「Dry etching」に関連した英語例文の一覧と使い方(40ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a photoresist release agent causing little damage to the surface of a silicon substrate and having excellent striping performance for a photoresist subjected to a dry etching process or an ion implantation process or for a residue produced after the oxygen plasma treatment of a photoresist.例文帳に追加

シリコン基板の表面へのダメージが少なく、しかもドライエッチング工程やイオン注入工程を経たフォトレジスト、フォトレジストを酸素プラズマで処理した後に生じる残渣物の剥離性能に優れたフォトレジスト剥離剤を提供する。 - 特許庁

When a TFD 10 of lateral structure is manufactured, a resist mask 19 is formed on a tantalum film 13 and a thick first insulating film 17, and then the first insulating film 17 and the tantalum film 13 are subjected to dry etching.例文帳に追加

ラテラル構造のＴＦＤ１０を製造するにあたって、タンタル膜１３および分厚い第１の絶縁膜１７の上にレジストマスク１９を形成した後、第１の絶縁膜１７およびタンタル膜１３に対してドライエッチングを行う。 - 特許庁

To provide a positive type resist composition having high transparency particularly to ArF excimer laser beam and high resolution and capable of forming a resist pattern excellent in pattern shape, dry etching resistance and adhesion to a substrate.例文帳に追加

特にＡｒＦエキシマレーザー光に対して透明性が高く、かつ高解像性を有すると共に、レジストパターン形状、耐ドライエッチング性及び基板との密着性に優れるレジストパターンを形成しうるポジ型レジスト組成物を提供する。 - 特許庁

To provide a composition forming an antireflection film for lithography having a high antireflection effect, causing no intermixing with a resist layer, giving an excellent resist pattern, and having a fast dry etching speed compared to the resist.例文帳に追加

反射光防止効果が高く、レジスト層とのインターミキシングが起こらず、優れたレジストパターンが得られ、レジストに比較して大きなドライエッチング速度を有するリソグラフィー用反射防止膜を形成する組成物を提供するものである。 - 特許庁

A manufacture of the silicone coat 3 includes a step for preparing a silicone wafer 4 as a base material of the silicone coat 3, and a step for forming the fine pattern 5 on the surface of the silicone wafer 4 by patterning by lithography and anisotropic dry etching.例文帳に追加

シリンコンコート３の作製は、シリコンコート３の基材としてシリコンウエハ４を準備する工程と、シリコンウエハ４の表面に、リソグラフィによるパターニングと異方性ドライエッチングとによって微細パターン５を形成する工程とを含む。 - 特許庁

With the use of a photosensitized polyimide instead of polyimide, a via hole, etc., required for multi layer or other application is provided by exposure and development through a mask with no etching dry film pasted nor laser process.例文帳に追加

ポリイミドの代わりに感光性ポリイミドを使用することによって、エッチング用ドライフィルムを貼ったり、レーザー処理しなくてそのままマスクを通して、露光、現像すれば多層化その他の用途に必要なビアホール等ができることになる。 - 特許庁

To provide a positive resist composition for microprocessing which is sensitive to far UV rays and which has sufficient dry etching durability, sensitivity, transparency for ArF excimer laser light and excellent alkali developing property.例文帳に追加

遠紫外線に感応する微細加工用ポジ型レジスト組成物であって、十分なドライエッチング耐性、感度、およびAｒFエキシマレーザーに対する透明性を有し、かつ優れたアルカリ現像性を有するポジ型レジスト組成物を提供することである。 - 特許庁

To provide a chemical amplification type resist composition excellent in adhesiveness to a substrate, dry etching resistance and developability as well as in transparency to ArF excimer laser light, resolution and sensitivity characteristics.例文帳に追加

ＡｒＦエキシマーレーザー光に対する透明度が優れ解像度及び感度特性が優れているだけでなく、基板に対する接着性、乾式エッチング耐性、及び現像性などが優れた化学増幅型レジスト組成物を提供する。 - 特許庁

To provide a negative resist composition which retains solubility in an alkali developer while improving dry etching resistance and resistance to an electron beam from a scanning electron microscope (SEM) and further has high resolution.例文帳に追加

ドライエッチング耐性および走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）による電子線への耐性を向上させるとともにアルカリ現像液に対する溶解性を維持し、さらに高解像性を有するネガ型レジスト組成物を提供することを課題とする。 - 特許庁

