「Diffusion layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(116ページ目) - Weblio英語例文検索

Disclosed are insulated gate transistors 101 to 106, in each of which, striped contact portions C2 of a metal wiring layer 16 to be wiring-connected to diffusion layers 12, 13 through contact holes H1, each arranged between adjacent gate electrodes 14, each have a curvature reduction portions C2a to C2f at both ends of a stripe.例文帳に追加

隣り合ったゲート電極１４の間に配置され、コンタクトホールＨ１を介して、半導体基板１の主面側の表層部に形成された拡散領域１２，１３に配線接続する金属配線層１６のストライプ状のコンタクト部Ｃ２が、該ストライプ状の両端に、曲率縮小部Ｃ２ａ〜Ｃ２ｆを有してなる絶縁ゲートトランジスタ１０１〜１０６とする。 - 特許庁

Further, as the durometer hardness of an elastic polymer material, containing conductive particles covered by a surface layer made of diffusion resistant metal, is higher than that of another layers, the anisotropic conductive connector is hardly deformed even electronic parts are repeatedly tested, and the lowering of the conductivity of the anisotropic conductive connector caused by the deformation is small.例文帳に追加

更に、表面層である耐拡散性金属によって被覆された表面を有する導電性粒子が含有されてなる弾性高分子物質が、それ以外の層よりデュロメータ硬さの値が高いので、電子部品の検査を繰り返しても、変形することが少なく、異方導電性コネクターの変形による導電性の低下も少ない。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device capable effectively preventing mutual diffusion in the components between the gate electrodes of n- and p-type transistors in a gate electrode formation process and the subsequent heat treatment process for the method for manufacturing the semiconductor device having a wiring layer substituted for metal and metal silicide.例文帳に追加

金属や金属シリサイドに置換した配線層を有する半導体装置の製造方法に関し、ゲート電極形成過程及びその後の熱処理工程において、Ｎ型トランジスタのゲート電極とＰ型トランジスタのゲート電極との間における構成材料の相互拡散を効果的に防止しうる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

This is a manufacturing method of a gas diffusion electrode which has a process in which a coating liquid dispersing at least two kinds of fluororesin water repellent having particle or its agglomerate of different sizes is prepared and a process in which the above coating liquid is coated from the surface side of a porous base material to form a catalyst layer and calcined, and water repellency treatment is applied.例文帳に追加

粒子もしくはその凝集体のサイズの異なる少なくとも２種のフッ素樹脂撥水剤を分散した塗布液を調製する工程、および前記の塗布液を多孔質基材の触媒層を形成しようとする面側から塗布し、焼成して撥水処理を施す工程を有するガス拡散電極の製造方法。 - 特許庁

The first gas diffusion layer is so structured that the number per unit area of the first fibers wherein each angle thereof with respect to the first joint surface in the first joint surface is larger than a predetermined value is set smaller than the number per unit area of the second fibers wherein each angle thereof with respect to the second joint surface in the second joint surface is larger than a predetermined value.例文帳に追加

第１のガス拡散層は、第１の接合面において第１の接合面に対する角度が所定の値より大きい第１の繊維の単位面積当たりの数が、第２の接合面において第２の接合面に対する角度が所定の値より大きい第２の繊維の単位面積当たりの数よりも少なくなるように構成されている。 - 特許庁

A semiconductor element 5 which has a layer of thermoplastic resin 3 previously formed on its backside across an Al film 2 is heated and pressed against a lead frame 8 to form a metal diffusion join of the Al film 2 and lead frame 8; and the thermoplastic resin 3 discharged to the periphery of the semiconductor element 5 is cooled and solidified to fix and reinforce the semiconductor element 5 and lead frame 8.例文帳に追加

予め裏面にＡｌ膜２を介して熱可塑性樹脂３の層が形成されている半導体素子５をリードフレーム８に加熱加圧し、Ａｌ膜２とリードフレーム８との金属拡散接合を形成させると共に、半導体素子５の周囲に排除された熱可塑性樹脂３を冷却固化して半導体素子５とリードフレーム８を固定補強する。 - 特許庁

