「Dry etching」に関連した英語例文の一覧と使い方(42ページ目) - Weblio英語例文検索

The dry etching method of a glass substrate masked by a silicon substrate comprises: a step of bonding a silicon substrate 11 to a surface of a glass substrate 12; a step of forming a silicon mask 11M comprising the silicon substrate 11 on the glass substrate 12; a step of etching the glass substrate 12 through the silicon mask 11M; and a step of removing the silicon mask 11M from the glass substrate 12.例文帳に追加

シリコン基板をマスクとするガラス基板のドライエッチング方法において、ガラス基板１２の表面にシリコン基板１１を接合する工程と、ガラス基板１２上でシリコン基板１１からなるシリコンマスク１１Ｍを形成する工程と、シリコンマスク１１Ｍを介してガラス基板１２をエッチングする工程と、シリコンマスク１１Ｍをガラス基板１２から除去する工程とを有する。 - 特許庁

A bonding layer is formed of two kinds or more of metal or alloy, a nitride light emitting structure grown on a substrate of low thermal conductance is boded to a substrate of high thermal conductance, the substrate of low thermal conductance is removed by chemical etching, dry etching or mechanical polishing and the nitride light emitting structure is transferred onto the substrate of high thermal conductance.例文帳に追加

二種類以上の金属或いは合金で結合層を形成し、低い熱伝導係数の基板上に成長させた窒化物発光構造と高い熱伝導係数の基板とを結合させ、並びにケミカルエッチング、ドライエッチング或いは機械研磨法で低い熱伝導係数の基板を除去し、窒化物発光構造を高い熱伝導係数の基板上に移転する。 - 特許庁

To provide a cleaning method of easily removing residues generated at dry-etching carried out for etching an a-Si semiconductor layer or a polysilicon semiconductor layer and very efficiently cleaning a semiconductor substrate without corroding a silicon wafer, a board of glass, plastic or the like, and a-Si, polysilicon, and wiring materials used for a thin film circuit at all in a semiconductor substrate manufacturing process.例文帳に追加

半導体基板を製造する工程で、半導体層であるａ−Ｓｉやポリシリコン等のドライエッチング時に発生する残渣物を容易に除去でき、さらにガラス、シリコンウェハー、プラスチック等の基板や薄膜回路に使用されるａ−Ｓｉ、ポリシリコンや配線材料を全く腐食することなく極めて効率良く半導体基板を洗浄する方法を提供する。 - 特許庁

This is a bipolar transistor having an epitaxial growth base layer, in which the penetration of etching through the silicon carbide layer is prevented by making the exogenous base layer into a laminated structure including a chemically extremely stable silicon carbide layer, even if there is an incomplete portion in silicide when forming a contact-hole through dry etching, thereby improving the contact-hole formation yield.例文帳に追加

エピタキシャル成長ベース層を有するバイポーラトランジスタであって、外因性ベース層を、化学的に極めて安定なシリコンカーバイド層を含む積層構造とすることにより、ドライエッチングによるコンタクトホール形成時にシリサイドの不完全な部分があったとしても、シリコンカーバイド層によってエッチングの突き抜けを防ぐことができるために、コンタクトホール形成の歩留まりを向上することが可能となる。 - 特許庁

After an n-type AlInP clad layer 11, an active layer 12 having a multiple quantum well structure, a p-type AlInP clad layer 13, and a p-type GaAs layer 14 are grown in sequence on an n-type GaAs substrate via an n-type GaAs etching stop layer, those layers are patterned through dry etching using a resist pattern 19 having a rectangular plane shape as a mask.例文帳に追加

ｎ型ＧａＡｓ基板上にｎ型ＧａＡｓエッチングストップ層を介してｎ型ＡｌＩｎＰクラッド層１１、多重量子井戸構造を有する活性層１２、ｐ型ＡｌＩｎＰクラッド層１３およびｐ型ＧａＡｓ層１４を順次成長させた後、長方形の平面形状を有するレジストパターン１９をマスクとしてこれらの層をドライエッチングによりパターニングする。 - 特許庁

The dry etching process comprises a step of disposing a semiconductor substrate where the photoresist pattern is formed on an etched membranous object in a reactor, a step of selectively depositing polymer on an upper section of the photoresist pattern by supplying the CO gas into the reactor to form a polymer layer, and a step of etching the etched membranous object with the photoresist pattern and polymer layer as the masks.例文帳に追加