To provide a resist removing and rinsing method for a semiconductor substrate by which resist residue produced after dry etching is thoroughly removed and the corrosion of a metallic electrically conductive film of Al, Al alloy or the like can be satisfactorily prevented.例文帳に追加

ドライエッチング後に発生するレジスト残渣を完全に除去し、さらに、アルミニウムあるいは，アルミニウム合金等の金属導電膜の腐食を良好に防止することができる半導体基板のレジスト剥離、リンス方法を提供すること。 - 特許庁

To provide an antireflection film composition for lithography having a high antireflection effect, causing no intermixing with a photoresist layer, giving an excellent photoresist pattern, having a high dry etching rate compared to a photoresist and having excellent thermal stability.例文帳に追加

反射光防止効果が高く、フォトレジスト層とのインターミキシングが起こらず、優れたフォトレジストパターンが得られ、フォトレジストに比較して大きなドライエッチング速度を有し、熱安定性に優れたリソグラフィー用反射防止膜組成物を提供すること。 - 特許庁

To provide a temperature measuring instrument capable of measuring a temperature precisely under a plasma generating environment in a process for PVD, CVD, dry etching or the like, and capable of precluding atmosphere from being contaminated even when measuring the temperature in a high temperature range.例文帳に追加

ＰＶＤ、ＣＶＤ、ドライエッチング等の工程におけるプラズマ発生環境下において、精度の高い温度計測が可能で、且つ高温域で温度計測する場合にも雰囲気を汚染することのない温度計測器を提供すること。 - 特許庁

When the retentive capacity of a liquid crystal display is structured, after a thick lower-layer-side gate insulating layer 4a of an insulating layer 4 is formed, the part of the layer 4a overlapping a lower electrode 3c is removed by the dry etching.例文帳に追加

液晶装置の保持容量を構成するにあたって、ゲート絶縁層４の厚い下層側ゲート絶縁層４ａを形成した後、ドライエッチングにより下電極３ｃと重なる部分の下層側ゲート絶縁層４ａを除去する。 - 特許庁

After transfer, chemical dry etching (CDE) is applied, to make the surface roughness (Ra) of the rear surface 4 of the semiconductor chip 30≥0.05μm, for example, and hereby to remove minute chippings, microcracks, and crushed layers or the like on the cut surface of the semiconductor chip 30.例文帳に追加

転写後、ケミカルドライエッチング（ＣＤＥ）を行い、半導体チップ３０の裏面４の面粗さ（Ｒａ）を、例えば、０．０５μｍ以上にして半導体チップ３０の切断面の微少なチッピング、微少なカケ、破砕層等を除去する。 - 特許庁

Next, the anti-reflection film 12 and the SiOC film 11 are subjected to dry-etching using the resist pattern 13 as the mask and using process gas prepared by adding CO gas to mixed gas of CHF_3 gas, CF_4 gas, O_2 gas and Ar gas.例文帳に追加

次に、反射防止膜１２及びＳｉＯＣ膜１１に対して、レジストパターン１３をマスクにすると共に、ＣＨＦ_3 ガス、ＣＦ_4 ガス、Ｏ_2 ガス及びＡｒガスの混合ガスにＣＯガスが添加されてなるプロセスガスを用いてドライエッチングを行なう。 - 特許庁

Under such condition as at least a dry-etching rate of an inter- layer insulating film is significantly slower than an inter-layer insulating film positioned outside of it, the inter-layer insulating film on the outer side is selectively etched to form a through hole.例文帳に追加

少なくとも外側の層間絶縁膜よりも、その内側の層間絶縁膜のドライエッチングレートが極めて遅い条件で、外側の層間絶縁膜を選択的にエッチングして、スルーホールを形成することを特徴とする。 - 特許庁

The second light-shieldale film 14 is the film that is primarily composed of a silicon-containing compound that can be etched by F-based dry etching, such as silicon oxide, silicon nitride, silicon oxynitride, silicon/transition-metal (such as molybdenum (Mo)) oxide, silicon/transition metal nitride or silicon/transition metal oxynitride.例文帳に追加

さらに、第２の遮光性膜１４はＦ系ドライエッチングが可能な珪素含有化合物を主成分とする、珪素や珪素と遷移金属（例えば、モリブデン（Ｍｏ））の酸化物、窒化物、または酸化窒化物などの膜である。 - 特許庁

To enable the removal of an excess conductive film on an insulating film by polishing or dry etching without producing scratches and deterioration in the surface of the insulating film consisting of materials, which are mechanically and chemically weak, when a groove wiring is formed.例文帳に追加