The light emitting element comprises a plurality of LED chips 13 emitting light of different colors, an inside resin lens 12 for sealing the LED chips 13, an outside resin lens 11 formed around the inside resin lens 12, and a diffusion layer 18 formed of transparent resin mixed with a scattering material at least above the LED chips 13 of the inside resin lens 12.例文帳に追加

異なる色を発光する複数のＬＥＤチップ１３と、ＬＥＤチップ１３を封止する内側樹脂レンズ１２と、内側樹脂レンズ１２の周囲に形成された外側樹脂レンズ１１と、内側樹脂レンズ１２の少なくともＬＥＤチップ１３の上方に散乱材を混入した透明樹脂で形成した拡散層１８とを備えたものである。 - 特許庁

To provide a treatment method of an aluminum planographic printing plate for obtaining stable ink receiving by improving preservation effect during passing liquid to provide water washing liquid without coloring the liquid, and further improving exfoliation and removal inferiority of an emulsion layer in running treatment in a treatment agent of the aluminum planographic printing plate using a silver salt diffusion transfer method.例文帳に追加

銀塩拡散転写法を利用したアルミニウム平版印刷版の処理剤において、液経時による防腐効果を向上させ液が着色しない水洗液を提供し、更にランニング処理における乳剤層の剥離除去不良を改良し、安定したインキ受理性が得られるアルミニウム平版印刷版の処理方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device and a manufacturing method thereof wherein the generation of its leakage current can be prevented from a shared contact into a substrate, even though it has a wiring present on a separative insulating film, side walls formed on the side surfaces of the wiring, and the shared contact whereby the wiring and an impurity diffusion layer are connected on an active region.例文帳に追加

分離絶縁膜上の配線と、この配線の側面上に形成されたサイドウォールと、配線と活性領域上の不純物拡散とを接続するシェアードコンタクトを備えた半導体装置であっても、シェアードコンタクから半導体基板へのリーク電流の発生を抑制することができる半導体装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

A precious metal tip 16 is welded on a center electrode 3 of the spark plug for an internal combustion engine, and on a surface 21 of the precious metal tip 16 contacting with the center electrode 3, a diffusion preventing layer 19 made of either metal of Ag, Au, Mg, Ti, and Zr (a simple metal or a compound of that metal) is formed.例文帳に追加

内燃機関用スパークプラグの中心電極３上に貴金属チップ１６が溶接されるが、その貴金属チップ１６と中心電極３とが接する貴金属チップ１６の面２１にＡｇ、Ａｕ、Ｍｇ、Ｔｉ、Ｚｒの何れか１種類の金属（単体金属又はその金属の化合物）による拡散防止層１９を形成する。 - 特許庁

Since diffusion of ions bearing charge/discharge of a solid state battery into an integrated circuit can be prevented by forming a protective film of the solid state battery into a multilayer structure and by providing a positive potential to one metal layer out of them, this system-in-package of the integrated circuit and the battery without causing characteristic deterioration or malfunction and this multilayer wiring board can be provided.例文帳に追加

固体電池の保護膜を多層構造として、その内の一層の金属層が正の電位を有することにより、固体電池の充放電を担うイオンの集積回路への拡散防止を行うことができるので、特性劣化や誤動作のない集積回路と電池のシステムインパッケージや多層配線基板を提供することができる。 - 特許庁

To provide a method for producing a planographic printing plate applying a silver complex salt diffusion transfer process, having satisfactory printing performance and achieving easy discrimination between printing and non-printing areas because the optical reflection density of the silver printing area deposited on a physical developing nucleus layer falls.例文帳に追加

本発明の目的は、銀錯塩拡散転写法を応用した平版印刷版に於いて、平版印刷版としての十分な印刷性能を有し、物理現像核層上に析出した銀画線部の光学反射濃度が低下し、画線部と非画線部の識別が容易な銀錯塩拡散転写法を用いた平版印刷版の製造方法を提供することである。 - 特許庁

