| 意味 | 例文 |
Dry etchingの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 2390件
Especially, a pressure range of the dry etching is preferably 1 to 100 Pa.例文帳に追加
特にドライエッチングの圧力範囲が、1〜100Paであることが好ましい。 - 特許庁
To realize a dry etching method, where a connecting metal can be embedded through a dry etching treatment, without using a CMP method.例文帳に追加
CMP法を用いることなく、ドライエッチング処理によって接続用金属の埋め込み工程を完了することができるドライエッチング方法を提供する。 - 特許庁
To provide an endpoint detecting device, a dry etching device and a dry etching method capable of detecting an endpoint even for a low aperture-ratio material to be etched.例文帳に追加
低開口率の被エッチング材料に対しても終点検出ができる終点検出装置、ドライエッチング装置及びドライエッチング方法を提供すること。 - 特許庁
APPARATUS FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTORS AND METHOD OF INSPECTING AND REMOVING FOREIGN MATTER DURING DRY ETCHING例文帳に追加
半導体製造装置およびドライエッチング時の異物検査・除去方法 - 特許庁
In addition, wet or dry etching is applied for the process to form the irregularity structure.例文帳に追加
凹凸構造を形成する工程がウエットエッチングまたはドライエッチングである。 - 特許庁
To provide a dry etching apparatus which can improve the production efficiency.例文帳に追加
生産効率の向上を図ることができるドライエッチング装置を提供する。 - 特許庁
The barrier metal film 26 and a conductive film 25 formed thereon are subjected to dry etching.例文帳に追加
バリアメタル膜26上に形成した導電膜25とともにドライエッチングする。 - 特許庁
A resist layer 26 is removed before the dry etching of the continuous recording layer 20.例文帳に追加
又、レジスト層26を連続記録層20のドライエッチングの前に除去する。 - 特許庁
A process chamber P performs dry etching of the carried wafer for a given time.例文帳に追加
プロセスチャンバーPは、搬送されたウェーハを所与の時間だけドライエッチングする。 - 特許庁
The concavo-convex of the surface can be formed by a dry etching and the film-forming device used in forming the phosphor layer can be utilized in the dry etching.例文帳に追加
前記凹凸化はドライエッチングによって行うことができ、蛍光体層の形成に用いた成膜装置をドライエッチングに利用することもできる。 - 特許庁
To achieve high anisotrophy and machining with a low gate destruction rate in dry etching.例文帳に追加
ドライエッチングにおいて高異方性、低ゲート破壊率の加工を達成する。 - 特許庁
DRY ETCHING METHOD, METHOD OF MANUFACTURING MAGNETIC RECORDING MEDIUM, AND MAGNETIC RECORDING MEDIUM例文帳に追加
ドライエッチング方法、磁気記録媒体の製造方法及び磁気記録媒体 - 特許庁
To enable easily to remove a coating formed on the surface of a resist when dry-etching, in removing the resist after dry etching, in a step of manufacturing a mask.例文帳に追加
マスク作製工程におけるドライエッチング後のレジスト剥離において、ドライエッチング時にレジスト表面に形成された皮膜を簡単に除去できるようにしたい。 - 特許庁
Further, dry etching processing is employed for a forming means of the crystal resonator chips 10.例文帳に追加
また、水晶振動片10の形成手段がドライエッチング加工である。 - 特許庁
DRY ETCHING METHOD AND PHOTONIC CRYSTAL ELEMENT PRODUCED USING SAME例文帳に追加
ドライエッチング方法及びその方法を用いて作製されたフォトニック結晶素子 - 特許庁
In particular, the dry etching gas preferably contains CF_3CF=CF_2 and CH_2F_2.例文帳に追加
特に、CF_3CF=CF_2及びCH_2F_2を含むドライエッチングガスが好ましい。 - 特許庁
After finishing two or more plasma dry etching steps, two or more steps of ultraviolet irradiation are each carried out immediately after a plasma dry etching step.例文帳に追加
