「Dry etching」に関連した英語例文の一覧と使い方(43ページ目) - Weblio英語例文検索

At first, an upper side surface of a substrate is made to have the periodical structure of alternate horizontal and inclined planes by forming a horizontal plane 11a on the first region 5a of the upper side of the substrate 10 and an inclined plane 11b on the second region 5b thereof with photolithography and dry etching.例文帳に追加

先ず、フォトリソグラフィ及びドライエッチングにより、基板１０の上側部分の第１領域５ａに水平面１１ａ及び第２領域５ｂに傾斜面１１ｂを形成して、基板の上側表面を水平面と傾斜面の周期構造にする。 - 特許庁

To provide a resist stripping solution composition capable of thoroughly removing resist residue which remains after dry etching or ashing in a step for wiring a semiconductor device such as IC or LSI or a liquid crystal panel element at a low temperature in a short period of time and less liable to affect a low dielectric constant film.例文帳に追加

ＩＣやＬＳＩ等の半導体素子や液晶パネル素子の配線工程におけるドライエッチング、アッシング後に残存するレジスト残渣を低温、短時間で完全に除去でき、低誘電率膜への影響の少ないレジスト用剥離液組成物を提供する。 - 特許庁

To provide a radiation-sensitive resin composition for an ArF excimer laser which excels in basic physical properties as a resist, such as transparency, sensitivity, resolution, dry etching resistance and pattern profile, in particular, excels in solubility in a resist solvent, and reduces the roughness on a pattern side wall after development.例文帳に追加

透明性、感度、解像度、ドライエッチング耐性、パターン形状等のレジストとしての基本物性に優れ、特に、レジスト溶剤への溶解性に優れ、現像後のパターン側壁のラフネスを低減するＡｒＦエキシマレーザー用感放射線性樹脂組成物を提供する。 - 特許庁

After a first wiring is formed by selectively removing a part of the first interlayer insulating film 204, the first metal layer 203, and the insulating film 202 by photolithography and dry- etching, a second interlayer insulating film 212 is formed using a plasma CVD apparatus.例文帳に追加

フォトリソグラフィーとドライエッチングとによって第１の層間絶縁膜２０４と第１の金属層２０３と絶縁膜２０２の一部とを選択的に除去して、第１の配線を形成した後、プラズマＣＶＤ装置を使用して第２の層間絶縁膜２１２を形成する。 - 特許庁

The photoresist film 30 is developed to remove a photoresist film 30, which is outside the channel 25 being an exposure part, and then a photoresist film 30 which is left inside the channel 25 and unexposed is used as a mask for dry-etching, to remove an amorphous silicon film 26A outside the channel 25.例文帳に追加

次に、フォトレジスト膜３０を現像して露光部である溝２５の外部のフォトレジスト膜３０を除去した後、溝２５の内部に残った未露光のフォトレジスト膜３０をマスクにしたドライエッチングで溝２５の外部のアモルファスシリコン膜２６Ａを除去する。 - 特許庁

An interlayer insulating film 45 is dry-etched using a photoresist film 51 formed thereon as a mask and wiring trenches 52 and 53 are formed by stopping the etching on the surface of a stopper film 46 formed in a halfway portion of the interlayer insulating film 45.例文帳に追加

層間絶縁膜４５上に形成したフォトレジスト膜５１をマスクにして層間絶縁膜４５をドライエッチングし、層間絶縁膜４５の中途部に形成したストッパ膜４６の表面でエッチングを停止することによって配線溝５２、５３を形成する。 - 特許庁

The dry etching device is provided with a plasma source (ICP) 11 for generating a high-density plasma, a high frequency power source 12 for ICP for controlling the plasma density and a high frequency power source 13 provided on the side of a lower electrode in order to give a bias potential to the substrate.例文帳に追加

ドライエッチング装置は、高密度プラズマを生成するプラズマ源（ＩＣＰ）１１と、プラズマ密度を制御するＩＣＰ用高周波電源１２と、基板に対してバイアス電位を与えるために下部電極側に設けた高周波電源１３とを具備する。 - 特許庁

To provide a nitride semiconductor laser less damaging an active layer by dry etching, a self-excited nitride semiconductor laser capable of attaining stable FFP and low consumption power, a nitride semiconductor laser with high reliability, and a method of manufacturing those.例文帳に追加

