「ARSENIDE」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

The III-V compound semiconductor layer, containing boron, is composed of mixed crystal of boron arsenide phosphide(BAsP) or boron phosphide(BP).例文帳に追加

含硼素ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層を砒化リン化硼素（ＢＡｓＰ）混晶あるいはリン硼素（ＢＰ）から構成する。 - 特許庁

For a multi-layer film reflection mirror 2, a semiconductor multi-layer film structure constituted of a high refractive index semiconductor layer composed of gallium arsenide or aluminum gallium arsenide and a low refractive index semiconductor layer composed of a III-V compound semiconductor including phosphorus is used.例文帳に追加

多層膜反射鏡２，２ａに、ガリウム砒素あるいはアルミニウムガリウム砒素からなる高屈折率半導体層と、燐を含むIII−Ｖ族化合物半導体からなる低屈折率半導体層により構成される半導体多層膜構造を用いる。 - 特許庁

The Schottky structure to be formed on the gallium arsenide semiconductor is formed of the gallium arsenide semiconductor substrate, a titanium metal layer to form distributed Schottky contacts on the gallium arsenide semiconductor substrate, a diffused barrier layer to prevent diffusion of metal layer through distribution on the titanium metal layer, and cuprous metal layer distributed on the diffused barrier layer to form the Schottky structure.例文帳に追加

ヒ化ガリウム半導体基板と、該ヒ化ガリウム半導体基板上に分布してショットキー・コンタクトを形成するチタン金属層と、該チタン金属層上に分布して金属層の拡散を防ぐ拡散バリア層と、該拡散バリア層上に分布してショットキー構造を形成する第１銅金属層とによりヒ化ガリウム半導体上に形成されるショットキー構造を構成する。 - 特許庁

This production method comprises charging a presynthesized gallium arsenide material 4 and boron oxide 5 in a crucible 1, heating and melting the gallium arsenide material 4 in the crucible 1, and completing solidification of the melt of the material 4 in such a state that the amount of gallium in the melt is larger than that of arsenic to grow a carbon-added gallium arsenide crystal.例文帳に追加

るつぼ１内に、予備合成されたヒ化ガリウム原料４と酸化ホウ素５とが充填され、そのるつぼ１内のヒ化ガリウム原料４が加熱溶融され、ヒ化ガリウム原料４の融液中のガリウムの量をヒ素の量よりも多くした状態でその融液の固化を完了して、カーボンが添加されたヒ化ガリウム結晶を成長させることにより、ヒ化ガリウム結晶が製造される。 - 特許庁

The substrate is made of a material selected from a group including GaN, sapphire, silicon, silicon carbide, quartz, zinc oxide, glass, and gallium arsenide.例文帳に追加

基板は、GaN、サファイア、シリコン、シリコンカーバイド、石英、酸化亜鉛、ガラスおよびガリウムヒ素を含むグループから選択される材料からなる。 - 特許庁

Therefore, the silicon carbide film 8 protects the gallium arsenide substrate 6 through the tantalum film 7, and improves impact resistance of the slider 1.例文帳に追加

よって、炭化珪素膜８は、タンタル膜７介してガリウム砒素基板６を保護し、スライダ１の耐衝撃性を向上させる。 - 特許庁

A silicon nitride barrier layer 12 is deposited on a gallium arsenide substrate 11 to prevent evaporation of the substrate in subsequent heating steps.例文帳に追加

窒化シリコンバリア層１２をガリウム砒素基板１１上に堆積させて、後の加熱工程における基板の蒸発を防止する。 - 特許庁

The high frequency switch module employs a GaAS switch 11A manufactured by using gallium arsenide (GaAs) being an element needing a comparatively small current consumption.例文帳に追加

消費電流が比較的少ない素子である砒化ガリウム（ＧａＡｓ）を用いて作製されたＧａＡｓスイッチ１１Ａを使用する。 - 特許庁

To provide a gallium arsenide field-effect transistor adapted to allow reducing degradation in the field-effect transistor characteristics and realizing miniaturization of the transistor.例文帳に追加

電界効果トランジスタ特性の劣化を低減し、微細化を実現することが可能なガリウム砒素電界効果トランジスタを提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semi-insulative gallium arsenide single crystal by which the carbon concentration in the longitudinal direction can be set uniformly and arbitrarily.例文帳に追加

