「超音波熱圧着」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

電子部品１０の電極１１と基板１の配線２，３とをバンプ４を介して超音波振動を併用した熱圧着接合により接続する。例文帳に追加

Electrodes 11 of an electronic component 10 are connected with wirings 2, 3 of a board 1 via a bump 4 by thermo-compression bonding using ultrasonic vibration together. - 特許庁

超音波併用熱圧着にて安定した良好な接合を行うことができる半導体装置の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for manufacturing a semiconductor device for performing stable and satisfactory junction by ultrasonic combined thermal press-fitting. - 特許庁

キャパシタ１４０の電極１４２、１４４は、超音波熱圧着により突起状金属電極１１０Ａ、１１０Ｂと金属結合される。例文帳に追加

The electrodes 142, 144 of the capacitor 140 are metallurgically bonded to the protrusion-shaped metal electrodes 110A, 110B by supersonic thermocompression bonding. - 特許庁

この場合、前記接着領域は、熱圧着、超音波融着、或いは接着樹脂によって接着されるようにするとよい。例文帳に追加

The adhesive region is preferably adhered by heat-pressing, ultrasonic melting or with adhesive resin. - 特許庁

この熱圧着中には、基板１７および感光材料１８に対して、音波発生部４２からの超音波による微小な振動が加わり、感光層２０に発生する気泡やしわが押し出されながら熱圧着されるから、これら気泡やしわが抑えられる。例文帳に追加

During this thermocompression bonding, slight vibration by ultrasonic waves from the sound wave generating section 42 is applied to the substrate 17 and the photosensitive material 18, and thermocompression bonding is carried out while extruding bubbles and wrinkles which occur in the photosensitive layer 20, consequently these bubbles and wrinkles are controlled. - 特許庁

ガラスエポキシ基板へ半導体装置を超音波圧着接合する場合に、配線パターンをガラスエポキシ樹脂へ接着している接着剤のガラス転移温度より低い温度で、かつガラスエポキシ樹脂の軟化点以上の温度で加熱しながら半導体装置に超音波振動を印加し超音波圧着接合を行い実装体の製造を行う。例文帳に追加

When a semiconductor device is bonded to a glass epoxy board by an ultrasonic welding manufacturing of a mounted board is made by applying ultrasonic vibrations to the semiconductor device and bonding by ultrasonic welding while heating at a lower temperature than a glass transition temperature of a bond which bonds a wiring pattern on a glass epoxy resin and at a temperature higher than a softening point of the glass epoxy resin. - 特許庁

しかる後ＩＣチップ上に加熱圧着装置または超音波圧着装置を配置し、ＩＣチップを基材フィルムのほうに押し付け、それと同時に基材フィルム及び粘着層を局部的に凹型に熱成形する。例文帳に追加

Then, a heating crimp device or an ultrasonic crimp device is disposed on the IC chip, the IC chip is pushed against the base material film, and at the same time the base material film and the adhesive layer are locally molded into a recess shape by heat. - 特許庁

ウェハの裏面を研削した後、ウエットエッチングを行って、チップを超音波を用いた被接合体へ接合するときに超音波の振動方向に沿った表面粗さがチップ間で実質的に同一となるようにした後、超音波併用熱圧着を行ってリードフレームにチップを金ボールバンプを介して接合する。例文帳に追加

The back face of a wafer is ground, and wet etching is carried out, and when a chip is joined to a junction object body using ultrasonic waves, surface roughness along the vibrating direction of ultrasonic waves is made substantially the same between chips, and ultrasonic wave combined thermal press-fitting is carried out, and the chip is joined through a golden ball bump to a lead frame. - 特許庁

ここでは、表面電極１ａはＩＧＢＴモジュールのエミッタ電極であって、そこにはニッケル膜３の上にアルミワイヤ２を熱圧着あるいは超音波振動によって接合する配線構造が採用される。例文帳に追加

Herein, the surface electrode 1a is an emitter electrode of an IGBT module, and a wiring structure in which an aluminum wire 2 is bonded onto the nickel film 3 by thermocompression bonding or ultrasonic vibration is employed therein. - 特許庁

バンプを用いた超音波熱圧着によるＩＣチップとＩＣ保持端子との電気的・機械的な接続を確実にし、アンダーフィルを容易に形成できる表面実装発振器の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method of manufacturing a surface-mounted crystal oscillator, for ensuring the electrical/mechanical connection between an IC chip and an IC holding terminal by ultrasonic thermocompression bonding using a bump and easily forming an underfill. - 特許庁

金メッキバンプの硬度を７０Ｈｖ〜１００Ｈｖとし、少なくとも６μｍで且つ略１／２の潰れ量となるように、半導体素子の金メッキバンプを実装基板の接合電極に超音波熱圧着する。例文帳に追加

The gold plating bump has a hardness in the range of 70-100 Hv and thermosonic bonding is performed between the gold plating bump of the semiconductor device and the bonding electrode of a mounting board such that the amount of flattening is at least 6 μm and about 1/2. - 特許庁

ＩＣ機能を破壊することなく、超音波熱圧着を確実にするＩＣチップの実装方法及びこれを用いた水晶発振器を提供する。例文帳に追加

To provide the packaging method of an IC chip, that secures ultrasonic thermocompression bonding which will not damage the IC functions, and a quartz oscillator that uses the packaging meted of the IC chip. - 特許庁

