「Dry etching」に関連した英語例文の一覧と使い方(45ページ目) - Weblio英語例文検索

The dry etching method and system comprises (1) stages divided integrally into some regions by a partition 25, (2) a mechanism 27 for setting up and maintaining the stage temperature respectively for the divided stage, and (3) a mechanism 28 for setting up and maintaining the quantity of gas flow and pressure for heat conduction and pressure respectively for the divided stages.例文帳に追加

１）仕切り２５によって、いくつかの領域に一体的に分割されたステージ、２）分割されたステージ毎にステージ温度を設定し、維持する機構２７、３）分割されたステージ毎に熱伝導用ガス流量及び圧力を設定し、維持する機構２８を具備すること。 - 特許庁

To provide a cleaning liquid composition for a semiconductor substrate that improves removal force of residue during cleaning of a metal layer after dry etching and reduces damage of the metal layer to a minimum, a cleaning method of the semiconductor substrate using the composition, and a manufacturing method of a semiconductor device.例文帳に追加

ドライエッチング後の金属層の洗浄時、残留物の除去力を向上させ、金属層の損傷を最小化することができる半導体基板用洗浄液組成物、これを用いた半導体基板の洗浄方法、及び半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To obtain a radiation-sensitive resin composition which is useful as a chemical amplification type resist sensitive to far ultra-violet rays, has improved dry etching resistance, high resolution and high radiation transmissivity, to provide a copolymer useful as its component and a polymer mixture.例文帳に追加

遠紫外線に感応する化学増幅型レジストとして有用で、良好なドライエッチング耐性有するとともに、高解像度で放射線透過率が高い感放射性樹脂組成物、ならびにその成分として有用な共重合体及び重合体混合物を提供する。 - 特許庁

The photoresist compositions exhibit both acceptable resistance to dry etching processing and light transmittance suitable for use with various light sources such as KrF excimer lasers, ArF excimer lasers or F_2 excimer lasers, in a photolithography process to produce fine photoresist patterns.例文帳に追加

ドライエッチング工程で許容可能な耐性を提供し、微細なフォトレジストパターンを形成するためのフォトリソグラフィ工程において、ＫｒＦエキシマーレーザー、ＡｒＦエキシマーレーザー、またはＦ_２エキシマーレーザーのように多様な光源の使用に適した光透過度を提供するフォトレジスト組成物。 - 特許庁

To provide a resin for a resist usable in a photosensitive composition excellent in transparency to short wavelength light, having high dry etching resistance and capable of forming a resist pattern having good resolution and high adhesion by alkali development and a monomer for producing the resin.例文帳に追加

短波長光に対する透明性が優れるとともに高いドライエッチング耐性を備え、かつアルカリ現像で解像性の良好で密着性の高いレジストパターンを形成することができる感光性組成物に用いることができるレジスト用樹脂およびそれを製造するためのモノマーの提供。 - 特許庁

The cleaning of a reaction vessel 101 is performed by dry etching after an aluminum made cylindrical dummy base body 202 having a diameter ϕdy smaller than the diameter ϕdx of the aluminum made cylindrical base body 102 for forming the deposition film is mounted in the reaction vessel 101.例文帳に追加

反応容器１０１内をクリーニングする際、堆積膜を形成するためのＡｌ製円筒状基体１０２の直径φｄｘより小さい直径φｄｙのＡｌ製円筒状ダミー基体２０２を反応容器１０１内に設置してからドライエッチングによるクリーニング処理を行う。 - 特許庁

To prevent a void between electrodes without degrading electric characteristic and to suppress reamining dry-etching in a high aspect part between the electrodes by flattening, in a step for forming the electrode protection film of a semiconductor device provided with a high step metal electrode on a semiconductor substrate.例文帳に追加

半導体基板上に高段差メタル電極を有する半導体素子の電極保護膜形成工程において、電気特性を劣化させることなく、電極間のボイドを抑制し、平坦化により電極間の高アスペクト部でのドライエッチング残りを抑制することを可能にする。 - 特許庁

