「Dry etching」に関連した英語例文の一覧と使い方(33ページ目) - Weblio英語例文検索

To settle this problem of the damaged layer 37b, the damaged layer 37b is removed in a dry etching step with an oxygen gas or a mixed gas of the oxygen gas and a fluoride gas.例文帳に追加

これを解決するため本発明では、損傷層に酸素ガスを使用するか、又は酸素ガスにフッ化物ガスが添加された混合ガスを使用して乾式エッチングで除去させる。 - 特許庁

A region from the p-type InP window layer 5 to the middle of the undoped InP diffusion buffer layer 4 is removed precisely by dry etching, to form a second mesa with a diameter smaller than that of the first mesa.例文帳に追加

そして、ｐ型ＩｎＰ窓層５からアンドープＩｎＰ拡散バッファ層４の途中までドライエッチングにより精密に除去し、第一のメサより径が小さい第二のメサを形成した。 - 特許庁

After a semiconductor substrate 1 is covered with a resist mask RM, an opening part OP for exposing the entire upper surface of a polysilicon gate 12 is formed using photolithography and dry-etching.例文帳に追加

半導体基板１上をレジストマスクＲＭで覆った後、フォトリソグラフィーおよびドライエッチングを用いて、ポリシリコンゲート１２の上面全体を露出させる開口部ＯＰを形成する。 - 特許庁

In the production, the polymeric material used is a material containing 10-35 wt.% fluorine, and the dry etching is practiced by using a gas at least containing oxygen and containing no fluorine.例文帳に追加

その際、上記の高分子材料としてフッ素を１０〜３５ｗｔ％含有した材料を用い、ドライエッチングを、少なくとも酸素を含みかつフッ素を含まないガスを用いて実施する。 - 特許庁

A polyimide film 32 is formed by applying a polyimide on a PET sheet 33 and a hole 34 of a desired shape is formed by applying dry-etching process to the polyimide film 32 (Fig.3(A)).例文帳に追加

ＰＥＴシート３３上にポリイミドを塗布等して、ポリイミド膜３２を形成し、このポリイミド膜３２に対して、ドライエッチングして所望の形状の孔３４を形成する（図３（Ａ））。 - 特許庁

Next, the oxide film 7 is subjected to anisotropic dry etching to form an offset spacer insulating film 9 for implanting LDD ions into the side wall of the gate electrode 6.例文帳に追加

次に、酸化膜７に対して異方性ドライエッチングを行うことにより、ゲート電極６の側壁部上に、ＬＤＤイオン注入のためのオフセットスペーサ絶縁膜９を形成する。 - 特許庁

To secure a high selection ratio to an insulation film used as a mask material, while controlling the generation of conical pattern defects, in performing dry etching for processing a silicon substrate.例文帳に追加

シリコン基板を加工するためのドライエッチングにおいて、円錐状パターン欠陥の発生を抑制しつつマスク材となる絶縁膜に対して高い選択比を確保できるようにする。 - 特許庁

To provide a reflection type photomask blank and reflection type photomask, wherein a fine pattern can be formed without causing surface roughness of a capping film or change in film quality due to dry etching.例文帳に追加

ドライエッチングによるキャッピング膜の表面あれや膜質の変化を起こさず微細なパターン形成することが可能な反射型フォトマスクブランク及び反射型フォトマスクを提供する。 - 特許庁

Dry etching is carried out to a second semiconductor layer to a half way using a resist as a mask, and a concave with the second semiconductor layer at the bottom and a waveguide ridge adjacent to the concave are formed.例文帳に追加

レジストをマスクとして第２の半導体層を途中までドライエッチングして、底部に第２の半導体層を残した凹部およびこの凹部に隣接した導波路リッジを形成する。 - 特許庁

An exposing exposed area from a dry etching resist 54 includes an area for forming a groove 36 and an area for forming the pair of notches 22 in the pair of vibration arms 18.例文帳に追加

ドライエッチングレジスト５４からの露出領域は、一対の振動腕１８に溝３６を形成するための領域及び一対の切り込み２２を形成するための領域を含む。 - 特許庁

To provide a method of eliminating the surface oxide film of titanium or a titanium compound in the dry etching method of a laminated structure of rare metal film and titanium or a titanium compound.例文帳に追加

