「Dry etching」に関連した英語例文の一覧と使い方(48ページ目) - Weblio英語例文検索

The method of manufacturing the semiconductor device includes a process of subjecting an inter-layer insulating layer 61 to dry etching using a mask having a plurality of first openings and a plurality of second openings arranged more closely than the first openings, and forming first holes reaching a ground layer 10 below the first openings and second holes 41 reaching the ground layer 10 below the second openings.例文帳に追加

実施形態によれば、半導体装置の製造方法は、複数の第１の開口と第１の開口よりも密に並んだ複数の第２の開口とを有するマスクを用いて層間絶縁層６１をドライエッチングし、第１の開口の下で下地層１０に達する第１のホールと、第２の開口の下で下地層１０に達する第２のホール４１とを同時に形成する工程を備えている。 - 特許庁

The method has the process of forming a pattern with a slant part prepared therein to a photoresist 52 in the periphery of a silicon exposed part for forming the nozzle 31 by carrying out exposure and development to the photoresist 52 formed on a silicon substrate 51, and the process of forming the hole to be the nozzle 31 of a taper shape by carrying out anisotropic dry etching using the photoresist 52 as a mask.例文帳に追加

シリコン基板５１に形成したフォトレジスト５２に対して露光及び現像を行って、ノズル３１を形成するためのシリコン露出部分周辺におけるフォトレジスト５２に対して、傾斜部分を設けたパターンを形成する工程と、フォトレジスト５２をマスクとして異方性ドライエッチングを行って、テーパ形状のノズル３１となる穴を形成する工程とを有する。 - 特許庁

A circuit board 4 is constituted in such a way that inner wiring patterns 2 are formed on both surfaces of a core substrate 1 and power supply/ ground layers 5 are respectively formed on the patterns 2 through insulating resin layers 3, and electronic parts 7 can be mounted on the patterns 2 exposed in recessed sections 6 formed, when the insulating resin layers 3 are removed through dry etching.例文帳に追加

コア基板１の両面に内部配線パターン２が形成されており、該内部配線パターン２の上に絶縁樹脂層３を介して電源／グランド層５が各々形成されてなる回路基板４であって、表層の絶縁樹脂層３がドライエッチングにより除去されて形成された凹部６に露出する内部配線パターン２に電子部品７が表面実装可能になっている。 - 特許庁

After a resist window pattern 3 is formed by adhering photoresist 2 onto a substrate 1 and patterning it by photolithography, the substrate 1 is etched by dry etching to form an overhang 5, a pattern material 6 of metal is vapor-deposited thereupon, and the photoresist 2 is removed to remove an unnecessary pattern material 6a, thereby forming a desired pattern 6b.例文帳に追加

基板１上にフォトレジスト２を被着形成し、これをフォトリソグラフィでパターニングしてレジスト窓パターン３を形成した後、等方性ドライエッチングで基板１をエッチングすることによりオーバーハング５を形成し、その上から金属のパターン材料６を蒸着し、フォトレジスト２を除去することによって不要なパターン材料６ａを除去して所望のパターン６ｂを形成する。 - 特許庁

In the method for dry etching which by using the metallic film of a high melting point formed through an oxide film on the surface of a substrate 14 arranged in a chamber by introducing reactant gas in the chamber 15 and energizing the reactant gas to generate plasma to generate active species and ions with a regist pattern as a mask, an induction coupled plasma(ICP) is used as a plasma source.例文帳に追加

チャンバー１５内に反応性ガスを導入し、その反応性ガスを励起してプラズマを発生させることにより活性種およびイオンを生成し、チャンバー内に配置した基板１４の表面に酸化膜を介して形成された高融点金属薄膜を、レジストパターンをマスクとして用いてドライエッチングする方法において、プラズマ源として、誘導結合プラズマ（ＩＣＰ）を用いる。 - 特許庁

In the upper electrode for a dry etching system comprising a silicon electrode plate and a base supporting it, (a) the base is composed of graphite, and (b) the silicon electrode plate and the base are bonded through organic adhesive containing a filler having Young's modulus of 6×109 to 68×109 N/m2.例文帳に追加

シリコン製電極板と、該電極板を支持する台座とから構成されるドライエッチング装置用上部電極において、 （ａ）台座は、グラファイトから構成され、かつ （ｂ）シリコン製電極板と台座とは、ヤング率が６×１０^９〜６８×１０^９Ｎ／ｍ^２のフィラーを含む有機系接着剤により接合されてなることを特徴とするドライエッチング装置用上部電極を提供。 - 特許庁

