体膜を有する半導体装置を得ることが出来る。例文帳に追加

The high-quality polycrystalline semiconductor film can control a grain boundary, a grain size, and a crystal orientation and can reduce the roughness of a film generated in the process of crystallization, and a crystal defect. - 特許庁

結晶粒の大きさや結晶粒界の分布が均一であり、薄膜トランジスタを形成した際に優秀な特性が得られる多結晶シリコン層、多結晶シリコン層の製造方法、及び平板表示装置を提供する。例文帳に追加

To provide a polycrystalline silicon layer that is uniform in the size of a crystal particle and distribution in a crystal grain boundary and can obtain improved characteristics when forming a thin-film transistor, to provide a manufacturing method of the polycrystalline silicon layer, and to provide a plane display. - 特許庁

複数の結晶粒から成る結晶質半導体膜において配向性が低いと結晶粒界で不対結合手が多く形成され、結晶質半導体膜中のキャリア（電子・ホール）の輸送特性を低下させる。例文帳に追加

To solve the problem that a large number of unpaired bonding hands are formed at crystal grain boundaries, when a crystalline semiconductor film composed of crystal grains is low in orientation properties, and the crystal semiconductor film is deteriorated in carrier (electron, hole) transfer properties. - 特許庁

この結晶粒子は粒径が均一で、かつ、結晶粒子よりかなり体積が小さい粒界相を介して隣接するので、無機化合物膜は、ほぼ六角形の結晶粒子が緻密に集まった構造を有する。例文帳に追加

Since the crystal grains have a uniform grain size and are adjacent to each other with an intergranular phase, having a considerably smaller volume than the crystal grains, the inorganic compound film has a densely packed structure of crystal grains each in a hexagonal form. - 特許庁

シリコン結晶体成形装置は、坩堝底部を冷やす方式で多結晶結晶粒の成長方向をコントロールし、該結晶粒に双晶境界を成形する。例文帳に追加

The silicon crystal forming apparatus controls the growing direction of polycrystalline crystal grains by a system of cooling the bottom part of a crucible, and forms twin boundaries at the crystal grains. - 特許庁

異種添加元素の結晶粒界及び結晶粒界付近の固溶濃度調節方法、及びそれを用いた結晶粒の大きい核燃料焼結体の製造方法例文帳に追加

SOLID SOLUTION CONCENTRATION ADJUSTMENT METHOD FOR CRYSTAL GRAIN BOUNDARY AND PERIPHERY OF CRYSTAL GRAIN BOUNDARY OF HETEROGENEOUS ADDITIVE ELEMENT, AND METHOD OF MANUFACTURING NUCLEAR FUEL SINTERED BODY HAVING LARGE CRYSTAL GRAIN USING THE SAME - 特許庁

第２の単結晶アルミナ砥粒は、アルミナ結晶をその粒界介在物を溶解することで解砕して得られたものである。例文帳に追加

The second monocrystal alumina abrasive grain is obtained by dissolving intergranular inclusion of the alumina crystal to crush the alumina crystal. - 特許庁

下地層３は、正六角形の結晶粒子が均等な幅の結晶粒界部により隔離されたハニカム構造を有する。例文帳に追加

The base layer 3 has a honeycomb structure, having hexagonal crystal grains each separated by an intergranular part having uniform width from others. - 特許庁

絶縁体酸化物ＢＯxの焼結体の結晶粒内及び／又は結晶粒界中には焼結助材が分散している。例文帳に追加

A sintering aid is scattered in the crystal grains and/or crystal grain boundaries of a sintered compact of the insulator oxide BOx. - 特許庁

第2下地層はCoO-SiO_2膜などで、正六角形の結晶粒子12が均等な幅の結晶粒界部14で隔てられたハニカム構造を有する。例文帳に追加

The second base layer is a CoO-SiO2 film or the like and has a honeycomb structure in which each hexagonal crystal grain 12 is separated from others by the intergranular part 14 having uniform width. - 特許庁

下地層はCoO-SiO_2膜から構成され、正六角形の結晶粒子12が均等な幅の結晶粒界部14で隔てられたハニカム構造を有する。例文帳に追加

The substrate layer is constituted of a CoO-SiO2 film and has honeycomb structure in which crystalline particles 12 of a regular hexagon are partitioned by crystalline grain boundary parts 14 of uniform width. - 特許庁

このようにして、結晶粒界５で区分される横方向平均結晶粒径を小さく制御する。例文帳に追加

In this way, the lateral mean crystal grain diameters, which are sectioned by crystal grain boundaries 5, in the polycrystalline semiconductor film are controlled to be small. - 特許庁

本物品（１０）はＡＳＴＭ７よりも粗くない平均結晶粒径を有し、臨界結晶粒成長を実質的に含まない。例文帳に追加

The article (10) has an average grain size of not coarser than ASTM7 and is substantially free of critical grain growth. - 特許庁