「Dry etching」に関連した英語例文の一覧と使い方(37ページ目) - Weblio英語例文検索

The manufacturing method of an organic electroluminescent light emitting device includes a process in which an organic EL element, a color conversion layer by a vapor depositing method and a barrier layer are formed on a supporting body, and a patterned high refractive index layer is formed on the barrier layer by a dry etching with the barrier layer as an etching-stop layer and is stuck to a color filter.例文帳に追加

支持体上に、有機ＥＬ素子、蒸着法による色変換層、およびバリア層を形成し、バリア層をエッチストップ層とするドライエッチングにより、バリア層上にパターン化高屈折率層を形成し、カラーフィルタと貼り合わせることを特徴とする有機ＥＬ発光装置の製造方法。 - 特許庁

To provide a cleaning liquid with which etching residues remaining after a dry etching in a wiring process of a semiconductor device or a display device subjected to a copper wiring to be used for a semiconductor integrated circuit, or the like can perfectly be removed in a short period of time, and a copper wiring material, insulation film material or the like cannot be oxidized or corroded.例文帳に追加

半導体集積回路等に用いられる、銅配線が施された半導体素子または表示素子の配線工程におけるドライエッチング後に残存するエッチング残渣を短時間で完全に除去でき、かつ銅配線素材や絶縁膜材料等を酸化または腐食しない洗浄液を提供する。 - 特許庁

In the manufacturing method of the magnetic recording medium 1 for successively laminating at least a magnetic film 5, the protective film 6 and the lubricating layer 7 on a non-magnetic substrate 2, before depositing a lubricant on the protective film 6 and forming the lubricating layer 7, the surface of the protective film 6 is processed by using dry etching such as plasma etching.例文帳に追加

非磁性基板２上に少なくとも磁性膜５、保護膜６および潤滑層７を順次積層する磁気記録媒体１の製造方法において、潤滑剤を保護膜６上に蒸着し潤滑層７を形成する前に、保護膜６の表面をプラズマエッチングなどのドライエッチングを用いて処理する。 - 特許庁

The CVD film 13, the SOG film 11 and the CVD film 9 are sequentially removed by dry-etching using a resist pattern as a mask, continuously a trimming window opening 15 is formed by etching a top layer portion of the multiplayer film 7 and then a part of an upper surface and a side surface of the thin film resistor 5 is exposed (B).例文帳に追加

レジストパターン１９をマスクとして、ドライエッチングによりＣＶＤ膜１３、ＳＯＧ膜１１、ＣＶＤ膜９を順にエッチング除去し、続けて積層膜７の上層部分をエッチング除去してトリミング窓開口部１５を形成し、薄膜抵抗体５の上面及び側面の一部を露出させる（Ｂ）。 - 特許庁

To prevent electrical disconnection caused by furthering side etching in a Ti layer due to the exposure of a W layer when removal is performed by dry etching in the case of forming, on a contact provided with a W plug, an interconnection layer with a structure of Ti/TiN/Al alloy/TiN and with approximately the same width as the contact.例文帳に追加

Ｗプラグを有するコンタクト上にＴｉ／ＴｉＮ／Ａｌ合金／ＴｉＮ構造でコンタクトとほぼ同じ幅の配線層を形成する場合において、ドライエッチで除去を行うときに、Ｗ層が露出しＴｉ層のサイドエッチが促進されて電気的な接続ができなくなることを、防止できるようにする。 - 特許庁

In the case of applying microprocessing to holes and trenches by dry-etching the interlayer insulating film in a plasma environment, fluorocarbon compound gas is employed for etching gas which is halogen group gas (halogen elements are F, I and Br) wherein at least one of the I and Br is 26% or below of the total amount of halogen in terms of an atomic composition ratio and a remaining material is F.例文帳に追加

プラズマ雰囲気中でドライエッチングしてホール、トレンチを微細加工する際に、エッチングガスとして、ハロゲン系ガス（ハロゲンは、Ｆ、Ｉ、Ｂｒ）であって、Ｉ及びＢｒの少なくとも一方が、原子組成比でハロゲンの総量の２６％以下で、残りがＦであるフッ化炭素化合物ガスを用いる。 - 特許庁

After an interconnecting insulating film 111 is formed by laminating a first insulating film 112 composed of an SiOC-based low-permittivity material and a second insulating film 113 composed of porous silica upon another, the second and first insulating films 113 and 112 are respectively dry-etched with an etching gas containing CF_4 and another etching gas containing C_4F_6.例文帳に追加

