「Dry etching」に関連した英語例文の一覧と使い方(35ページ目) - Weblio英語例文検索

After carrying out a series of workings, a protective layer 20, a second insulation film 11 and the semiconductor substrate 1 are removed in this order by a dicing blade and dry etching to form an opening 22 (dissolving agent supply channel).例文帳に追加

一連の加工をした後、ダイシングブレードやドライエッチングによって保護層２０，第２の絶縁膜１１，半導体基板１を順に除去して開口部２２（溶解剤供給経路）を形成する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method in which a protective insulating film (flattening film) formed on a pixel circuit can easily be patterned by dry etching, and a display device manufactured by the manufacturing method.例文帳に追加

画素回路上に形成された保護絶縁膜（平坦化膜）をドライエッチングにより容易にパターニングすることができる製造方法、及び、該製造方法により製造された表示装置を提供する。 - 特許庁

The removing solution for ashing residue formed by dry etching and/or ashing on a Cu/low-k multilevel interconnection structure comprises 0.007 to 0.04 mol/kg of acid, a nonmetallic fluoride salt having a concentration ≥20 times as great as that of the acid, and water.例文帳に追加

0.007〜0.04mol/kgの酸、前記酸の２０倍以上の濃度の非金属フッ化物塩および水を含む、ドライエッチング及び／又はアッシングにより生じたCu/low-k多層配線構造のアッシング残渣の剥離液。 - 特許庁

To provide a chemically amplified positive resist composition capable of forming a thinner resist film and excellent in dry etching resistance, resolution and cross sectional form of a resist pattern.例文帳に追加

本発明は、レジスト膜厚の薄膜化にも対応可能な、耐ドライエッチング性、解像性及びレジストパターン断面形状に優れる化学増幅型のポジ型レジスト組成物を提供することを目的とする。 - 特許庁

A trench 7 is provided to a silicon layer 3 by anisotropic dry etching through the opening 6 of a trench forming mask, and an oxide film 9 is formed as an isolation insulating film inside the trench 7 through a CVD method.例文帳に追加

シリコン層３にトレンチ形成マスクの開口部６から異方性ドライエッチングによりトレンチ７を形成し、その内部に分離絶縁膜としての酸化膜９をＣＶＤ法により形成する。 - 特許庁

In another embodiment, after the exposed thin film is removed to its middle by a dry etching, the remaining thin film is completely oxidized by the anodic oxidation treatment to form the IDT.例文帳に追加

別の実施例では、露出するアルミニウム薄膜をドライエッチングにより途中まで除去した後、残存するアルミニウム薄膜を陽極酸化処理により完全に酸化させてＩＤＴを形成する。 - 特許庁

To provide an apparatus for manufacturing semiconductor devices wherein its sufficient characteristics can be secured for selectively etching an etched film, the upper-layer film thereof, and the lower-layer film thereof which are present on its semiconductor substrate and are object of dry etchings.例文帳に追加

ドライエッチングの対象となる半導体基板上の被エッチング膜とその上層の膜や下層の膜との選択的なエッチング特性を十分に確保し得る半導体製造装置を提供する。 - 特許庁

To provide a radiation-sensitive resin composition excellent in various properties including transparency to a radiation, sensitivity, resolution, dry etching resistance and pattern shape, and useful as a chemically amplified resist.例文帳に追加

放射線に対する透明性、感度、解像度、ドライエッチング耐性、パターン形状等を含めた幅広い特性に優れた化学増幅型レジストとして有用な感放射線性樹脂組成物を提供する。 - 特許庁

After the GeSbTe is processed to from the wiring, a thin film of SiO2 413 is formed by the RF sputtering method, the resist is coated, and apertures are provided at the terminals 421 and 422 of the wiring with the lithographic dry etching.例文帳に追加

