「Dry etching」に関連した英語例文の一覧と使い方(44ページ目) - Weblio英語例文検索

To reduce warpages and curls of an optical wiring layer by relaxing stresses exerting on the optical wiring layer and to form optical elements such as a waveguide pattern, a mirror and a diffraction grating by using dry etching, a dicing saw and an electron beam exposure of the like to a minimum.例文帳に追加

光配線層にかかる応力を緩和し、光配線層のそりやまるまりを抑えることを第１の課題とし、ドライエッチングや、ダイシングソー、電子線露光などをなるべく用いずに導波路パターンや、ミラーや回折格子といった光学素子を形成することを第２の課題とする。 - 特許庁

By using the dry etching agent including at least one kind selected from a group comprising 3, 3, 3-trifluoropropyne (A) and O_2, O_3, CO, CO_2, COCl_2, and COF_2 (B), oxide, nitride, carbide, fluoride, oxyfluoride, silicide, their alloy, and the like can be etched ideally.例文帳に追加

（Ａ）３，３，３−トリフルオロプロピンと、（Ｂ）Ｏ_２、Ｏ_３、ＣＯ、ＣＯ_２、ＣＯＣｌ_２、及びＣＯＦ_２からなる群より選ばれる少なくとも１種のガスを含むドライエッチング剤を用いることにより、酸化物、窒化物、炭化物、フッ化物、オキシフッ化物、シリサイド及びこれらの合金等を好適にエッチングできる。 - 特許庁

To provide a resist laminated body adaptable to exposure in the far ultraviolet region, excellent in adhesion between the 1st and 2nd layers, having high resolving power, capable of forming a resist pattern having superior dry etching resistance, processable at a high temperature in a short time and excellent also in suitability to production.例文帳に追加

遠紫外領域の露光に対応し得、第１層と第２層との密着性が優れ、高い解像力を有し、優れたドライエッチング耐性を有するレジストパターンを形成することができ、さらに、短時間での高温処理が可能であり、製造適性にも優れるレジスト積層物を提供すること。 - 特許庁

To provide a wiring structure of simple wiring process, for improving wiring reliability, and realizing cost reduction, where a minute wiring structure is formed without the use of dry-etching or ashing process with a wiring groove, related to a fine multilayer interconnection of a semiconductor device.例文帳に追加

半導体装置における微細な多層配線において、配線溝のドライエッチングやアッシングプロセスを用いることなく、微細な配線構造の形成が可能であって、配線工程の簡略化、配線信頼性向上、低コスト化を同時に達成する配線構造を提供する。 - 特許庁

To provide a dry etching method of gallium nitride based compound semiconductor such that a smooth etched-surface still can be obtained in a lower degree of vacuum (high pressure) of 10^-3 Pa order, and which can further make aluminum oxide etch, such as a sapphire substrate or an alumina substrate.例文帳に追加

10^-3Paオーダーという比較的低い真空度（高い圧力）でも平滑なエッチング面が得られるような窒化ガリウム系化合物半導体のドライエッチング方法であって、更にサファイア基板やアルミナ基板といったアルミ酸化物までエッチング可能なドライエッチング方法を提供する。 - 特許庁

In a micromachining process using a sacrificial layer 103 to manufacture a microstructure floating over a substrate, the manufacturing method of a microstructure includes a step of laminating an anti-sticking film 101 removable by dry etching before or after the lamination of the sacrificial layer.例文帳に追加

基板から浮上する微細構造物を製造するために犠牲層１０３を利用するマイクロマシニング工程において、上記犠牲層の積層前後に乾式エッチングにより除去可能な粘着防止膜１０１を積層する段階を含む微細構造物の製造方法が提供される。 - 特許庁

The conductor paste is favorably applied to form the address electrode of PDP manufactured in such a manner that a partition of a predetermined pattern is formed by chemical etching performed with the address electrode covered with the protective layer (for example, a resist layer formed by dry film resist).例文帳に追加

かかる導体ペーストは、アドレス電極を保護層（例えばドライフィルムレジストにより形成されたレジスト層）で覆った状態で行われる化学エッチングによって所定パターンの隔壁を形成する態様で製造されるＰＤＰのアドレス電極を形成する用途に好適である。 - 特許庁

