「Diffusion layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(73ページ目) - Weblio英語例文検索

To prevent the diffusion of nickel (Ni) even under high temperature conditions, and to satisfactorily maintain the surface condition of a gold (Au) layer.例文帳に追加

高温の条件でもニッケル（Ｎｉ）の拡散を防ぎ、金（Ａｕ）層の表面状態を良好に保つことのできる金属体の表面構造を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device, along with its manufacturing method, which comprises a full silicide gate of which short-circuit is prevented between a gate electrode and a source-drain diffusion layer.例文帳に追加

ゲート電極とソース・ドレイン拡散層との間でのショートが防止されたフルシリサイドゲートを有する半導体装置およびその製造方法を得ること。 - 特許庁

At the contact, the second solution is injected into the first solution because of the diffusion due to the difference of concentration of the aimed component via a porous layer.例文帳に追加

この接触の際、着目成分の濃度差による多孔質媒体を介した拡散により第２の溶液を第１の溶液中へ注入する。 - 特許庁

A permeable member (e.g. a permeable foamed body or a plate having air holes formed therein) may be interposed between the gas diffusion layer 2 and the clamping member 3.例文帳に追加

ガス拡散膜２と挟圧部材３との間には、通気性部材（例えば、通気性発泡体や通気孔が形成されたプレートなど）を介在させてもよい。 - 特許庁

A protective film 10 is formed on the N-type silicon substrate 1 where an isolated region 3 and an N-type diffusion layer 4, which becomes a channel region, are formed.例文帳に追加

分離領域３及びチャネル領域となるＮ型拡散層４が形成されたＮ型のシリコン基板１上に、保護膜１０を形成する。 - 特許庁

The EL light emitting elements 24, 25 are linearly extended along a scanning direction and a heat diffusion layer 48 is formed between the EL light emitting elements 24, 25 and the housing 11.例文帳に追加

ＥＬ発光素子24, 25は、走査方向に沿ってライン状に延びるとともに、このＥＬ発光素子24, 25とハウジング11との間に熱拡散層48が介在されている。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a membrane-electrode assembly for a fuel cell, preventing joining failure and peeling off of a gas diffusion layer in a thermo-compression bonding process.例文帳に追加

熱圧着工程におけるガス拡散層の接合不良及び剥離を防止する燃料電池用膜・電極接合体の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a highly reliable semiconductor wafer and a highly reliable light-emitting device which suppress deterioration in the output of light emission based on the diffusion of an impurity to an active layer.例文帳に追加

活性層への不純物の拡散に基づく発光出力の低下を抑えた信頼性の高い半導体ウエハ及び発光装置を提供する。 - 特許庁

To provide a structure that prevents the generation of color mixture in a solid-state imaging device where the depth of an n-type diffusion layer that serves as a light-receiving region for each color is changed.例文帳に追加

色毎に受光領域となるｎ型拡散層の深さを変化させた固体撮像装置において、混色の発生を防止した構造を提供する。 - 特許庁

(1) A rate of thermal shrinkage of a member for printing the white diffusion layer is not more than 1.0% at 150°C for 30 minutes, wherein the rate is measured according to JIS-C2318.例文帳に追加

（１）白色拡散層を印刷する部材のJIS−Ｃ２３１８に従って測定される１５０℃３０分加熱収縮率が、１．０％以下である。 - 特許庁

A time before starting the heat treatment is set on the basis of the quantity of the diffusion stabilizer in the vicinity of an interface with the base layer in the applied solution.例文帳に追加

塗布した溶液中の下地層Ｆ１との界面近傍における分散安定剤の量に基づいて、加熱処理を開始するまでの時間を設定する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device provided with a channel diffusion layer where surface concentration is high and impurity concentration distribution is steep, and to provide a manufacturing method thereof.例文帳に追加

表面濃度が濃く且つ急峻な不純物濃度分布を有するチャネル拡散層を備えた半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device which can reduce the resistance of a bit line diffusion layer without exerting effects upon the transistor characteristics of flat cell type memory cells and a method of manufacturing the device.例文帳に追加

フラットセル型メモリセルのトランジスタ特性に影響をあたえず、ビット線拡散層抵抗を低減する半導体装置及びその製造方法の提供。 - 特許庁

A conductivity modulation effect of a low-concentration drain diffusion layer is represented by a variable resistance model (RDD) which has a value varied by a drain voltage and a gate voltage.例文帳に追加

低濃度ドレイン拡散層の伝導率変調効果はドレイン電圧及びゲート電圧で値が変化する可変抵抗モデル（ＲＤＤ）で表現する。 - 特許庁

A diffusion preventing insulating film DP is formed so as to cover the copper interconnection layer CL1 and is made of at least either SiC or SiCN.例文帳に追加

拡散防止絶縁膜ＤＰは、銅配線層ＣＬ１上を覆うように形成されており、かつＳｉＣおよびＳｉＣＮの少なくともいずれかよりなっている。 - 特許庁

An N^+-type impurity is embedded to form an N^+-type embedded diffusion layer 11 on a P-type substrate 10 via an oxide film 30 formed in a predetermined thickness.例文帳に追加