以上の形状にＧｅＳｂＴｅを加工後、ＲＦスパッタ法でＳｉＯ_2 薄膜４１３を成膜し、レジストを塗布し、リソグラフィー・ドライエッチングで配線の端子部分４２１，４２２に開口を形成する。 - 特許庁

To perform high-precision processing by suppressing pitting or striation due to resist damage when the pattern is formed by a dry etching method using a resist film of the post ArF lithography generation or the subsequent as a mask.例文帳に追加

ＡｒＦリソグラフィー世代以降のレジストをマスクとしたドライエッチングによるパターン形成においてレジストダメージに起因するレジスト突き抜け及びストライエーションを抑制した高精度加工を行う。 - 特許庁

A film composed of a conductive material is formed on a substrate, and the film composed of the conductive material is dry-etched by using an ICP etching device, thereby the wiring of a taper angle not larger than 60° is formed.例文帳に追加

基板上に導電性材料からなる膜を形成し、ＩＣＰエッチング装置を用いて前記導電性材料からなる膜をドライエッチングして、テーパー角が６０°以下の配線を形成する。 - 特許庁

To provide a curing composition for transfer materials, which is suitable for a nanoimprint method in which selectivity of a dry etching speed with argon gas and oxygen gas is high, and which is capable of forming a fine pattern with a high throughput.例文帳に追加

アルゴンガスと酸素ガスでのドライエッチング速度の選択性が高く、高いスループットで微細パターンを形成することができるナノインプリント法に好適な転写材料用硬化性組成物を提供する。 - 特許庁

By the surface of the superconductive layer formed by the dry etching, these impurities can be removed, and the connection electrical resistance generated during the connection of the superconductive wire rods can be reduced.例文帳に追加

超電導層の露出表面をドライエッチングすることで、これらの不純物を除去することができ、超電導線材同士を接続する際に生じる接続抵抗を低減することができる。 - 特許庁

Thus, the stencil mask and its manufacturing method can be provided, which can improve the size precision in the stencil mask substrate surface by reducing the influence of microloading effect in the dry etching process.例文帳に追加

したがって、ドライエッチング工程におけるマイクロローディング効果の影響を低減させて、ステンシルマスク基板面内の寸法精度を向上させるステンシルマスクおよび製造方法を提供することができる。 - 特許庁

The supporting base material forming the deep hole is formed by an amorphous carbon film, and a lower electrode is formed, and then the amorphous carbon film used as the supporting base material of the lower electrode is removed by dry etching.例文帳に追加

深孔を形成する支持母材を、非晶質炭素膜で形成し、下部電極を形成した後、前記下部電極の支持母材として用いた非晶質炭素膜を、ドライエッチングにより除去する。 - 特許庁

In Fig. 2 (a), an impurity diffusion area 2 is formed as a lower electrode on the surface of a Si substrate, then a plurality of trenches are formed in the impurity diffusion area 2 by a dry etching method.例文帳に追加

図２の（ａ）ではＳｉ基板１の表面に下部電極となる不純物拡散領域２を形成した後、不純物拡散領域２に複数のトレンチをドライエッチング法により形成する。 - 特許庁

To provide photosensitive polymers which are transparent even under an exposure light source of a short wavelength of not more than 193 nm and have excellent adhesive force to substrates and, in addition, are high in contrast and excel in dry etching resistance.例文帳に追加

１９３ｎｍ以下の短波長の露光源下でも透明であり、基板に対する接着力に優れているほか、高コントラストで耐ドライエッチング性に優れている感光性重合体を提供する。 - 特許庁

Then, a protective oxide film PT1 is formed on the main surface f1, and first dry etching DE1 is performed, so that a protective oxide film PT1 covering the first and second regions R1, R2 is removed.例文帳に追加

その後、主面ｆ１に保護酸化膜ＰＴ１を形成し、第１ドライエッチングＤＥ１を施すことで、第１領域Ｒ１および第２領域Ｒ２を覆う保護酸化膜ＰＴ１を除去する。 - 特許庁

To provide a resist composition which is superior in transmission of radiation and dry etching resistance and used for far-ultraviolet rays, such as those of KrF and ArF excimer lasers and vacuum ultraviolet rays, such as those of F_2 excimer laser.例文帳に追加