その後、減圧雰囲気下で外装材２、３の４周縁の周縁部２ａ，３ａ同士が熱圧着、超音波溶着等の手法によって気密に接合され、電池要素１が外装材２、３に封入される。例文帳に追加

Thereafter, the four peripheral edges 2a and 3a of the jackets 2 and 3 are hermetically joined together by such a means as thermal compression or ultrasonic welding in a decompressed atmosphere to seal the battery element 1 inside the jackets 2 and 3. - 特許庁

微細ピッチの電極端子を具備する半導体集積回路装置であっても、超音波併用型熱圧着ワイヤボンダなどによって金ワイヤを容易に接合でき、また回路素子にダメージを与えることなく、かつ容易に検査を実施することを可能にする。例文帳に追加

To provide a semiconductor integrated circuit device comprising an electrode terminal at a fine pitch, wherein it is possible to easily join a gold wire by an ultrasonic jointly using type thermocompression wire bonder, and also to easily test without damaging circuit elements. - 特許庁

セラミック基板４０の接続電極４３に金バンプ５０を超音波併用熱圧着する工程と、金バンプ５０を、平坦ツール６０で加圧して平坦化する工程と、金バンプ５０上にフラックスを供給する工程を備える。例文帳に追加

A method of manufacturing the semiconductor device includes a step of thermally compressing a golden bump 50 combined with ultrasonic wave heatment to the connection electrode 43 of the ceramic substrate 40, a step of pressurizing and flattening the golden bump 50 with a flat tool 60, and a step of supplying a flux on the golden bump 50. - 特許庁

本発明の電子部品素子実装装置は、電子部品素子１を吸着保持し、且つ各電子部品素子１に超音波熱圧着を供給するツールを有する実装装置において、前記電子部品素子１を吸着するツール４１の先端面に、硬質耐酸化性部材６０を配した。例文帳に追加

The mounting apparatus has a tool for vacuum chucking electronic component elements 1 and feeding each element 1 with ultrasonic thermocompression bonding. - 特許庁

チップタイプ温度ヒュ−ズ１０のリ−ド部材１１導出部を超音波接合、熱圧着、抵抗溶接等でプリント基板３０の配線パタ−ン３２間にスポット的に接続結合するチップタイプ温度ヒュ−ズ１０とその実装構造。例文帳に追加

The chip type temperature fuse 10 which connects and joins lead member 11 lead-out parts of the chip type temperature fuse 10 in spot welding between wiring patterns 32 of a printed board 30 with an ultrasonic bonding, thermo-compression bonding, resistance welding or the like and its mounting structure are provided. - 特許庁

ＩＣチップ２の端子電極４に緩衝用の金属層７を設け、容器本体１の端子６上にバンプ５を設けた構成とし、１回の超音波熱圧着による最小の衝撃でＩＣチップ２を容器本体１に固着し、水晶片３を導電性接着剤で固着する。例文帳に追加

A metal layer 7 for buffering is provided in a terminal electrode 4 of the IC chip 2, a bump 5 is provided on a terminal 6 of a container body 1, the IC chip 2 is stuck to the container body 1 with the minimum shock by one-time ultrasonic thermocompression and a crystal piece 3 is stuck by a conductive adhesive. - 特許庁

本発明の目的は、樹脂材料により製造され、表面にマイクロチャンネルを有するマイクロチップ基板とフィルムの接合方法において、熱プレスや超音波溶着による熱圧着、または接着剤を用いる接合では、接合できない、もしくは接合力の弱い材料に対して、より効果的にマイクロチップ基板とフィルムを接合する方法を提供するものである。例文帳に追加

To provide a method for effectively bonding a microchip substrate and a film, with regard to a material which cannot be bonded or has a weak bonding force, if thermal compression bonding by a thermal press and an ultrasonic welding or an adhesive bonding is used, in a method for bonding the film and the microchip substrate manufactured by a resin material and having a microchannel on a surface. - 特許庁

本発明は、圧電素子をベース基板にハンダにて接続及び封止する場合に、超音波熱圧着を用いて仮止めを行う際に当接面に発生するハンダ接合性の悪い合金層の影響を抑えて、封止信頼性が高く量産性の高い圧電共振装置とその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a piezoelectric resonance device which has high sealing reliability and high mass-productivity and its manufacturing method while suppressing an influence of an alloy layer with infavorable solderability generated on an abutting surface when a piezoelectric element is temporarily fixed by using ultrasonic thermocompression bonding, in the case the element is connected to a base substrate and sealed by soldering. - 特許庁

基材の一方面側に接着層が形成されてなる接着層付の絶縁フィルム１と、接着層無しの絶縁フィルム４との間に複数の前記線状導体を並列状態で挟込んだ状態で、それら一対の絶縁フィルム１，４同士を、接着層３を介して熱圧着した後、さらに超音波溶着する。例文帳に追加

A plurality of linear conductors are put in parallel between an insulating film 1 with a bonding layer which has a bonding layer formed at one direction of the base material and an insulating film without a bonding layer, and, in that state, the pair of films 1, 4 are thermo compression bonded with each other through a bonding layer 3, and are then bonded ultrasonically with each other. - 特許庁