溝配線を形成する際に、機械的、化学的に弱い材料からなる絶縁膜表面に傷や変質を生じることなく、絶縁膜上の余剰な導電膜を研磨もしくはドライエッチングによる除去を可能にする。 - 特許庁

Washing liquid containing 0.01 to 15 wt.% of the fourth class ammonium hydroxides and 40 to 95 wt.% of water-soluble organic solvent is used for washing so that strongly bonded etching residues remaining after dry etching is removed in a short period of time, and prevent copper wiring raw materials or insulating film materials or the like is prevented from being oxidized or corroded.例文帳に追加

第４級アンモニウム水酸化物０．０１〜１５重量％と水溶性有機溶媒４０〜９５重量％を含んだ洗浄液を用いて洗浄することにより、ドライエッチング後に残存する強固に固着したエッチング残渣を短時間で除去でき、かつ、銅配線素材や絶縁膜材料等の酸化または腐食することがなかった。 - 特許庁

The method for producing a glass microlens array includes a step of locally applying stress to a glass substrate so polished as not to leave a crushed layer by being irradiated with laser light, and a step of forming portions in which stress is locally present in a lens shape by subjecting the stress applied glass substrate to isotropic dry etching or isotropic wet etching.例文帳に追加

本ガラス製マイクロレンズアレイ製造方法は、破砕層がないように研磨されたガラス基板にレーザ光を照射して局所的に応力を与える工程と、応力が与えられたガラス基板に等方的なドライ・エッチングあるいは等方的なウエット・エッチングを施して、局所的に応力が存在する部分をレンズ状に成形する工程を有する。 - 特許庁

To provide a new fluorine-containing polymerizable cyclic olefin that is useful as a raw material for a base resin of a photoresist material because it has excellent transparency to radial rays of, for example, ≤ 200 nm wavelength, particularly ≤ 160 nm wavelength, further excellent etching resistance to the dry etching and shows good image-developing properties with the hydrophobic properties suppressed.例文帳に追加

例えば、波長２００ｎｍ以下、特に波長１６０ｎｍ以下の放射線に対する透明性、およびドライエッチングに対するエッチング耐性に優れ、しかも疎水性が抑制されて現像特性が良好であり、そのためフォトレジスト材料のベース樹脂の原料として有用な新規含フッ素重合性環状オレフィン化合物を提供する。 - 特許庁

Then the insulating material layer is removed secondarily by a normal wet etching method or a dry etching method, to a prescribed protruded thickness from the surface of the semiconductor substrate, namely a thickness equal to the insulating material layer which is removed at intermediate treatment process, after removing the CMP cut-off pattern and before forming a gate oxide film is left.例文帳に追加

次に、半導体基板の表面から所定の突出した厚さ、すなわち、ＣＭＰ遮断パターンを除去してからゲート酸化膜を形成する前までの中間処理工程時に除去される絶縁物質層の厚さに該当する厚さが残るまで絶縁物質層を通常のウェットエッチング法またはドライエッチング法により２次的に除去する。 - 特許庁

The method of manufacturing the compound semiconductor includes a process wherein, after bonding the surface side of the SiC wafer 1 whereon a compound semiconductor element is formed and a support substrate 2 for supporting the SiC wafer by an adhesive 3 whose softening temperature is above 200°C, the hole 6 is formed by dry-etching from the rear face side of the SiC wafer using a fluorine-contained etching gas.例文帳に追加

化合物半導体素子が形成されたＳｉＣウエハ１の表面側と、このＳｉＣウエハを保持する支持基板２とを、軟化温度が２００℃を超える接着材３により接着した後、上記ＳｉＣウエハの裏面側から弗素を含むエッチングガスを用いてドライエッチングによりバイアホール６を形成する工程を含むようにしたものである。 - 特許庁

The residue processing system comprises a processing tank 12 for processing residue in a trench produced through dry etching of an insulating film, a unit 16 for measuring the amount of features of resist stripper, and a control unit 10 calculating the processing time required for removing residue from the measurement of the amount of features by using correlation of the etching rate of the insulating film and the amount of features.例文帳に追加

絶縁膜のドライエッチングで形成されるトレンチの中に生成される残渣を剥離液で処理する処理槽１２と、剥離液の特徴量を測定する測定ユニット１６と、絶縁膜のエッチング速度と特徴量との相関を用いて特徴量の測定値から残渣を除去する処理時間を算出する制御ユニット１０とを備える。 - 特許庁