ＫｒＦ、ＡｒＦエキシマレーザー等の遠紫外線やＦ_2エキシマレーザー等の真空紫外線に対して用いられる、放射線の透過性に優れ、耐ドライエッチング性に優れたレジスト組成物の提供。 - 特許庁

There are provided the collection apparatus of the solid matter of dry etching exhaust gas containing solid matter having a filter and a cooler, and the collection method of solid matter using the same.例文帳に追加

本発明の課題は、フィルター及び冷却器を備えた固形物含有ドライエッチング排ガスの固形物捕集装置及び当該捕集装置を用いた固形物の捕集方法によって解決される。 - 特許庁

This ceramic insulator cleaning method comprise a step to calcine the part of the ceramic insulator in an oxygen atmosphere at 600-1,300°C in the dry etching chamber.例文帳に追加

前記目的を達成するために、本発明は乾式エッチング装置内の絶縁体部品を酸素雰囲気下、６００〜１３００℃でか焼する段階を含むセラミック絶縁体の洗浄方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a single or multiple gate field plate which can realize a device with a field plate, without a dry or wet etching process not doing much damage to a dielectric material.例文帳に追加

誘電性材料に与えるダメージの少ない乾式または湿式エッチングプロセスを用いることなく、フィールドプレートされたデバイスを実現できるシングルゲートまたはマルチゲートフィールドプレートの製造方法を提供する。 - 特許庁

The dry etching device is constituted of a lower electrode 46 having a projection and a lower ceramic 50 formed of four L-shaped ceramic pieces 50a to 50d for insulating the lower electrode.例文帳に追加

ドライ・エッチング装置は凸型の凸部を有する下部電極４６と下部電極を絶縁させるための４個の″Ｌ″字形状のセラミック片５０ａ〜５０ｄからなる下部セラミック５０とから構成される。 - 特許庁

A groove 13 is provided in the side of principal surface 11a of a silicon substrate 11 by forming a resist film 12 on the silicon substrate 11, and then dry-etching the silicon substrate 11 using the resist film 12 as a mask.例文帳に追加

シリコン基板１１上にレジスト膜１２を形成し、そのレジスト膜１２をマスクとしてシリコン基板１１をドライエッチングして、シリコン基板１１の主面１１ａ側に溝部１３を設ける。 - 特許庁

To pattern a transparent conductive thin film laminated product comprising a transparent, high-refraction factor thin film layer and a transparent metal thin film layer by a fine patterning dry etching method.例文帳に追加

透明高屈折率薄膜層と透明金属薄膜層からなる透明導電性薄膜積層体を反応ガスを用いたドライエッチング手法により、微細なパターニドライエッチング法を用いてパターニングする。 - 特許庁

Moreover, it is preferable to roughen the silicone rubber layer surface by a dry etching process, thereby performing plate inspection without a dyeing process.例文帳に追加

またシリコーンゴム層表面をドライエッチング処理により粗面化することが好ましく、それにより染色工程を必要とせずに検版が可能である水なし平版印刷版原版を提供することができる。 - 特許庁

To prevent troubles where an insulating layer under an electrode is charged with electricity at dry etching in a manufacturing process or a voltage applied to a gate electrode varies depending on devices.例文帳に追加

製造プロセスにおけるドライエッチング時に電極下の絶縁層が帯電する不具合や、各ゲート電極に印加される電圧値が素子ごとにばらつく不具合を防止する固体撮像素子を提供する。 - 特許庁

To provide the method of manufacturing a semiconductor device which performs isolation of a chip appropriately for a semiconductor wafer on which a plurality of chips are formed using dry etching.例文帳に追加