When the silicone gel pressure- sensitive adhesive sheet is held between the periphery of the liquid crystal cell of a liquid crystal display device and the periphery and/or the pressing frame of a diffusion plate (provided that the silicone gel layer comes in contact with the liquid crystal cell), the force that causes a strain in the liquid crystal cell is reduced so that the visibility of the liquid crystal display can be improved.例文帳に追加

このシリコーンゲル粘着シートを、液晶表示装置の液晶セルの周辺部と拡散板の周辺部及び／又は押え枠との間に挟み込むと（但し、シリコーンゲル層が液晶セルと接触する様にする）、液晶セルに歪みを生じさせる力が小さくなり、液晶ディスプレイの視認性を向上させることができる。 - 特許庁

Silicide layers 47a and 47b of the MOS transistor of a fuse element 11 are formed on impurity diffusion layers 46a and 46b at a predetermined distance from sidewalls 49a and 49b, respectively, and a silicide layer 47d is formed on the contact area of a gate electrode 44 so as to avoid the area of the gate electrode 44 on the a gate oxide film 43.例文帳に追加

ヒューズ素子１１のＭＯＳトランジスタのシリサイド層４７ａ、４７ｂは、サイドウォール４９ａ、４９ｂからそれぞれ所定の間隔を隔てて不純物拡散層４６ａ、４６ｂ上に形成するとともに、シリサイド層４７ｄは、ゲート酸化膜４３上のゲート電極４４上を避けるようにしてゲート電極４４上のコンタクト領域に形成する。 - 特許庁

The cutting blade chip used for the cutting blade of the drilling tool has a structure comprising a cutting blade body part 11 made of the cemented carbide (the cemented carbide member), the member 12 made of diamond supported by the cutting blade body part 11, and a metal layer 13 that is arranged between the cutting blade body part 11 and the diamond member 12 and diffusion-bonded with them respectively.例文帳に追加

掘削工具において切刃として用いられる切刃片を、超硬合金製の切刃基体１１（超硬合金製部材）と、切刃基体１１に支持されるダイヤモンド製部材１２と、これらの間に設けられて切刃基体１１及びダイヤモンド製部材１２とそれぞれ拡散接合される金属層１３とを有する構成とする。 - 特許庁

To provide a semiconductor substrate in which a heavily doped layer having a resistance that is uniform within a lot is easily formed, and furthermore any protective film for inhibiting out-diffusion of the impurity from the heavily doped layer is not required.例文帳に追加

この発明は、低濃度の不純物を含有する低濃度不純物基板に高濃度不純物拡散層を形成し、更にその上層に前記高濃度不純物拡散層より低濃度の不純物を含有するエピタキシャル層を形成した構造とすることで、ロット内で均一な抵抗を有する高濃度不純物層を容易に形成することができ、しかも高濃度不純物層からの不純物の外方拡散を防ぐための保護膜を必要としない半導体基板を得ようとするものである。 - 特許庁

The oxide semiconductor layer 113 is in contact with the second conductive layers 115a, 115b and barrier layers 116a, 116b including aluminum oxide as the first component, whereby diffusion of aluminum atoms to the oxide semiconductor layer 113 is suppressed.例文帳に追加

インジウム、ガリウム、及び亜鉛を含む酸化物半導体層を有した薄膜トランジスタ１５０がアルミニウムを第１成分とする第１導電層（１１４ａ、１１４ｂ）と高融点金属材料からなる第２導電層（１１５ａ、１１５ｂ）を積層したソース電極層及びドレイン電極層（１１７ａ、１１７ｂ）を有し、酸化物半導体層１１３が、前記第２導電層（１１５ａ、１１５ｂ）および酸化アルミニウムを第１成分とするバリア層（１１６ａ、１１６ｂ）と接することで、アルミニウム原子の酸化物半導体層１１３への拡散を抑制する。 - 特許庁

Related to a magnetic paint comprising ferromagnetic powder, abrasive, and binder, an abrasive paint comprising an abrasive and polyurethane containing polar group is prepared in advance, and when the gloss of the abrasive paint comes to be 50% or above, the abrasive paint and the magnetic paint containing ferromagnetic powder are processed for mixing/diffusion, and the resulting magnetic paint is used to provide a magnetic layer.例文帳に追加

