「Dry etching」に関連した英語例文の一覧と使い方(39ページ目) - Weblio英語例文検索

To obtain a resin composition having high transparency for radiation rays, excellent in basic physical properties as a resist such as sensitivity, resolution, dry etching resistance, a pattern shape and the like, and reduced in line edge roughness of the pattern after development.例文帳に追加

放射線に対する透明性が高く、しかも感度、解像度、ドライエッチング耐性、パターン形状等のレジストとしての基本物性に優れ、特に、レジスト溶剤への溶解性に優れるとともに、現像後のパターンのラインエッジラフネスを低減する。 - 特許庁

Then, the side part of the track width defining layer 12a is etched by using dry etching and, in the recording gap layer 9 and a lower magnetic pole layer 8, a part of the recording gap layer 9 is etched by using the track width defining layer 12a as a mask.例文帳に追加

その後、ドライエッチングを用いて、トラック幅規定層１２ａの側部をエッチングすると共に、トラック幅規定層１２ａをマスクとして記録ギャップ層９および下部磁極層８のうちの記録ギャップ層９側の一部をエッチングする。 - 特許庁

An ITO layer with a silicon oxide film thereon is separated by single dry etching, and further the ITO layer is overetched to a passivation film 7 so that the pixel electrode 6 under the passivation film 7 can be reliably separated from the adjacent pixel electrode 6.例文帳に追加

この原因は、ＩＴＯ層からなる画素電極が導電性の異物により短絡されるために発生するためで、２個対点欠陥が生じた場合、パネルは不良品となるので、歩留まりを著しく悪化させていた。 - 特許庁

To provide a dry etching device which is capable of keeping a plasma environment more uniform than usual and enables a plasma expansion ring arranged in a processing chamber to be easily replaced and to lengthen its service life, and to provide a semiconductor device manufacturing method and an Si ring.例文帳に追加

より均一なプラズマ環境を維持でき、処理室内に配されるプラズマ拡張用のリングの交換容易性、長寿命化対策が得られるドライエッチング装置及び半導体装置の製造方法、Ｓｉリングを提供する。 - 特許庁

To obtain a releasing effect identical or superior to a condition possessed by a high concentration amine compound having high permeability even to a deteriorated and hardened part of a resist film formed in an impurity doping step, in a dry-etching step, etc.例文帳に追加

不純物注入工程やドライエッチング工程等によって生じたレジスト膜の変質硬化部位に対しても浸透性が高く、高濃度アミン化合物と有する条件と同等以上の剥離効果を得ることを可能とする。 - 特許庁

A resist pattern is then formed on the surface side (the upper face in Fig. 2(b)) of the thermally oxidized SiO_2 film 22 using the usual photolithographic technique, and dry etching is carried out using the resist pattern as a protective film to form a SiO_2 pattern 22a.例文帳に追加

次に、熱酸化ＳｉＯ_2膜２２の表面側（図２（ｂ）の上面）に通常のフォトリソグラフィ技術を用いて、レジストパターンを形成し、このレジストパターンを保護膜にしてドライエッチングを行い、ＳｉＯ_2パターン２２ａを形成する。 - 特許庁

To provide a dry etching method by which a titanium nitride layer can be etched so that the shape of its side wall is more vertical than before even if the layer has a part where a pattern is coarsely arranged and a part where a pattern is closely arranged.例文帳に追加

パターンが疎に配置された部分と、密に配置された部分とを有するものであっても、従来に較べて、窒化チタン層の側壁部分の形状を略垂直にエッチングすることのできるドライエッチング方法を提供する。 - 特許庁

To provide a new vinyl ether excellent in heat resistance, dry etching resistance and stability under a high vacuum, especially suitable as an acid-releasing protecting group of a positive type resist resin, a new alcohol becoming a raw material of the same, and methods for producing them.例文帳に追加

耐熱性、ドライエッチング耐性、高真空下での安定性に優れ、特にポジ型レジスト樹脂の酸解離性の保護基として好適な新規ビニルエーテル、その原料となる新規アルコール及びそれらの製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a sidewall removing liquid which is capable of rapidly (within 60 minutes) removing the sidewalls generated at the time of dry etching in a semiconductor production stage at a low temperature (≤150°C) and is not capable of eroding a wiring material at this time.例文帳に追加

半導体製造工程でのドライエッチングの際に発生するサイドウォールを低温（５０℃以下）で短時間（６０分以内）で除去でき、しかもその際に配線材料を浸食することのないサイドウォール除去液を提供する。 - 特許庁