ＳｉＯＣ系低誘電率材料からなる第１の絶縁膜１１２と、ポーラスシリカからなる第２の絶縁膜１１３を積層して配線間絶縁膜１１１を形成し、ＣＦ_4を含有するエッチングガスで第２の絶縁膜１１３を、Ｃ_4Ｆ_6を含有するエッチングガスで第１の絶縁膜１１２をそれぞれドライエッチングする。 - 特許庁

Also, as the manufacturing method, the surface of the substrate including Si is irradiated with converged Ga ions or In ions, the Ga ions or In ions are implanted while shaving the surface of the substrate, a layer including the Ga or In is formed on the surface of the substrate, and dry etching is performed using the layer including the Ga or In as an etching mask.例文帳に追加

また、その製造方法として、前記Ｓｉを含む基板の表面に集束したＧａイオン又はＩｎイオンを照射して、該基板の表面を削りながらＧａイオン又はＩｎイオンを注入し、該基板の表面にＧａ又はＩｎを含む層を形成し、これをエッチングマスクとしてドライエッチングする方法を構成する。 - 特許庁

Since both the first and second openings 24, 25 can be formed by dry etching, the openings 24, 25 have enhanced dimensional accuracy and the dimensional accuracy of a semiconductor device produced by utilizing the phase shifting mask 20 is enhanced.例文帳に追加

第１及び第２の開口２４、２５が何れもドライエッチングで形成できるので、開口２４、２５の寸法精度が向上し、この位相シフトマスク２０を利用して製造される半導体装置の寸法精度が向上する。 - 特許庁

To provide an SOI wafer including a low-stress film without causing a problem in a process of lithography, resist application, dry etching or the like when used as an MEMS substrate; and to provide a method of manufacturing the same.例文帳に追加

本発明は、ＭＥＭＳ基板として使用する際に、リソグラフィー、レジスト塗布、ドライエッチングなどの工程で問題を引き起こさないような低応力膜を備えたＳＯＩウェーハとその製造方法を提供する。 - 特許庁

In a process for forming a separation groove for separating into chips by dry etching and then surface-roughening a surface where the n-type nitride semiconductor layer 2 is exposed, the side of the active layer 3 is melted and the width is narrowed.例文帳に追加

チップに分離するための分離溝をドライエッチングで形成した後、ｎ型窒化物半導体層２が露出した表面の粗面加工を行う工程で、活性層３の側面が溶けて幅が狭くなったものである。 - 特許庁

To provide a positive resist composition with high resolution, excellent in dry etching resistance, with reduced wear of the film and suitably used in a method for forming a resist pattern via an exposing step using a low-energy electron beam.例文帳に追加

高解像性で、ドライエッチング耐性に優れ、膜減りの低減された、低加速電子線を用いて露光する工程を経てレジストパターンを形成する方法に好適に用いられるポジ型レジスト組成物を提供すること。 - 特許庁

The plasma resistance of deposits 26 produced by dry-etching a side stopper layer with the blank 24 which has the shading layer 12 provided on the transparent substrate 11 and the side stopper layer 17 at its circumferential edge part is higher than the plasma resistance of the side stopper layer.例文帳に追加

透明基板に１１遮光層１２、周縁部にサイドストッパー層１７を設けたブランク２４で、サイドストッパー層をドライエッチングして生じる堆積物２６の耐プラズマ性が、サイドストッパー層の耐プラズマ性より高いこと。 - 特許庁

This manufacturing method comprises preparing an original mold 5 of the mold for micro-parts, by machining the surface of a Si substrate by a lithography method, a dry etching method, or the like, and transferring the original mold 5 to a titanium alloy 7 having superplasticity.例文帳に追加

Ｓｉ基板の表面をフォトリソグラフィー法およびドライエッチング法等により加工することによって、マイクロ部品用金型の原型５を調製し、そして、超塑性を有するチタン合金７に原型５を転写する。 - 特許庁

To provide a radiation-sensitive resin composition having high transparency to a radiation and suitable for use as a chemically sensitized resist excellent in basic properties as a resist, such as sensitivity, resolution, dry etching resistance and pattern shape.例文帳に追加

放射線に対する透明性が高く、感度、解像度、ドライエッチング耐性、パターン形状等のレジストとしての基本性能に優れた化学増幅型レジストとして好適な感放射線性樹脂組成物を提供する。 - 特許庁

To correct failures and defects of a thermohardening type or photo-hardening type transferred rough pattern caused when peeling off from an original in the nano imprint lithography and reduce the failures of device of a wafer after dry etching.例文帳に追加