本発明は、ドライエッチングを用いて、複数のチップが形成された半導体ウエハについて、適切にチップの分離を行うことができる半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

Then, dry etching is performed at a bias power of 100 W or above using the resist pattern to remove the exposed portion of the low-resistance polycrystalline silicon film, thus forming the gate electrode.例文帳に追加

次に、レジストパターンを用い、かつバイアス電力を１００Ｗ以上としたドライエッチングを行うことにより、露出した低抵抗多結晶シリコン膜の部分を除去してゲート電極を形成する。 - 特許庁

Next, an SiO2 film is formed as an interlayer insulating film, and furthermore a contact hole for contacting a gate electrode, a diffusion layer and wiring with a tungusten plug is formed by photolithography and dry etching.例文帳に追加

次に、層間絶縁膜としてＳｉＯ２ 膜を形成し、さらに、ゲート電極及び拡散層と配線とをタングステンプラグでコンタクトするためのコンタクトホールをフォトリソグラフィとドライエッチングによって形成する。 - 特許庁

Accordingly, portions linked with each other due to an epitaxial growth of the silicon film 12 in a lateral direction between the neighboring active regions can be cut and removed by dry etching.例文帳に追加

これにより、互いに隣接する活性領域５の間でシリコン膜１２が横方向にエピタキシャル成長することによって連結された部分を、ドライエッチングにより切断し除去することができる。 - 特許庁

The method for manufacturing the semiconductor device having the tapered through hole comprises the steps of forming a interlayer dielectric 2 and a first plasma nitride film 7 on a lower layer wiring 1, dry etching with a photoresist 3 as a mask, and forming a recess 8 on a surface of the dielectric 2.例文帳に追加

下層配線１上に層間絶縁膜２及び第１のプラズマ窒化膜７を形成し、フォトレジスト３をマスクとしてドライエッチングを行い、層間絶縁膜２の表面に凹部８を形成する。 - 特許庁

A second contact hole 54 that communicates with the gate electrode 28 is formed in the first and second insulating layers 32 and 42 by dry etching the base of the recessed part 48 after forming the first wiring layer 50.例文帳に追加

第１の配線層５０を形成した後に、凹部４８の底面をドライエッチングして、ゲート電極２８に連通する第２のコンタクトホール５４を、第１及び第２の絶縁層３２，４２に形成する。 - 特許庁

Then, with the resist pattern 9 as a mask; the support 7', the Si layer 5, and the SiGe layer 3 are subjected to dry etching successively, and an open surface H for exposing the side of the SiGe layer 3 is formed under the support 7'.例文帳に追加

次に、レジストパターン９をマスクに支持体７´、Ｓｉ層５及びＳｉＧｅ層３を順次ドライエッチングして、支持体７´下にＳｉＧｅ層３の側面を露出する開口面Ｈを形成する。 - 特許庁

The mixture gas is supplied onto the Si wafer W in the chamber 12 using the system 10 to generate plasma in the chamber 12 and anisotropic dry etching is performed.例文帳に追加

本発明によるドライエッチング方法では、この装置１０を用い、チャンバ１２内のＳｉウェハＷ上に上述の混合ガスを供給し、チャンバ１２内にプラズマを形成させて異方性のドライエッチングを行う。 - 特許庁

To provide a gap filling material for lithography excellent in property of flattening a substrate with protrusions and recessions such as holes and trenches, causing no intermixing with a resist layer and having dry etching speed larger compared with that of the resist.例文帳に追加

ホールやトレンチなどの凹凸のある基板上の平坦化性に優れ、レジスト層とのインターミキシングが起こらず、レジストに比較して大きなドライエッチング速度を有するリソグラフィ用ギャップフィル材を提供する。 - 特許庁

The substrate 3 formed with the metallic patterns is subjected to dry etching using gaseous fluorocarbon, such as CH_3, C_4F_8, and CHF_3, (d) to form the fine periodic structures and to remove the metallic films (e).例文帳に追加