On a high dielectric constant gate insulation film 5, a first gate electrode layer 6 containing a metal having a work function capable of controlling the threshold voltage of a transistor is deposited, and a second gate electrode layer 7, composed of a material being machined easily in the vertical direction by dry etching, is deposited on the first gate electrode layer 6.例文帳に追加

高誘電率ゲート絶縁膜５上に、トランジスタの閾値電圧を制御できる仕事関数を有する、金属を含む第１ゲート電極層６を堆積し、第１ゲート電極層６上にドライエッチングで垂直に加工し易い材料からなる第２ゲート電極層７を堆積する。 - 特許庁

When a contact hole 13 is to be formed with plasma dry-etching process of an insulation film 11 formed on a silicon substrate 10 within an evacuable chamber, pressure within the chamber (point a) is raised to make small the pressure difference from the pressure at the points (b, c, d, e) within the contact hole 13 under formation.例文帳に追加

減圧可能なチャンバー内でシリコン基板１０上の絶縁膜１１をプラズマドライエッチング処理してコンタクトホール１３を形成する際に、前記チャンバー内（ａ点）の圧力を、形成されつつあるコンタクトホール１３の内部（ｂ，ｃ，ｄ，ｅ点）との圧力差が小さくなるように上昇させる。 - 特許庁

To provide a resist composition excellent in transparency to radiation and dry etching resistance and capable of forming a resist pattern excellent in resolution, sensitivity, flatness and heat resistance, and to provide a method for manufacturing a semiconductor device with a fine pattern having a high degree of integration using the resist composition.例文帳に追加

放射線に対する透明性、ドライエッチング耐性に優れ、解像度、感度、平坦性、耐熱性に優れるレジストパターンを形成できるレジスト組成物、ならびに、該レジスト組成物を用いる微細で集積度の高いパターンを持つ半導体装置の製造方法の提供。 - 特許庁

By performing dry etching to the film by the metal mask 5 having a first tilt angle, a conductive section 6 formed on the surface of the base material 1 is exposed, and a hole having a second tilt angle according to the first tilt angle to the conductive section 6 of the open side face 5a is formed.例文帳に追加

第１の傾斜角度を有する金属マスク５を用いて膜をドライエッチングすることで、基材１の表面に形成された導電部６を露出させるとともに、開口側面５ａが導電部６に対して第１の傾斜角度に応じた第２の傾斜角度を有する孔を形成する。 - 特許庁

To provide an actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition satisfying demands for a wide exposure latitude, reduction of a skirt-like pattern profile, favorable pattern features and excellent dry etching durability, and allowing formation of a pattern having fewer defects after development, and to provide a method for forming a pattern by using the composition.例文帳に追加

広い露光ラテテュード、パターン裾引き低減、良好なパターン形状、優れたドライエッチング耐性を満たし、更に現像後の欠陥が少ないパターンを形成することができる感活性光線性または感放射線性樹脂組成物及びそれを用いたパターン形成方法の提供。 - 特許庁

To provide a radiation sensitive resin composition having high sensitivity, high resolution and a high radiation transmittance, excellent in smoothness of a pattern surface in micropattern and capable of preventing partial insolubilization in overexposure without impairing basic solid state properties as a resist such as pattern shape, dry etching resistance and heat resistance.例文帳に追加

パターン形状、ドライエッチング耐性、耐熱性等のレジストとしての基本物性を損なわずに、高感度、高解像度で、放射線透過率が高く、微細寸法でのパターン表面の平滑性に優れ、かつ過露光時の部分不溶化を解消しうる感放射性樹脂組成物を提供する。 - 特許庁

A board 1 formed of silicon or silicon carbide in which a protective film is formed in a specified part of a surface is heated at 500°C or higher and 1,000°C or lower and a part in which a protection film of the board 1 is not, is formed, being subjected to dry etching by supplying hydrogen fluoride gas together with the atmospheric gas.例文帳に追加