ナノインプリントリソグラフィで原版から引き剥がすときなどに発生する転写された熱硬化型もしくは光硬化型の凹凸パターンの欠損欠陥を修正し、ドライエッチング後のウェーハのデバイス不良を低減する。 - 特許庁

To realize a resist composition having high transparency with respect to far-ultraviolet rays and radiation and moreover, superior in basic properties as a resist, such as sensitivity, resolution, dry etching resistance, pattern shape and line edge roughness.例文帳に追加

遠紫外線及び放射線に対する透明性が高く、しかも感度、解像度、ドライエッチ耐性、パターン形状及びラインエッジラフネス等のレジストとしての基本特性が優れたレジスト組成物を実現できるようにする。 - 特許庁

To make it possible to remove efficiently only a resist preventing change in properties of a chrome film and etching thereto, when the resist is removed from blanks prior to exposure and those posterior to exposure and development by means of dry ashing using O_2 gas.例文帳に追加

露光前および露光・現像後のブランクスからレジストをＯ_2ガスを用いたドライアッシングにより除去する場合に、クロム膜の変質やエッチングを防ぎつつレジストだけを能率良く除去することを可能にする。 - 特許庁

To provide a negative pattern formation method that allows excellent roughness performance such as line width roughness, exposure latitude, and dry etching resistance, and an actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition and a resist film used for the same.例文帳に追加

ラインウィズスラフネス等のラフネス性能、露光ラチチュード及び耐ドライエッチング性能に優れたネガ型パターン形成方法、それに用いられる感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物及びレジスト膜を提供する。 - 特許庁

To provide an actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition satisfying demands for a wide exposure latitude, favorable pattern features and excellent dry etching durability, and allowing formation of a pattern having fewer defects after development.例文帳に追加

広い露光ラテテュード、良好なパターン形状及びドライエッチング耐性を満たし、更に現像後の欠陥が少ないパターンを形成することができる感活性光線性または感放射線性樹脂組成物を提供する。 - 特許庁

The optical semiconductor integrated circuit device 1 manufactured by this method is constituted so that the insulating layer formed on the top surface of the antireflection film of the photodiode 2 may be removed by dry etching after the multiple wiring layers are formed on the top surface of the substrate 4.例文帳に追加

本発明の光半導体集積回路装置１では、基板４上面に多層の配線層を形成した後に、フォトダイオード２の反射防止膜上面の絶縁層をドライエッチングにより、除去している。 - 特許庁

After removing a portion of the overcoat layer which has been exposed by photolithography by dry etching, the photosensitive material 21a is removed by polishing, and the surface of the overcoat layer 14 is flattened.例文帳に追加

オーバーコート層のうちフォトリソグラフィにより露出することとなった部分をドライエッチングにより除去した後、研磨によって感光性材料２１ａを除去するとともにオーバーコート層１４の表面を平坦化する。 - 特許庁

To provide a positive radiation sensitive resin composition, from which an interlayer insulating film can be formed, the film having high radiation sensitivity and development margin and excellent heat resistance, solvent resistance, low dielectric property, transmittance for rays, resistance against light and resistance against dry etching.例文帳に追加

放射線感度、現像マージンが高く、耐熱性、耐溶剤性、低誘電性、光線透過率、耐光性、耐ドライエッチング性が優れた層間絶縁膜を形成可能なポジ型感放射線性樹脂組成物を提供する。 - 特許庁

To provide a processing method which can easily remove the leftovers occurring at dry etching of an insulating film within a contact hole and also can etch an aluminum film to form an electrode, in a process of manufacturing a liquid crystal panel.例文帳に追加

液晶パネルを製造する工程で、コンタクトホ−ル内の絶縁膜のドライエッチング時に発生した残渣物を容易に除去でき、同時に、電極を形成するアルミニウム膜のエッチングも出来る処理方法を提供する。 - 特許庁

In the treatment method of an amorphous carbon film which is formed on a substrate and has been treated with wet washing after dry etching, the surface of the amorphous carbon film is treated with reforming processing before forming an upper layer thereon after the wet washing.例文帳に追加

基板上に成膜され、ドライエッチング後にウエット洗浄処理が施されたアモルファスカーボン膜の処理方法であって、ウエット洗浄処理後、上層の形成前に、アモルファスカーボン膜の表面改質処理を行う。 - 特許庁

After a coppered laminated board 1 is shaped, washed, and dried, a dry film resist 2 to be an etching resist is laminated on the surface of a copper coil 3 in this method for manufacturing an inner layer circuit board.例文帳に追加