貴金属膜とチタンまたはチタン化合物の積層構造のドライエッチング方法において、チタンまたはチタン化合物の表面酸化膜を除去する方法を提供するものである。 - 特許庁

A resist film 33 having patterns in accordance with the through hole 11 of the silicon substrate 10 is formed, and the through hole is formed by dry etching to the substrate 10.例文帳に追加

続いて、シリコン基板１０の貫通孔１１に対応したパターンを有するレジスト膜３３を形成したのち、シリコン基板１０に対してドライエッチングを施すことにより、貫通孔を形成する。 - 特許庁

The semiconductor device electrode film or a semiconductor device wiring film which is superior in dry etching properties is composed of an Al alloy containing Nd of not more than 1.0at%.例文帳に追加

Ｎｄを１．０ａｔ％以下含有するＡｌ合金で構成されていることを特徴とするドライエッチング特性に優れた半導体デバイス電極用膜または半導体デバイス配線用膜。 - 特許庁

A process for forming an opening in an insulation layer 4 formed of a silicone ladder polymer to expose a carbon nanotube layer 3 is executed by using two kinds of dry etching having distinct conditions.例文帳に追加

シリコーンラダーポリマーからなる絶縁層４に開口部を形成し、カーボンナノチューブ層３を露出させる工程は、条件が異なる２種類のドライエッチングを用いて実行される。 - 特許庁

To provide a polycyclic polymer and a polycyclic resist composition useful for a photoresist composition transparent to a short wavelength of image focusing irradiation, and having resistance in a dry etching method.例文帳に追加

短波長の結像照射に対して透明であり、かつドライエッチング法に対して耐性のあるフォトレジスト組成物に有用な多環式ポリマー及び多環式ポリマー組成物を提供する。 - 特許庁

To provide an additive for a photoresist having excellent transparency for ArF excimer light and improves the resolution, dry etching property and sensitivity, and to provide a photoresist composition.例文帳に追加

特にＡｒＦエキシマ光に対する透明性に優れ、解像度、ドライエッチング性、感度の向上を図ることが可能なフォトレジスト用添加剤およびフォトレジスト組成物を提供する。 - 特許庁

By performing patterning to the channel side substrate by dry etching with the channel side substrate and the reservoir forming substrate 30 held on the support, the communicating portion 13 is formed.例文帳に追加

そして、流路側基板及びリザーバ形成基板３０を支持体に保持したまま、流路側基板に対してドライエッチングによるパターニングを行うことで、連通部１３を形成する。 - 特許庁

To provide the manufacturing method of a semiconductor apparatus with reduced parasitic resistance and bonding leakage by effectively removing a damaged layer occurring on a semiconductor substrate or a polysilicon layer due to dry etching.例文帳に追加

ドライエッチングにより半導体基板やポリシリコン層に生じるダメージ層を効果的に除去して、寄生抵抗や接合リークが低減された半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To obtain a nitride semiconductor device which has contact resistance of an n-type electrode of low value not acquired by dry etching using only chlorine gas, even if thermal treatment of at least 400°C is not performed.例文帳に追加

４００℃以上の温度での熱処理をしなくても、塩素ガスのみのドライエッチングでは得られない低い値のｎ型電極のコンタクト抵抗を有する窒化物半導体装置を得る。 - 特許庁

To reduce parasitic resistance when an electrode is formed in each contact hole which is formed on each of semiconductor layers of mesa junctions by using a dry etching method.例文帳に追加

メサ型接合された半導体層のそれぞれの上側に形成された各コンタクトホールにドライエッチング法を用いて電極を形成する際に、寄生抵抗を低減できるようにする。 - 特許庁

To reliably eliminate a corner part or shoulder part of a side wall near an opening of a through via in dry etching for forming the through via in a substrate having an Si layer and an SiO_2 layer as a base layer.例文帳に追加

Si層と下地層としてのSiO_2層を有する基板に貫通ビアを形成するドライエッチングにおいて、貫通ビアの開口部付近の側壁の角部ないし肩部を確実なくす。 - 特許庁

To provide a positive resist composition capable of providing a resist which improves shrinkage of a pattern in observation with SEM (scanning electron microscope) while retaining excellent dry etching resistance and does not require removal of metal.例文帳に追加

優れたドライエッチング耐性を維持したまま、ＳＥＭ観察時にパターンの縮みが改良され、、金属を除去する必要がないレジストを提供し得るポジ型レジスト組成物を提供する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method for a printed circuit board, in which an anchor profile is very small by the small number of processes and which is suitable for a fine pattern by a method, wherein a dry etching operation and a sputtering film formation operation are used.例文帳に追加