To provide a production method of a gallium nitride-based compound semiconductor capable of forming an unevenness without performing a post-processing such as a dry or wet etching of the gallium nitride-based compound semiconductor after removing a substrate from the gallium nitride-based compound semiconductor and capable of suppressing largely a damage caused by the post-processing for preventing the gallium nitride-based compound semiconductor from being directly processed.例文帳に追加

窒化ガリウム系化合物半導体から基板を除去した後、窒化ガリウム系化合物半導体にドライまたはウェットエッチング等の後加工を施すこと無しに凹凸を形成可能とし、窒化ガリウム系化合物半導体に直接加工をしないために、後加工によるダメージを大幅に抑えることができる窒化ガリウム系化合物半導体の製造方法を提供すること。 - 特許庁

The present invention provides a manufacturing method comprising: a film formation process which forms vapor phase synthesized diamond film 2 on a main surface of a silicon substrate 1 by a vapor phase deposition method; a routing process which forms a pattern on the vapor phase synthesized diamond film 2 using a laser; and a protrusion process which forms a protrusion on the routed vapor phase synthesized diamond film 2 by a reactive chemical dry etching.例文帳に追加

本発明は、シリコン基板１主面部に気相合成法によって気相合成ダイヤモンド膜２を成膜する成膜工程と、該気相合成ダイヤモンド膜２をレーザーによって外形を切り出す外形工程と、切り出した気相合成ダイヤモンド膜２に反応性化学ドライエッチングによって突起を形成する突起工程を経ることを特徴とするダイヤモンドプローブの製造方法である。 - 特許庁

To provide an acrylate or a methacrylate copolymer suitable for use as a resin component of a chemically amplified photoresist composition having high transparency to ArF excimer laser, exhibiting excellent sensitivity, a resist pattern shape, dry etching resistance and adhesion, having a high affinity to an alkali and capable of giving a good resist pattern by paddle development, and to provide a method for producing the same.例文帳に追加

ＡｒＦエキシマレーザーに対する透明性が高く、かつ優れた感度、レジストパターン形状、耐ドライエッチング性及び密着性を示すとともに、アルカリに対する親和性が高く、パドル現像により良好なレジストパターンを与えうる化学増幅型ホトレジスト組成物の樹脂成分として好適に用いうるアクリル酸若しくはメタクリル酸エステル共重合体及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

A dry etcher having a lower electrode housed in a vacuum vessel for holding a wafer 10 to be processed by introducing an etching gas and applying high-frequency power to generate a discharge plasma, comprises an electrostatic chuck mechanism housed in the vacuum vessel for fixing the wafer and a cover ring 13 housed in a process chamber for covering the upper side of the periphery of the wafer or above it.例文帳に追加

真空容器内に被処理ウェハ10を保持する下部電極を収容し、エッチングガスが導入され、高周波電力が印加されることによって放電プラズマを発生するドライエッチング装置において、真空容器内に収容され、ウェハを固定するための静電チャック機構と、処理容器内に収容され、ウェハの周辺部の上面あるいは上方を覆うカバーリング13とを具備する。 - 特許庁

Dry etching is selectively applied to the first conductive film 35, the second conductive film 37, and the third conductive film 39 to form a first gate electrode composed of the first conductive film 35A and the third conductive film 37A which are patterned, and to form a second gate electrode composed of the second conductive film 37A and the third conductive film 39A which are patterned.例文帳に追加

第１の導電膜３５、第２の導電膜３７及び第３の導電膜３９に対して選択的にドライエッチングを行なって、パターン化された第１の導電膜３５Ａ及び第３の導電膜３７Ａよりなる第１のゲート電極を形成すると共に、パターン化された第２の導電膜３７Ａ及び第３の導電膜３９Ａよりなる第２のゲート電極を形成する。 - 特許庁

To provide a liquid crystal display panel including a top-gate TFT as a switching element and a light shielding film shielding the TFT from light, which prevents disappearance of the light shielding film due to over-etching even when Mo is used as a material of the light shielding film and a coating insulating layer of the light shielding film is dry-etched to expose a surface of Mo.例文帳に追加

スイッチング素子としてのトップゲート式ＴＦＴと、前記ＴＦＴを遮光するための遮光膜とが設けられた液晶表示パネルにおいて、遮光膜の材料としてＭｏを採用し、遮光膜の被覆絶縁層にドライエッチング処理を施してＭｏの表面を露出させる場合にも、オーバーエッチングによる遮光膜の消失を防げるようにした液晶表示パネルを提供すること。 - 特許庁

