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C 1の部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 10253



例文

Trench capacitors C are arranged and formed in a first silicon substrate 1.例文帳に追加

第1のシリコン基板1にトレンチキャパシタCが配列形成される。 - 特許庁

A host apparatus 1 is provided with radio communication modules A, B, C and a control part 5.例文帳に追加

ホスト機器1は、無線通信モジュールA、B、C、制御部5を備える。 - 特許庁

(1): √{a^2+(b-2c)^2}<D<√{a^2+b^2}, (2): 0≤c<(1/2b and ab.例文帳に追加

√{a^2+(b−2c)^2}<D<√{a^2+b^2} …(1) 0≦c<(1/2)×b かつ a≧b …(2) - 特許庁

A control computer C stores a map indicated by a graph in Fig. 1(b).例文帳に追加

制御コンピュータCは、図1(b)にグラフで示すマップを記憶している。 - 特許庁

例文

Formula (1): R^1_aSi(OR^2)_b(OH)_cO_(4-a-b-c)/2.例文帳に追加

式(1)R^1_aSi(OR^2)_b(OH)_cO_(4−a−b−c)/2。 - 特許庁


例文

Side walls 18 are formed to cover the side walls of the trenches 5 (Fig. 1 (C)).例文帳に追加

トレンチ5の側壁を被うサイドウォール18を形成する(図1(C))。 - 特許庁

The resist 12 is exposed using a halftone mask 32 (figure 1 (C)).例文帳に追加

ハーフトーンマスク32を用いてレジスト12を露光する(図1(C))。 - 特許庁

The tip end portion of the wire member C is held by a front chuck 1.例文帳に追加

前方チャック1で線状部材Cの先端部を保持する。 - 特許庁

A semiconductor chip C is bonded on a substrate 1 with the face down.例文帳に追加

半導体チップCは、基板1にフェースダウンで接合される。 - 特許庁

例文

The figure 5(c) is display when a folder "4 circle 1" is selected.例文帳に追加

図5(c)は、フォルダ「4丸1」が選択された時の表示である。 - 特許庁

例文

(C) ≥1×10^13 Ω×m volume specific resistance.例文帳に追加

(C)体積固有抵抗値が1×10^13Ω・m以上。 - 特許庁

Each of the vehicles V, A, B and C has a communication terminal device 1.例文帳に追加

車両V、A、B、Cは通信端末装置1を備える。 - 特許庁

A semiconductor chip C is joined to a board 1 face down.例文帳に追加

半導体チップCは、基板1にフェースダウンで接合されている。 - 特許庁

A predetermined patterned overcoat C is formed on a chip-like substrate 1.例文帳に追加

チップ状基板上に所定のパターンのオーバーコートCを形成する。 - 特許庁

[1] As a premise, a user A registers users B and C as associates.例文帳に追加

〔1〕前提として、ユーザAは、ユーザB,Cを仲間登録している。 - 特許庁

In formula (1), A, B, C and D are each selected from formulae (2) to (11).例文帳に追加

式(1)において、A、B、C、およびDは式(2)〜(11)から選択される。 - 特許庁

Arithmetic cores 10[1]-10[3] respectively execute the processes A, B, C.例文帳に追加

演算コア10[1]〜10[3]は、夫々、プロセスA、B及びCを実行する。 - 特許庁

(C) A wind power generator 8 is provided on a tip of the pillar 1 for wind power generation.例文帳に追加

ハ)風力発電支柱1の先に風力発電機8を設ける。 - 特許庁

A Young's modulus of the adhesive layer at a temperature of 250°C is about 1 MPa or more.例文帳に追加

接着層の250℃におけるヤング率は、約1MPa以上である。 - 特許庁

A clearance C is held between the cylinder 6 and the closed container 1.例文帳に追加

シリンダ6と密閉容器1との間にクリアランスCを保持する。 - 特許庁

The can C for package can be fixed in an inverted attitude to the adaptor 1.例文帳に追加

アダプタ1には包装用缶Cを逆さまの姿勢で取付けられる。 - 特許庁

The formed mixture is subjected to the primary firing at 1,100-1,300°C in atmospheric air.例文帳に追加

この混合物を大気雰囲気及び1100〜1300℃で1次焼成する。 - 特許庁

The thermal treatment by heating at a temperature of 600 to 900°C is performed on the pins 1.例文帳に追加

ピン1には、600℃〜900℃に加熱する熱処理が施されている。 - 特許庁

-[-R-N=C= N-]-n [I] (wherein R is an organic group, and n is an integer from 1 to 10000).例文帳に追加

(式中、Rは有機基、nは1〜10000の整数。) - 特許庁

A load capacitance C_L is connected to a power supply terminal of a DUT 1.例文帳に追加

DUT1の電源端子には、負荷容量C_Lが接続される。 - 特許庁

A GaN substrate 1 has a main face other than a c-plane (e.g., m-plane).例文帳に追加

GaN基板1は、c面以外の主面(たとえばm面)を持つ。 - 特許庁

C is for node ID and D is '1' so that a node address is determined.例文帳に追加

CをノードID、Dを“1”としてノードアドレスが決定される。 - 特許庁

An elastic modulus at 25°C of the cover insulating layer 4 is set in 1 GPa or lower.例文帳に追加

カバー絶縁層4の25℃における弾性率は1GPa以下である。 - 特許庁

In the middle, the catcher agent C is deposited from a nozzle 6 onto the pad 1.例文帳に追加

途中でノズル6からキャッチャー剤Cをパッド1に付着させる。 - 特許庁

Heat treatment heated at 500-900°C is performed on the pin 1.例文帳に追加

ピン1には、500℃〜900℃に加熱する熱処理が施されている。 - 特許庁

In this case, the reading is performed in the order of lines 1, 2 and so forth (Figure c).例文帳に追加