To provide a chemically amplified resist composition sensitive to far UV, having good transparency particularly to ArF excimer laser beam, excellent also in resolution and sensitivity characteristics and remarkably excellent in adhesiveness to a substrate, dry etching resistance, developability, etc.例文帳に追加

遠紫外線に感応する化学増幅型レジストであって、特にArFエキシマーレーザー光に対する透明度が良好で解像度及び感度特性も優秀で、基板に対する接着性、乾式エッチング耐性、及び現像性などが顕著に優れた化学増幅型レジスト組成物を提供する。 - 特許庁

In the semiconductor optical component of ridge waveguide type semiconductor laser, when a pad electrode 502 is formed on a polyimide resin 201 which is an organic material, a needlelike projection 501 is formed on the surface of the polyimide resin 201 by dry etching using oxygen/argon mixed gas.例文帳に追加

リッジ導波路型半導体レーザの半導体光素子において、有機材料であるポリイミド樹脂２０１上にパッド電極５０２を形成する際、酸素／アルゴン混合ガスを用いたドライエッチングによりポリイミド樹脂２０１の表面に針状突起物５０１を形成する。 - 特許庁

To provide a resin which makes it possible to produce such a photoresist having excellent transparency and dry etching-proof property as a chemical amplification resist for a radiation, especially for KrF excimer laser, etc., and further having excellent characteristics in resolution, sensitivity, heat resistance, wide focus margin and wide exposure margin etc.例文帳に追加

化学増幅型レジストとして特にＫｒＦエキシマレーザーなどの放射線に対する透明性、耐ドライエッチング性に優れ、さらに解像度、感度、耐熱性、広いフォーカスマージン、広い露光マージンなど優れた特徴をもつフォトレジストの製造を可能にする樹脂を提供する。 - 特許庁

To provide the manufacturing method of a semiconductor device for using a mask material that has excellent dry etching resistance and can be formed at low temperature to achieve a fine via hole and a high yield in a semiconductor via hole-machining process, and achieving a high-performance ultra-high-frequency semiconductor device.例文帳に追加

半導体ヴィアホール加工工程において、ドライエッチング耐性良好、かつ低温において形成可能なマスク材料を使用することにより、ヴィアホール微細化や高歩留まり化を達成させ、高性能な超高周波半導体装置が実現できる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

In a dry cleaning method, a resist is provided on a plurality of portions of a metal layer formed on a semiconductor device and the metal layer is etched, and after the remaining metal-contaminated resistor is ashed through reactive ion etching(RIE), downstream type microwave process is performed so as to make the remaining resist easily removable.例文帳に追加

半導体デバイス上に形成された金属層の複数の部分上にレジストを設け、該金属層をエッチングし、このとき残留する金属汚染されたレジストをＲＩＥアッシングした後、ダウンストリーム型マイクロ波プロセスを行って残留レジストを除去しやすくする。 - 特許庁

To obtain a vertical section in a treated shape, when an antireflection film formed of at least two separate layers of at least two kinds of polysilanes is dry-etched with a resist pattern used as a mask and thereby to enable control of the influence of microloading effects produced by a reaction product in etching.例文帳に追加

少なくとも二種類のポリシランを少なくとも二層に分けて成膜した反射防止膜を、レジストパターンをマスクとしてドライエッチングを行う際、加工形状の断面が垂直状に得られるようになり、エッチング時の反応生成物によって生じるマイクロローディング効果の影響を制御できる。 - 特許庁

Thus, a high dielectric constant insulating film 42 as formed in a wide area is subjected to plasma in dry etching only in the step of patterning the high dielectric constant insulating film, and the film has already been patterned in the step of patterning the conductive film for forming the second electrode.例文帳に追加

このため、高誘電率絶縁膜４２は、広い領域にわたって形成された状態でドライエッチング時のプラズマを受けるのは、高誘電率絶縁膜パターニング工程の間だけであり、第２電極形成用導電膜パターニング工程を行う時点では、すでにパターニングされている。 - 特許庁

To provide a base-layer film forming composition for lithography which is used for a lithography process of manufacturing a semiconductor device, has a faster dry etching speed than photoresist, and does not cause intermixing with the photoresist, and is for forming an organic base layer film having excellent charging property of a hole on a semiconductor substrate.例文帳に追加