In the solid-state imaging apparatus 10 whereon a plurality of photodiodes in an imaging region and each MOS transistor in its peripheral circuit region are loaded together, a reflection preventing film 7 of a photodiode surface and a sidewall 9 provided to a side wall of a gate electrode 3 of the MOS transistor are formed simultaneously in the same process, by photolithograpy and dry etching by laminating three layers of insulating films 4 to 6.例文帳に追加

撮像領域の複数のフォトダイオードとその周辺回路領域の各ＭＯＳトランジスタが混載された固体撮像装置１０において、フォトダイオード表面の反射防止膜７と、ＭＯＳトランジスタのゲート電極３の側壁に設けられるサイドウォール９とを、３層の絶縁膜４〜６を積層してフォトリソグラフィーとドライエッチングにより同時に同一工程で形成する。 - 特許庁

The platinum is worked to the prescribed shape by dry etching the platinum by a gaseous mixture containing rare gas, gaseous SF6 and gaseous Cl2 and after the platinum is worked to the prescribed shape by the method descried above, the mask is treated with an aqueous acidic solution in order to remove the reaction product derived from the platinum and gaseous mixture sticking to the mask.例文帳に追加

希ガス、ＳＦ_6ガス及びＣｌ_2ガスを含む混合ガスにより、白金をドライエッチングして所定の形状に加工することにより、ならびに前記方法により白金を所定の形状に加工した後、マスクに付着した白金及び混合ガス由来の反応生成物を除去するために、酸性水溶液でマスクを処理することにより、上記課題を解決する。 - 特許庁

Since incident ion charges escape through the first and second P-type diffusion layers 7 and 11 at dry etching for the formation of the metal wirings, charge up will not take place on the first and second gate electrodes 4 and 6 or the characteristics will not become unbalanced by charge up and thereby no difference appears in the characteristics between transistors.例文帳に追加

上記構成をとることにより金属配線を形成する時のドライエッチングを行っても、入射イオン電荷が第一のＰ型拡散層７および第二のＰ型拡散層１１を通じて逃れるので第一のゲート電極４と第二のゲート電極６がチャージアップしない、あるいはチャージアップしてもアンバランスが生じないためトランジスタ間の特性に差が発生しない。 - 特許庁

This residual liquid for removing the residue existing on the semiconductor substrate after dry etching and/or ashing does not contain a fluorine compound, and contains at least one kind of a neutral organic compound having two or more oxygen atoms which can be coordinated to copper and/or mono alcohol with C4 or more and water, or contains perchlorate and water.例文帳に追加

ドライエッチング及び／又はアッシング後の半導体基板に存在する残渣の除去液であって、フッ素化合物を含まず、銅に配位し得る２以上の酸素原子を有する中性有機化合物及び／又はＣ４以上のモノアルコールのうち少なくとも１種と、水とを含むことを特徴とする残渣除去液、或いは、過塩素酸塩と水とを含むことを特徴とする残渣除去液に関する。 - 特許庁

There is provided a process method for easily manufacturing various forms of molds which have disadvantages in applying a nano imprint process by using nano imprint and a dry etching process by patterning a molding resin of a substrate having a metal pattern patterned thereon, and forming a nano-class pattern and a complicated three-dimensional micro pattern using a nano imprint process with the manufactured molds without executing a complicated process several times.例文帳に追加

金属パターンがパターニングされている基板のモールド用レジンをナノインプリントと乾式エッチング工程とを用いて、ナノインプリント工程を適用する上で難が多かった様々な形態のモールドを容易に製作し、複雑な工程を数回行うことなく、製作されたモールドでナノインプリント工程を用いてナノ級パターンや複雑な３次元形状の微細パターンの成形を可能にする工程方法を提供する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a polarizing and splitting element and a polarizing and splitting element capable of improving yield in photo-lithography and dry etching which are processes for forming diffraction gratings on a double diffraction film by sticking an optical anisotropic film on an optically transparent substrate wafer so as to improve the flatness, and further, to provide a hologram laser unit and an optical pickup unit improved in reliability.例文帳に追加