乾式エッチング方法は、被エッチング膜質上にフォトレジストパターンが形成された半導体基板を反応器内に配置する段階と、反応器内にＣＯガスを供給してフォトレジストパターンの上部にポリマーを選択的に蒸着してポリマー層を形成する段階と、フォトレジストパターン及びポリマー層をマスクとして被エッチング膜質をエッチングする段階と、を含む。 - 特許庁

The method for manufacturing a semiconductor light emitting element comprises the steps of dry etching a group III-V nitride-based semiconductor layer 10 of a laminated structure of an n type semiconductor layer 3, a luminous layer 4, and a p type semiconductor layer 5 at a relatively low first rate, and thereafter etching the group III-V nitride-based semiconductor layer 10 at a final rate faster than the first rate.例文帳に追加

本実施形態に係る半導体発光素子の製造方法では、ｎ型半導体層３と、発光層４と、ｐ型半導体層５の積層構造からなるＩＩＩ−Ｖ族窒化物系半導体層１０を相対的に遅い第１速度でドライエッチングした後に、最終的に第１速度よりも速い第２速度でＩＩＩ−Ｖ族窒化物系半導体層１０をエッチングする。 - 特許庁

In addition to a method of manufacturing the FBAR element, there is provided a method of manufacturing the FBAR element, which is capable preventing structural drawbacks occurring in an air gap forming process due to normal wet etching, by forming a sacrificial layer 53 with a polysilicon and forming an air gap (A3) by dry etching, and which is capable of freely adjusting locations and the number of via holes.例文帳に追加

さらに、本発明は、かかるＦＢＡＲ素子の製造方法ばかりでなく、犠牲層５３をポリシリコンから構成しドライエッチングによりエアギャップ（Ａ３）を形成することで通常のウェットエッチングによるエアギャップ形成工程において生じる構造的欠陥を防止できると同時に、バイアホールの形成位置及び数を自在に調節できるＦＢＡＲ素子の製造方法も提供する。 - 特許庁

To provide a new polymeric compound having excellent transparency in exposition at ≤300 nm wavelength, especially ≤160 nm wavelength, e.g. exposition by using F_2 laser as a light source, also excellent in etching resistance in dry etching and useful as a base resin of a resist material excellent in developing characteristics, a resist material, and a method for forming a pattern by using the same.例文帳に追加

波長３００ｎｍ以下、特に波長１６０ｎｍ以下での露光、例えばＦ_２レーザーを光源とする露光において、優れた透明性を有し、かつドライエッチングに対するエッチング耐性に優れ、かつ現像特性に優れたレジスト材料のベース樹脂として有用な新規高分子化合物並びにレジスト材料及びこれを用いたパターン形成方法を提供する。 - 特許庁

A via hole 121a is formed by a first process to form an aperture to an insulating resin film 122 by the irradiation of a laser, a second process to form the aperture to the insulating resin film 122 by dry etching, and a third process to conduct inverse sputtering.例文帳に追加

ビアホール１２１ａは、レーザを照射して絶縁樹脂膜１２２に開口を形成する第一の工程と、ドライエッチングにより絶縁樹脂膜１２２に開口を形成する第二の工程と、プラズマ雰囲気下で、逆スパッタリングを行う第三の工程とにより形成される。 - 特許庁

A halftone/shading layer 2 consisting of a zirconium oxide film having the same film thickness as the film thickness of shading regions is formed by reactive sputtering, etc., on a transparent substrate 1 and is subjected to a patterning treatment by dry etching, etc., by which the shading regions 2a and a translucent layer 2c is formed.例文帳に追加

透明基板１上に遮光領域膜厚と同じ膜厚を有する酸化ジルコニウム膜からなるハーフトーン兼遮光層２を反応性スパッタ等で形成し、ドライエッチング等にてパターニング処理して遮光領域２ａ及び半透明層２ｃを形成する。 - 特許庁

To improve the takeout efficiency of light emitted from a luminous layer, and also to improve the external quantum efficiency of a light-emitting element by a gallium-nitride-based compound semiconductor without performing any complex processes, such as the formation of an irregular structure by dry etching and the removal of a substrate.例文帳に追加

ドライエッチングによる凹凸構造形成や基板除去等の複雑な工程を行うことなく、発光層で発光した光の取り出し効率を向上させ、窒化ガリウム系化合物半導体による発光素子の外部量子効率を向上させること。 - 特許庁