長手方向の炭素濃度が均一かつ任意に設定できる半絶縁性ガリウム砒素単結晶の製造方法を提供する。 - 特許庁

An optoelectronic semiconductor device 90 has an absorbing layer 108 made of gallium arsenide (GaAs) and having only one kind of doping.例文帳に追加

光電子半導体装置９０は、ヒ化ガリウム（ＧａＡｓ）で作られ、一種類のドーピングのみを有する吸収層１０８を有している。 - 特許庁

This semiconductor element is provided with: the indium-based compound semiconductor thin film formed on a substrate 1 made of a gallium arsenide.例文帳に追加

本発明の半導体素子は、ガリウム砒素からなる基板１上に形成されるインジウム系化合物半導体薄膜を備えている。 - 特許庁

To provide a waste cleaning method in wet type zinc refinement wherein copper arsenide-containing residue produced in a treatment process for Zn residue can be effectively utilized.例文帳に追加

Ｚn残渣の処理プロセスで発生する砒化銅含有残渣が有効利用可能な湿式亜鉛製錬の浄液方法を提供する。 - 特許庁

Carbon molecules are always taken in GaAS (melt) 8 from carbon (solid) 9, and the carbon concentration in the semi-insulative gallium arsenide single crystal increases by growing the the semi-insulative gallium arsenide single crystal by adding carbon(solid) 9 to GaAS (solid) 8 being a raw material.例文帳に追加

原料としてのＧａＡｓ（固体）８に炭素（固体）９を添加して半絶縁性ガリウム砒素単結晶を成長させることにより、炭素９から常に炭素分子がＧａＡｓ（融液）８中に取り込まれて半絶縁性ガリウム砒素単結晶の炭素濃度が増加する。 - 特許庁

The amplifying elements Q1 and Q2 are composed of gallium arsenide field effect transistors or gallium arsenide high-electron- mobility transistors, the video signal amplifier which has excellent high-frequency characteristics and low power consumption thereby can be obtained because of high-electron-mobility characteristics that those elements have.例文帳に追加

増幅素子Ｑ１及びＱ２を、ガリウム砒素電界効果トランジスタ或いはガリウム砒素高電子移動度トランジスタで構成したことにより、これら素子のもつ高電子移動度特性により、高周波特性が良好でかつ低消費電力のビデオ信号増幅装置が得られる。 - 特許庁

A first N+ gallium arsenide layer 3 is provided on a germanium substrate 1, an N-type gallium arsenide layer 4 and a second N+ gallium arsenide layer 5 are laminated on this layer 3 in such a way that this layer 3 is exposed, an anode electrode 7 is connected on the exposed part of the above layer 3, and a cathode electrode 6 is connected on the layer 5.例文帳に追加

ゲルマニウム基板１上に、第一のｎ^+ 型ガリウム砒素層３を設け、この第一のｎ^+ 型ガリウム砒素層３上に、この第一のｎ^+ 型ガリウム砒素層３が露出するようにｎ型ガリウム砒素層４、第二のｎ^+ 型ガリウム砒素層５を積層して設け、前記第一のｎ^+ 型ガリウム砒素層３の露出部分にアノード電極７を接続して設けると共に、第二のｎ^+ 型ガリウム砒素層５上にカソード電極６を接続して設ける。 - 特許庁

The microstructure is a building block 19, such as a gallium arsenide block, which aligns itself at a dent 55 on a silicon substrate 50 such that it is integrated with it.例文帳に追加

微細構造はガリウム砒素ブロック等の成形ブロック１９であり、シリコン基板５０上にある窪み５５にセルフアラインして、シリコン基板５０と一体化する。 - 特許庁

In particular, the heterojunction of the mission layer and a III-V compound semiconductor layer containing boron having a forbidden band which is not narrower than that of gallium arsenide phosphide emission layer is utilized.例文帳に追加

特に、砒化リン化ガリウム発光層以上の禁止帯幅を有する含硼素ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層を発光層にヘテロ接合させる。 - 特許庁

For example, some portion of the circuitry can be fabricated utilizing radiation compliant material(s), silicon-on-insulator technology, and/or gallium arsenide technology.例文帳に追加

例えば、回路構成の一部は、放射線適合材料、絶縁層上にシリコンを形成する技術、および／またはガリウムヒ素技術を用いて加工することができる。 - 特許庁

Temperature T of a gallium arsenide (GaAs) single crystal substrate is set to T1 and a homogeneous layer having the same composition as the single crystal substrate is epitaxially grown.例文帳に追加