ドライエッチングによる活性層へのダメージの小さな窒化物半導体レーザと、安定したＦＦＰと、低消費電力化とを実現することの可能な自励発振型の窒化物半導体レーザと、信頼性の高い窒化物半導体レーザと、これらの製造方法とを提供する。 - 特許庁

Since the aluminum grid is formed on the boron layer without damaging the boron layer, the boron layer is completely covered with the aluminum layer, and then a part of the aluminum layer is removed by dry etching, while leaving a thin aluminum layer on a part of the boron layer to be exposed.例文帳に追加

そのホウ素層に損傷を与えず、ホウ素層上にアルミニウム・グリッドを形成するため、ホウ素層をアルミニウム層で完全に覆い、そのアルミニウム層の一部分をドライ・エッチングによって除去するが、ホウ素層の露出される部分に薄いアルミニウム層を残す。 - 特許庁

In the method, patterning is directly applied to the organic thin film formed on a substrate, based on a mask having micro apertures with a scale of micron to nanometer by a dry etching process or vacuum ultraviolet radiation.例文帳に追加

ミクロンからナノメータースケールの微細開口を有するマスクをもとに、基板上に形成された有機物薄膜をドライエッチングプロセスまたは真空紫外光照射により直接パターニングを行なうことを特徴とする有機薄膜の製造方法とそれによる有機薄膜。 - 特許庁

The fine processing method of a glassy carbon base material has a step for providing the glassy carbon base material and performing a heat treatment for 1-10 hours at a temperature not lower than 2,000°C and not higher than 2,500°C in an atmosphere of a halogen gas, and a step for performing a dry etching process after said step.例文帳に追加

本ガラス状カーボン基材の微細加工方法は、ガラス状カーボン基材を用意し、ハロゲンガス雰囲気、２０００℃以上２５００℃以下の温度で１〜１０時間の熱処理を行う工程と、この工程後にドライエッチング加工を行う工程を有する。 - 特許庁

After a first wiring is formed by selectively removing a part of the first interlayer insulating film 204, the first metal layer 203, and the insulating film 202 through photolithography and dry-etching, a second interlayer insulating film 212 is formed using a plasma CVD device.例文帳に追加

フォトリソグラフィーとドライエッチングとによって第１の層間絶縁膜２０４と第１の金属層２０３と絶縁膜２０２の一部とを選択的に除去して、第１の配線を形成した後、プラズマＣＶＤ装置を使用して第２の層間絶縁膜２１２を形成する。 - 特許庁

Next, the silicon substrate 3 is coated with a photoresist and an aligner is used to perform the patterning of the coated silicon substrate 3 through a photomask and the patterned silicon substrate is exposed and developed to be subjected to dry etching to form a minute flow channel groove 8 high in accuracy and having a cross section high in aspect ratio.例文帳に追加

次に、シリコン基板３にフォトレジストをコーティングし、アライナーを使用してフォトマスクでパターンニングをし、露光・現像して、その後、シリコン基板３をドライエッチングすることにより、微小で精度の高い、高アスペクト比の断面を有する流路溝８を作製する。 - 特許庁

A first contact hole 46 that communicates with one of the source area 34 and the drain area 36, and a recessed part 48 that is on the upside of the gate electrode 28 but does not communicate with the gate electrode 28 are simultaneously formed in the second insulating layer 42 by dry etching.例文帳に追加

第２の絶縁層４２に、ソース領域３４及びドレイン領域３６の一方に連通する第１のコンタクトホール４６と、ゲート電極２８の上方であるがゲート電極２８に連通しない凹部４８を同時にドライエッチングによって形成する。 - 特許庁

To provide an antireflection film forming composition which exhibits excellent light absorptivity to the light of wavelength used in manufacture of a semiconductor device, has a high antireflection light effect and has larger dry etching speed compared to a photoresist layer.例文帳に追加

半導体装置の製造に用いられる波長の光に良好な光吸収性を示し、高い反射光防止効果を持ち、フォトレジスト層と比較して大きなドライエッチング速度を有する反射防止膜のための反射防止膜形成組成物を提供すること。 - 特許庁