本発明は、光学的透明基板ウェハに光学的異方性膜を平坦性が向上するように貼り付け、複屈折膜上に回折格子を形成する工程であるフォトリソグラフィー、ドライエッチングにおいて歩留りを向上できる、偏光分離素子の製造方法及び偏光分離素子、更に信頼性の向上したホログラムレーザユニット及び光ピックアップ装置を提供することを目的とする。 - 特許庁

This method of manufacturing the sub master mold 20 from a master pattern mold 30 for imprint having grooves corresponding to the minute pattern includes a minute pattern dimension fluctuation process of performing dry etching using oxygen gas with respect to a resist layer 4 which is formed on a hard mask layer formed on a substrate 1 for the sub master mold and to which the minute pattern of the master pattern mold 30 is transferred.例文帳に追加

微細パターンに対応する溝が設けられたインプリント用の元型モールド３０からサブマスターモールド２０を製造する方法において、前記サブマスターモールド用の基板１上にはハードマスク層が形成され、前記ハードマスク層上に形成され且つ元型モールドの微細パターンが転写されたレジスト層４に対して、酸素ガスを用いたドライエッチングを行う微細パターン寸法変動工程を有する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device with corrosion of its copper layer suppressed, even when a semiconductor wafer with its semiconductor substrate having a copper layer covered by an insulating film is subjected to dry etching in a fluorocarbon gas for partially removing the insulating film for the exposure of the copper layer surface, and the semiconductor wafer is then exposed to the atmosphere before a surface treatment.例文帳に追加

絶縁膜で覆われた銅層を半導体基板上に有する半導体ウエハをフルオロカーボン系ガスを用いたドライエッチングに供して絶縁膜を部分的に除去して銅層表面を露出させ、得られた半導体ウエハを大気へ暴露してから半導体ウエハを表面処理に供する場合であっても、銅層に対するコロージョンの発生を抑制し得る半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

For the purpose of reducing the short-circuit defects between wirings and enhancing the yield in the manufacturing stage, the semiconductor layer is patterned utilizing the dry etching construction method, then etched by using dilute HF before a thin film is deposited in the next stage to remove the polymer generated at the time of patterning of the semiconductor layer.例文帳に追加

半導体層のパタンニング時に発生するポリマを除去し、ショート不良を低減し製造工程における歩留まりの向上を達成するために、半導体層のパタンニングをドライエッチ工法を利用して行い、エッチングした後、次の薄膜堆積前に希ＨＦにてエッチングすることによって、半導体層のパタンニング時に発生するポリマを除去し、配線間のショート不良を低減し製造工程における歩留まりの向上につなげる。 - 特許庁

The method has a process for forming a resist pattern on a film formed on a semiconductor substrate, performing the dry etching using the resist pattern as a mask to form the micro pattern, a process for supplying a resist removing liquid to the micro pattern formation plane of the semiconductor substrate to remove the resist pattern by single wafer processing, and a process for performing rinsing on the semiconductor substrate.例文帳に追加

半導体基板に設けられた膜上にレジストパターンを形成し、このレジストパターンをマスクに用いてドライエッチングを行い、前記膜の微細パターンを形成する工程と、前記半導体基板の微細パターン形成面にレジスト除去液を供給し、枚葉式処理により前記レジストパターンを除去する工程と、前記半導体基板をリンス処理する工程と、を有する半導体装置の製造方法。 - 特許庁

A method of manufacturing an SiC semiconductor device comprises a step of preparing a silicon carbide semiconductor including a first surface at least a part of which includes implanted impurity, a step of forming a second surface by performing dry etching on the first surface of the silicon carbide semiconductor using gas including hydrogen gas, and a step of forming an oxide film included in an SiC semiconductor device on the second surface.例文帳に追加

ＳｉＣ半導体装置を製造する方法は、少なくとも一部に不純物が注入された第１の表面を含む炭化珪素半導体を準備する工程と、炭化珪素半導体の第１の表面を、水素ガスを含むガスを用いてドライエッチングすることにより、第２の表面を形成する工程と、第２の表面上に、ＳｉＣ半導体装置を構成する酸化膜を形成する工程とを備える。 - 特許庁

The method for manufacturing a liquid ejecting head includes: a surface removing step of removing the surface contamination of the pressure generating element by magnetron dry etching; and a wiring step of laying wiring on the pressure generating element, wherein a magnetron application current in the surface removing step is configured based on a surface removal amount of the pressure generating element and a variation in hysteresis characteristic in association with the surface removal.例文帳に追加