かかる読み出しが、ライン1、2、・・の順に実行される(図c)。 - 特許庁

A repair cover C for a pipe body is equipped with a cover main body 1.例文帳に追加

管体用補修カバーCはカバー本体1を備えている。 - 特許庁

In a preheating area C, the substrate 1 makes the forward and backward movement 11.例文帳に追加

また、予備加熱領域Cでは、基板1が前進後退運動11を行う。 - 特許庁

A GaN substrate 1 is provided with a main surface excluding a c surface (e.g., m surface).例文帳に追加

GaN基板1は、c面以外の主面(たとえばm面)を持つ。 - 特許庁

The composite microparticle is heated in a nitrogen atmosphere at 600°C for 1 hour, and subsequently allowed to cool.例文帳に追加

これを窒素雰囲気下、600℃で1時間熱処理して放冷した。 - 特許庁

A plurality of cells C are arranged in a case 1a of the battery pack 1.例文帳に追加

組電池1のケース1a内には、複数のセルCが配置されている。 - 特許庁

A server C is connected to image forming apparatuses A, B via a network 1.例文帳に追加

画像形成装置A、Bとネットワーク1を介して接続する。 - 特許庁

The equation (1) is shown by H≤0.8C+14, wherein, the unit of the both of C and H is mm.例文帳に追加

H≦0.8C+14 …(1) ただし、C及びHの単位はいずれもmm - 特許庁

The vacuum cleaner 1 comprises a body 2 mounted to a ceiling face C.例文帳に追加

電気掃除機1は、天井面Cに取り付けられた本体部2を備える。 - 特許庁

Indexes C, X and Y are recorded in the electronic medical records 1 (S10).例文帳に追加

指標C,X,Yは電子カルテ1に記録される(S10)。 - 特許庁

Graph trace display TC by pointer display is performed in accordance with a graph position corresponding to corresponding data C (1) about the data C (1) where the ratio of data values in the statistics data is very small and a painted out area for trace display on the circle graph may not be ensured.例文帳に追加

そして、統計データ中でのデータ値の割合が極め小さく円グラフ上でのトレース表示のための塗りつぶし領域が確保できないデータC(1)に対しては、当該データC(1)に対応するグラフ位置に対応してポインタ表示によるグラフトレース表示TC が行なわれる。 - 特許庁

The decomposing furnace 1 is heated to the temperature in the range of 700-800°C.例文帳に追加

前記処理炉1は700℃〜800℃の温度範囲で加熱する。 - 特許庁

Here, formula (1) is represented by 0.48 ≤ A/B ≤ 0.55 and formula (2) is represented by 0.67 ≤ 2 × C/B ≤ 0.80.例文帳に追加

0.48≦A/B≦0.55 (1)0.67≦2×C/B≦0.80 (2) - 特許庁

An outer case 1 comprises an inside flange part 2 on a tight sealed fluid chamber side C.例文帳に追加

アウターケース1は密封流体室側Cに内鍔部2を有する。 - 特許庁

(c) Criteria set forth in Article 15, paragraph 1, items 2 to 4 inclusive 例文帳に追加

ハ第十五条第一項第二号から第四号までに掲げる基準 - 経済産業省

(c) the sum total of the amounts set forth in item 1, (b) and in the preceding item, (b); 例文帳に追加

ハ第一号ロ及び前号ロに掲げる額の合計額 - 経済産業省

(2) Where the Registrar grants a request under section 38A(1), he shall forward to the Examiner -- (a) the request; (b) the statement referred to in paragraph (1)(b); and (c) any observation or document filed under section 38A(3) and paragraph (1).例文帳に追加

(2) 登録官は,第38A(1)に基づく請求を認めた場合は,次のものを審査官に回付する。 (a) 当該請求書 (b) (1)(b)にいう陳述書,並びに (c) 法第38A条(3)及び前記(1)に基づいて提出された意見書及び/又は書類 - 特許庁

This electroconductive ink paste has a ratio η_1/η_12 of the viscosity η_1 at a shear rate at 23°C of 1 s^-1 to the viscosity η_12 at a shear rate at 23°C of 12 s^-1 which meets formula (1): 4≤η_1/η_12 ≤8.例文帳に追加

かかる導電性インキペーストは、23℃でせん断速度が1s^-1であるときの粘度η_1と、23℃でせん断速度が12s^-1であるときの粘度η_12との比η_1/η_12が、下記式(1)で表される範囲を満たす。 - 特許庁

The axis of a ball cutter 1 is inclined to the axis C by a tool holder 2 of a tool attachment 10, and the ball cutter 1 is supported with the R center RC of the ball cutter 1 aligned with the axis C.例文帳に追加

工具アタッチメント10の工具ホルダ2によって、C軸に対しボールカッタ1の軸心を傾斜させ、かつ、ボールカッタ1のR中心R_CをC軸と一致させて、ボールカッタ1を支持する。 - 特許庁

例文

Regarding its production method, in the final heat treatment stage, the cooling rate from ≥750 to 550°C is controlled to ≥1°C/s and the cooling rate at ≤550°C is controlled to ≥1°C/s, or holding is performed in the temperature range of ≤550 to300°C for ≥10s.例文帳に追加

その製造方法としては、最終の熱処理工程において750℃以上から550℃までの冷却速度を1℃/秒以上とし、550℃以下の冷却速度を1℃/秒以上とするか550℃以下300℃以上の温度域で10秒以上保持することを特徴とする。 - 特許庁

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