To solve the problem of the application of ICP-RIE involving the use of chlorine-based gas to the dry-etching of a gallium nitride-based semiconductor that inductive coupled plasma forms irregularities in an etched surface and damages the semiconductor because of a high temperature thereof, and leaves chlorine.例文帳に追加

窒化ガリウム系半導体のドライエッチングに、塩素系ガスを用いたＩＣＰ−ＲＩＥを用いると、誘電結合型プラズマは、温度が高いので、エッチングされた面に凹凸ができ、半導体にダメージを与え、塩素が残留する。 - 特許庁

An opening is formed in the first conductive film so that the word lines in the memory cell array forming region are separated and arranged by first dry etching, and the side wall insulating film of the word lines is formed in the opening.例文帳に追加

次に、第１のドライエッチングによってメモリセルアレイ形成領域におけるワード線が互いに離間して配置されるように、第１の導電膜に開口部を形成した後、開口部にワード線の側壁絶縁膜を形成する。 - 特許庁

When a holding capacity of a liquid crystal device is constituted, a silicon nitride film 4a constituting a lower layer side of a gate insulating layer 4 is formed, and then the silicon nitride film 4a in a part overlapping a lower electrode 3c is removed by dry etching.例文帳に追加

液晶装置の保持容量を構成するにあたって、ゲート絶縁層４の下層側を構成するシリコン窒化膜４ａを形成した後、ドライエッチングにより下電極３ｃと重なる部分のシリコン窒化膜４ａを除去する。 - 特許庁

A conventional contact dry film which causes a cumulative dislocation between itself and a printed wiring board is not used, and an etching mask is plotted and worked directly by a laser beam 60 on a resin coat 70 coming into contact with the printed wiring board 10.例文帳に追加

プリント配線板との間で累積位置ずれの原因となる従来のコンタクトドライフィルムを用いず、プリント配線板１０上に密着するレジスト樹脂コート７０上にレーザビーム６０で直接エッチングマスクを描画加工する。 - 特許庁

A working part 12e whose width is narrower than the depth of working and two working parts 11f and 15 on both sides of this narrow working part which have a width wider than the depth of working are subjected to anisotropic dry etching.例文帳に追加

加工する深さ寸法より幅寸法が狭い加工部分１２ｅと、この狭い加工部分を間にして加工する深さ寸法より広い幅寸法を有する２つの加工部分１１ｆ、１５とに対して異方性ドライエッチングを行う。 - 特許庁

In addition, the silicon layer 8 is patterned with dry etching using a reactive gas with the second inorganic film 8 used as a mask, an ion 12 is implanted into the silicon substrate 2 in energy of 5 MeV to 8 MeV using the silicon layer 6 as a mask.例文帳に追加

さらに、第２の無機膜８をマスクとする反応性ガスを用いたドライエッチングによりシリコン層６をパターン化し、このシリコン層６をマスクとして、５ＭｅＶないし８ＭｅＶのエネルギーでシリコン基板２にイオン１２を注入する。 - 特許庁

To provide a polishing solution which is capable of reducing an etching rate sufficiently as keeping a preferable polishing rate, restraining the occurrence of dishing and a dry area from occurring in the surface of a copper, and forming a very reliable buried pattern composed of a metal film.例文帳に追加

好ましい研磨速度を維持しつつ、エッチング速度を十分に低下させ、デッシングの発生や銅表面の荒れを抑制し、信頼性の高い金属膜の埋め込みパターン形成を可能とする研磨液を提供する。 - 特許庁

In addition, the surface of the synthetic resin can be metalized to a surface similar to the mirror surface of a beautifully polished metal, by forming only a thin film by directly coating a metal or a metal compound using dry-etching such as ion-plating or sputtering.例文帳に追加

さらにイオンプレーティング又はスパッタリング等の乾式めっきにより直接金属あるいは金属化合物をコーティングすることで、薄膜でもきれいに磨かれた金属の鏡面のようにメタライズ化することが可能となる。 - 特許庁

To provide a thermal ink jet printer head having a protection film which is provided in each of a heating section and a circuit pattern and is superior in an electric insulation property, a cavitation resistance property, a dry etching resistance property, a heat resistance property, a thermal conductivity and an adhesion property.例文帳に追加