ドライエッチングやスパッタ成膜を用いることにより、少ない工程数でアンカープロファイルが非常に小さく、且つ微細パターン化に適したプリント基板の製造方法を提供する。 - 特許庁

A reaction product 12 adhered to a second clad layer 4 and a cap layer 5 is oxidized by dry etching, and the oxidized reaction product 12 is removed by buffered hydrofluoric acid.例文帳に追加

ドライエッチングにより第２クラッド層４およびキャップ層５に付着した反応生成物１２を、酸化させ、この酸化させた上記反応生成物１２をバッファードフッ酸によって除去する。 - 特許庁

A tray 15 of a dry etching device 1 is equipped with substrate accommodating openings 19A to 19D penetrating in the thickness direction, and substrate supporting parts 21 to support peripheral edges of lower surfaces 2a of substrates 2.例文帳に追加

ドライエッチング装置１のトレイ１５は、厚み方向に貫通する基板収容孔１９Ａ〜１９Ｄと、基板２の下面２ａの外周縁部分を支持する基板支持部２１を備える。 - 特許庁

A thermosensitive layer surface is preferably roughened by dry etching, whereby the direct drawing type waterless lithographic printing plate precursor having good inking property can be provided.例文帳に追加

また感熱層表面をドライエッチング処理により粗面化することが好ましく、それにより、インキ着肉性が良好な直描型水なし平版印刷版原版を提供することができる。 - 特許庁

To provide a cleaning method of a board, wherein deposit such as dry etching residue is practically and perfectly eliminated, while film reduction and modification of the surface of a film which is to be a substratum are prevented.例文帳に追加

下地となる膜の膜減りや表面の変質を防止しつつドライエッチング残渣等の堆積物を実質的に完全に除去する基板の洗浄方法を提供すること。 - 特許庁

Next, the surface of the mirror finished surface of the substrate is processed to the rugged shapes (projecting parts 10a and recessed parts 10b) by dry etching, etc., using the resist films Ra as a mask, by which the stamper 10 (ST) is formed.例文帳に追加

次に、レジスト膜Ｒａをマスクとしたドライエッチングなどにより、基体の鏡面の表面を凹凸形状（凸部１０ａおよび凹部１０ｂ）に加工し、スタンパ１０（ＳＴ）とする。 - 特許庁

To perform highly accurate processing in which punch-through of resist and striation due to resist damage are suppressed, in pattern formation by dry etching using a resist after the generation of ArF lithography as a mask.例文帳に追加

ＡｒＦリソグラフィー世代以降のレジストをマスクとしたドライエッチングによるパターン形成において、レジストダメージに起因するレジスト突き抜け及びストライエーションを抑制した高精度加工を行う。 - 特許庁

First, in the mostupper third wiring layer, third layer wiring 11L3, each consisting of a laminated film of conductive films 11a-11c, are formed by photolithography or dry etching technique.例文帳に追加

まず、最上の第３配線層に、導体膜１１ａ〜１１ｃの積層膜で構成される第３層配線１１Ｌ３をフォトリソグラフィ技術およびドライエッチング技術により形成する。 - 特許庁

The first light-shieldable film 13 is a film that is not substantially etched by fluorine-based (F-based) dry etching and is formed with a layer mainly comprising Cr and having a thickness of 3 to 15 nm.例文帳に追加

第１の遮光性膜１３はフッ素系（Ｆ系）のドライエッチングでは実質的にエッチングされない膜であり、Ｃｒを主成分とする膜厚３ｎｍ以上１５ｎｍ以下の層からなる。 - 特許庁

By using a method of dry etching which uses a reactive gas with high processing accuracy for etching and by controlling the etching depth d larger than the thickness (t) of the transparent film 11, the height (h) of disk-like protrusions 13 can be made uniform, fluctuation in the volume of the protrusions 13 can be suppressed and the size of the microlenses 14 after the heat treatment is made uniform.例文帳に追加

エッチングに加工精度の高い反応性ガスを用いたドライエッチング法を用い、エッチングの深さｄが透明膜１１の厚さｔより深くなるようにすることにより、円板状の突起１３の高さｈを一定にすることができ、突起１３の体積変動が抑えられ、熱処理後のマイクロレンズ１４のサイズが均一となる。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a self-aligned ferroelectric gate transistor using a buffer layer with a large etching selectivity, which can achieve a higher degree of integration of the self-aligned ferroelectric gate transistor while preventing damage to a silicon substrate by forming a buffer layer with a large etching selectivity between the silicon substrate and a ferroelectric layer and then performing dry etching.例文帳に追加