Ｐ型基板１０上に所定の厚さで形成した酸化膜３０を介して、Ｎ^^+型埋め込み拡散層１１を形成するＮ^+型不純物を埋め込む。 - 特許庁

To provide a diffusion aluminide bond coat which is heat insulating coating film for parts to be exposed to high temp. such as a gas turbine engine, and in which a ceramics layer is hard to peel.例文帳に追加

ガスタービンエンジンのような高温に曝される部品の断熱皮膜であるセラミックス層の剥離しにくい拡散アルミニウム化物ボンディングコートを提供する。 - 特許庁

In other words, it becomes possible to provide a desired porosity distribution to a diffusion layer, and thus moisture distribution of the fuel battery cell 100 is controlled properly.例文帳に追加

即ち、拡散層に対し、所望の気孔率分布を与えることが可能となって、燃料電池セル１００の水分分布が良好に制御される。 - 特許庁

As to a gas diffusion electrode 1, the sheet-shaped gas feeding layer 3 in which cuts are applied in the shape of the broken lines by a circular blade having discontinuous edges on the outer circumference is used.例文帳に追加

外周に不連続に刃を有する円形刃で破線状に切れ込みを入れたシート状のガス供給層を用いたガス拡散電極。 - 特許庁

P-type isolation regions 13 are provided inside the N-type diffusion layer 14 extending in a certain direction and separated from each other by a certain interval.例文帳に追加

Ｎ型拡散層１４内に、複数のＰ型の分離領域１３が、一方向に延在し、互いに一定の距離を隔てて平行に形成される。 - 特許庁

In the optical member, a light emission face of a light diffusion sheet 9 is joined with a light incident face of an optical sheet 10 via an adhesive layer 16.例文帳に追加

光学部材において、光拡散シート９の光出射面と光学シート１０の光入射面とを粘着層１６を介して接合する。 - 特許庁

The surface of the current diffusion layer 14 on the protruding part 15 side is connected continuously and smoothly to the lower part 17, having a concave cross section and the upper part 16, having a convex cross section.例文帳に追加

電流拡散層１４の凸部１５側の表面は、断面凹の下部１７と断面凸の上部１６とに連続的になめらかに連なっている。 - 特許庁

With the insulating film 30 as a mask, a p-type impurity such as Zn is diffused to the semiconductor recess from the gate opening to form a gate diffusion layer 40.例文帳に追加

絶縁膜３０をマスクとして、ゲート開口部より半導体凹部にＺｎ等のｐ型不純物を拡散してゲート拡散層４０を形成する。 - 特許庁

With this setup, the upper electrode 18 of the capacitor can be brought into ohmic contact with the junction layer of the transistor, so that the capacitor can be prevented from deteriorating in characteristics due to the diffusion of silicon.例文帳に追加

これにより、キャパシタの上部電極１８とオーミックコンタクトを可能とし、シリコンの拡散にともなうキャパシタの特性の劣化を防止できる。 - 特許庁

That is, the end of the p^+-type diffusion layer 6 is disposed to be spaced inward in a direction toward the gate insulating film 4 from the end of the field insulating film 5.例文帳に追加

すなわち、Ｐ＋型拡散層６の端は、フィールド絶縁膜５の端から、ゲート絶縁膜４の方向へ内側に離れて配置されている。 - 特許庁

To provide a fuel cell prevented from damage to a membrane due to bending of the membrane between an end of a diffusion layer and an inner surface of an electrolyte membrane holder of a separator.例文帳に追加

拡散層の端部からセパレータの電解質膜保持部の内面との間の膜のたわみによる膜損傷を抑制した燃料電池の提供。 - 特許庁

A p-type anode area 7 and an n-type short area 9 adjacent to the p-type anode area 7 are formed on the surface layer of the p-type diffusion area 5.例文帳に追加

ｐ形拡散領域５の表面層にｐ形アノード領域７とこのｐ形アノード領域７と隣接してｎ形ショート領域９を形成する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device which prevents diffusion of gold though wiring composed of a gold layer is used and has an excellent anticorrosiveness, and to provide a method of manufacturing the same.例文帳に追加

金層からなる配線を用いながら、金の拡散を防止でき、腐食性も良好な半導体装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

For example, it is determined that if δIDDQ_0 <δIDDQ_1, the failure is caused by a diffusion layer, and if δIDDQ_0 >δIDDQ_1, the failure is caused by a wiring short circuit.例文帳に追加

たとえば、δＩＤＤＱ_0 ＜δＩＤＤＱ_1 では拡散層起因の不良、δＩＤＤＱ_0 ＞δＩＤＤＱ_1 では配線ショート起因の不良とする。 - 特許庁

Accordingly, the oxygen is diffused from the upstream side of high density to the downstream side, and the density of oxygen supplied to the diffusion layer 23 is leveled.例文帳に追加