半導体装置製造のリソグラフィープロセスにおいて使用され、フォトレジストに比べて大きなドライエッチング速度を有し、フォトレジストとのインターミキシングを起こさず、半導体基板上のホールの充填性に優れた有機下層膜を形成するためのリソグラフィー用下層膜形成組成物を提供する。 - 特許庁

To provide a photoresist peeling solution easy to handle, excellent in work efficiency and safety, requiring neither troublesome discharge air treatment nor waste liquor treatment and capable of peeling a photoresist film that remains after dry etching and photoresist residue such as a side wall protecting film without causing a problem such as corrosion of a metal.例文帳に追加

取り扱いが容易で作業性、安全性に優れ、煩雑な排気処理、廃液処理を必要とせず、ドライエッチング後に残存するフォトレジスト膜及び側壁保護膜等のフォトレジスト残渣を金属腐食などの問題もなく剥離することができるフォトレジスト剥離液を提供すること。 - 特許庁

To provide a radiation sensitive resin composition having high sensitivity, high resolution and high radiation transmittance, excellent in smoothness of a pattern surface in micro dimensions and capable of avoiding partial insolubilization in over-exposure without impairing basic solid state properties as a resist such as pattern shape, dry etching resistance and heat resistance.例文帳に追加

パターン形状、ドライエッチング耐性、耐熱性等のレジストとしての基本物性を損なわずに、高感度、高解像度で、放射線透過率が高く、微細寸法でのパターン表面の平滑性に優れ、かつ過露光時の部分不溶化を解消しうる感放射性樹脂組成物を提供する。 - 特許庁

To provide a base material having a negative photoresist layer for an optical disk, which has superior contrast obtained in a developing stage, using dry process and superior mask performance also in a substrate etching stage in subsequent developing stages, and to provide a method for manufacturing a stamper for the optical disk, using the base material.例文帳に追加

ドライプロセスを用いた現像工程で優れたコントラストが得られ、その後の基板エッチング工程においても優れたマスク性能を有する、光ディスク用ネガ型レジスト層付き基材、上記基材を使用して光ディスク用スタンパを製造する製造方法を提供する。 - 特許庁

A method for manufacturing a solid state imaging element comprises the steps of sequentially forming a first polysilicon film 152A and a first silicon oxide film 154A on a silicon substrate 100A via a transfer gate insulating film 150, then dry etching or the like via a photomask 160, and patterning the film 154A and the film 152A together.例文帳に追加

シリコン基板１００Ａ上に転送ゲート絶縁膜１５０を介して第１ポリシリコン膜１５２Ａ、第１シリコン酸化膜１５４Ａを順次成膜した後、フォトマスク１６０を介してドライエッチング等を行い、第１シリコン酸化膜１５４Ａと第１ポリシリコン膜１５２Ａとを併せてパターニングする。 - 特許庁

Accordingly, scraping of the nitride film 13 due to dry etching upon forming the electric charge transfer gate can be stopped by the oxide film 15 on the nitride film 13 whereby the solid state imaging device can be provided with the structure of the gate insulating film, in which faulty transfer or the like in transferring electric charge will hardly be occurred.例文帳に追加

そのため、電荷転送ゲート形成時のドライエッチングによる窒化膜１３の削れを、窒化膜１３上の酸化膜１５で止めることが可能となり、電荷転送時の転送不良等の発生しにくいゲート絶縁膜の構造を持った固体撮像素子を提供できる。 - 特許庁

To provide a semiconductor device which comprises a capacity element having a high reliability and a method of manufacturing the semiconductor device by preventing a capacity insulating film from deteriorating in electric characteristics in the process of forming a contact hole by means of dry etching for connecting an upper electrode with an electric wiring.例文帳に追加

上部電極と電極配線を接続するためのドライエッチングによるコンタクト孔形成における容量絶縁膜の電気的特性劣化を防止することにより、高い信頼性を有する容量素子を備えた半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a blank, a photomask, its manufacturing method, and a pattern transfer method for forming a shading layer as a pattern without trailing the skirt of the shading layer nor exerting adverse influence on a transparent substrate even when dry etching is carried out with a blank having no stopper layer provided between the transparent substrate and shading layer.例文帳に追加