ガリウムヒ素（ＧａＡｓ）単結晶基板の基板温度ＴをＴ１に設定し、単結晶基板と同一組成のホモ層をエピタキシャル成長させる。 - 特許庁

The slider 1 for thermally assisted magnetic recording of this invention is provided with a gallium arsenide substrate 6, a magnetic recording and reproducing element 5, silicon carbide film 8, and tantalum film 7.例文帳に追加

本発明に係る熱アシスト磁気記録用スライダ１は、ガリウム砒素基板６、磁気記録再生素子５、炭化珪素膜８、およびタンタル膜７を備えている。 - 特許庁

In a nonlinear optical medium such as the gallium arsenide, two collinear incident monochromatic waves are injected to generate a monochromatic wave.例文帳に追加

ガリウムヒ素のような非線形光学媒体の中に、直線上に入射された２つの単色波が、単色波を生成するために注入される。 - 特許庁

To obtain a gallium arsenide single crystal in a high yield with a good reproducibility by a liquid encapsulating Czochralski method, a vertical boat method or a horizontal boat method.例文帳に追加

液体封止引上法、縦型ボート法又は横型ボート法により、再現性良く、且つ高収率で砒化ガリウム単結晶を得ることを可能にする。 - 特許庁

The copper arsenide-containing substance to be added can be obtained by subjecting copper arsenide-containing residue produced in an arsenic removal stage of a hematite process to acid cleaning in an acidic solution containing sulfuric acid in such a manner that the stirring rate and stirring time are controlled, so as to regulate the leaching ratio of Fe to ≥70% and the leaching ratio of As to ≤40%.例文帳に追加

添加する砒化銅含有物質は、ヘマタイト・プロセスの脱砒工程で生じる砒化銅含有残渣を、硫酸酸性溶液中で、Ｆeの浸出率が７０％以上、Ａsの浸出率が４０％以下となるように攪拌速度および攪拌時間をコントロールして酸洗浄することによって得ることができる。 - 特許庁

To provide a method for growing gallium arsenide single crystal, by which the occurrence of cloudiness due to B_2O_3 in liquid encapsulate Czochralski(LEC) method is eliminated, the seeding is facilitated and which is performed with excellent reproducibility.例文帳に追加

ＬＥＣ法によるＢ_2Ｏ_3の白濁の発生を解消し、種付けが容易、且つ再現性良く実施できる砒化ガリウム単結晶の成長方法を提供すること。 - 特許庁

A light-emitting element is constituted, utilizing a heterojunction structure of gallium arsenide phosphide (GaAs_1-XPX: 0≤X≤1) and a III-V compound semiconductor layer containing boron.例文帳に追加

砒化リン化ガリウム（ＧａＡｓ_1-XＰ_X：０≦Ｘ≦１）発光層に含硼素ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層を接合させたヘテロ接合構造を利用して発光素子を構成する。 - 特許庁

In the waste cleaning method in wet type zinc refinement where metal ions nobler than Zn are reduced using Zn dust, the concentration of Co and the concentration of Ni in the liquid are both reduced to ≤10 ppb by adding a copper arsenide substance, preferably a copper arsenide substance in which the grade of Fe is ≤1 mass%.例文帳に追加

Ｚnダストを用いてＺnより貴の金属イオンを還元する湿式亜鉛製錬の浄液工程において、砒化銅含有物質、好ましくはＦe品位が１質量％以下の砒化銅含有物質、を添加することにより液中のＣo濃度およびＮi濃度をいずれも１０ｐｐｂ以下に低減する、湿式亜鉛製錬の浄液方法。 - 特許庁

The exposure of surroundings of the channels 16a, 17a is prevented by forming the drain electrode 16 and the source electrode 17 in a shape to overhang the surface of the undoped gallium arsenide (GaAs) layer 15a as a cap layer, and the effect can be reduced that the variation of surface level at this position gives to the n-type gallium arsenide (GaAs) layer 13.例文帳に追加

また、ドレイン電極１６及びソース電極１７を、キャップ層としてのアンドープガリウム砒素（ＧａＡｓ）層１５ａの表面に張り出すような形状に形成して、溝１６ａ及び１７ａの周縁部の露出を防ぎ、この部位における表面準位の変動がチャネル層としてのｎ型ガリウム砒素（ＧａＡｓ）層１３に及ぼす影響を減らす。 - 特許庁