従って、酸素が濃度の高い上流側から下流側へと拡散していき、拡散層２３に供給される酸素濃度が均一化される。 - 特許庁

The gate electrode 114 is formed by a semiconductor, for example polysilicon, in which an impurity having the same conductivity type as the first diffusion layer 116 is introduced.例文帳に追加

そしてゲート電極１１４は、第１拡散層１１６と同一導電型の不純物が導入された半導体、例えばポリシリコンにより形成されている。 - 特許庁

The reset part 33 responds to a prescribed control signal RESET and controls a voltage level of the floating diffusion layer 43 to a prescribed reset voltage level.例文帳に追加

リセット部３３は、所定の制御信号ＲＥＳＥＴに応答して、浮遊拡散層４３の電圧レベルを所定のリセット電圧レベルに制御する。 - 特許庁

The fuel electrode diffusion electrode 11 of the fuel electrode 10 includes a structure in contact with a fuel holding structural body 48 via a fuel confinement permeation layer 45.例文帳に追加

燃料極１０の燃料極拡散電極１１は、燃料制限透過層４５を介して燃料保持構造体４８に接する構造とされている。 - 特許庁

A first electrode 18, a solid electrolyte 19 and a second electrode 20 are laminated on the impurity diffusion layer 12 to form an electrolyte member 5.例文帳に追加

不純物拡散層１２の上に、第１電極１８、固体電解質１９および第２電極２０から成る電解質部材５を積層して形成する。 - 特許庁

Finally, metallic wiring layers 122-124 having portions, which are embedded in the contact holes 121 and connected to the source-drain diffusion layer and gate electrode, are formed.例文帳に追加

そして、コンタクト孔１２１に埋設されソース−ドレイン拡散層及びゲート電極に接続された部分を有する金属配線層１２２〜１２４を形成する。 - 特許庁

MEMBRANE-ELECTRODE ASSEMBLY, MEMBRANE-ELECTRODE GAS DIFFUSION LAYER ASSEMBLY HAVING THE SAME, SOLID HIGH POLYMER FUEL CELL, AND MANUFACTURING METHOD FOR MEMBRANE-ELECTRODE ASSEMBLY例文帳に追加

膜電極接合体、及びこれを備える膜電極ガス拡散層接合体、固体高分子形燃料電池、並びに膜電極接合体の製造方法 - 特許庁

To provide a highly reliable semiconductor optical element for effectively suppressing the diffusion of Zn to an active layer, and its manufacturing method.例文帳に追加

活性層へのＺｎの拡散が効果的に抑制されると共に信頼性が高い半導体光素子及びその製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

The space for reaction gas flow is formed with the separator and the current collector, thereby installation of a gas diffusion layer and a gas passage member is made unnecessary.例文帳に追加

また、セパレータと集電体とによって反応ガス流動用の空間が形成されることから、ガス拡散層およびガス流路部材を設けなくてもよい。 - 特許庁

To provide a fuel injection nozzle coated by coating layer without badly influencing quantity regulating properties and diffusion injection angle or the like, and a method for manufacturing the same.例文帳に追加

調量性や拡散噴射角度等へ悪影響を及ぼすことなく皮膜層でコーティングされた燃料噴射ノズルと、その製造方法を提供する。 - 特許庁

A drain groove 4 opened toward the separator 3 and declined in the flow direction of reaction gas flowing through a gas passage 3b is installed in the diffusion layer 2.例文帳に追加

拡散層２にはセパレータ３側に向かって開口し、ガス流路３ｂ内を流れる反応ガスの流れ方向に傾斜する排水溝４が設けられている。 - 特許庁

To provide a semiconductor device manufacturing method, with which a shallow source/drain diffusion layer can be formed using a low temperature process, and a low resistance element can be obtained.例文帳に追加

低温プロセスで浅いソース／ドレイン拡散層を形成でき、低抵抗な素子を得ることができる半導体装置の製造方法を提供することにある。 - 特許庁

The N+ semiconductor region 12 is formed in a region from one main surface of a semiconductor layer 100 to the lower part 3a of the p-type diffusion region 3.例文帳に追加

ｎ^+半導体領域１２は半導体層１００の一方主面からｐ型拡散領域３の下部３ａに至る領域に形成する。 - 特許庁

Thereafter, the interlayer insulation film 108 and the anti-diffusion insulation film 107 are removed, and a contact hole 109 is formed extending to the lower layer wiring 103.例文帳に追加

その後、層間絶縁膜１０８及び拡散防止絶縁膜１０７を除去し、下層配線１０３に到達するコンタクトホール１０９を形成する。 - 特許庁

Consequently, no diffusion layer needs to be provided on the incidence surface, so the color shift and visual field angle can be improved without lowering the contrast.例文帳に追加

これにより、入射面に拡散層を設ける必要はないため、コントラストを低下させることなく、カラーシフト及び視野角を改善することができる。 - 特許庁

The end part of the cathode side gas diffusion layer 140 is overhung toward outside, and its position is coincident with the position of the end part of the electrolyte membrane 120.例文帳に追加

カソード側ガス拡散層１４０の端部は外側に向かって張り出しており、その位置は電解質膜１２０の端部の位置と一致している。 - 特許庁