The dry etcher comprises an evacuatable chamber 5, a chemical species generating source 2 mounted in the chamber 5 for generating a chemical species 3 having etching actions, and a substrate holder 1 disposed in the chamber 5 for holding a plurality of substrates 4 under process to expose them to the chemical species 3, thereby etching the surface of each substrate.例文帳に追加

ドライエッチング装置は、真空排気可能なチャンバ５と、チャンバ５に搭載されエッチング作用を有する化学種３を発生する化学種発生源２と、チャンバ５内に配され処理対象となる基板４を複数個保持して化学種３に暴露するための基板保持部材１とを有し、各基板４表面のエッチング処理を行う。 - 特許庁

The method includes processes of: (1) forming a single layer film of a translucent light shielding layer comprising one of metal-silicon oxide, metal-silicon nitride and metal-silicon oxynitride or forming a multilayer film of a transparent layer and a light shielding layer on a transparent substrate; and (2) selectively removing the single layer film or the multilayer film by dry etching using an etching gas containing chlorine atoms.例文帳に追加

１）透明基板上に金属−シリコンの酸化物、金属−シリコンの窒化物、金属−シリコンの酸化窒化物のいずれかからなる半透明遮光層の単層膜、もしくは透明層と遮光層からなる多層膜を形成し、２）単層膜、もしくは多層膜を塩素原子を含むエッチングガスを用いたドライエッチングにより選択的にエッチング除去する。 - 特許庁

The method also includes: applying a resist 5 on the hydrophilic portion 4; forming an opening on a desired part of the resist 5; forming an opening on the hydrophilic portion 4 and the silicon-containing thin film 1 by using a chemical containing fluorine to expose the surface of the GaAs semiconductor substrate 2; and forming a via hole 6 by etching on the GaAs semiconductor substrate 2 by a dry etching method.例文帳に追加

この親水化部４上にレジスト５を塗布し、該レジスト５の所望の部位に開口部を形成し、フッ素を含む薬液によりレジスト開口部内の親水化部４および含シリコン薄膜１に、開口部を形成してＧａＡｓ半導体基板２の表面を露出し、ドライエッチ法によりＧａＡｓ半導体基板２にビアホール６をエッチング形成する。 - 特許庁

A pad oxidation film 2 and a nitriding silicon film 3 are formed on a silicon substrate 1, a trench 4 is formed by dry etching to make the nitriding silicon film 3 an etching mask, further the nitriding silicon film 3 is made an oxidation mask to thermally oxidize the silicon substrate 1, and a reforming layer formed on the surface of the nitriding silicon film 3 is removed by a neutral radical containing fluorine in a thermal oxidation process.例文帳に追加

シリコン基板１上にパット酸化膜２と窒化珪素膜３を形成し、窒化珪素膜３をエッチングマスクにしたドライエッチングでトレンチ４を形成し、更に窒化珪素膜３を酸化マスクにしてシリコン基板１を熱酸化し、上記熱酸化工程において窒化珪素膜３表面に形成される改質層をフッ素含有の中性ラジカルで除去する。 - 特許庁

The etching method includes a process (a) of etching the material containing silicon using the gas plasma containing halogen atoms other than fluorine, a process (b) of dry cleaning the interior of the reaction chamber using the gas plasma containing fluorine after the above process (a), and a process (c) of generating oxygen plasma within the above reaction chamber and performing plasma treatment immediately after the above process (b).例文帳に追加

エッチング方法は、（ａ）反応室内で、シリコンを含む材料を弗素以外のハロゲン元素を含むガスプラズマを用いてエッチングする工程と、（ｂ）前記工程（ａ）の後、前記反応室内を弗素を含むガスプラズマを用いてドライクリーニングする工程と、（ｃ）前記工程（ｂ）の直後に、前記反応室内で酸素プラズマを発生させ、プラズマ処理する工程とを含む。 - 特許庁

During the simultaneous etching of the both gates in a semiconductor device wherein an N-type polysilicon gate and a P-type polysilicon gate are arranged, the area of undoped silicon gates which are dummy electrodes is arranged to be larger than the total area of the N-type and P-type doped polysilicon gates, so that the undoped polysilicon is dominant over the doped polysilicon during dry etching for the polysilicon gates.例文帳に追加