電気絶縁性、耐キャビテーション性、耐ドライエッチング性、耐熱性、熱伝導性及び密着性のいずれにおいても良い特性を有する保護膜を発熱部と配線電極に備えたサーマルインクジェットプリンタヘッドを提供する。 - 特許庁

To provide a positive resist composition showing sufficient transparency when a light source at ≤160 nm wavelength, specifically, F_2 excimer laser light (at 157 nm) is used, having high sensitivity and excellent dissolution contrast, and favorable dry etching durability.例文帳に追加

１６０ｎｍ以下、具体的にはＦ_２エキシマレーザー光（１５７ｎｍ）の光源使用時に十分な透過性を示し、且つ高感度で、溶解コントラストに優れ、更に耐ドライエッチング性が良好なポジ型レジスト組成物を提供すること。 - 特許庁

By dry etching using this laminated layer pattern 5 as a mask, a shallow recess (a first trench) 6a is formed and a first fluorocarbon-based deposit 7 is adhered to the side wall of the first silicon oxide film 2.例文帳に追加

この積層膜パターン５をマスクとしてドライエッチングすることにより、浅い凹陥部(第１のトレンチ)６ａを形成すると共に前記第１のシリコン酸化膜２の側壁に、フロロカーボン系の第１の堆積付着物７を付着させる。 - 特許庁

Successively, an etching gas containing a fluorine-based reaction component and an oxidative reaction component is brought into contact with a surface of the object 9 to be processed in a processing space 19 on a downstream side on the conveyance path 11 and a semiconductor film 94 is dry etched.例文帳に追加

続いて、搬送経路１１の下流側の処理空間１９において、フッ素系反応成分及び酸化性反応成分を含むエッチングガスを被処理物９の表面に接触させ、半導体膜９４をドライエッチングする。 - 特許庁

To efficiently extract a hole without using a conductive buffer layer, without requiring a complicated process, without requiring extremely high depth-precision dry etching, and without deteriorating crystalline concerning a semiconductor device.例文帳に追加

半導体装置において、導電性バッファ層を用いることなく、煩雑なプロセスも必要なく、非常に高い深さ精度のドライエッチングも必要なく、また、結晶性を劣化させずに、効率良くホールを引き抜くことができるようにする。 - 特許庁

To provide the method of processing a substrate which can remove chlorine efficiently and certainly without adding a chamber dedicated to removing remained chlorine on the substrate to an apparatus for processing the substrate which performs substrate processing such as dry etching using chlorine-based gas.例文帳に追加

ドライエッチングなど塩素系ガスを用いて基板処理を行う基板処理装置に、基板上の残留塩素除去専用のチャンバを追加することなく、効率的かつ確実に塩素除去できる基板処理方法を提供する。 - 特許庁

The microprobe guides 70, 71 having the plurality of grooves 72 are acquired by forming each elongate deep groove having the groove depth and the groove width corresponding to the height and the width of a shaft part of the microprobes 50, 51 by using an anisotropic dry etching method to a silicon plate.例文帳に追加

複数の溝７２を有するマイクロプローブガイド７０,７１は、シリコンプレートに異方性ドライエッチング法を用い、マイクロプローブ５０，５１の軸部の高さと幅に対応した溝深さと溝幅で細長く深い溝を形成して得られる。 - 特許庁

To provide a semiconductor device manufacturing method where dry etching is performed using gas containing fluorine, and the formation of a damaged layer on the side wall of a wiring groove and the formation of a void in a Low-k film can be inhibited.例文帳に追加

フッ素含有ガスを用いてドライエッチングを行うとともに、配線溝側壁部でのダメージ層の形成およびＬｏｗ−ｋ膜中でのボイドの形成を抑制することのできる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a positive chemically amplified resist composition suitable for F_2 excimer laser lithography, which is good in various kinds of resist performance such as sensitivity and resolution, and is particularly excellent in dry etching resistance.例文帳に追加

Ｆ_２エキシマレーザーリソグラフィに適した化学増幅型のポジ型レジスト組成物であって、感度や解像度などの各種のレジスト性能が良好であるとともに、特にドライエッチング耐性に優れたポジ型化学増幅型レジスト組成物を提供する。 - 特許庁

To provide a silicon-containing positive photoresist which has high resolution with respect to a radiation of ≤300 nm, particularly KrF (248 nm) or ArF (193 nm), exhibits excellent dry etching resistance and can be developed with an aqueous alkali solution.例文帳に追加