強磁性粉末、研磨材および結合剤を含む磁性塗料であって、研磨材と極性基を有するポリウレタンとを含む研磨材塗料を予め調整し、前記研磨材塗料の光沢が５０％以上になった後、該研磨材塗料と強磁性粉末を含む磁性塗料とを混合分散処理して得られた磁性塗料を用いて磁性層を設けてなる磁気記録媒体。 - 特許庁

While a conductive film 15 in a logic region Rlogc remains, a control gate electrode 17 of a non-volatile memory element, an interelectrode- insulating film 18, and a floating gate electrode 19 are formed in a memory region Rmemo, an insulating film 22 for injection protection is formed on a substrate, and ion implantation for forming the source and drain diffusion layer of the non-volatile memory element is made.例文帳に追加

ロジック領域Ｒlogcにおける導体膜１５を残したままで、メモリ領域Ｒmemoにおいて不揮発性メモリ素子の制御ゲート電極１７，電極間絶縁膜１８及び浮遊ゲート電極１９を形成した後、基板上に注入保護用の絶縁膜２２を形成した後、不揮発性メモリ素子のソース・ドレイン拡散層を形成するためのイオン注入を行なう。 - 特許庁

The ceramic multilayer substrate 10 comprises a laminate 11 constituted of a plurality of ceramic layers 11A including a glass layer A; a thick film resistor 12 which is provided between the upper and lower ceramic layers 11A and includes glass B; and diffusion preventing layers 13, 14 which are provided between the thick film resistor 12 and the upper and lower ceramic layers 11A, and have glass C as the main ingredient.例文帳に追加

本発明のセラミック多層基板１０は、ガラスＡを含む複数のセラミック層１１Ａからなる積層体１１と、上下のセラミック層１１Ａの層間に設けられ且つガラスＢを含む厚膜抵抗体１２と、厚膜抵抗体１２と上下のセラミック層１１Ａとの間に設けられ且つガラスＣを主成分とする拡散防止層１３、１４と、を有する。 - 特許庁

After a gate electrode and an impurity diffusion layer are formed, a metal film is formed and 1st metal silicide is formed through a 1st heat treatment in an inert gas atmosphere and the 1st metal silicide is varied in phase into 2nd metal silicide through a 2nd heat treatment; and then a 3rd heat treatment is carried out in an inert gas atmosphere to suppress the cohesion of the silicide.例文帳に追加

ゲート電極と不純物拡散層を形成後金属膜を成膜し、不活性ガス雰囲気中で第１の熱処理によって第１の金属シリサイドを形成し、次に活性雰囲気で第２の熱処理を施し第１の金属シリサイドを相変化させて第２の金属シリサイドとし、次に不活性ガス雰囲気中で第３の熱処理を施すことによって、シリサイドの凝集を抑制する。 - 特許庁

The capacitor is manufactured by forming a contact hole filled with a doped polysilicon layer and then a diffusion-blocking film, forming a silicate glass film having a concave hole for the capacitor into the top of the contact hole, forming the RU lower electrode in the concave hole, and continuously executing an NH3-plasma treatment and an N2O-plasma treatment to form a BST dielectric film upper electrode.例文帳に追加

本発明のキャパシタはドープポリシリコン層、オミック層及び拡散防止膜が、順次的に埋め込められたコンタクトホールを形成し、コンタクトホールの上部にキャパシタ用コンケーブホールを持つシリゲートガラス膜を形成し、キャパシタ用コンケーブホール内にRU下部電極を形成した後、NH_3-プラズマ処理及びN_2Ｏ-プラズマ処理を連続的に実施し、BST誘電体膜上部電極を形成してなる。 - 特許庁

To provide a photographic treating liquid containing protease which does not cause deterioration in the performance with time, and more particularly, to provide a treating liquid to be used for the treatment of a lithographic printing plate by using a silver complex salt diffusion transfer method and having a silver halide emulsion layer containing protease which does not cause deterioration in the performance with time.例文帳に追加