Ｎ型ポリシリコンゲートとＰ型ポリシリコンゲートが配置されたデバイスにおいて、両ゲートを同時にエッチングする場合に、ダミー電極であるノンドープポリシリコンゲートの面積をＮ型及びＰ型のドープポリシリコンゲートの全面積よりも多くするように配置して、ドープポリシリコンよりもノンドープのポリシリコンが支配的になるようにして、ポリシリコンゲートをドライエッチングするようにした。 - 特許庁

In a dry etching method, first reaction gas containing hydrogen and second reaction gas containing fluorine are brought into contact with a heating element 110 formed of nickel to generate hydrogen radicals and fluorine radicals, the hydrogen radicals and the fluorine radicals are reacted with the first reaction gas and the second reaction gas to generate etching gas, and a silicon oxide layer on a substrate is etched with the etching gas.例文帳に追加

本実施形態のドライエッチング方法は、水素を含む第１の反応ガスとフッ素を含む第２の反応ガスとをニッケルで形成された加熱体１１０に接触させることで、水素ラジカルとフッ素ラジカルとをそれぞれ生成し、前記水素ラジカルおよび前記フッ素ラジカルと、前記第１の反応ガスおよび前記第２の反応ガスとを反応させることでエッチングガスを生成し、前記エッチングガスによって基板上のシリコン酸化物層をエッチングする。 - 特許庁

The manufacturing method of the group III-V nitride semiconductor layer has a process of forming a metal fluoride layer containing a bivalent or trivalent metal element as at least one part of an etching mask on a group III-V nitride semiconductor layer; a process of patterning the metal fluoride layer by wet etching; and a process of dry etching the group III-V nitride semiconductor layer using the patterned metal fluoride layer as a mask.例文帳に追加

ＩＩＩ−Ｖ族窒化物半導体層上に、エッチングマスクの少なくとも一部として、２価または３価の金属元素を含む金属フッ化物層を形成する工程と、この金属フッ化物層をウェットエッチングによりパターンニングする工程と、パターニングされた金属フッ化物層をマスクとして、前記ＩＩＩ−Ｖ族窒化物半導体層をドライエッチングする工程とを有することを特徴とするＩＩＩ−Ｖ族窒化物半導体層のエッチング方法。 - 特許庁

Under conditions where a maximum etched amount does not exceed the total value of the minimum film thickness of a sacrificial oxide film and the film thickness of the monocrystal semiconductor layer, wet drying is performed after dry etching, whereby the sacrificial oxide film can completely be removed.例文帳に追加

最大エッチング量が犠牲酸化膜の最小膜厚と単結晶半導体層の膜厚との合計値を超えない条件下で、ドライエッチングの後にウエットエッチングを行うことにより、犠牲酸化膜を過不足なく完全に除去できる。 - 特許庁

In the removal process of the semiconductor layer 14, a dry etching method is used so that even an electrode film 19 hidden under a resist 20 can be prevented from being removed, and that any level in difference can be prevented from being generated between the electrode 15 and 16 and the semiconductor layer 14.例文帳に追加

半導体層１４の除去工程では、ドライエッチング法を用いているので、レジスト２０の下に隠れている電極膜１９まで除去されることがなく、電極１５，１６と半導体層１４との間で段差は生じない。 - 特許庁

A color filter array including first and second colored layers 43 and 47 is formed on a support and then an aperture 59 for a black light shielding layer is formed by dry etching so that the first and second colored layers 43 and 47 may be left in a island shape.例文帳に追加

支持体上に第１及び第２の着色層４３，４７からなるカラーフィルタアレイを形成した後、ドライエッチングにより第１及び第２の着色層４３，４７を島状に残すように黒色遮光層用開口部５９を形成する。 - 特許庁

The flattened film 23 in the first region A is selectively removed by dry etching, so that the laminated metal film 22 in the first region A is exposed and a flattened film pattern 23p is formed to cover the laminated metal film 22 in the second region B.例文帳に追加

第１領域Ａ内の平坦化膜２３を乾式エッチングによって選択的に除去し、第１領域Ａ内の積層金属膜２２を露出させ、第２領域Ｂ内の積層金属膜２２を覆う平坦化膜パターン２３ｐを形成する。 - 特許庁

To provide a method and an apparatus for inspecting degeneration amount of a magnetic material capable of quantitatively acquiring the amount of degenerated part of a magnetic material which is caused by work such as dry etching, contributing to efficient development of products that use magnetic material.例文帳に追加

ドライエッチング等の加工に起因する磁性材の変質部分の量を定量的に求めることができ、磁性材を用いた製品の効率的な開発等に寄与しうる磁性材の変質量検査方法及び変質量検査装置を提供する。 - 特許庁