表面の所定部分に保護膜２が形成された珪素又は炭化珪素からなる基板１を５００℃以上１０００℃以下に加熱し、フッ化水素ガスを雰囲気ガスと共に供給して基板１の保護膜２が形成されていない部分をドライエッチングする。 - 特許庁

Through-holes 72 are formed in an optical fiber mounting base material 71 consisting of silicon by using dry etching, and the optical fiber mounting member 70 mounted with the optical fiber 74 in the through-hole 72 is adhesively fixed in an aperture 68 of the substrate main body 55, and the optical element 80 is mounted on the substrate main body 55.例文帳に追加

ドライエッチングを用いてシリコンからなる光ファイバ装着用基材７１に貫通穴７２を形成し、貫通穴７２に光ファイバ７４が装着された光ファイバ装着部材７０を基板本体５５の開口部６８に接着固定し、基板本体５５に光素子８０を実装する。 - 特許庁

Then, a concave part 10b is formed by dry etching using the silicon substrate 12 as a mask after removing resin 12.例文帳に追加

この後、開口部１１ｂに樹脂１２を塗布した状態で、湿式エッチング法によってピンホール１１ａから略等方的にシリコン基板１０をエッチングして半球状の凹曲面部１０ａを形成し、その後、樹脂１２を除去してから、シリコン基板１３をマスクとしてドライエッチングによって凹部１０ｂを形成する。 - 特許庁

Then, after connection holes 32 and 34 respectively corresponding to the source and drain regions 24 and 26 are formed in the interlayer insulating film 28 by photolithography and dry etching, fluorine ions F^+ are injected into the source and drain regions 24 and 26 respectively through the connection holes 32 and 34.例文帳に追加

ホトリソグラフィ及びドライエッチング処理によりソース領域２４及びドレイン領域２６にそれぞれ対応する接続孔３２及び３４を絶縁膜２８に形成した後、接続孔３２及び３４をそれぞれ介してソース領域２４及びドレイン領域２６にフッ素イオンＦ^＋を注入する。 - 特許庁

To provide a safe and simple remover composition having excellent performance to remove photoresist residue after dry etching of a ferroelectric thin film in a step for manufacturing a ferroelectric memory and having no corrosive action on ferroelectric materials, other wiring materials, insulating films, etc.例文帳に追加

強誘電体メモリ−の製造工程において、強誘電体薄膜のドライエッチング後のフォトレジスト残渣に対し、その除去性に優れ、かつ強誘電体材料や他の配線材料、絶縁膜等への、腐食性がなく、安全で簡便な剥離剤組成物を提供すること。 - 特許庁

A crystal substrate 70 and an auxiliary substrate 72 are successively dry-etched from a second surface 70b side of the crystal substrate 70 in a state where the auxiliary substrate 72 having approximately the same etching rate as the crystal substrate 70 is bonded to a first surface 70a of the crystal substrate 70.例文帳に追加

水晶基板７０の第１面７０ａに、水晶基板７０と略同一のエッチングレートを有する補助基板７２が接合された状態で、水晶基板７０の第２面７０ｂ側から、水晶基板７０および補助基板７２を連続してドライエッチングすることを特徴とする。 - 特許庁

To provide a polyurethane adhesive composition for a dry laminate, which does not cause yellowing and whitening when using a ferric chloride solution and a sodium hydroxide solution at etching processing, and has sufficient adhesiveness when laminating a PET film and copper foil; and to provide a laminated film using the composition.例文帳に追加

エッチング加工時に塩化第二鉄溶液や水酸化ナトリウム溶液にて，黄変したり白化したりすることがなく，ＰＥＴフィルムと銅箔をラミネートするにあたって十分な接着性を有するドライラミネート用ポリウレタン接着剤組成物およびこれを使用した積層フィルムを提供することにある。 - 特許庁

To provide a method for forming a negative pattern which is transparent in the far UV region including 193 nm wavelength of ArF excimer laser light, which has a chemical structure with high durability against dry etching and shows excellent resolution without swelling in a 2.38% tetramethylammonium hydroxide aqueous solution as a standard developer.例文帳に追加