ストッパー層を透明基板と遮光層の間に設けないブランクで、ドライエッチングでエッチングしても、遮光層が裾を引がず、透明基板に悪影響を与えず遮光層をパターンとして形成するブランク、フォトマスク、その製造方法、パターン転写方法を提供すること。 - 特許庁

The method of manufacturing the sheet for display surface comprises: a step of forming the adhesive layer 20 that has a mirror-like surface and contains rubber component; and a step of forming, on the surface of the adhesive layer 20, the groove 23 reaching at least from the center part to the edge by dry etching.例文帳に追加

本発明のディスプレイ表面用シートの製造方法は、表面が鏡面状でゴム成分を含有する貼着層２０を形成する工程と、貼着層２０の表面に、ドライエッチングにより、少なくとも、中央部から縁に到達する溝２３を形成する工程とを有する。 - 特許庁

The manufacturing method of the liquid jet head includes a step of laminating a first metal layer 191 enhancing adhesion and a second metal layer 192 serving as wiring on one surface of a channel formation substrate 10 where a piezoelectric actuator is formed, a step for patterning the second metal layer 192 by wet etching, and a step for patterning the first metal layer 191 by dry etching.例文帳に追加

圧電アクチュエーターが一方面に形成された流路形成基板１０の当該一方面に密着を向上する第１の金属層１９１と、配線となる第２の金属層１９２とを積層する工程と、前記第２の金属層１９２をウェットエッチングによりパターニングする工程と、前記第１の金属層１９１をドライエッチングによりパターニングする工程と、を具備することを特徴とする。 - 特許庁

Upper electrodes 21a, 21b consisting of the polycrystalline silicon film 17 are formed via the insulating film 8 as a capacitance insulating film on the lower electrodes 11a, 11b to form capacitors 36a, 36b by forming the antireflection film and a photoresist pattern on the cap protection film, and sequentially performing dry etching of the cap protection film and the polycrystalline silicon film 17 using the photoresist pattern as an etching mask.例文帳に追加

キャップ保護膜上に反射防止膜およびフォトレジストパターンを形成し、フォトレジストパターンをエッチングマスクとして用いて反射防止膜、キャップ保護膜および多結晶シリコン膜１７を順次ドライエッチングすることで、下部電極１１ａ，１１ｂ上に容量絶縁膜としての絶縁膜８を介して多結晶シリコン膜１７からなる上部電極２１ａ，２１ｂを形成してキャパシタ３６ａ，３６ｂを形成する。 - 特許庁

This dry etching method repeatedly executes a step of generating plasma in a vacuum tank to etch a substrate and a step of sputtering a sold material disposed oppositely to the substrate to form a protective film on the side wall of an etching pattern, wherein a mixed gas obtained by adding a reaction gas for forming a protective film to a noble gas is used as a sputter gas in the protective film forming step.例文帳に追加

本発明のドライエッチング方法は、真空槽内でプラズマを発生させて、基板をエッチングする工程と、基板に対向して配置された固体材料をスパッタして、エッチングパターンの側壁部に保護膜を形成する工程を、交互に繰り返して行うドライエッチング方法であって、保護膜の形成工程では、スパッタガスとして、希ガスに保護膜形成用の反応ガスを添加した混合ガスを用いる。 - 特許庁

To provide a method of forming an element isolation layer of a semiconductor memory device, capable of filling a fluid first insulating film on the bottom surface of a trench, forming a second insulating film, then performing a dry etching process and a wet etching process and reducing the amount of fluorine (F) included in the second insulating film while expanding the top width of the trench.例文帳に追加

本発明は、トレンチの底面に流動性の第１の絶縁膜を満たし、第２の絶縁膜を形成した後に乾式エッチング工程及び湿式エッチング工程を行ってトレンチの上部の幅を広げながら第２の絶縁膜に含まれるフッ素(Ｆ；fluorine；フローリン)の量を減少させることができる半導体メモリ素子の素子分離膜形成方法を提供することを可能にすることを目的としている。 - 特許庁