Thereafter, the film 32 is etched and removed, and thereafter the underlying film 42 is subjected to a dry etching process with use of the Pt film 45 as a mask, thus forming a lower electrode of a capacitive element with use of the Pt film 45 and the conductive underlying film 42 remaining thereunder.例文帳に追加

その後、酸化シリコン膜４３をエッチングで除去した後、Ｐｔ膜４５をマスクにして導電性下地膜４２をドライエッチングすることにより、Ｐｔ膜４５とその下部に残った導電性下地膜４２とで容量素子の下部電極を形成する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of an optical element using a thin plate having a rugged part formed on the surface of a substrate by dry etching and the like, wherein the surface of the substrate which lacks Li by its external diffusion is repaired and breakage of the substrate is suppressed.例文帳に追加

ドライエッチングなどにより基板表面に凹凸部を形成した薄板を使用する光学素子の製造方法において、Ｌｉの外拡散で欠乏した基板表面を補修すると共に、基板の破損を抑制した光学素子の製造方法を提供すること。 - 特許庁

When the shape of the photosensitive resist material is transferred to the cemented carbide by a dry etching method, micro- concaves 14 of about 0.02 μm diameter are formed in micro-concaves 12 in the surface 10b of a structural component of the cemented carbide.例文帳に追加

そして、感光性レジスト材料形状をドライエッチング法によって超硬合金に転写すると、超硬合金の機構部品表面１０ｂ表面のマイクロ凹形状１２の内部に、さらに小さな直径０．０２μｍ程度の凹形状１４が形成される。 - 特許庁

To provide a method for patterning by dry etching capable of easily forming a mask with a taper-shaped side face on a member to be etched with a hollow and well performing the patterning, a mold used for it and a method for manufacturing an inkjet head.例文帳に追加

空洞を有する被エッチング部材上にテーパー形状の側面を有するマスクを容易に形成して良好にパターニングを行うことができるドライエッチングによるパターニング方法及びそれに用いるモールド並びにインクジェットヘッドの製造方法を提供する。 - 特許庁

The first metal layer is exposed by the anisotropic dry etching with the mesh type first metal layer as a mask from the side of the first metal layer 16, and a guide opening hole reaching the acoustic cavity of the silicon substrate is drilled on a clearance part of a part of a mesh.例文帳に追加

第１金属層１６側からはメッシュ状の第１金属層をマスクとして異方性ドライエッチングで第１金属層を露出させるとともにメッシュの一部の隙間部分はシリコン基板の音響キャビティーに達する案内開口の孔をあける。 - 特許庁

To provide a method for making an exposure mask which enables transfer formation of a real pattern with high dimensional accuracy with respect to the design pattern onto a wafer by proximity effect correction considering the loading effect arisen in a dry etching process for making an exposure mask.例文帳に追加

露光マスク作製のドライエッチング工程で発生するローディング効果も考慮した近接効果補正により、設計パターンに対する寸法精度の良好な実パターンをウェハ上に転写形成することが可能な露光マスクの作製方法を提供する。 - 特許庁

The photoresist film 30 is developed to remove a photoresist film 30, which is outside the channel 25 being an exposure part, and then a photoresist film 30 which remains inside the channel 25 and not yet exposed is used as a mask for dry- etching to remove an amorphous silicon film 26A outside the channel 25.例文帳に追加

次に、フォトレジスト膜３０を現像して露光部である溝２５の外部のフォトレジスト膜３０を除去した後、溝２５の内部に残った未露光のフォトレジスト膜３０をマスクにしたドライエッチングで溝２５の外部のアモルファスシリコン膜２６Ａを除去する。 - 特許庁

A process to open contact holes 26, 27 on a passivation film 32 includes: a step to pattern form a photoresist on the interlayer insulating film; and a step to apply dry-etching to the passivation film 32 with the photoresist being used as a mask not through a step for post-baking the photoresist.例文帳に追加

パッシベーション膜３２にコンタクトホール２６，２７を開口する工程は、層間絶縁膜上にフォトレジストをパターン形成する工程と、フォトレジストをポストベークする工程を経ることなく、フォトレジストをマスクとしてパッシベーション膜３２にドライエッチングを施す工程と、を備える。 - 特許庁

To provide a photosensitive resin composition having superior sensitivity and resolution and also having superior property of dry-to-touch, peelability and property of suppressing the contamination of a plating solution as a resist for etching and plating used in the manufacture of a printed wiring board and in the precision working of metal.例文帳に追加