本発明の目的は、経時による性能の劣化を起こさないタンパク質分解酵素を含む写真用処理液の提供であり、さらに詳しくは経時による性能の劣化を起こさないタンパク質分解酵素を含有するハロゲン化銀乳剤層を有する銀錯塩拡散転写法を利用した平版印刷版の処理に用いられる処理液を提供することである。 - 特許庁

A conductive film of a barrier nature (referred to as barrier type conductive film, hereafter) preventing the diffusion of copper is provided between thin-film transistors (represented as TFTs, hereafter), so as to form the wiring containing copper without diffusing copper to the semiconductor layer of the TFT.例文帳に追加

本発明では、半導体装置に用いる配線として、配線抵抗の低抵抗化を実現する銅を含む配線を微細化して用いるとともに、銅の拡散を防ぐバリア性の導電膜（以下、バリア性導電膜）を薄膜トランジスタ（以下、ＴＦＴと表記する）との間に設けることによりＴＦＴの半導体層に銅が拡散することなく銅を含む配線を形成することを特徴とする。 - 特許庁

Hydrocarbon gases to be decomposed are let uniformly flow through the space among porous tubes 4 constituting a series of porous tubes installed extendingly in the perpendicular direction in a decomposition reactor column 1 and air or oxygen is homogeneously spouted outwards from the inside of the porous tubes in the direction perpendicular to the flow of the hydrocarbon gases to be decomposed followed by ignition, thereby forming a diffusion flame layer at the outside of the porous tube 4.例文帳に追加

分解反応塔１内に垂直方向に延在されている多孔質チューブ群の各多孔質チューブ４間に被分解炭化水素ガスを均一に流し、多孔質チューブ内から外に、前記被分解炭化水素ガスの流れに対して直角方向に、空気または酸素を均質に噴出して点火し、多孔質チューブ４の外面に拡散火炎層Ｂを形成する。 - 特許庁

The semiconductor device has a selection gate electrode SG of a selection gate transistor ST and a perimeter gate electrode TG of a perimeter gate transistor TR, a first insulation film 30 and a first barrier film 31 on an impurity diffusion layer 28 between gate electrodes SG and TG and the side face of the gate electrode, and a second insulation film 32 filling between the gate electrodes SG and TG on the first barrier film 31.例文帳に追加

選択ゲートトランジスタＳＴの選択ゲート電極ＳＧ、及び周辺トランジスタＴＲの周辺ゲート電極ＴＧを有し、ゲート電極ＳＧ、ＴＧ間の不純物拡散層２８上及びゲート電極側面に第１絶縁膜３０、第１バリア膜３１を有し、第１バリア膜３１上にゲート電極ＳＧ、ＴＧ間を埋める第２絶縁膜３２を有する。 - 特許庁

In preparation in which a planographic printing plate having physical developing nuclei between an anodically oxidized aluminum substrate and a silver halide emulsion layer and utilizing a silver complex salt diffusion transfer process is subjected to at least development after exposure, the amount of anodically oxidized aluminum in the planographic printing plate is ≤4 g/m2 and polyacrylic acid is contained in a developer used.例文帳に追加

陽極酸化されたアルミニウム支持体とハロゲン化銀乳剤層の間に物理現像核を有する銀錯塩拡散転写法を利用した平版印刷版を露光後少なくとも現像処理する製版方法において、該平版印刷版の陽極酸化アルミニウム量が４ｇ／m^2以下であり、該現像液中にポリアクリル酸を含有する事を特徴とする平版印刷版の製版方法。 - 特許庁

This membrane-electrode assembly for the fuel cell includes a polymer electrolyte membrane 15; catalyst layers 13 positioned on both faces of the polymer electrolyte membrane 15; gas diffusion layers 11 positioned on one face of each of the catalyst layers 13 which makes non-contact with the polymer electrolyte membrane 15; and a porous hydrogen ion transfer layer, existing between the polymer electrolyte membrane 15 and the catalyst layers 13 and containing inorganic fine particles 19.例文帳に追加

膜/電極アセンブリに，高分子電解質膜１５と；前記高分子電解質膜の両面に配置される触媒層１３と；前記触媒層の高分子電解質膜と接触しない一つの面に配置された気体拡散層１１と；前記高分子電解質膜と触媒層の間に存在する，無機微細粒子１９を含有する多孔性水素イオン伝達層と；を含めた。 - 特許庁

