「ARSENIDE」に関連した英語例文の一覧と使い方(3ページ目) - Weblio英語例文検索

A photoreceptor selected from amorphous silicon, selenium arsenide and an organic photoreceptor of Vickers hardness ≥45 is used as the photoreceptor and the suitable pressing pressure is set between the photoreceptor and the transfer belt, by which the use of the transfer belt without spacing the belt from the photoreceptor is made possible.例文帳に追加

感光体としてアモルファスシリコン、砒素セレン、ビッカ−ス硬度４５以上の有機感光体から選択されるものを用い、感光体と転写ベルト間に適度な押圧力を設定することで、転写ベルトを感光体から離間することなく使用することが可能となった。 - 特許庁

To provide a slurry for polishing which has excellent polishing capability for a thin film for a multilayer interconnection formed on the surface of an electronic part substrate made of a silicon, a gallium arsenide, etc., which can polish at a high polishing speed without denaturing the thin film and in which the thin film after polishing has a high flattening degree.例文帳に追加

シリコン、ガリウム砒素などからなるの電子部品基板の表面に形成される多層配線用薄膜に対する研磨能力に優れ、該薄膜を変性させることなく高い研磨速度で研磨することができ、研磨後の薄膜が高い平坦化度を有する研磨用スラリーを提供する。 - 特許庁

Furthermore, in the manufacturing method for a semiconductor in a second invention, a gold film is formed on a semiconductor substrate where the surface treatment is performed, and patterning is performed in etchant, whereupon only the gold film is etched, and the surface of the gallium arsenide semiconductor substrate is not etched.例文帳に追加

さらに、第２の発明の半導体装置の製造方法は、上記表面処理を行った半導体基板上に金膜を形成してヨウ素系エッチング液でパターニングを行うと、金膜のみがエッチングされ、露出するガリウム砒素半導体基板表面は、エッチングされない。 - 特許庁

The diamond element has: at least one kind of electrode element selected from a pure metal, a metal nitride, a metal silicide, a metal arsenide, and a metal carbide; and the Schottky electrode layer comprising the cap of the oxide conductive material formed on the electrode element on the surface of the semiconductor diamond.例文帳に追加

半導体ダイヤモンド表面上に、純金属、金属窒化物、金属珪化物、金属硼化物、金属炭化物から選択した一種以上の電極素子とその上に形成された酸化物導電体のキャップからなるショットキー電極層を備えていることを特徴とするダイヤモンド素子。 - 特許庁

Liquid gallium metal particulates are manufactured by supplying only gallium not onto a conventional GaAs(100) substrate, but onto a GaAs(311)A substrate, and droplets thereof are irradiated with an arsenic molecular beam to be crystallized into gallium arsenide, thereby manufacturing quantum dots with small size fluctuations.例文帳に追加

従来のＧａＡｓ（１００）基板でなく、ＧａＡｓ（３１１）Ａ基板上にガリウムのみを供給して液状のガリウム金属微粒子を作製し、その液滴に砒素分子線を照射してガリウム砒素に結晶化することにより、サイズ揺らぎの少ない量子ドットを作製する。 - 特許庁

In the forming method of p-type telluride zinc by reacting zinc material gas, telluride material gas and doping gas through an organic metal vapor phase growth method, dimethyl zinc is supplied as the zinc material gas, diethyl tellurium is supplied as the tellurium gas and triethyl arsenide is supplied as the doping gas to grow.例文帳に追加

有機金属気相成長法によって亜鉛原料ガス、テルル原料ガスおよびドーピングガスを反応させてｐ型のテルル化亜鉛を形成する方法において、亜鉛原料ガスとしてジメチル亜鉛、テルル原料ガスとしてジエチルテルル、およびドーピングガスとしてトリエチル砒素を供給して成長させる。 - 特許庁

A gallium arsenide substrate Wc is set to a first rotary table 12 for reverse side grinding by the grinding blade 14 of a grinding rotor 16, and 150 substrates where substrate cracks, which are not caused by the silting in the grinding blade 14, are subjected to reverse side grinding.例文帳に追加

砒化ガリウム基板Ｗｃを第１回転テーブル１２にセットして研削回転体１６の研削刃１４で裏面研削し、研削刃１４の目詰りが基板割れを招かない１５０枚を裏面研削した後に、研削回転体１６を第２回転テーブル２２へ移動させて、セットされているシリコンブロックＳを例えば10秒間程度研削する。 - 特許庁

This heterojunction bipolar transistor (100) is a heterojunction bipolar transistor (100), containing a collector (104), an emitter (114) and a base (110), positioned between the collector (104) and the emitter (114), and the base (110) contains a gallium arsenide antimony (GaAsSb) layer having a thickness of less than 49 nm.例文帳に追加

本発明によって提供されるヘテロバイポーラトランジスタ（１００）は、コレクタ（１０４）と、エミッタ（１１４）と、そしてコレクタ（１０４）及びエミッタ（１１４）間に位置するベース（１１０）とを含むヘテロ接合バイポーラトランジスタ（１００）であって、ベース（１１０）が４９ｎｍ未満の厚さを持つガリウム砒素アンチモン（ＧａＡｓＳｂ）層を含む。 - 特許庁