液体噴射ヘッドの製造方法は、圧力発生素子の表面汚染をマグネトロンドライエッチングにより除去する表面除去処理工程と、圧力発生素子上に配線を形成する配線工程と、を有し、表面除去処理工程におけるマグネトロン印加電流を、圧力発生素子の表面除去量と表面除去に伴うヒステリシス特性の変化量に基づいて設定する。 - 特許庁

To provide a new method for efficiently producing monomer useful for introducing a construction unit having a specific butyrolactone ring into an acrylic resin so as to obtain a chemical amplification type photoresist composition having good transparency to ArF excimer laser, exhibiting excellent sensitivity, resist pattern forms, dry etching resistance and adhesiveness and having high affinity to alkalis.例文帳に追加

ＡｒＦエキシマレーザーに対して良好な透明性を有し、優れた感度、レジストパターン形状、耐ドライエッチング性及び密着性を示し、アルカリに対し高い親和性を有する化学増幅型ホトレジスト組成物を得るため、アクリル系樹脂に、特定のブチロラクトン環をもつ構成単位を導入するが、その導入のために有用な単量体を効率よく製造するための新規な製造方法を提供する。 - 特許庁

The method of evaluating the SOI wafer having an insulating layer and an active layer in this order on a support substrate comprises forming a pattern on the insulating layer after removing part of the active layer from the insulating layer by wet or dry etching; and evaluating the bonding interface between the active layer and insulating layer by observing whether the pattern peels and/or whether a bonding defect is caused.例文帳に追加

支持基板上に絶縁層と活性層をこの順に有するＳＯＩウェーハの評価方法であって、前記活性層の一部を前記絶縁層上からウェットまたはドライエッチングを施すことによって除去した後、前記絶縁層上にパターンを形成し、前記パターンの剥離および／または接着不良の有無を観察することにより前記活性層と前記絶縁層との貼り合わせ界面を評価する。 - 特許庁

The method includes: a step of removing a chemically stable first impurity-containing layer by performing dry etching to a Zn polar face (+c face) in the surfaces of the substrate; and a step of removing a second impurity-containing layer lying at a position deeper than the first impurity-containing layer.例文帳に追加

）」で表される組成を有する酸化亜鉛系基板の処理方法であって、前記基板の表面のうち、Ｚｎ極性面（＋ｃ面）をドライエッチングすることにより、化学的に安定な第一の不純物含有層を除去する工程と、前記ドライエッチング面をさらにウェットエッチングすることにより、前記第一の不純物含有層よりも深い位置にある第二の不純物含有層を除去する工程と、を有することを特徴とする酸化亜鉛系基板の処理方法。 - 特許庁

A dry etching device 1 includes a transfer mechanism 15 transferring trays between a tray stock part housing each tray on which a substrate is placed and a plasma processing part 11, a centering mechanism 27 positioning each tray at a predetermined position in an alignment part 14, and a height measurement sensor 37 measuring a height of the predetermined position of the positioned tray.例文帳に追加

ドライエッチング装置１は、基板を載置したトレイを収納するトレイストック部とプラズマ処理部１１の間で前記トレイを搬送する搬送機構１５と、アラインメント部１４においてトレイを所定の位置に位置決めするセンタリング機構２７と、位置決めされた前記トレイの前記所定の位置の高さを計測する高さ計測センサー３７と、を備え、計測された前記高さからトレイ厚さ計測処理部４９が前記トレイの厚さデータを算出する。 - 特許庁

To provide a hetero-junction field effect transistor by which plasma damage of a reactive ion or the like entering a crystal due to dry etching for selective removal of an insulation layer or a semiconductor layer above a barrier layer is suppressed in a crystal structure, where the barrier layer with a larger atomic weight than an electron supply layer is formed on the electron supply layer of the hetero-junction field effect transistor.例文帳に追加

ヘテロ接合電界効果トランジスタの電子供給層上に電子供給層よりも平均原子量の大きなバリア層を形成した結晶構造において、バリア層より上の絶縁膜もしくは半導体層を選択に除去する際のドライエッチングによって結晶内に侵入する反応性イオン等のプラズマ損傷を抑制することを目的したヘテロ接合電界効果トランジスタの製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a pattern forming method capable of forming a dense pattern independently of standing waves and capable of further forming a resist pattern having a high aspect ratio by using an underlayer film excellent in dry etching resistance and usable as a thin film in combination with a specified polysiloxane-base radiation-sensitive resin composition having high transparency at ≤193 nm wavelength, and to provide a bilayer film for pattern formation.例文帳に追加