そして、この複数のプラズマドライエッチング工程のうち2以上の工程の直後にそれぞれ紫外線照射を行う2以上の紫外線照射工程を有する。 - 特許庁
The layers are patterned by dry etching by using chlorine gas to form a signal line 13.例文帳に追加
塩素系ガスを用いたドライエッチングにてパターニングして信号線13とする。 - 特許庁
CLEANING LIQUID COMPOSITION AFTER DRY ETCHING, AND MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加
ドライエッチング後の洗浄液組成物および半導体装置の製造方法 - 特許庁
To attain a processing of high anisotropy and low gate breakdown rate in dry etching.例文帳に追加
ドライエッチングにおいて高異方性、低ゲート破壊率の加工を達成する。 - 特許庁
SUPPLY SYSTEM AND SUPPLY METHOD OF TETRAFLUOROETHYLENE GAS TO DRY ETCHING UNIT例文帳に追加
ドライエッチング装置へのテトラフルオロエチレンガス供給装置及び供給方法 - 特許庁
Photoresist is improved for performing dry etching for a gate electrode accurately.例文帳に追加
ゲート電極のドライエッチングを精度よく行なうため、フォトレジストに工夫を凝らす。 - 特許庁
METHOD AND SYSTEM FOR DRY ETCHING AND METHOD AND SYSTEM FOR FORMING GATE ELECTRODE例文帳に追加
ドライエッチング方法及び装置並びにゲート電極形成方法及び装置 - 特許庁
DRY ETCHING METHOD OF DEVICE SHEET AND JIG SUCH AS SQUEEGEE USED THEREFOR例文帳に追加
デバイスシートのドライエッチング加工方法およびこれに用いるスキージなどの治具 - 特許庁
To provide a dry etching device for improving the uniformity in etching, device yields, and productivity.例文帳に追加
エッチングの均一性を改善し、デバイスの歩留まりを高め、生産性を向上できるドライエッチング装置を提供する。 - 特許庁
In the dry etching method, a high frequency voltage is modulated in an amplitude modulation(AM) manner and then applied as a bias voltage in a plasma etching apparatus.例文帳に追加
プラズマエッチング装置において、高周波電圧をAM変調したものをバイアス電圧として印加する。 - 特許庁
The rounding of the corners of the projections can be carried out by dry etching, wet etching, or annealing.例文帳に追加
また、前記凸部角のラウンド形状は、ドライエッチング、ウェットエッチング、アニールの何れかの方法で行うことができる。 - 特許庁
Etching is performed to the depth where a part of an outer shape cross section of a crystal device remains by dry etching on the surface 9a.例文帳に追加
表面9aのドライエッチングで水晶デバイスの外形断面の一部が残る深さまでエッチングする。 - 特許庁
To provide an etching method capable of widening the frontage of a pattern of an etching mask even in a dry process.例文帳に追加
ドライプロセスにおいてもエッチングマスクのパターンの間口を広くすることができるエッチング方法を提供すること。 - 特許庁
To provide a plasma-processing device or a dry-etching method for etching a film structure having steps with high accuracy.例文帳に追加
段差を有する膜構造を高精度にエッチングするプラズマ処理装置またはドライエッチング方法を提供する。 - 特許庁
The high accurate pixel electrode pattern is formed when the etching of the pixel electrodes 6 is carried out by a dry etching method.例文帳に追加
画素電極6のエッチングをドライエッチングによって行えば、高精度な画素電極パターンを形成できる。 - 特許庁
A dry-etching method includes the process wherein oxygen is generated while dry-etching a tantalum film or a film containing tantalum as its main component which is the etched film formed on a substrate 100, and the dry-etching method is performed by using a gas containing boron.例文帳に追加
基板100上に形成された被エッチング膜であるタンタル膜またはタンタルを主成分とする膜のドライエッチング中に酸素が発生する過程を含むドライエッチング方法であって、ドライエッチングはホウ素を含むガスを用いて行う。 - 特許庁