シリコン基板と強誘電体層間に蝕刻選択比の高いバッファ層を形成して乾式蝕刻を遂行することで、シリコン基板の損傷を防止しながら自己整列強誘電体ゲートトランジスタの集積度を向上し得る蝕刻選択比の大きいバッファ層を利用した自己整列強誘電体ゲートトランジスタの製造方法を提供する。 - 特許庁

An etching profile in a superior tapered shape can be obtained without undercutting nor projection phenomenon by wet-etching an Mo/AlNd double film or an Mo/Al/Mo triple film as gate and source/drain wiring materials in a single process, and a dry etching process is excluded to make processes smooth for improved productivity, thereby lowering manufacturing costs.例文帳に追加

ゲート及びソース／ドレイン配線材料であるＭｏ／ＡｌＮｄ二重膜またはＭｏ／Ａｌ／Ｍｏ三重膜を単一工程でウェットエッチングして、アンダーカット及び突出現象なしに優秀なテーパ状のエッチングプロファイルを収得でき、ドライエッチング工程を排除することによって、工程を円滑にして生産性を向上させ、生産コストを低減できる。 - 特許庁

An opening 141, which becomes broader toward end part at which the width of the tapered part of the silicon core 103 decreases in extended direction, is formed on a resist film 104, and the silicon core 103 exposed at the opening 141 is processed by a heretofore known reactive ion etching method, for example, a dry etching method using fluorocarbon based gas and hydrocarbon based gas as etching gases.例文帳に追加

シリコンコア１０３が延在している方向の幅が、テーパ部の細くなる先端部に行くほど広くなる開口部１４１をレジスト膜１０４に形成し、公知の反応性イオンエッチングにより、例えば、フッ化炭素系ガスおよび炭化水素系ガスをエッチングガスとしたドライエッチングにより、開口部１４１に露出したシリコンコア１０３を加工する。 - 特許庁

The coating method of silicon particles includes: a mixed particle coating step for coating an underlying substrate 1 with mixed particles of silicon particles 2 and silicon oxide particles 3; and a dry etching step for removing the silicon oxide particles 3 by performing dry etching to the mixed particles on the underlying substrate 1 coated therewith, with higher selection ratio of the silicon oxide particles 3 with respect to the silicon particles 2.例文帳に追加

シリコン粒子２と酸化シリコン粒子３との混合粒子を基材１上に塗布する混合粒子塗布工程と、前記基材１上に塗布された前記混合粒子に対して、前記シリコン粒子２に対する前記酸化シリコン粒子３の選択比が高いドライエッチングを行って前記酸化シリコン粒子３を除去するドライエッチング工程と、を含む。 - 特許庁

Then, after the tensile stress film TSL1 is formed on the entire surface of the semiconductor substrate 1, the tensile stress film TSL1 on the p-channel type MISFETQp is removed by dry etching, and after the compressive stress film CSL1 is formed on the entire surface of the semiconductor substrate 1, the compressive stress film CSL1 on the n-channel type MISFETQn is removed by dry etching.例文帳に追加

その後、半導体基板１全面上に引張応力膜ＴＳＬ１を形成してから、ｐチャネル型ＭＩＳＦＥＴＱｐ上の引張応力膜ＴＳＬ１をドライエッチングで除去し、半導体基板１全面上に圧縮応力膜ＣＳＬ１を形成してからｎチャネル型ＭＩＳＦＥＴＱｎ上の圧縮応力膜ＣＳＬ１をドライエッチングで除去する。 - 特許庁

The method of manufacturing the semiconductor device having wiring and a plug connected to wiring is provided with a step for forming an insulating film on wiring, a step for forming an opening in the insulating film by dry etching for forming the plug, and a step for removing the reaction product generated by dry etching with plasma discharge by hydrogen simple substance gas or gas comprising nitrogen.例文帳に追加

配線と、配線に接続されるプラグとを有する半導体装置の製造方法であって、配線上に絶縁膜を形成する工程と、プラグを形成するためにドライエッチングにより絶縁膜に開口を形成する工程と、水素単体ガスまたは窒素を含むガスによるプラズマ放電により上記ドライエッチングにより生じた反応生成物を除去する工程とを有するものである。 - 特許庁