By feeding a polishing pad of a double-sided polisher the obtained dilute solution, a gallium arsenide wafer is polished to obtain a polished surface with little surface roughness (Ra) and less scratches/flaws.例文帳に追加

得られた希釈液を両面研磨機の研磨パッドに供給しながらヒ化ガリウムウェーハを研磨したところ、表面粗さ（Ｒａ）が低くスクラッチ・傷の少ない被研磨面が得られた。 - 特許庁

To provide a processing tool and a method for processing a piezoelectric device thinner than manufacturing limit, an electronic material such as silicon or gallium arsenide, and other materials.例文帳に追加

製造限界の厚みよりも薄い、圧電素子、及びシリコン、又はガリウムヒ素などの電子材料、及びその他の物質を、加工するための、加工工具及びその加工方法を提供する。 - 特許庁

Also, the substrate is configured of not only GaAs but also at least one type of aluminum arsenide (AlAs), indium phosphide (InP), gallium antimonide (GaP) and antimonide (GaSb).例文帳に追加

なお、基板は、ＧａＡｓの他に、砒化アルミニウム（ＡｌＡｓ）、燐化インジウム（ＩｎＰ）、燐化ガリウム（ＧａＰ）およびアンチモン化ガリウム（ＧａＳｂ）のうちの少なくとも１種を含む混晶により構成する。 - 特許庁

In the surface treatment method for a gallium arsenide semiconductor in the first invention, the surface of the gallium arsenic semiconductor is brought into contact with nitric or ammonium plasma, so as to form a gallium nitride layer on the surface.例文帳に追加

第１の発明のガリウム砒素半導体の表面処理方法は、ガリウム砒素半導体表面を、窒素あるいはアンモニアプラズマに接触させ、表面に窒化ガリウムの層を形成する。 - 特許庁

It is therefore possible to uniformly and arbitrarily control the carbon concentration in the semi-insulative gallium arsenide single crystal by growing the semi-insulative gallium arsenide single crystal by adding carbon 9 to the GaAS (solid) 8 under the inert gas atmosphere containing carbon monoxide or carbon dioxide because the decrease and the increase of the carbon concentration simultaneously occur and mutually compensate.例文帳に追加

従って、一酸化炭素若しく二酸化炭素を含んだ不活性ガス雰囲気中でＧａＡｓ（融液）８に炭素９を添加して半絶縁性ガリウム砒素単結晶を成長させることにより、炭素濃度の減少と増加とが同時に起こって互いに相殺し合うので、半絶縁性ガリウム砒素単結晶の炭素濃度を均一かつ任意に制御できる。 - 特許庁

The amount of OH group contained in B_2O_3 used as a liquid encapsulating agent is defined as ≤200 ppm being a range where the occurrence of the cloudiness due to the B_2O_3 in the preparation of gallium arsenide molten liquid is eliminated.例文帳に追加

液体封止剤として使用するＢ_2Ｏ_3中の含有−ＯＨ基量を、砒化ガリウム融液作成時のＢ_2Ｏ_3の白濁の発生を解消し得る範囲である２００ｐｐｍ以下に定める。 - 特許庁

In one embodiment, the material encapsulating the mechanical structures is, for example, silicon (polycrystalline, amorphous or porous, whether doped or undoped), silicon carbide, silicon germanium, germanium, or gallium arsenide.例文帳に追加

一実施形態では、機械構造を封緘する材料は、例えば、シリコン（ドーピングされた又はドーピングがなされていない多晶質、非晶質、又は多孔質）、シリコンカーバイド、シリコンゲルマニウム、ゲルマニウム、又はガリウム砒素である。 - 特許庁

To easily take a gallium arsenide single crystal out of a growth vessel after crystal growth in a vertical growth method such as vertical Bridgman method, a vertical temperature gradient solidification method or the like.例文帳に追加

垂直ブリッジマン法や垂直温度勾配凝固法等の縦型成長法において、結晶成長終了後の砒化ガリウム単結晶を成長用容器から容易に取り出すことを可能とする。 - 特許庁

To provide a machining tool and machining method therefor for machining an electronic material such as a piezoelectric element, silicon or gallium arsenide and other materials thinner than the manufacturing limit thickness.例文帳に追加

従来困難とされた、製造限界の厚みよりも薄い、圧電素子、及びシリコン、又はガリウムヒ素などの電子材料、及びその他の物質を、加工するための、加工工具及びその加工方法を提供する。 - 特許庁