In manufacturing of a multiplayer wiring structure, an SiC layer 2 and a layer insulation film 3 are laminated on a lower wiring 1, and a via hole 4 and a wiring groove 5 reaching a surface of the SiC layer 2 are formed by dry-etching of a prescribed region of the layer insulation film 3.例文帳に追加

多層配線構造の製造において、下層配線１上にＳｉＣ層２、層間絶縁膜３を積層して形成し、層間絶縁膜３の所定の領域のドライエッチングでＳｉＣ層２表面に達するヴィアホール４と配線溝５とを形成する。 - 特許庁

The contact holes 36 and 38 are respectively formed into a thin contact hole forming region A and a thick contact hole forming region B, both of which are provided on the lower diffusion layer 24 through dry etching by using a resist 34 as a mask.例文帳に追加

レジスト３４をマスクとしてドライエッチングを行い、下部配線層２６上の薄い膜厚のコンタクトホール形成領域Ａにコンタクトホール３６を形成するとともに、下部拡散層２４上の厚い膜厚のコンタクトホール形成領域Ｂにコンタクトホール３８を形成する。 - 特許庁

To reduce variation in pattern size due to density dependency of a pattern to be formed during dry etching processing on a light shield film as compared with a case wherein a conventional photomask blank having a light shield film is used, and to manufacture a mask with higher precision.例文帳に追加

遮光膜のドライエッチング加工時において、従来の遮光膜をもつフォトマスクブランクを用いた場合と比較して、形成するパターンの粗密依存性により生じるパターンサイズ変動を小さくすることができ、より高精度のマスクを製造することが可能になる。 - 特許庁

To provide a dry etching apparatus for shortening the time until start of process of the next processing work after start of process of the first processing work in the process to form a recessed area or a through-hole to the processing work, and also to provide a processing method of a processing work.例文帳に追加

被加工物に凹部又は貫通孔を形成する工程において、第１の被加工物の加工を開始してから次の被加工物の加工を開始するまでの時間を短くする事ができるドライエッチング装置及び被加工物の加工方法を提供する。 - 特許庁

At the time of removing a part of the silicon film 8 contacted with one of both side surface of the gate electrode 3, the parts of the film 8 other than the part to be removed are covered with a resist mask 11 and then subjected to a chemical dry etching process.例文帳に追加

多結晶シリコン膜８のうち、ゲート電極３の両側面のうちの一方の側面に接触する部分を除去する際、多結晶シリコン膜８の除去すべき部分以外の部分をレジストマスク１１で覆い、ケミカルドライエッチングによるエッチングを行う。 - 特許庁

The dry etching exhaust gas treating device, wherein a processing agent and an absorbent medium are loaded in stratified state in a container having an exhaust gas introducing inlet at a lower portion and a treating gas discharging outlet and an indicator at an upper portion, is provided.例文帳に追加

本発明の課題は、排ガス導入口を下部、処理ガス導出口及びインジケーターを上部に備えた容器に、反応処理剤及び吸着剤を層状に充填されていることを特徴とする、ドライエッチング排ガス処理装置によって解決される。 - 特許庁

A contact hole 12a is first formed by performing dry etching on an interlayer insulator film 12, thereafter, a barrier layer 14 consisting of TiN and an adhesive layer 15 consisting of Ti are sequentially deposited over the entire surface including the bottom surface and peripheral surface of the contact hole 12a.例文帳に追加

まず、層間絶縁膜１２に対してドライエッチングを行なってコンタクトホール１２ａを形成し、その後、該コンタクトホール１２ａの底面及び周面を含む全面にわたって、ＴｉＮよりなるバリア層１４及びＴｉよりなる密着層１５を順次堆積する。 - 特許庁

By performing dry etching which mainly has physical sputtering action after formation of the polycrystalline silicon layer 19, a surface convex part is deleted by the physical sputtering action and embedded in a recessed part, so that the surface of the polycrystalline silicon layer 19 is smoothed.例文帳に追加

多結晶シリコン層１９の形成後、主として物理的なスパッタリング作用をもつドライエッチングを施すことにより、物理的なスパッタリング作用により表面の凸部が削られて凹部へと埋め込まれて、多結晶シリコン層１９の表面が平滑化される。 - 特許庁

To provide a positive resist composition satisfying the requirements of wide exposure latitude, reduction in line edge roughness, a desirable pattern configuration and dry etching resistance and giving a pattern with few defects after development, and to provide a method for forming a pattern by use of the above composition.例文帳に追加