The method for manufacturing a halftone phase shift mask includes steps of forming the MoSi halftone phase shift film having a film thickness giving the phase difference of ≤135° on the quartz glass substrate by reactive sputtering and etching the quartz glass substrate using a chromium film as a mask by dry etching by magnetic neutral line discharge plasma with addition of a gas having an effect of protecting a side wall to the process gas.例文帳に追加

また、本発明によるハーフトーン型位相シフトマスクの製造法は、石英ガラス基板上に、反応性スパッタリング法によりＭｏＳｉ系のハーフトーン位相シフト膜を位相差が１３５°以下となるような膜厚に成膜し、続いてクロム膜をマスクとして、磁気中性線放電プラズマによるドライエッチングによりプロセスガスに側壁保護効果をもつガスを添加して、石英ガラス基板をエッチング処理することから成る。 - 特許庁

The method of manufacturing the laminated structure for the disk driving suspension assembly comprising using the multilayered lamination sheet having the first layer 50 consisting of the metallic spring material, the intermediate second layer 90 consisting of the electrical insulating material and the third layer 70 consisting of the conductive material and performing the dry etching process after wet etching as a process step of molding the second layer 90 and the laminated structure thereof are provided.例文帳に追加

金属ばね材からなる第１層５０と、電気絶縁材からなる中間の第２層９０と、導電材からなる第３層７０とを有する多層合わせシートを使用し、第２層９０の成形工程としてウェットエッチングの後、ドライエッチングプロセスを行うことを特徴とするディスク駆動サスペンションアセンブリ用の積層構造体の製造方法及びその積層構造体を提供する。 - 特許庁

To provide a resist underlayer film material for a multilayer resist film used in lithography for forming a resist underlayer film which has very excellent dry etching resistance, highly prevents twisting during substrate etching, and avoids a poisoning problem in forming an upper layer pattern using a chemically amplified resist, a method for forming the resist underlayer film, a patterning method, and a fullerene derivative.例文帳に追加

リソグラフィーで用いられる多層レジスト膜のレジスト下層膜材料であって、ドライエッチング耐性に非常に優れ、基板エッチング中のよれの発生を高度に抑制できると共に、化学増幅型レジストを用いた上層パターン形成におけるポイゾニング問題を回避できるレジスト下層膜を形成するためのレジスト下層膜材料、レジスト下層膜形成方法、パターン形成方法、及びフラーレン誘導体を提供することを目的とする。 - 特許庁

The manufacturing method comprises steps for: forming an electrode 15 on a glass board being the electrode board 10; drilling a prescribed position of the glass board; forming a protective film such as a dry film and a resist on a surface where the electrode 15 is formed; and wet-etching a part that is subjected to at least the drilling.例文帳に追加

電極基板１０となるガラス基板上に電極１５を形成する工程と、ガラス基板の所定の位置を掘削加工する工程と、電極１５が形成された面にドライフィルム、レジスト等の保護膜を形成する工程と、少なくとも掘削加工された部分に対してウェットエッチングを行う工程とを有する。 - 特許庁

To provide a (meth)acrylic polymer high in transparency to radiation, excellent in basic properties as a resist such as sensitivity, resolution, dry etching resistance, pattern form, etc. especially excellent in the solubility to a resist solvent, and suitable for a radiation-sensitive resin compound which reduces the roughness on a pattern sidewall after developing.例文帳に追加

放射線に対する透明性が高く、しかも感度、解像度、ドライエッチング耐性、パターン形状等のレジストとしての基本物性に優れ、特に、レジスト溶剤への溶解性に優れ、現像後のパターン側壁のラフネスを低減する感放射線性樹脂組成物に適した（メタ）アクリル系重合体を提供する。 - 特許庁

In dry etching for patternizing a silicon nitride 12 and silicon oxide film 11 by using a resist pattern 13, introduction defects at the time of growth in a silicon substrate 10, which cause conical pattern defects, are removed by digging the surface part of the groove formation region of the silicon substrate 10 at overetching.例文帳に追加