Dry etching is selectively applied to the high dielectric material film 14 until a maximum value of the high dielectric material film 14 becomes smaller than or equal to 1nm and the high dielectric material film 14 remains, and dry etching is then selectively applied to the high dielectric material film 14 to form a gate insulating film 14A composed of the high dielectric material film 14.例文帳に追加

高誘電体材料膜１４に対して、高誘電体材料膜１４の最大値が１ｎｍ以下であり且つ高誘電体材料膜１４が残存する状態になるまで選択的にドライエッチングを行なった後、高誘電体材料膜１４に対して選択的にウェットエッチングを行なって、高誘電体材料膜１４よりなるゲート絶縁膜１４Ａを形成する。 - 特許庁

This etching composition for an aluminum-containing material is composed of an aqueous solution containing, as essential components, (a) phosphoric acid of 15 to 30 wt.% on dry basis, (b) hydrogen chloride of 10 to 25 wt.% on dry basis and (c) a surfactant of 0.001 to 0.05 wt.%.例文帳に追加

必須成分として、（ａ）無水分換算で１５〜３０重量％のリン酸、（ｂ）無水分換算で１０〜２５重量％の塩化水素及び（ｃ）０．００１〜０．０５重量％の界面活性剤を含有する水溶液からなるアルミニウム含有材料用エッチング組成物。 - 特許庁

After stripe-shaped red patterns 27 are formed as the first color on a support member by using a dry etching method, a blue layer 33B is formed, and the red patterns and the blue layer are dry-etched to form blue pixels 20B, red pixels 20R, and green pixel formation regions 39.例文帳に追加

支持体上に第１色目として、ドライエッチング法を用いて、ストライプ状の赤色パターン２７を形成後、青色層３３Ｂを形成し、赤色パターン及び青色層をドライエッチングして、青色・赤色画素２０Ｂ，２０Ｒ及び、緑色画素形成領域３９を形成する。 - 特許庁

After a conductor 30 is dry etched, a heater substance layer 22 is deposited on the upper part thereof and connected electrically with the conductor 30 and then the heater substance layer 22 is patterned by dry etching to form a heater 20.例文帳に追加

コンダクタ３０をドライエッチングした後でその上部にヒータ物質層２２を蒸着してコンダクタ３０と電気的に連結し，かつ，このヒータ物質層２２をさらにドライエッチングによってパターニングし，ヒータ２０を形成することを特徴とする，インクジェットプリントヘッドおよび製造法が提供される。 - 特許庁

This manufacturing method is designed to determine whether or not an oxide film 13 in a portion A is completely removed by checking electrical conduction between checking conducting films (non-doped polysilicon film 17) 17b and 17c in portions B and C which have not been dry-etched, whereby dry etching can be performed in an appropriate amount.例文帳に追加

ドライエッチングされなかったＢ、Ｃ部分のチェック用導電膜（ノンドープポリシリコン膜）１７ｂと１７ｃ間の電気的な導通をチェックすれことにより、Ａ部分のノンドープポリシリコン膜１７が完全に除去されたか否かを正確に判断し、適量のドライエッチングを施す。 - 特許庁

Subsequently, the opening alignment marks 7 are formed in the membrane 3a, a mask 9 for dry-etching with opening patterns provided at the positions corresponding to support pillar formation positions on the substrate 1 is formed on the substrate 1 using the marks 7, and a support silicon layer is dry-etched in accordance with opening patterns 8 provided in the mask 9.例文帳に追加

続いてシリコンメンブレンに開口アライメントマーク７を形成し、それを用いて支持シリコン基板上に支柱形成位置に対応する位置に開口パターンが設けられたドライエッチング用マスク９を形成し、マスクに設けられた開口パターン８に合わせて支持シリコン層をドライエッチングする。 - 特許庁

To provide a method for selectively fixing hydrogen chloride and hydrogen fluoride in chlorofluorocarbon decomposition gas or dry etching exhaust gas by a dry process using a sodium compound, and collecting and reusing chlorine component as a solid substance of sodium chloride and fluorine component as sodium fluoride and/or acidic sodium fluoride.例文帳に追加

フロン破壊ガス、または、ドライエッチング排ガス中の塩化水素、および、フッ化水素を、ナトリウム化合物を用いて乾式法により選択的に固定化し、塩素分は塩化ナトリウムの固形物として、フッ素分はフッ化ナトリウム、および／または、酸性フッ化ナトリウムとして回収・再利用する方法を提供する。 - 特許庁