Surface roughness Ra of the second diffusion prevention layer 12 is set lower than surface roughness Ra of the metal base 1.例文帳に追加

本発明の酸化物超電導導体用基材１０は、金属基材１上に、第１拡散防止層１１と、第２拡散防止層１２と、第３拡散防止層１３と、イオンビームアシスト蒸着法により成膜された中間層４とがこの順に設けられてなり、第２拡散防止層１２の表面粗さＲａが、金属基材１の表面粗さＲａよりも低く設定されてなることを特徴とする。 - 特許庁

To provide a gas diffusion layer and a membrane-electrode assembly, capable of manufacturing a lightweight, compact, and high power-generation performance fuel cell which can store water produced in a positive electrode on the inside to keep a solid polymer membrane wet, and makes the supply of humidified gas unnecessary or limits to use of only a compact humidifier if need; and to provide a lightweight, compact and high power-generation performance fuel cell.例文帳に追加

正極で生成した水を内部に留め、固体高分子膜を湿潤に保つことができ、加湿ガスを供給する必要がないか、必要があったとしても小型の加湿機で済み、軽量・小型で、発電性能の優れる燃料電池とすることのできるガス拡散層、膜−電極接合体、及び軽量・小型で、発電性能の優れる燃料電池を提供すること。 - 特許庁

The fuel cell has a laminated body formed by arranging a plurality of unit cells constituted by pinching with a gas diffusion layer both sides of a membrane/electrode assembly with each side of a solid polymer electrolyte film coated with electrode catalyst consisting of fuel electrode and an oxidant electrode, and further, arranging a separator at both sides for supplying fuel gas and oxidant gas.例文帳に追加

固体高分子電解質膜の両側をそれぞれ、燃料極と酸化剤極とからなる電極触媒で被覆した膜／電極接合体の両側をガス拡散層で挟み、さらにその両側にそれぞれ燃料ガスおよび酸化剤ガスを供給するためのセパレータを配置して構成する単位セルを複数個設置して積層体を形成した燃料電池である。 - 特許庁

To provide a thin-film transistor at a low cost which can restrain diffusion of impurities from a glass substrate to a semiconductor layer, and improve transistor characteristics, in particular the threshold voltage characteristic, a manufacturing method of the thin-film transistor, a transmission type liquid crystal display device capable of improving transmittance, and a manufacturing method of the liquid crystal display device.例文帳に追加

ガラス基板から半導体層への不純物の拡散を抑制し、トランジスタ特性、特にしきい値電圧特性を改善できる低コストの薄膜トランジスタ及びこの薄膜トランジスタの製造方法を提供すること、及び、透過率を向上することが可能な透過型の液晶表示装置及びこの液晶表示装置の製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

Additionally, the thickness of the barrier film 30 is set to the film thickness for preventing the diffusion of the Cu atoms on an interlayer insulating film 7 below upper-layer wiring 21, thus improving EM resistance, and forming optimum wiring structure in terms of the prevention of Cu contamination.例文帳に追加

上層配線のビアプラグ１１と下層配線５との間に挟まれるバリア膜２０の膜厚をＣｕ原子が上下に互いに拡散出来る膜厚とし、さらに、上層配線２１の下の層間絶縁膜７上ではＣｕ原子の拡散を防止できる厚さのバリア膜３０とすることにより、ＥＭ耐性向上、Ｃｕ汚染防止の面から見て最適な配線構造を形成することができる。 - 特許庁

In a cylindrical reaction vessel having an inlet for introducing raw gas and an outlet for discharging the processed gas, a method of manufacturing a spherical semiconductor device for forming a diffusion layer wherein the impurities in the raw gas are diffused in the surface of a spherical semiconductor is carried out such that a spherical semiconductor may be flowed/rotated by rocking or rotating the reaction vessel.例文帳に追加