シリコン窒化膜１２及びシリコン酸化膜１１をパターン化するためのレジストパターン１３を用いたドライエッチングにおいて、オーバーエッチング時にシリコン基板１０における分離用溝形成領域の表面部を掘り下げることにより、円錐状パターン欠陥の原因となるシリコン基板１０中の成長時導入欠陥を除去する。 - 特許庁

The photomask blank is for dry-etching processing and has, in order from the light-transmissive substrate side, a layer comprising a material having metal, silicon, oxygen, and/or nitrogen as main components and a layer comprising a material mainly containing chromium and nitrogen and substantially having a diffraction peak of CrN(200) in X-ray diffraction.例文帳に追加

該フォトマスクブランクは、ドライエッチング処理用のフォトマスクブランクであって、透光性基板側から、金属、シリコン、酸素及び／又は窒素を主たる構成要素とする材料からなる層と、主にクロムと窒素とを含む材料からなり、かつ、Ｘ線回折による回折ピークが実質的にＣｒＮ(２００)からなる層とを有する。 - 特許庁

In dry etching employing a resist pattern 13 for patterning a silicon nitride film 12 and a silicon oxide film 11, a defect introduced into a silicon substrate 10 at the time of growth to cause a conical pattern defect is removed by digging down the surface of an isolation trench forming region on a silicon substrate at the time of overetching.例文帳に追加

シリコン窒化膜１２及びシリコン酸化膜１１をパターン化するためのレジストパターン１３を用いたドライエッチングにおいて、オーバーエッチング時にシリコン基板１０における分離用溝形成領域の表面部を掘り下げることにより、円錐状パターン欠陥の原因となるシリコン基板１０中の成長時導入欠陥を除去する。 - 特許庁

To provide a dry etching method with which no undercut occurs and a working shape difference hardly occurs between an isolate pattern and a congestion pattern, in the step of selectively removing a chemical compound semiconductor layer containing neither Al nor In and laminated on a chemical compound semiconductor layer containing either Al or In.例文帳に追加

ＡｌもしくはＩｎを含む化合物半導体層の上に積層されたＡｌもしくはＩｎを含まない化合物半導体層を選択的に除去する工程において、アンダーカットが生じず、且つ、孤立パターン部と密集パターン部における加工形状差の生じにくい、ドライエッチング方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for easily removing a residual generated in dry-etching on SiN (silicon nitride) which is an insulting film layer in a process for manufacturing a semiconductor substrate and efficiently cleaning the semiconductor substrate without the corrosion of a-Si, polysilicon and a wiring material, which are used for a glass substrate and a thin film circuit.例文帳に追加

半導体基板を製造する工程で、絶縁膜層であるＳｉＮ（窒化シリコン）等のドライエッチング時に発生する残渣物を容易に除去でき、さらにガラス基板や薄膜回路に使用されるａ−Ｓｉ、ポリシリコンや配線材料を全く腐食することなく極めて効率良く半導体基板を洗浄する方法を提供する。 - 特許庁

In the multistep dry etching method for processing a gate electrode of a semiconductor device, a step for removing residual components under a high vacuum state is provided between steps, or a step for introducing an He gas or N_2 gas into a chamber and substituting it for the residual components is provided between the steps.例文帳に追加

半導体装置のゲート電極加工をマルチステップのドライエッチングにて行うドライエッチング方法において、ステップとステップの間に高真空状態で残留成分を除去するステップを設ける、あるいは、ステップとステップの間にＨｅガスあるいはＮ_2ガスをチャンバー内に導入し、残留成分を置換するステップを設ける。 - 特許庁

To provide a polymer which has excellent transparency, excellent dry etching resistance and excellent solubility in organic solvents, to provide a chemical amplification type resist composition suitable for far infrared light excimer laser lithography, electron beam lithography and the like, and to provide a method for forming a pattern with the chemical amplification type resist composition.例文帳に追加

優れた透明性と高いドライエッチング耐性とを有し、有機溶媒に対する溶解性にも優れた重合体、遠紫外光エキシマレーザーリソグラフィーや電子線リソグラフィー等に好適な化学増幅型レジスト組成物、および、この化学増幅型レジスト組成物を用いたパターン形成方法を提供する。 - 特許庁