銅張り積層板１を整面した後、水洗し、次いで銅張り積層板１を乾燥した後、エッチングレジストとなるドライフィルムレジスト２を銅箔３の表面にラミネートする内層回路板の製造方法に関する。 - 特許庁

To make pattern dimension constant even if variation exists in the thickness of an underlayer resist layer, when a three-layer resist process is performed by a dry development method, concerning the method for forming a multylayer resist pattern and the etching method.例文帳に追加

多層レジスト・パターンの形成方法及びエッチング方法に関し、ドライ現像法に依って３層レジスト・プロセスを実施する場合、下層レジスト層の層厚にばらつきが存在しても、パターン寸法が一定となるようにする。 - 特許庁

To provide a means for easily forming a metal wiring, having high orientation and a long service life with a substance whose dry etching is difficult, for example, Cu as the materials in a method for forming metal wiring.例文帳に追加

金属配線形成方法に関し、例えばＣｕのようにドライ・エッチングが困難な物質を材料とし、しかも、高い配向性をもった長寿命の金属配線を簡単に形成できる手段を提供する。 - 特許庁

To prevent gate insulating film penetration in a dry etching process when forming a gate electrode pattern in a semiconductor apparatus in which gate structures of an n-channel and that of a p-channel are different from each other and which has metal gate electrodes.例文帳に追加

ｎチャネル及びｐチャネルのゲート構造が異なり且つメタルゲート電極を有する半導体装置において、ゲート電極パターン形成時のドライエッチングでゲート絶縁膜の突き抜けが発生しないようにする。 - 特許庁

To provide a plasma processing method and a semiconductor device manufacturing method capable of effectively removing deposits including metal accumulated on a pattern sidewall by dry processing while suppressing pattern thinning by side etching.例文帳に追加

サイドエッチングによるパターン細りを抑制しつつ、ドライ処理によってパターン側壁に堆積した金属を含む堆積物を効率良く除去することのできるプラズマ処理方法及び半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

Here, by adjusting properly the dry etching at the formation of the hole 18 and the power of the oxygen plasma at the removal of the resist, the thickness of a surface oxide layer 19 generated in the film 142 is formed in a thickness of about 3 nm or thinner.例文帳に追加

ここでコンタクトホール形成時のドライエッチングとレジスト除去時の酸素プラズマのパワーを適当に調節することによって、アモルファスシリコン膜１４２に生ずる表面酸化層１９の厚さを約３ｎｍ以下にする。 - 特許庁

Further, a plating pretreatment (dry etching) is carried out to expose a new film face by removing the surface oxidation layer of the resist layer, and the upper gap layer not being covered with the resist layer is removed to expose the lower gap layer.例文帳に追加

続いて、メッキ前処理（ドライエッチング）を行い、レジスト層の表面酸化層を除去して新たな膜面を露出させるとともにレジスト層で覆われていない上部ギャップ層を除去し、下部ギャップ層を露出させる。 - 特許庁

Then parts existing on an upper surfaces 13A of the resist film 13 and on the main surfaces 11A of the substrate 11 in the film 12 to be patterned are removed by means of a dry etching processing, and thus the upper surfaces 13A of the resist film 13 is exposed.例文帳に追加

そして、被パターニング膜１２の、レジスト膜１３の上面１３Ａと基体１１の主面１１Ａ上に存在する部分をドライエッチング処理によって除去し、レジスト膜１３の上面１３Ａを露出させる。 - 特許庁

The X-ray reflection device includes a plurality of curved slits, formed by dry etching a silicon wafer and an X-ray reflection plane, formed by grinding each sidewall of the plurality of slits using a magnetic fluid.例文帳に追加

Ｘ線反射装置は、シリコンウェハをドライエッチングして複数の曲線状のスリットを形成し、前記複数のスリットの各側壁を磁性流体を使って研磨してＸ線反射面を形成して得られる。 - 特許庁

A light-shielding film 3 and a photosensitive material layer 5 are formed on a quartz substrate 1 (A), a photosensitive material pattern 5a is formed by electron beam lithography (B) and a light-shielding film pattern 3a is formed by dry etching (C).例文帳に追加

石英基板１上に遮光膜３及び感光性材料層５を形成し（Ａ）、電子線描画により感光性材料パターン５ａを形成し（Ｂ）、ドライエッチングにより遮光膜パターン３ａを形成する（Ｃ）。 - 特許庁