本発明は、処理ガスを導入する導入口およびガスを排出する排出口を有する円筒状の反応容器内において、球状の半導体の表面に処理ガス中の不純物を拡散させた拡散層を形成する球状半導体素子の製造方法において、反応容器を揺動または回転させることにより、球状の半導体を流動・回転させる。 - 特許庁

Further, the gas diffusion layer for fuel cell has a conductive fiber body 33 in which the conductive fibers 10 are collected, a plurality of porous particles 11 which are dispersed and adhered on the surface of the conductive fibers 10, and a water repellent film 12 which covers at least a part of the conductive fibers 10 and the porous particles 11 and is made from the water repellent substance.例文帳に追加

さらに、燃料電池用ガス拡散層は、導電性繊維１０を集合してなる導電性繊維体３３と、前記導電性繊維１０の表面に分散して付着された、複数の多孔質粒子１１と、前記導電性繊維１０及び多孔質粒子１１の少なくとも一部を被覆し、撥水性物質からなる撥水性皮膜１２と、を備える。 - 特許庁

The memory element 1 is provided with a gate electrode 104 formed through a gate insulating film 103 on a semiconductor layer 102, a channel area arranged below the gate electrode 104, the diffusion areas 107ab of conductive types reverse to that of the channel area on both sides of the channel area, and a memory function body 109 having the function of holding charges on both sides of the gate electrode 104.例文帳に追加

メモリ素子１は、半導体層１０２上にゲート絶縁膜１０３を介して形成されたゲート電極１０４と、ゲート電極１０４下に配置されたチャネル領域と、チャネル領域の両側で、チャネル領域と逆導電型の拡散領域１０７ａｂと、ゲート電極１０４の両側で、電荷を保持する機能を有するメモリ機能体１０９とを備える。 - 特許庁

At least on one surface of a plurality of aluminum members 2 to be brazed, a solution containing a binder having the flux component, Zn and a carboxyl radical, and reaction retarder retarding the reaction of the Zn and the carboxyl radial is coated to perform the brazing between a plurality of the aluminum members, so as to form a Zn diffusion layer on the surface of the aluminum member coated with the solution.例文帳に追加

ろう付けされる複数のアルミニウム部材の少なくとも一方の表面に、フラックス成分、Ｚｎ、カルボキシル基を有するバインダ、および前記Ｚｎと前記カルボキシル基との反応を抑制する反応抑制剤を含む溶液を塗布して、複数のアルミニウム部材間のろう付けを行い、溶液の塗布されたアルミニウム部材の表面にＺｎ拡散層を形成する。 - 特許庁

To provide an electrode tip for a spark plug which is suppressed in high temperature volatilization wear than an inclination functional material layer formed by a thermal diffusion method, improved in durability with respect to spark wear by improving high temperature strength of the electrode tip, and realizes low cost, by suppressing the amount of precious metal used by further realizing thin diameter.例文帳に追加

本発明の目的は、熱拡散法によって形成した傾斜機能材層よりも高温揮発減耗を抑制し、電極チップの高温強度を向上させることで火花減耗に対する耐久性を向上させること及び更なる細径化を図り貴金属使用量を抑えて安価であることを実現するスパークプラグ用電極チップを提供することである。 - 特許庁

In a platemaking method, in which processings at least with a developer, a washing solution and the finishing liquid are applied after exposure in the order named to the lithographic printing plate utilizing the silver complex salt diffusion transfer process having physical development kernels between the anodized aluminum support and the silver halide emulsion layer, the finishing liquid includes a polyamide epoxy resin.例文帳に追加

陽極酸化されたアルミニウム支持体とハロゲン化銀乳剤層の間に物理現像核を有する銀錯塩拡散転写法を利用した平版印刷版に、露光後少なくとも現像液、水洗液、及び仕上げ液の順で処理を施す製版方法において、前記仕上げ液がポリアミドエポキシ樹脂を含有することを特徴とする平版印刷版の製版方法。 - 特許庁

In crystallizing the amorphous silicon layer by utilizing a SGS method, through the selective irradiation of the laser beam, uniform low concentration diffusion control of the metal catalyst is enabled, and the size of the crystal grain and the position and direction where the crystal grows is regulated to improve the element characteristics, consequently the method for manufacturing the thin film transistor in which a uniform value is obtained is provided.例文帳に追加