To control excessive etching process within a reactor during dry cleaning while controlling the accumulated film thickness in the down-stream side of a processing region for the purpose of forming a film within the reactor of a double structure including a vertical internal pipe and an external pipe.例文帳に追加

縦型の内管及び外管を含む二重構造の反応容器内を用いて成膜を行うにあたって、処理領域の下流側の累積膜厚を抑制してドライクリーニング時における反応容器内の過剰なエッチングを抑えること。 - 特許庁

To provide a fixture for a CVD system having excellent corrosion resistance to various metals, particularly, Al, Cr, Fe, Co, Ni Cu or gases such as ClF, ClF_3, ClF_5, HCl, and having etching resistance to gases used upon dry cleaning.例文帳に追加

各種金属、特にＡｌ、Ｃｒ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ或いは、ＣｌＦ、ＣｌＦ_３、ＣｌＦ_５、ＨＣｌ等のガスに対して耐食性に優れ、乾式洗浄の時に使用されるガスに対して耐エッチング性に優れているＣＶＤ装置用冶具を提供する。 - 特許庁

Then even when a shoulder cut 20 and a punch-through 21 take place in the resist 6 at dry etching for forming a wire pattern and the resist 6 result in being destroyed, the sacrificial protective film 4 protects the inter-layer isolation film 3 to prevent the surface roughness from being caused.例文帳に追加

これにより、配線パターン形成のためのドライエッチング時にレジスト６に肩落ち２０や突き抜け２１が生じて破壊された場合でも、犠牲保護膜４によって層間絶縁膜３は保護されており、表面荒れは発生しない。 - 特許庁

In the dry etching process of the first stage, a mixture gas of CF_4 and O_2 is used, and a hole 4a having a depth of a level without exposing the carbon nanotube layer 3 is formed in a state where pressure in a reaction chamber is set below 50 Pa.例文帳に追加

第１段階のドライエッチング工程においては、ＣＦ_4およびＯ_2の混合ガスが用いられ、反応室内圧力が５０Ｐａより小さく設定されている状態で、カーボンナノチューブ層３を露出させない程度の深さのホール４ａが形成される。 - 特許庁

To provide an acrylic polymer which is suitable for a radiation-sensitive resin composition which has high transparency to radiation and excels in the basic properties (e.g. sensitivity, resolution, dry etching resistance, and pattern shape) as a resist and particularly excels in contact hole formation.例文帳に追加

放射線に対する透明性が高く、しかも感度、解像度、ドライエッチング耐性、パターン形状等のレジストとしての基本物性に優れ、特に、コンタクトホール形成に優れる感放射線性樹脂組成物に適したアクリル系重合体を提供する。 - 特許庁

Crystals contained in the barrier metal film 26 are grown large in grain diameter to prevent the barrier metal film 26 from being formed at the constricted part of the first interlayer insulating film 17, the residues are prevented from occurring after dry etching, and the array substrate can be prevented from the reduction in yield due to a short circuit caused by the residues.例文帳に追加

バリアメタル膜26の結晶粒径を大きくして第１層間絶縁膜17の括れ部分にバリアメタル膜26を形成することを防止し、ドライエッチング後の残渣の発生を防止して、残渣によるショートなどでの歩留まりの低下を防止できる。 - 特許庁

To provide an actinic ray-sensitive or radiation-sensitive composition and a pattern forming method that uses identical satisfying high sensitivity, high resolution, proper pattern shape, proper line edge roughness and dry etching resistance, at the same time.例文帳に追加

高感度、高解像性、良好なパターン形状及び良好なラインエッジラフネス、さらには耐ドライエッチング性を同時に満足する感活性光線性又は感放射線性低分子化合物含有組成物及びそれを用いたパターン形成方法を提供する。 - 特許庁

In the emitter aperture window forming process, immediately after a SiO_2 layer is removed with the dry etching method using a resist mask, the phosphorus ion is implanted into an Si substrate through the IBDP layer, SiO_2 layer and Si/SiGe layer using the same resist mask.例文帳に追加

エミッタ開口窓の形成工程において、レジストマスクを用いてＳｉＯ_2層をドライエッチングした直後に、同じレジストマスクを用いてＩＢＤＰ層とＳｉＯ_2層とＳｉ／ＳｉＧｅ層を貫通させて、Ｓｉ基板中にＰのイオン注入を行う。 - 特許庁