プリント配線板の製造や金属の精密加工等に用いられるエッチングやめっき用のレジストとして、優れた感度、解像性を有し、かつ優れた指触乾燥性、剥離性、耐めっき液汚染性を合わせ持つ感光性樹脂組成物を提供すること。 - 特許庁

In a dry etching device exhaust electrode 11, a plurality of exhaust ports 14 are formed symmetrically on the sidewall of an electrode housing 13 for supporting an electrode plate 12 on which a wafer is mounted, and the exhaust port 14 is coupled to a pipe connection port 15.例文帳に追加

本発明による乾式エッチング装置用排気エレクトロード１１は、ウェーハ５が置かれる電極板１２を支持する電極ハウジング１３の側壁に多数の排気口１４を対称的に形成させて、排気口１４を管連結口１５に連結させてなる。 - 特許庁

Furthermore, after a surface channel layer 5, a gate oxide film 6, a gate electrode 7, etc., are formed in order, these are patterned by dry etching a contact hole for connecting the region 4 and a source electrode is formed simultaneously with patterning of the electrode 7.例文帳に追加

さらに、表面チャネル層５、ゲート酸化膜６、ゲート電極７等を順に形成したのち、これらをドライエッチングによってパターニングし、ゲート電極７のパターニングと同時にｎ^+型ソース領域４とソース電極との接続を行うためのコンタクトホールを形成する。 - 特許庁

To manufacture a semiconductor device excellent in element characteristics and reliability with high yield by carrying out dry etching of a multilayer film having an SiGe film containing Si and Ge and an oxide film to form a gate electrode pattern and a gate oxide film pattern, and then sufficiently removing dry etched products or particles adhering to a semiconductor substrate without damaging the SiGe layer or the gate oxide film configuring the gate electrode.例文帳に追加

Ｓｉ及びＧｅを含有するＳｉＧｅ膜と酸化膜とを有する積層膜をドライエッチングしてゲート電極パターン及びゲート酸化膜パターンを形成した後、ゲート電極を構成するＳｉＧｅ層とゲート酸化膜とを損傷させることなく、半導体基板上に付着したドライエッチ生成物やパーティクルを十分に除去し、素子特性および信頼性に優れた半導体装置を歩留りよく製造する。 - 特許庁

Hydrogen chloride and hydrogen fluoride in gas generated by decomposing chlorofluorocarbon containing chlorine or dry etching exhaust gas are collected by a dry process using a multi-stage solid substance layer which makes sodium hydrogencarbonate a major component, wherein chlorine component only is selectively fixed and collected as sodium chloride at the front layer and fluorine component is fixed and collected as sodium fluoride and/or acidic sodium fluoride at the back layer.例文帳に追加

塩素を含有するフロンを破壊処理して生成したガス、または、ドライエッチング排ガス中の塩化水素、および、フッ化水素を、炭酸水素ナトリウムを主成分とする多段の固形物層を用いた乾式法により、前方の層では塩素分だけを選択的に固定化した塩化ナトリウムとして回収し、後方の層ではフッ素分を固定化したフッ化ナトリウム、および／または、酸性フッ化ナトリウムとして回収する。 - 特許庁

In the production process of a solar cell element comprising a step for forming micro protrusions/recesses on one major surface side of a semiconductor substrate having one conductivity type by dry etching and a step for providing a reverse conductivity type semiconductor region on one major surface side of a semiconductor substrate, the amount being dry etched is limited to 0.015 mg per 1 cm^2 of substrate area.例文帳に追加

一導電型を有する半導体基板の一主面側にドライエッチングで微細な凹凸を形成する凹凸形成工程と、前記半導体基板の一主面側に逆導電型半導体領域を設ける逆導電型半導体形成工程とを具備した太陽電池素子の製造方法において、前記ドライエッチングによりエッチングされる量が、基板面積１ｃｍ^２当たり０．０１５ｍｇを超えないようにした。 - 特許庁

This resist material uses a polymer compound comprising at least a repeating unit of formula (a) containing a naphthalene ring having a specific oxygen-containing substituent on a side chain, and a repeating unit of formula (b) having a specific sulfonium salt group on a side chain, as indispensable units, and thereby, high dry etching resistance is achieved.例文帳に追加