To provide a gallium arsenide-based battery having an n-type laminate arranged on a p-type laminate so that the n-type laminate faces the front or the sun side and the p-type laminate lies on the rear surface of the battery.例文帳に追加

ｎ型積層体が前面または太陽側を向いてｐ型積層体が電池の裏面にあるように、ｐ型積層体の上に配置されたｎ型積層体を有するヒ化ガリウムベースの電池を提供する。 - 特許庁

To provide a method of easily growing a good quality crystal from a group III-V compound semiconductor containing at least indium, gallium, antimony and arsenide in composition.例文帳に追加

少なくともインジウムとガリウムとアンチモンと砒素とを組成として含む良質なIII−Ｖ族化合物半導体を容易に結晶成長することが出来るIII−Ｖ族化合物半導体の結晶成長方法を提供する。 - 特許庁

The manufacturing method of the semiconductor substrate having the gallium arsenide layer comprises a step wherein a first substrate 10 having a separating layer 12 made of germanium and a gallium arsenide layer 13 on the separating layer is manufactured, a step wherein the first substrate 10 is bonded to a second substrate 20 to manufacture a bonded substrate 30 and a step wherein the bonded substrate is divided at the separating layer 12.例文帳に追加

ガリウム砒素層を有する半導体基板の製造方法であって、ゲルマニウムからなる分離層１２を有し、前記分離層の上にガリウム砒素層１３を有する第１基板１０を作製する工程と、前記第１基板１０と第２基板２０とを結合させて結合基板３０を作製する工程と、前記結合基板を前記分離層１２の部分で分割する工程と、を含むことを特徴とする半導体基板の製造方法。 - 特許庁

To provide an optical communication module that suppresses initial stage defect due to contamination of an optical element, that has a high photosensitivity when using a silicon based photo diode or a gallium arsenide based photo diode, and that enables near infrared light to be used for communication.例文帳に追加

光素子の汚染による初期不良を抑え、さらにシリコン系のフォトダイオードやガリウム砒素系のフォトダイオードを用いた場合に受光感度が高い、近赤外の光を通信用に使用可能とする光通信モジュールを提供する。 - 特許庁

PARAMETER CREATION METHOD OF LARGE SIGNAL EQUIVALENT CIRCUIT MODEL OF FIELD-EFFECT TRANSISTOR USING GALLIUM ARSENIDE, SIMULATION METHOD USING THE PARAMETER CREATION METHOD, PROGRAM FOR EXECUTING THE METHODS BY COMPUTER, AND PROGRAM-RECORDED RECORDING MEDIUM例文帳に追加

砒化ガリウムを用いた電界効果トランジスタの大信号等価回路モデルのパラメータ作成方法およびこれを用いたシミュレーション方法並びにこれらの方法をコンピュータに実行させるためのプログラムおよびプログラムを記録した記録媒体 - 特許庁

A polyimide resin film 3 of a heat resistant resin layer is applied to the surface of a gallium arsenide(GaAs) substrate 1, and a stripe-shaped opening 4 is formed at a position corresponding to the formation region of the ridge of the polyimide resin film 3.例文帳に追加

砒化ガリウム（ＧａＡｓ）基板１の表面上に、耐熱性樹脂層であるポリイミド樹脂膜３を塗布し、このポリイミド樹脂膜３のリッジ部の形成領域に対応する位置にストライプ状の開口部４を形成する。 - 特許庁

In wire sawing, relating to a method for cooling a cylindrical workpiece consisting of a semiconductor material such as, for example, silicon, germanium, or gallium arsenide, a coolant is applied on the semiconductor material workpiece by a nozzle in cutting.例文帳に追加

本発明は、ワイヤーソーイング時に、たとえばシリコン、ゲルマニウムまたはガリウムヒ素などの半導体材料からなる円筒形被加工物を冷却する方法に関し、切断時にノズルによって冷却液が半導体材料被加工物に塗布される。 - 特許庁

The X-ray detector (401, 501, 601) comprises a sensing element having a semiconductor heterostructure in which an undoped germanium layer (402, 502) is sealed between two gallium arsenide layers (403, 404, 503, 505) doped on the opposite side.例文帳に追加

Ｘ線検出器（４０１、５０１、６０１）は、ドープされていないゲルマニウム層（４０２、５０２）が、反対にドープされた２つのガリウム砒素層（４０３、４０４、５０３、５０５）の間に密閉された半導体ヘテロ構造を備えた検出素子を有している。 - 特許庁