Next, a protective film is formed, and gate pads and data pads are exposed by removing the protective film as well as the gate insulating film corresponding to the exposed part of the thin film transistor substrate by dry-etching after the assembly process.例文帳に追加

その次に、保護膜を形成し、アセンブリー工程後に薄膜トランジスタ基板の露出された部分に該当する保護膜をゲート絶縁膜と共に乾式エッチングで除去してゲートパッドとデータパッドとを露出させる。 - 特許庁

An organic material is used for an interlayer insulating film 111 covering a switching element and each wiring, a mask of a metal film 112 is used, and a contact hole is formed by a dry etching method, thereby forming a wiring 114.例文帳に追加

スイッチング素子および各配線を覆う層間絶縁膜１１１として有機材料を用い、且つ、金属膜１１２のマスクを用い、ドライエッチング法によってコンタクトホールを形成し、配線１１４を形成する。 - 特許庁

To suppress increase of dispersion of a TFT characteristic in forming a top contact type TFT using dry etching for processing of a source-drain electrode, degradation of a yield, and reduction in a TFT on-current.例文帳に追加

ソース・ドレイン電極の加工にドライエッチングを用いてトップコンタクト型ＴＦＴを形成する際のＴＦＴ特性バラツキの増大、歩留まりの低下、さらにはＴＦＴオン電流の低減を抑制することにある。 - 特許庁

To provide a negative type radiation sensitive composition having such a chemical structure as to ensure transparency in the far ultraviolet light region and high dry etching resistance and capable of forming a minute pattern by development with an aqueous alkali developing solution without causing swelling.例文帳に追加

遠紫外光領域で透明、かつドライエッチング耐性も高い化学構造を持ち、水性アルカリ現像液で膨潤することなく微細パタンを現像できるネガ型感放射線組成物を提供する。 - 特許庁

To provide a negative type resist composition excellent in transparency particularly to radiation and dry etching resistance as a chemical amplification type resist and giving a resist pattern excellent in sensitivity, resolution, flatness, heat resistance, etc.例文帳に追加

化学増幅型レジストとして特に放射線に対する透明性、ドライエッチング性に優れ、さらに感度、解像度、平坦性、耐熱性等に優れたレジストパターンを与えるネガ型レジスト組成物を提供することにある。 - 特許庁

To provide a micropattern forming method using a highly practical fluorine-containing polymer capable of improving dry etching resistance with respect to a fluorine-containing polymer having high transparency to exposure light of a short wavelength such as F_2 excimer laser light.例文帳に追加

Ｆ_2短波長の露光光に対して透明性の高い含フッ素重合体において、ドライエッチング耐性を改善できる実用性の高い含フッ素重合体を用いた微細パターン形成方法を提供する。 - 特許庁

When at least a pad opening in response to the metal wiring is formed on the protective film, a processing step including a dry etching step is conducted with fluorine gas and is finished before the metal wiring is exposed (S2).例文帳に追加

次に、保護膜上に対し少なくとも上記金属配線に応じたパッド開口部を形成する際、フッ素系のガスによるドライエッチング工程を含む加工工程を経るが、金属配線露出前に終了させる（Ｓ２）。 - 特許庁

To provide a safe and simple remover composition having excellent performance to remove photoresist residue generated in dry etching of a transparent electrically conductive film in a step for producing LCD and not containing an organic solvent.例文帳に追加

ＬＣＤの製造工程において、透明導電膜のドライエッチング時に発生するフォトレジスト残渣に対し、その除去性に優れ、かつ有機溶媒を含有しない安全で簡便な剥離剤組成物を提供すること。 - 特許庁

Thereafter, a gate WSi2 film 107 is formed by sputtering, and dry etching is carried out using a photoresist 108 as a mask to form a gate WSi2 electrode 111 and a WSi2 side wall 109 at the same time.例文帳に追加

その後、ゲートＷＳｉ２層１０７をスパッタ成膜し、さらに、フォトレジスト１０８をマスクとしてドライエッチングを実施し、ゲートＷＳｉ２電極１１１とＷＳｉ２からなるサイドウォール１０９を同時に形成する。 - 特許庁

A first metal film 2 and a second metal film 3 are formed by successively laminating them on a substrate 1 and a plating frame resist 4 having a prescribed pattern is formed on the second metal film 3 using a dry etching method.例文帳に追加

基板１上に第１の金属膜２と第２の金属膜３とを順次積層して形成し、第２の金属膜３上に、ドライエッチング法を用いて所定のパターンのめっきフレームレジスト４を形成する。 - 特許庁