少なくとも、特定の酸素含有置換基を有するナフタレン環を側鎖に含む繰り返し単位（ａ）及び特定のスルホニウム塩基を側鎖に有する繰り返し単位（ｂ）を必須単位として含む高分子化合物をレジスト材料として使用することで高いドライエッチング耐性が得られる。 - 特許庁

Thus, the outer appearance of the end surface portion of the wafer W in the dry etching which is highly relevant to the occurrence of a defect in the device process is observed, so that it can be suitably evaluated whether the wafer W has a high possibility of defect occurrence in the device process.例文帳に追加

デバイスプロセスの欠陥の発生と関連性が強い、ドライエッチングを行った際のウェーハＷの端面部の外観を観察するようにしているので、ウェーハＷがデバイスプロセスにおいて欠陥を発生させる可能性が高いか否かを適切に評価することができる。 - 特許庁

The manufacturing method of a color filter comprises a protective film forming process of forming a protective film on a semiconductor substrate; a recessed part forming process of forming a recessed part by dry-etching the formed protective film; and a filter forming process of forming a color filter layer on the formed recessed part.例文帳に追加

半導体基板上に保護膜を形成する保護膜形成工程、形成された保護膜をドライエッチングにより加工して凹部を形成する凹部形成工程、及び形成された凹部にカラーフィルタ層を形成するフィルタ形成工程とを有するカラーフィルタの製造方法である。 - 特許庁

The method for patterning the organic thin-film that includes a step for forming the organic thin film on a substrate, a step for selectively printing a masking material on a part of the organic thin film, a step for dry-etching a portion exposed out of the organic thin film, and a step for removing the masking material.例文帳に追加

基板上に有機薄膜を形成するステップ、有機薄膜の一部分上にマスク物質を選択的にプリンティングするステップ、有機薄膜のうち露出された部分をドライエッチングするステップ、及びマスク物質を除去するステップを含む有機薄膜のパターニング方法である。 - 特許庁

To provide a radiation sensitive resin composition excellent in dry etching resistance, sensitivity, resolution, etc., as a chemical amplification type resist, capable of avoiding a change of the line width of a resist pattern due to a change of the time elapsed from exposure to post-exposure heating and having superior process stability.例文帳に追加

化学増幅型レジストとして、ドライエッチング耐性、感度、解像度等に優れるとともに、露光から露光後の加熱処理までの引き置き時間の変動によるレジストパターンの線幅変動を回避でき、優れたプロセス安定性を示す感放射線性樹脂組成物を提供する。 - 特許庁

To provide a radiation-sensitive resin composition having high transparency for radiation, excellent basic performances as a resist such as sensitivity, resolution, dry etching durability, pattern profile, and suitable as a chemical amplification type resist having high resolution property in a fine pattern region.例文帳に追加

放射線に対する透明性が高く、感度、解像度、ドライエッチング耐性、パターン形状等のレジストとしての基本性能に優れるとともに、微細パターン領域での高い現像性を有する化学増幅型レジストとして好適な感放射線性樹脂組成物を提供する。 - 特許庁

A source-electrode contact hole 14 and an external-connection-terminal contact hole 32 for a drain line are formed in an overcoat film 13 made of a silicon nitride by dry etching, as well as, external-connection terminal contact hole 22 is continuously formed in the overcoat film 13 and in a gate insulating film 4, respectively.例文帳に追加

ドライエッチングにより、窒化シリコンからなるオーバーコート膜１３にソース電極用コンタクトホール１４およびドレインライン用外部接続端子用コンタクトホール３２を形成し、且つ、オーバーコート膜１３およびゲート絶縁膜４にゲートライン用外部接続端子用コンタクトホール２２を連続して形成する。 - 特許庁

By conducting a process of partially forming a mask on the surface of a substrate and a process of forming concave portions by etch-removing a portion of the surface of the substrate which is not covered with the mask by a dry etching method in this order, concave-convex portions are formed on the surface of the substrate.例文帳に追加

基板の表面に部分的にマスクを形成する工程と、ドライエッチング法を用いて前記基板の表面の前記マスクに覆われていない部分をエッチング除去して凹部を形成する工程とを、この順に行うことにより、基板の表面に凹凸部を設ける。 - 特許庁