金属膜パターンを形成した基板３をＣＦ_４やＣ_４Ｆ_８、ＣＨＦ_３などのフロロカーボンガスを用いてドライエッチングを行い（ｄ）、微細な周期構造４を形成し、金属膜を除去する（ｅ）。 - 特許庁

And by calculating the offset distribution after the dry etching which uses the microloading effect (S5) and oversizing or under sizing the acquired design data according to the offset distribution, the design data after the correction is acquired (S6).例文帳に追加

そして、マイクロローディング効果によるドライエッチング後のオフセット分布を計算し（Ｓ５）、得られたオフセット分布に基づいて設計データをオーバーサイジングおよびアンダーサイジングすることで、補正後の設計データを得る（Ｓ６）。 - 特許庁

To secure uniformity in ITO dry etching in a method of fabricating a liquid crystal display device, wherein an electrically conductive transparent film is pattern-formed on an interlayer insulating film comprised of at least an electrically insulating organic film.例文帳に追加

少なくとも有機絶縁膜を有する層間絶縁膜上に透明導電膜をパターン形成する液晶表示装置の製造方法において、ＩＴＯドライエッチング時の均一性を確保する。 - 特許庁

The second light-shieldale film 14 is the film that is primarily composed of a silicon-containing compound that can be etched by F-based dry etching, such as silicon oxide, silicon nitride, silicon oxynitride, silicon/transition-metal oxide, silicon/transition metal nitride or silicon/transition metal oxynitride.例文帳に追加

さらに、第２の遮光性膜１４はＦ系ドライエッチングが可能な珪素含有化合物を主成分とする、珪素や珪素と遷移金属の酸化物、窒化物、または酸化窒化物などの膜である。 - 特許庁

To prevent the precipitation of a sublimable substance in an exhaust gas passage reaching the interior of an exhaust gas treatment apparatus for treating the sublimable substance-containing exhaust gas discharged from a dry etching apparatus to eliminate the deposition of a solid.例文帳に追加

ドライエッチング装置から排気される昇華性物質を含んだ排ガスの排ガス処理装置内部までの排ガス通路においての昇華性物質の析出を防ぎ、固形物の堆積をなくす。 - 特許庁

To prevent the leaving of recesses and projections having a pitch the same as that of a scanning pitch on a surface when a semiconductor wafer having an oxide film is subjected to a flattening work by local dry etching method.例文帳に追加

酸化膜の付いた半導体ウェハを局所ドライエッチング法によって平坦化加工するとき、加工後の表面にスキャンピッチと同じピッチの凹凸が残されることを防止することを課題とする。 - 特許庁

To provide a hardening component for a transferring material which is preferable to a nano-imprint method that the selectivity of a dry etching speed of an argon gas and an oxygen gas is high and can form a fine pattern with a high throughput.例文帳に追加

アルゴンガスと酸素ガスでのドライエッチング速度の選択性が高く、高いスループットで微細パターンを形成することができるナノインプリント法に好適な転写材料用硬化性組成物を提供する。 - 特許庁

To provide a dry etching method by which application of a resist on the surface of a wafer is eliminated to reduce the number of manufacturing steps, when the rear surface of the wafer is etched entirely and productivity can be improved.例文帳に追加

ウェーハの裏面を全面エッチングする場合に、ウェーハの表面にレジストを塗布することを不用にして製造工程数を減らし、生産性を高くすることができるドライエッチング方法を提供する。 - 特許庁

Then, anisotropic dry etching is made successively on the insulating films 108, 107, and 105, thus forming sidewall spacers 109 and 110 on the side of the gate electrodes 103A and 103B.例文帳に追加

その後、絶縁膜１０８、１０７及び１０５に対して順次異方性ドライエッチングを行なって、ゲート電極１０３Ａ及び１０３Ｂの側面にサイドウォールスペーサ１０９及び１１０を形成する。 - 特許庁