広い露光ラチチュード、ラインエッジラフネスの低減、良好なパターン形状及びドライエッチング耐性を満たし、更に現像後の欠陥が少ないパターンを形成することができるポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法を提供すること。 - 特許庁

The dry etching of a conductive film is performed by plasma generated through the ECR resonance of an electromagnetic wave and a magnetic field which are generated by supplying UHF power to a micro strip line 4 installed on the face on the atmospheric side of a dielectric 2 to separate the inside and outside of a vacuum.例文帳に追加

真空の内外を分離する誘電体２の大気側の面に設置されたマイクロストリップライン４にUHF電力を供給することによって発生した電磁波と磁場のECR共鳴によってプラズマを生成し、このプラズマにより導電膜のドライエッチングを行う。 - 特許庁

To provide an actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition capable of forming a pattern simultaneously satisfying high sensitivity, high resolution and good dry etching resistance even in the formation of an isolated pattern, to provide a resist film using the composition, and to provide a pattern forming method.例文帳に追加

孤立パターンの形成においても、高感度、高解像性、及び、良好なドライエッチング耐性を同時に満足したパターンを形成できる感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、これを用いたレジスト膜、及びパターン形成方法を提供する。 - 特許庁

To provide an actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition which is excellent in sensitivity, roughness characteristics, the resolution and dry etching resistance of an isolated pattern and enables a pattern of good configuration to be formed, and to provide a pattern forming method using the actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition.例文帳に追加

感度、ラフネス特性、孤立パターンの解像性及びドライエッチング耐性に優れ、且つ良好な形状のパターンを形成可能とする感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、及びそれを用いたパターン形成方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a mold for imprinting, smoothly performing dry etching on a hard mask layer and forming a fine pattern with a high pattern precision, to provide a mold with unremoved a remaining hard mask layer, to provide a method for manufacturing the mold with unremoved remaining hard mask layer, and to provide mask blanks.例文帳に追加

ハードマスク層に対するドライエッチングの進行をスムーズに行うことができ、高いパターン精度で微細パターンを形成するインプリント用モールドの製造方法、残存ハードマスク層除去前モールドおよびその製造方法、ならびにマスクブランクスを提供する。 - 特許庁

This method for manufacturing such a porous polyimide body, related to the method for improving an air permeation rate, as is obtained by use of a polyimide solution or a polymic acid solution and by means of a solvent substitution induced-phase separation method or a thermally induced-phase separation method, is characterized by dry-etching treatment.例文帳に追加

ポリイミド溶液若しくはポリミック酸溶液を用いて溶媒置換誘起相分離法若しくは熱誘起相分離法により得られるポリイミド多孔質体をドライエッチング処理することを特徴とするポリイミド多孔質体の通気速度向上方法に関する。 - 特許庁

The new method for manufacturing the structure comprises the steps of: preparing a film in which a first material containing a noble metal is dispersed in a second material; and removing the second material in the film by dry etching.例文帳に追加

本発明に係る新規製造方法は、貴金属を含み構成される第１の材料が、第２の材料に分散している膜を用意する工程、及び前記膜中の前記第２の材料をドライエッチングにより除去する工程を有することを特徴とする。 - 特許庁

An Ru film 30, deposited on the sidewalls and bottoms of holes 27 as a lower electrode material, is removed from the outside of the holes 27 by isotropic dry etching in a gaseous atmosphere containing ozone gas, after the Ru film 30 formed in the holds 27 is covered with a photoresist film 31.例文帳に追加

孔２７の側壁および底面に堆積した下部電極材料であるＲｕ膜３０をフォトレジスト膜３１で覆い、オゾンガスを含むガス雰囲気中において等方性ドライエッチングを施すことによって、孔２７の外部のＲｕ膜３０を除去する。 - 特許庁

A polycrystal Si to be a heating resistor section, an interbedded insulation film 36, a metallic wiring pattern layer and a surface protection film 41 are formed on an SI substrate, then the interbedded insulation film 36 and surface protection film 41 are removed by a dry-etching method to open a pit 8 to form an opening.例文帳に追加

Ｓｉ基板上に発熱抵抗体部となる多結晶Ｓｉ、層間絶縁膜３６、金属配線層、表面保護膜４１などを形成後、層間絶縁膜３６および表面保護膜４１をドライエッチングによって除去し、ピット８を開口させる。 - 特許庁

To provide a resist stripper composition by which a resist residue left after dry etching and ashing treatment in the wiring steps of semiconductor devices such as an IC, an LSI and liquid crystal panel elements is completely removed at low temperature and in a short period of time, and corrosion of a material is reduced.例文帳に追加