An interdigital electrode for forming a surface acoustic wave element piece is manufactured by forming a film of a metal on a piezoelectric board 12, anodic-oxidized the metal to form an anodized film 22 on the metal surface, and dry etching the metal and the anodized film 22.例文帳に追加

弾性波素子片を構成するすだれ状電極は、圧電基板１２上に金属を成膜するとともに、前記金属を陽極酸化して金属表面に陽極酸化膜２２を形成し、前記金属および前記陽極酸化膜２２をドライエッチングして形成する構成とした。 - 特許庁

If the cavity portion occurs between both substrates, there is no pressure difference therebetween because the pressure of an air or a gas residing in the cavity portion already comes nearly into the pressure reduced atmosphere or the vacuum atmosphere in a chamber 13 during dry etching.例文帳に追加

あるいは両基板間に空隙部分が生じたとしても、その空隙部分に残留している空気またはガスの圧力は既にドライエッチング時のチャンバ１３内の減圧雰囲気または真空雰囲気に近い状態となっているので、それらの間で圧力差が生じないようにすることができる。 - 特許庁

In the method for forming a wiring of an MOSFET, wiring layers 22 and 24 formed on an insulating film 20 are etched by dry etching to form groups of wiring lines which are arranged, in each group, to have a set spacing therebetween and are extended in the same direction.例文帳に追加

本方法は、ＭＯＳＦＥＴの配線形成方法であって、絶縁膜２０上に成膜された配線層２２、２４をドライエッチング法によりエッチングして、配線と配線との間が設定配線間スペースで配列され、同じ方向に延在する複数本の配線からなる配線群を形成する。 - 特許庁

After a wiring trench is formed, by sequentially dry-etching an oxide silicon film 22 and a nitride silicon film 21 which are formed on a semiconductor substrate 1, a titanium nitride film and a W film are deposited in the order, on the semiconductor substrate 1 including the inside of the wiring trench, and the wiring trench is filled with the W film.例文帳に追加

半導体基板１上に成膜した酸化シリコン膜２２および窒化シリコン膜２１を順次ドライエッチングすることによって配線溝を形成した後、その配線溝内を含む半導体基板１上に窒化チタン膜およびＷ膜を順次堆積して、配線溝をＷ膜で埋め込む。 - 特許庁

To provide a pattern forming material from which a high resolution negative pattern is obtained using supercritical carbon dioxide without deteriorating dry etching resistance, and also to provide a pattern forming material and a developing method which enable a fine pattern to be formed without pattern falling.例文帳に追加

本発明の目的は、ドライエッチング耐性を低下させることがなく、高解像度のネガ型パタンが超臨界の二酸化炭素で得られるパタン形成材料を提供し、微細なパタンをパタン倒れなしに形成できるパタン形成材料及び現像方法を提供するものである。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a semiconductor device avoiding the problem of causing etch stop owing to reduced aperture diameters and the problem of increased contact resistance owing to reduced contact areas caused by the tapered bottom part in the case of forming a through hole by dry-etching a thick insulating film.例文帳に追加

厚い絶縁膜をドライエッチングしてスルーホールなどを形成する場合、開口径が小さくなるとエッチング停止が生じる問題や底部ほど先細りして接触面積が小さくなり接触抵抗が増大する問題を回避する半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

An electrically conductive film is formed on the second interlayer insulating film 9, and patterned by dry etching to form an inspection signal input pad 14b connected to the other impurity region 5b and a switching signal input pad 14a connected to the gate electrode 4b.例文帳に追加

第２の層間絶縁膜９に導電膜を形成し、この導電膜をドライエッチングによりパターニングすることにより、他方の不純物領域５ｂに接続する検査信号入力用パッド１４ｂと、ゲート電極４ｂに接続するスイッチング信号入力用パッド１４ａとを形成する。 - 特許庁

To provide a ceramic insulator cleaning method by which a contaminated expensive part of a ceramic insulator can be cleaned excellently in a dry etching chamber and the service life of the expensive part can be prolonged while hardly damaging the expensive part.例文帳に追加

乾式エッチング装置内の汚染された絶縁体部品に対して優れた洗浄効果を有し、セラミック絶縁体部品自身がほとんど損傷せずに高価なセラミック絶縁体部品の寿命を延長させることができるセラミック絶縁体の洗浄方法を提供する。 - 特許庁