ＡｒＦエキシマレーザーの波長１９３ｎｍを含む遠紫外線領域で透明で、かつドライエッチング耐性も高い化学構造を持ちながら、標準現像液である２．３８％テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液で、膨潤のない解像性能の優れたネガ型のパタン形成方法を提供する。 - 特許庁

To provide a monomer for producing a resin for a resist, the resin being used in a photosensitive composition which can form a resist pattern having high dry etching resistance and excellent transparency to short wavelength light, good resolving properties with an alkaline development, and high adhesiveness.例文帳に追加

短波長光に対する透明性が優れるとともに高いドライエッチング耐性を備え、かつアルカリ現像で解像性の良好で密着性の高いレジストパターンを形成することができる感光性組成物に用いることができるレジスト用樹脂を製造するためのモノマーの提供。 - 特許庁

The field electron emission element is fabricated by fabricating a catalytic metal layer for carbon nanotubes, an insulating layer, and a laminated film of metal layers in this order on a substrate, providing an opening exposing the catalytic metal layer for carbon nanotubes by photolithography and dry etching, and developing carbon nanotubes.例文帳に追加

基板上にカーボンナノチューブの触媒金属層と絶縁層と金属層の積層膜とをこの順番に作製し、その後フォトリソグラフィーとドライエッチングによりカーボンナノチューブの触媒金属層を露出させる開口を設け、カーボンナノチューブを成長し電界電子放出素子を作製する。 - 特許庁

The means is to spray heated and vaporized functional water, which is ozone water obtained by forcing ozone gas be contained in deionized water, or which is ozone water obtained by electrolyzing deionized water onto the substrate after the dry etching, and to execute plasma processing to remove the photoresist film on the substrate surface.例文帳に追加

その手段は機能水としてオゾンガスを超純水に含有させて成るオゾン水や超純水を電気分解して得たオゾン水を用い、加熱・水蒸気化したものを前記ドライエッチング後の基板に噴霧、プラズマ処理することで、基板表面のフォトレジスト膜を除去するものである。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a semiconductor device capable of surely preventing short-circuit defects without generating deposited foreign matters when removing a side wall formed when using fluorine-based gas for dry-etching a metal film containing titanium, and the semiconductor device.例文帳に追加

チタンを含む金属膜のドライエッチにフッ素系ガスを使用する際に形成される側壁を除去する際に析出異物が生成されることがなく、短絡不良の発生を確実に防止することができる半導体装置の製造方法及び半導体装置を提供する。 - 特許庁

The method for preparing the oxide thin film transistor having a substrate, a gate electrode, a gate insulating film, a source electrode, a drain electrode, and a semiconductor thin film includes a step for patterning the gate insulating film or the semiconductor thin film through the helicon plasma dry etching process.例文帳に追加

基板とゲート電極とゲート絶縁膜とソース及びドレイン電極と半導体薄膜とを含む酸化物薄膜トランジスタの製造方法において、ゲート絶縁膜又は半導体薄膜は、特定エッチングガスを使用するヘリコンプラズマ乾式工程を通じてパターン化されるステップを含んでいる。 - 特許庁

(1) The method for disposal of the optical recording medium utilizes a dry etching means on the occasion of recovering the polycarbonate resin by removing a metal layer and an ultraviolet-curing resin layer from the optical recording medium having these layers on a polycarbonate resin base.例文帳に追加

（１）ポリカーボネート樹脂基板上に金属層及び紫外線硬化樹脂層を有する光記録媒体から、金属層及び紫外線硬化樹脂層を除去して、ポリカーボネート樹脂を回収するに際し、乾式エッチング手段を利用することを特徴とする光記録媒体の処理方法。 - 特許庁

To provide an antireflection film for lithography having a high antireflection effect, free of intermixing with a photoresist layer, giving an excellent photoresist pattern, having a higher dry etching rate than the photoresist and ensuring a larger margin for the depth of a focus and higher resolution than a conventional antireflection film.例文帳に追加

反射光防止効果が高く、フォトレジスト層とのインターミキシングが起こらず、優れたフォトレジストパターンが得られ、フォトレジストに比較して大きなドライエッチング速度を有し、従来より広いフォーカス深度マージン及び高い解像度を有するリソグラフィー用反射防止膜を提供するものである。 - 特許庁