A mask blank has a thin film for forming a pattern on a light transmitting substrate, wherein the thin film comprises an upper layer made of a material containing Cr and oxygen and a lower layer made of a material that contains Ta or its compound and can be etched by a dry etching process that uses a fluorine-based gas.例文帳に追加

透光性基板上にパターンを形成するための薄膜を有するマスクブランクにおいて、薄膜は、Ｃｒと酸素を含む材料で形成されている上層と、Ｔａまたはその化合物を含み、且つ、弗素系ガスを用いたドライエッチング処理によりエッチング加工が可能な材料で形成されている下層とからなる。 - 特許庁

To provide a post-ashing treatment solution which prevents the corrosion of metallic wiring and reliably removes residue such as a degenerated photoresist film and a metallic deposition from a substrate subjected a ashing after dry etching under severer conditions in an ultrafine patterning process and a treatment method using the solution.例文帳に追加

超微細パターン化プロセスにおけるより過酷な条件のドライエッチング、続いてアッシングが施された基板において、金属配線に対する腐食を防止し、かつホトレジスト変質膜、金属デポジション等の残渣物を確実に除去し得るアッシング後の処理液およびこれを用いた処理方法を提供する。 - 特許庁

To provide semiconductor substrate cleaning solution capable of surely removing residues existing on a semiconductor substrate after dry etching and/or ashing at semiconductor production, and suppressing corrosion on a semiconductor substrate having a Low-k film deterioration layer, and the like, and to provide a semiconductor substrate cleaning method that uses the solution.例文帳に追加

半導体製造におけるドライエッチング及び／又はアッシング後の半導体基板に存在する残渣を確実に除去できると共に、Ｌｏｗ−ｋ膜変質層等を有する半導体基板に対する腐食を抑制することができる半導体基板洗浄液、及びそれを用いた半導体基板の洗浄方法を提供する。 - 特許庁

The halftone phase shift mask is produced by forming a MoSi-based halftone phase shift film having a film thickness giving a phase difference of ≤135° on a quartz glass substrate and engraving the quartz glass substrate with high perpendicular property and in-plane uniformity by dry etching by magnetic neutral line discharge plasma.例文帳に追加

本発明によるハーフトーン型位相シフトマスクは、石英ガラス基板上に、位相差が１３５°以下となるような膜厚をもつＭｏＳｉ系のハーフトーン位相シフト膜を設け、磁気中性線放電プラズマによるドライエッチングで石英ガラス基板を垂直性よく且つ面内均一性よく掘り込んで構成される。 - 特許庁

Since a soluble layer 2 which continuously covers the circumference of a two-layer resist pattern 5 and the whole body of a first thin film 17Z in an area other than the area covered by the two-layer resist pattern 5 is formed, the mold damage of the resist pattern 5 can be suppressed at the time of performing dry etching and the depositing amount of redeposits 9 can also be reduced.例文帳に追加

２層レジストパターン５の周囲と、この２層レジストパターン５によって覆われた領域以外の領域における第１の薄膜１７Ｚとの全体を連続的に覆う可溶層２を形成するので、ドライエッチング時に２層レジストパターン５の型くずれを抑制でき、再付着物９の付着量も低減できる。 - 特許庁

At dry etching of a silicon nitride film deposited on copper using a mixture gas containing a fluorocarbon based gas and an inert gas as a reaction gas, the fluorocarbon based gas contains CF4 and CHF3 at a flow rate ratio of 3:7 to 0:1 or CF4 and CH2F2 at a flow rate ratio of 2.5:1 to 0:1.例文帳に追加

銅の上に配されたシリコン窒化膜をフルオロカーボン系ガス及び不活性ガスとを含む混合ガスを反応ガスとしてドライエッチングするに際し、フルオロカーボン系ガスがＣＦ_4とＣＨＦ_3とを３：７〜０：１の流量比、或いはＣＦ_4とＣＨ_2Ｆ_2とを２．５：１〜０：１の流量比で含むことを特徴とする。 - 特許庁