To provide a detection method of an etching end point in the dry semiconductor etching step, while can easily and accurately detect the etching end point.例文帳に追加
エッチング終了点を正確で容易に検出できる半導体乾式エッチング工程でエッチング終了点の検出方法を提供する。 - 特許庁
To provide a method for controlling the amount of etching in dry etching process that achieves high operating efficiency in simple apparatus structure, and can complete etching by a specific amount of etching accurately without limiting the quality of a workpiece, and to provide a dry etching apparatus.例文帳に追加
本発明は、簡単な装置構成で、高稼動率を実現し、被処理物の材質を限定せず、高精度に所定のエッチング量でエッチングを終了することができるドライエッチングのエッチング量制御方法及びドライエッチング装置を提供することにある。 - 特許庁
To provide a dry etching method wherein reproducibility of etching rate is good and execution is enabled by small man day and low cost in a dry etching method in which a semiconductor substrate is etched perpendicularly by alternately changing etching gas and passivation formation gas.例文帳に追加
エッチングガスと保護膜形成ガスを交互に切り替えて、半導体基板を垂直方向にエッチングするドライエッチング方法において、エッチングレートの再現性が良く、小さな工数と低コストで実施できるドライエッチング方法を提供する。 - 特許庁
The shape of t he resin layer 16 is transferred to the product substrate 2 by dry etching.例文帳に追加
樹脂層16の形状をドライエッチングにより製品基板2に転写する。 - 特許庁
The pattern of the resist 11 is recessed by a distance S by a dry etching method.例文帳に追加
次に、ドライエッチングによってレジスト11のパターンを距離Sだけ後退させる。 - 特許庁
The method further comprises the step of dry etching all the clad layer 14 in Fig. (b).例文帳に追加
(b)において、p型AlGaAsクラッド層14を全てドライエッチングする。 - 特許庁
Subsequently, a buffer oxide film 124 is removed by using a wet or dry etching process.例文帳に追加
その後、バッファ膜124はウェットまたはドライエッチング工程を用いて除去する。 - 特許庁
Thereafter, the resist 28 is removed, and the embedded silicon 25 is removed by dry etching.例文帳に追加
その後、レジスト28を除去し、ドライエッチングにより埋込シリコン25を除去する。 - 特許庁
The layer 5 exposed after this process is removed by dry etching.例文帳に追加
この工程の後に露出したエッチングストップ層5を、ドライエッチングにより除去する。 - 特許庁
To obtain a flattening film for a semiconductor device which can easily be removed by dry etching.例文帳に追加
ドライエッチで容易に除去可能な半導体装置用平坦化膜を得る。 - 特許庁
An upper electrode 3 and an insulating film 2 are processed by dry etching at once.例文帳に追加
上部電極3および絶縁膜2はドライエッチにて一括して加工する。 - 特許庁
To provide a method of dry-etching a silicon nitride film increasing the throughput.例文帳に追加
スループットを向上できる窒化珪素膜のドライエッチング方法を提供すること。 - 特許庁
A through hole 11a is formed by dry etching or sand blast in a substrate 11.例文帳に追加
基板11にドライエッチング又はサンドブラストにて貫通孔11aを形成する。 - 特許庁
To provide a dynamic dry-etching apparatus and a method.例文帳に追加
ダイナミックドライエッチング装置及びこれを用いたダイナミックドライエッチング方法を提供する。 - 特許庁
The nitride film of the contact hole bottom is removed by dry etching, such as RIE.例文帳に追加
その後、コンタクトホール底部の窒化膜をRIE等のドライエッチングで除去する。 - 特許庁
A silicon substrate 1 is over-etched about 5 to 20 nm by anisotropic dry-etching.例文帳に追加
異方性のドライエッチングにより、シリコン基板1が5nm〜20nm程度オーバエッチングされる。 - 特許庁
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