３００ｎｍ以下、特にＫｒＦ（２４８ｎｍ）、ＡｒＦ（１９３ｎｍ）などの放射線に対して高分解能で優れたドライエッチング耐性を示し、アルカリ水溶液で現像することのできるシリコン含有ポジ型フォトレジストを提供する。 - 特許庁

To provide a material for forming wiring, a sputtering target for forming wiring and a wiring thin film which have low resistance, and can satisfactorily be subjected to taper working even in dry etching, and electronic parts which have high reliability.例文帳に追加

低抵抗で、かつドライエッチングにおいてもテーパー加工が良好に施すことが可能となる配線形成用材料、配線形成用スパッタリングターゲット、配線薄膜、さらには信頼性の高い電子部品を提供することを目的とする。 - 特許庁

To enhance machinability of dry etching while preventing the compositional elements of ferroelectric or highly dielectric material, i.e., Ti or Pb, from intruding into an SiO2 film or a semiconductor layer through diffusion.例文帳に追加

強誘電体材料や高誘電率材料の構成元素であるＴｉやＰｂなどがＳｉＯ_2 膜や半導体層に拡散して侵入するのを防止しながら、ドライエッチングによる加工性を向上させたキャパシタを提供する。 - 特許庁

The lower and upper resist layers 103Z, 104Z are selectively exposed to form a double layer resist pattern 105, and by dry etching using the pattern 105 as a mask, the 1st thin-film 111Z and the soluble layer 102Z are selectively etched.例文帳に追加

下部および上部レジスト層１０３Ｚ，１０４Ｚを選択的に露光して２層レジストパターン１０５を形成し、これをマスクとしたドライエッチングにより第１薄膜１１１Ｚおよび可溶層１０２Ｚを選択的にエッチングする。 - 特許庁

To provide a method for forming a negative type pattern which is transparent in the far UV region including 193 nm wavelength of ArF excimer laser light, does not swell while having such a chemical structure as to ensure high dry etching resistance and has superior resolution.例文帳に追加

ＡｒＦエキシマレーザの波長１９３nmを含む遠紫外線領域で透明で、かつドライエッチング耐性も高い化学構造を持ちながら、膨潤のない解像性能の優れたネガ型のパタン形成方法を提供する。 - 特許庁

To provide an organic antireflection forming material that is deposited in the same process as the conventional art, effectively prevents reflection of exposure light with an antireflective coating, has high dry etching speed, and is useful for forming a fine pattern.例文帳に追加

従来と同じプロセスで成膜可能で、その反射防止膜は効果的に露光光の反射を防止し、更に、高いドライエッチング速度を兼ね備え、微細パターン形成に有用である有機反射防止形成材料を提供する。 - 特許庁

At this time, since no deposits produced by dry etching exhibiting anisotropy adhere to the side walls of the films, the polyimide film 5 is never separated from the silicon nitride film 4 when the polyimide film 5 is turned into imide by a heat treatment.例文帳に追加

このとき、各膜の側壁には、異方性を示すドライエッチングによって発生する堆積物が付着していないため、ポリイミド膜５を熱処理でイミド化した場合に、シリコン窒化膜４からポリイミド膜５が剥がれることは無い。 - 特許庁

To provide a method for forming a negative type pattern free of swelling and excellent in resolution while having a chemical structure transparent in the far UV region including 193 nm wavelength of ArF excimer laser beam and having high dry etching resistance.例文帳に追加

ＡｒＦエキシマレーザの波長１９３ｎｍを含む遠紫外線領域において透明で、かつドライエッチング耐性も高い化学構造を持ちながら、膨潤のない解像性能の優れたネガ型のパタン形成方法を提供する。 - 特許庁

After a soluble layer 2 is formed so as to separate a first thin film 17Z and a two-layer resist pattern 5 from each other, the first thin film 17Z and soluble layer 2 are selectively removed by dry etching using the two-layer resist pattern 5 as a mask.例文帳に追加

第１の薄膜１７Ｚと２層レジストパターン５とを互いに隔てるように可溶層２を形成したのち、２層レジストパターン５をマスクとしたドライエッチングにより第１の薄膜１７Ｚおよび可溶層２を選択的に除去する。 - 特許庁

This optical semiconductor integrated circuit device is constituted so that an opening 39 is formed, by removing the insulating layer on the surface of the photodiode 2 by dry etching, after the multiple wiring layers 32 and 36 are formed on the top surface of the substrate 4.例文帳に追加