ＳＧＳ法を利用して非晶質シリコーン層を結晶化することにおいて、レーザービームの選択的な照射を介して金属触媒の均一な低濃度拡散制御を可能なようにして、結晶粒の大きさ及び結晶が成長する位置、方向を調節して素子特性を向上させて、均一な値を得ることができる薄膜トランジスタの製造方法を提供する利点がある。 - 特許庁

This current collecting member 20 is characterized by that a Cr diffusion prevention layer 202, formed of a single element oxide of a fourth-period metal element in the periodic table except for a perovskite structure or a composite oxide of the fourth-period metal element in the periodic table, and Cr is formed on a surface of a current collection body 201 formed of alloy-containing Cr.例文帳に追加

本発明の集電部材２０は、Ｃｒを含有する合金からなる集電本体２０１の表面に、ペロブスカイト型構造を除く周期律表第４周期金属元素の単一元素酸化物または前記周期律表第４周期金属元素とＣｒとの複合酸化物からなるＣｒ拡散防止層２０２が設けられたことを特徴とする集電部材２０である。 - 特許庁

In a solar battery 100, a second conductive dopant diffusion layer 65 is formed at the first main surface side of the first conductive semiconductor solar battery substrate 1, and a plurality of linear finger electrodes 4 for output extraction are formed on the first main surface, and solar lights are received in the first main surface area exposed between the finger electrodes 4.例文帳に追加

太陽電池１００においては、第一導電型の半導体太陽電池基板１の第一主表面側に、第二導電型のドーパント拡散層６５が形成され、該第一主表面上に出力取出用の線状のフィンガー電極４が複数形成され、該フィンガー電極４の間に露出した第一主表面領域にて太陽光を受光する。 - 特許庁

The method of manufacturing the semiconductor device includes the processes of: forming a wettability improving film on a surface of a semiconductor substrate; coating a surface of the wettability improving film with a dopant diffusing agent containing dopants of a first conductivity type and a second conductivity type; and forming a dopant diffusion layer by diffusing the dopants in the semiconductor substrate from the dopant diffusing agent.例文帳に追加

半導体基板の表面上にぬれ性改善膜を形成する工程と、ぬれ性改善膜の表面上に第１導電型または第２導電型のドーパントを含有するドーパント拡散剤を塗布する工程と、ドーパント拡散剤から半導体基板にドーパントを拡散させることによってドーパント拡散層を形成する工程とを含む半導体装置の製造方法である。 - 特許庁

The development processing method includes coating the planographic printing plate with a liquid developer by using a silver complex salt diffusion transfer process having a physical developing nucleus between an anodically oxidized aluminum support and a silver halide emulsion layer, and is characterized in that development is carried out using a liquid developer containing mercaptopyridine-N-oxide wherein a mercapto group substitues for a pyridine nucleus.例文帳に追加

陽極酸化されたアルミニウム支持体とハロゲン化銀乳剤層の間に物理現像核を有する銀錯塩拡散転写法を利用した平版印刷版上に現像液を塗布する現像処理方法において、ピリジン核にメルカプト基が置換したメルカプトピリジン−Ｎ−オキシドを含有する現像液を用いて現像することを特徴とする平版印刷版の現像処理方法。 - 特許庁

An interlayer insulating film 106 is formed on a memory cell 100 constituted of a bit line 102 composed of a diffusion layer formed on a semiconductor substrate 101, a gate insulation film having a trapping performance formed between bit lines 102, and a word line 104 formed on the gate insulation film, and a bit line contact plug 109 connected to the bit line 102 is formed in this interlayer insulating film 106.例文帳に追加

半導体基板１０１に形成された拡散層からなるビット線１０２、ビット線１０２間に形成されたトラップ性のゲート絶縁膜、ゲート絶縁膜上に形成されたワード線１０４とで構成されたメモリセル１００上に、層間絶縁膜１０６が形成され、この層間絶縁膜１０６中に、ビット線１０２に接続するビット線コンタクトプラグ１０９が形成されている。 - 特許庁