ＩＣやＬＳＩ等の半導体素子や液晶パネル素子の配線工程におけるドライエッチングやアッシング後に残存するレジスト残渣物を、低温、短時間で完全に除去でき、且つ材質の腐蝕の少ないレジスト用剥離液組成物を提供すること。 - 特許庁

To prevent a lower electrode layer surface from forming a natural oxide film and to promote growing of hemisphere crystal particles by controlling a silicon dangling bond on the surface of an amorphous silicon layer which was made dry etching by a lower electrode layer pattern to increase immigration of silicon and to grow hemisphere crystal particles.例文帳に追加

半球形結晶粒子を有するキャパシタにおいて、下部電極層の表面に自然酸化膜が形成されないようにするとともに半球形結晶粒子の成長を増進させ得る半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

A peripheral sacrifice layer 105 of a contact electrode 106 is removed by dry etching through a first opening part 108 with a second opening part 109 stopped up with resist pattern, thereby forming a space 110 partly on a lower electrode 103.例文帳に追加

レジストパターンにより第２開口部１０９がふさがれた状態とし、第１開口部１０８を介したドライエッチングにより、接点電極１０６周辺の犠牲層１０５を除去し、下部電極１０３上の一部に空間１１０が形成された状態とする。 - 特許庁

After that, the silicon oxide film 43 is removed by etching, and then the conductive base film 42 is dry etched using the Pt film 45 as a mask, thereby forming a lower electrode of a capacitive element composed of the Pt film 45 and the conductive base film 42 remained under thereof.例文帳に追加

その後、酸化シリコン膜４３をエッチングで除去した後、Ｐｔ膜４５をマスクにして導電性下地膜４２をドライエッチングすることにより、Ｐｔ膜４５とその下部に残った導電性下地膜４２とで容量素子の下部電極を形成する。 - 特許庁

Thereafter, the p-type GaN substrate 7 is turned into a thin film so as to be restrained from increasing in resistance and turned to a p-type GaN electrode forming region 8 (Figure 1 (d)), and a p-type electrode 11 and an n-type electrode 12 are formed using evaporation, lithography, and dry etching (Figure 1 (e)).例文帳に追加

その後、抵抗値を抑えるためにｐ型ＧａＮ基板７を薄膜化してｐ型ＧａＮ電極形成領域８とし（図１（ｄ））、ｐ型電極１１およびｎ型電極１２を、蒸着、リソグラフィ、ドライエッチングを用いて形成する（図１（ｅ））。 - 特許庁

In the dry etching method, gallium-nitride compound layers 22-24, sapphire substrates 21 or alumina substrates are etched by plasma 26 generated from a reaction gas containing chlorine gas and gas of a compound (such as chloroform, dichloromethane, etc.), represented by a chemical formula C_xH_yCl_z, in which each of x, y, and z is a positive integer.例文帳に追加

塩素ガスと、x、y及びzが正の整数である化学式C_xH_yCl_zで表される化合物（クロロホルム、ジクロルメタン等）のガスとを含む反応ガスから生成したプラズマ２６により、窒化ガリウム系化合物層２２〜２４、サファイア基板２１もしくはアルミナ基板をエッチングする。 - 特許庁

In this case, the imprint mold is manufactured by a method wherein a resist is formed on the substrate and a plurality of recessed and projected patterns with different depths are formed on the resist to effect dry etching treatment from the surface of the resist with a plurality of recessed and projected patterns formed thereon toward the substrate.例文帳に追加

また、基板上にレジストを形成し、レジストに深さを異ならせた複数の凹凸パターンを形成し、複数の凹凸パターンを形成した前記レジストの表面から基板に向かってドライエッチング処理を行うことを特徴とするインプリントモールドの製造方法。 - 特許庁

A tapered aperture 101 is formed in an SiO_2 insulating film 10 by performing anisotropic dry etching thereof by using a first resist film 11, and a second resist film 12 having an aperture smaller than that of the first resist film 11.例文帳に追加

第１のレジスト膜１１と、第１のレジスト膜１１の開口よりも小さな開口を有する第２のレジスト膜１２とを用いて、ＳｉＯ_２絶縁膜１０を異方性ドライエッチングによってエッチングして、ＳｉＯ_２絶縁膜１０にテーパ状の開口部１０１を形成する。 - 特許庁