本発明の光半導体集積回路装置では、基板４上面に多層の配線層３２、３６を形成した後に、フォトダイオード２表面の絶縁層をドライエッチングにより除去し、開口部３９を形成している。 - 特許庁

To provide a method for producing a polymer compound used for resists whose performances such as heat resistance, sensitivity and resolution can be improved without accompanying reduction of resist films, decrease in the line widths of the resists and deterioration in the dry etching tolerance of the polymers.例文帳に追加

レジストの膜減り、レジストの線幅の減少、ポリマーのドライエッチング耐性の低下等を伴わずに、耐熱性、感度、解像度等のレジストの性能を向上させることを可能とするレジスト用高分子化合物の製造方法の提供。 - 特許庁

To provide a negative photosensitive resin composition for silica glass optical waveguide formation capable of forming a cured product which avoids thermal deformation of pattern shape in dry etching and baking (has excellent heat resistance) and has excellent resolution.例文帳に追加

ドライエッチングやベーキングのときパターン形状が熱により変形せず（耐熱性に優れ）、解像性に優れた硬化物を形成することができる石英系ガラス光導波路形成用ネガ型感光性樹脂組成物を提供することである。 - 特許庁

To provide a dry etching device, by which the occurrence of particles is prevented by early discovering the deterioration of a device part forming a surface protective film, an exchange cost is reduced, and a device operating-efficiency is improved.例文帳に追加

表面保護膜を形成している装置部品の劣化を早期に発見することによりパーティクルの発生を未然に防止するとともに、交換費用を低減し、装置稼動率を向上させたドライエッチング装置を提供する。 - 特許庁

To provide a charge-coupled device where a deterioration of device characteristics due to a variation in a pinch-off voltage difference during dry etching or damage to a semiconductor substrate is eliminated and a distance between charge transfer electrodes is downsized and to provide its manufacturing method.例文帳に追加

ドライエッチングによるピンチオフ電圧差のバラツキや半導体基板のダメージに起因する素子特性の劣化をなくし、電荷転送電極間の距離を微細化した電荷結合素子及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

Thus, an ultra-thin gate oxide film 12 or 3 nm or less is hardly broken by dry-etching of the poly-Si film gate electrode, and the silicide formation can be realized, and the high current driving capability and low resistance of a transistor also be realized.例文帳に追加

ｐｏｌｙ−Ｓｉ膜のゲート電極ドライエッチングにおいて３ｎｍ以下の極薄ゲート酸化膜１２を突き破ることがなく、かつサリサイド形成が実現でき、トランジスタの高電流駆動能力、低抵抗化が実現できる。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a semiconductor device whose junction breakdown voltage between an emitter and a base can be increased, and damages or the like in the base layer caused by isotropic dry etching can be eliminated, in a semiconductor device including a self-aligned bipolar transistor.例文帳に追加

自己整合型バイポーラトランジスタを含む半導体装置のエミッタ・ベース接合耐圧を向上させ、等方性ドライエッチングによってベース層に与えるダメージ等が解消できる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a cleaning apparatus for effectively cleaning a metal stuck to a tool in the tool used in a dry etching apparatus, a CVD (chemical vapor deposition) apparatus, or the like, used in a process for manufacturing a semiconductor, a liquid crystal substrate or a solar battery.例文帳に追加

半導体又は液晶基板、太陽電池の製造過程で使用されるドライエッチング装置、ＣＶＤ装置などで使用される冶具に対して、この冶具に付着した金属を有効に洗浄する洗浄装置を実現すること。 - 特許庁

After a source/drain diffusion layer 8, a first side wall oxide film 9 and a third polycrystalline silicon film 10 which becomes a contact pad are formed; a silicon oxide film is removed by dry etching by using photoresist where an opening is formed in a memory peripheral region alone.例文帳に追加

ソース・ドレイン拡散層８、第１の側壁酸化膜９、コンタクトパッドとなる第３の多結晶シリコン膜１０を形成後、メモリ周辺領域のみを開口したフォトレジストをマスクにしてドライエッチによりシリコン酸化膜を除去する。 - 特許庁

To form a fine pattern of an organic material film in an easy process and reduce the fringing capacitance of the gate electrode of a field effect transistor using a selective dry recess etching to improve the operating speed of a semiconductor device.例文帳に追加

容易なプロセスで有機材料膜の微細パターンを形成し、選択ドライリセスエッチングを用いて、電界効果型トランジスタのゲート電極のフリンジング容量を低減し、半導体装置の動作速度を向上することを目的とする。 - 特許庁