Those optical circuits are composed of a semiconductor waveguide (for example, silicon Si, indium phosphate InP, gallium arsenide GaAs, etc.), and defect increasing processing by impurity doping, low-temperature growth, ion implantation, etc., is performed on the first arm waveguide 103 to increase the absorption coefficient of the first arm waveguide 103.例文帳に追加

これらの光回路を半導体導波路（例えばシリコンＳｉ、リン化インジウムＩｎＰ、ヒ素化ガリウムＧａＡｓ等）で構成し、第１アーム導波路１０３に不純物ドーピング、低温成長やイオン注入等による欠陥増大を行うことによって第１アーム導波路１０３における吸収係数を高める。 - 特許庁

To provide a switching circuit with which higher frequency and larger power amplification is possible than with a push-pull amplifier using a switching element whose semiconductor material consists of silicon or gallium arsenide, by switching an inductance element with a single switching element, and to provide an envelope signal amplifier with the switching circuit.例文帳に追加

単一のスイッチング素子でインンダクタンス素子をスイッチングすることにより、半導体材料がシリコン又はガリウム砒素からなるスイッチング素子を用いたプッシュプルの増幅器よりも高周波且つ大電力の増幅が可能なスイッチング回路、及び該スイッチング回路を備える包絡線信号増幅器を提供する。 - 特許庁

The present invention also produces a luminescent material by heating and causing reaction of strontium sulfide SrS:Pr3+ and Ir luminescent material in the presence of manganese (Mn) and characterized in purification of produced new EL light emitting particles having gallium arsenide (GaAs) and InP with superior luminous efficiency than those of known luminescent materials, ZnS:Cu and Cl.例文帳に追加

そこにおいて、本発明また硫化ストロンチウムＳｒS：Pr3+、Ir発光体にマンガンMn存在下に加熱反応させたヒ化ガリウムGaAs、ＩｎＰを有する発光体を製造することにより、従来のＺｎS：Cu、Cl、発光体よりも高い発光効率を有する新規なエレクトロルミネセンス発光体粒子を精製できることをもっとも主要な特徴とする。 - 特許庁

There are provided a surface microstructure manufacturing method for manufacturing an unevenness P3 of nano meter order through dry etching by seeding a nano diamond fine particle P2 on the test piece surface of a test piece P1 composed of silicon, gallium arsenide, and diamond and using this as a minute hard mask, and a diamond nano electrode manufacturing method using the microstructure.例文帳に追加

シリコン、ガリウム砒素、ダイヤモンドからなる試料Ｐ１の試料表面にナノダイヤモンド微粒子Ｐ２を種付けしてこれを微小ハードマスクとして使用し、ドライエッチングを行うことによりナノメートルオーダーの凹凸Ｐ３を製造することを特徴とする表面微細構造製造方法及びこの微細構造を利用したダイヤモンドナノ電極の製造方法。 - 特許庁

The light-emitting material is produced by mixing gallium arsenide, gallium phosphide or gallium antimonide with manganese and performing a first baking to prepare a first baked product, mixing a base material with an element constituting a luminescent center material or a compound containing the element and performing a second baking to prepare a second baked product, subsequently mixing the first baked product with the second baked product and performing a third baking.例文帳に追加

ヒ化ガリウム、リン化ガリウム、又はアンチモン化ガリウムと、マンガンとを混合して第１の焼成を行い、第１の焼成物を作製し、母体材料と、発光中心材料を構成する元素又はその元素を含む化合物とを混合して第２の焼成を行い、第２の焼成物を作製し、第２の焼成物に、第１の焼成物を混合して、第３の焼成を行うことにより発光材料を作製する。 - 特許庁

The semiconductor laser element is provided with a gallium-arsenide-based or gallium-nitride-based semiconductor substrate having a ridge formed on a first principal plane, an insulation film provided to cover side faces of the ridge and the first principal plane around the ridge, an aluminum nitride film laminated on the insulation film, and a first metal electrode provided on the upper surface of the ridge and on the aluminum nitride film.例文帳に追加

第１の主面にリッジが形成されたガリウムヒ素系または窒化ガリウム系の半導体基体と、前記リッジの側面及び前記リッジの周囲の前記第１の主面を覆うように設けられた絶縁膜と、前記絶縁膜の上に積層された窒化アルミニウム膜と、前記リッジの上面と前記窒化アルミニウム膜の上に設けられた第１の金属電極と、を備えたことを特徴とする半導体レーザ素子を提供する。 - 特許庁

In the transmission power amplifier circuit with a temperature compensation function, power amplifier 151, 152 employing gallium arsenide field effect transistors and a preamplifier provided with a thermister temperature compensation circuit are integrated into one integrated circuit, and the power amplifiers 151, 152 and the preamplifier including the thermister temperature compensation circuit are formed on a substrate 150 of the integrated circuit in the state that ground circuits 155, 156 are independent of each other.例文帳に追加

温度補償機能付きの送信電力増幅回路１５ｂにおいて、ガリウム砒素電界効果型トランジスタを使用した電力増幅器１５１，１５２と、サーミスタ温度補償回路１５４を備えた前置増幅器１５３とを１個の集積回路に収容し、かつその際に電力増幅器１５１，１５２と、温度補償回路１５４を含む前置増幅器１５３とを、集積回路の基板１５０上においてその接地回路１５５，１５６が独立した状態で形成するようにしたものである。 - 特許庁