ドライエッチング耐性に優れ薄膜として使用可能な下層膜と、１９３ｎｍ以下の波長において透明性の高い特定のポリシロキサン系感放射線性樹脂組成物とを組み合わせて用いることにより、定在波による影響を受けることがなく、緻密なパターンを形成することができ、さらに高いアスペクト比を有するレジストパターンを形成することができるパターン形成方法およびパターン形成用多層膜を提供する。 - 特許庁

To provide a magnetoresistance effect element that can prevent a reduction in MR ratio to keep performance as a magnetoresistance effect element high even when an oxide layer is formed as an outermost surface layer of a protection layer in an oxidation step inevitably included in a manufacturing process by laminating a mask material used for microfabrication double without specially altering the manufacturing step of microfabrication of dry etching carried out under a vacuum.例文帳に追加

真空中で行われるドライエッチングの微細加工の製造工程に特別な変更を加えることなく微細加工時に使用されるマスク材を二重に重ねて積層することで、製造工程中必然的に含まれる酸化過程により保護層の最表層に酸化層が形成されたとしても、ＭＲ比の低下を防止し、磁気抵抗効果素子としての性能を高く保持することができる磁気抵抗効果素子を提供する。 - 特許庁

This manufacturing method of the semiconductor device comprises the steps of depositing an oxide film 3 on Cu wiring 2, forming a via hole H reaching the Cu wiring 2 by dry-etching the oxide film 3, supplying DIW into the via hole H, supplying ammonium phosphate into the via hole H after supplying the DIW, and filling the via hole H with an electrically conductive material 5 after supplying the ammonium phosphate.例文帳に追加

Ｃｕ配線２上に酸化膜３を堆積する工程と、前記酸化膜３をドライエッチングして、前記Ｃｕ配線２に通達するビアホールＨを形成する工程と、前記ビアホールＨ内にＤＩＷを供給する工程と、前記ＤＩＷを供給した後に、前記ビアホールＨ内に燐酸アンモニウムを供給する工程と、前記燐酸アンモニウムを供給した後に、前記ビアホールＨ内に導電材料５を埋め込む工程とを含む。 - 特許庁

In this case, the method also includes a step to apply plasma dry etching surface treatment to the exposed polyimide surface of the film substrate 1 made of polyimide resin that is not covered with the wiring pattern 6 after the wiring pattern 6 is formed.例文帳に追加

ポリイミド樹脂からなるフィルム基材１上にシード層２を形成してなる基板の表面に配線パターン６を形成する工程と、前記配線パターン６の表面にめっき層７を形成する工程とを有する半導体装置用テープキャリアの製造方法であって、前記配線パターン６を形成した後、当該配線パターン６で覆われておらず露出している部分の前記ポリイミド樹脂からなるフィルム基材１のポリイミド表面にプラズマドライエッチング表面処理を施す工程を含んでいる。 - 特許庁

This manufacturing method has a first step of anodizing a second layer containing aluminum to form fine holes on a first layer, a second step of forming metal oxides contained in the first layer at bottoms of the fine holes, a third step of removing the metal oxides by dry-etching, and a fourth step of forming magnetic materials in the fine holes by electrolytic plating through the first layer.例文帳に追加

第１の層上の、Ａｌを含む第２の層を陽極酸化して微細孔を形成する第１の工程と、前記微細孔の底部に、前記第１の層に含まれる金属の酸化物を形成する第２の工程と、前記金属の酸化物をドライエッチングにより除去する第３の工程と、前記第１の層を通電経路とする電解メッキにより前記微細孔に磁性材料を形成する第４の工程と、を有することを特徴とする記録媒体の製造方法。 - 特許庁

The resist pattern formed on a board comprises a first resist layer made of an organic material having high solubility in water or a solvent containing water as a main component, a second resist layer made of an organic material having high light absorbability to an exposure wavelength, and a third resist layer formed on the second resist layer and made of an organic material having high resistance to dry etching of at least three layers.例文帳に追加

基板上に形成されたレジストパターンであって、前記レジストパターンは、有機溶剤、水または水を主成分とする溶剤に対する溶解度の高い有機材料からなる第１のレジスト層と、前記第１のレジスト層上に形成され、露光波長に対する吸光性の高い有機材料からなる第２のレジスト層と、前記第２のレジスト層上に形成され、ドライエッチングに対する耐性の高い有機材料からなる第３のレジスト層と、の少なくとも３層を有してなる。 - 特許庁