The surface of the substrate 1 is exposed by removing the film 2 by performing the dry etching treatment of about 15 s of a time by using a gas containing, for example, CF_4 and O_2 with the pattern 3 as a mask on the exposed film 2.例文帳に追加

そのレジストパターン３をマスクとして、たとえばＣＦ_4とＯ_2とを含むガスを用いて時間約１５秒間のドライエッチング処理を、露出している有機ＡＲＣ膜２に施すことにより、有機ＡＲＣ膜２を除去して半導体基板１の表面を露出する。 - 特許庁

A surface channel layer 5, a gate oxide film 6, a gate electrode 7, etc. are sequentially formed, thereafter they are patterned by dry etching, and contact holes for connecting the n+ type source regions 4 to a source electrode are formed simultaneously with the patterning of the gate electrode 7.例文帳に追加

さらに、表面チャネル層５、ゲート酸化膜６、ゲート電極７等を順に形成したのち、これらをドライエッチングによってパターニングし、ゲート電極７のパターニングと同時にｎ+型ソース領域４とソース電極との接続を行うためのコンタクトホールを形成する。 - 特許庁

To provide a dry type removing device that can decrease the replacement frequency of a removing agent and reduce power consumption in the removal of perfluoro compound (PFC) exhaust gas that is discharged when a (PFC) gas is used for cleaning and etching silicon and tungsten.例文帳に追加

パーフルオロコンパウンド（ＰＦＣ）ガスを、シリコンやタングステンのクリーニングまたはエッチングに使用したときに排出される、ＰＦＣ排出ガスの除去において、除去剤の交換頻度を少なくし、更に消費電力量を低減できる乾式除去装置を提供する。 - 特許庁

To provide a method of producing electronic parts at low cost without using organic solvent which involves disposal problem, the method employing wet etching polyimide insulation layer of sheet laminate using dry film, the laminate having a conductive inorganic layer and an insulation layer.例文帳に追加

導電性無機物層、絶縁層を有する枚葉の積層体のポリイミドの絶縁層をドライフィルムを用いたウェットエッチングにより電子部品を製造するのに、低コストで、廃棄処理に問題のある有機溶剤を使用することがなく製造する方法を提供する。 - 特許庁

To provide a chemically amplified photoresist composition having high transparency to ArF excimer laser, exhibiting excellent sensitivity, resist pattern shape, dry etching resistance and adhesion, having a great affinity for an alkali and capable of giving a good resist pattern by paddle development.例文帳に追加

ＡｒＦエキシマレーザーに対する透明性が高く、かつ優れた感度、レジストパターン形状、耐ドライエッチング性及び密着性を示すとともに、アルカリに対する親和性が高く、パドル現像により良好なレジストパターンを与えうる化学増幅型ホトレジスト組成物を提供する。 - 特許庁

The semiconductor laser element 100 includes an active layer 5 made of a nitride-based semiconductor, an upper clad layer 8 formed on the active layer 5, and a ridge portion 11 formed by dry-etching the upper clad layer 8 up to a halfway depth.例文帳に追加

この半導体レーザ素子１００は、窒化物系半導体からなる活性層５と、活性層５上に形成された上部クラッド層８と、上部クラッド層８の途中の深さまでドライエッチングされることによって形成されたリッジ部１１とを備えている。 - 特許庁

To obtain a new fluoropolymeric compound excellent in transparency to radiations of ≤200 nm wavelength, especially ≤160 nm wavelength, adhesion to substrate, affinity for developing liquid, dry etching resistance, or the like, thus useful as a base resin for radiation-sensitive resists.例文帳に追加

波長２００ｎｍ以下、特に波長１６０ｎｍ以下の放射線に対する透明性、基板密着性、現像液親和性、ドライエッチング耐性等の性能に優れる感放射線レジスト用のベース樹脂として有用な新規含フッ素高分子化合物の提供。 - 特許庁

Then, relatively wide sidewalls A, B and E and relatively narrow sidewalls C and D are formed by sequentially removing the silicon oxide film 57, with the silicon nitride film 56 and the silicon oxide film 55 being formed on the semiconductor substrate 20 through anisotropic dry etching.例文帳に追加

その後、半導体基板２０上に形成されている酸化シリコン膜５７、窒化シリコン膜５６、酸化シリコン膜５５を異方性ドライエッチングで順次除去することにより、相対的に幅の広いサイドウォールＡ、Ｂ、Ｅと相対的に幅の狭いサイドウォールＣ、Ｄを形成する。 - 特許庁