To provide a nanoimprint mold manufacturing method and a resist pattern formation method capable of preventing a resist pattern shape from deteriorating even in an atmosphere in which oxygen exists and forming a fine transfer pattern in means for improving dry etching resistance of a resist pattern via electron beam irradiation.例文帳に追加

電子線照射によるレジストパターンのドライエッチング耐性を向上させる手段において、酸素が存在する雰囲気中でも、レジストパターンの形状劣化を防止し、微細な転写パターンを形成することを可能とするナノインプリント用モールドの製造方法およびレジストパターンの形成方法を提供する - 特許庁

SiO_2 or the like is arranged apart from a floating plane, and coil resistance and TRP (thermal protrusion) by environment temperature of the perpendicular magnetic head are reduced in addition to easiness of working a slider by using a low resistance coil 8 adopting physical etching such as dry-etch and forming the floating plane with alumina.例文帳に追加

ＳｉＯ_２等は浮上面から離して配置し、かつ、ドライエッチ等の物理エッチングを適用した低抵抗コイル８とし、浮上面はアルミナとすることにより、スライダー加工を容易にしするのに加えて、垂直磁気ヘッドのコイル抵抗および環境温度によるＴＰＲ（サーマルプロトリュージョン）を低減した。 - 特許庁

To ensure through passage of a contact regardless of the disturbance such as aged changes, etc., by seeing that etch stop does not occur, suppressing the fluctuation of the contact form such as a taper angle, etc., and further, preventing excessive overetching, in a semiconductor manufacturing device which performs the dry etching for forming a minute contact hole.例文帳に追加

微細なコンタクトホールを形成するためのドライエッチングを行う半導体製造装置において、“エッチストップ”が生じないようにし、また、テーパー角などコンタクト形状の変動を抑制し、さらに、過度のオーバーエッチングを防ぎ、経時変化等の外乱に関わらずコンタクトの抜け性を確保する。 - 特許庁

In removing the wafer peripheral edge part by the dry etching, the wafer is not pressed from above by using a clamp to fix, but the wafer is mounted on a stage of an electrostatic absorption system and is absorbed and held from a rear surface, and the silicon nitride film on the wafer peripheral edge part is completely removed.例文帳に追加

ウエハ周縁部をドライエッチングで除去する際には、ウエハを固定するためにクランプを用いて上方から押さえるのではなく、ウエハを静電吸着方式のステージ上に搭載して裏面から吸着保持することにより、ウエハの周縁部上の窒化シリコン膜を完全に除去する。 - 特許庁

After a via-hole 106 is formed to the second insulating film 104 and first insulating film 103 through the sequential dry-etching to the second insulating film 104 and the first insulating film 103, the via-hole 106 is filled with a conductive material to form a via contact 107.例文帳に追加

第２の絶縁膜１０４及び第１の絶縁膜１０３に対して順次ドライエッチングを行なって、第２の絶縁膜１０４及び第１の絶縁膜１０３にヴィアホール１０６を形成した後、該ヴィアホール１０６に導電性材料を充填してヴィアコンタクト１０７を形成する。 - 特許庁

In the method for patterning, a photo-curable resin 24 is applied on a face of the member 10 to be etched with the hollow 13 on which the dry etching is applied, and a mold 50 having a pattern corresponding to a mask 24a with taper-shaped side face to be formed on the member to be etched is pressed on the photo-curable resin.例文帳に追加

空洞１３を有する被エッチング部材１０のドライエッチングを施す面に光硬化性樹脂２４を付与し、被エッチング部材上に形成すべきテーパー形状の側面を有するマスク２４ａに対応したパターンを有するモールド５０を光硬化性樹脂に押し付ける。 - 特許庁

To provide an actinic ray- or radiation-sensitive resin composition which simultaneously satisfies sensitivity, resolution, pattern shape, line edge roughness and dry etching resistance, in lithography especially using an electron beam, an X-ray or an EUV ray, and to provide a resist-film and pattern formation method utilizing the same.例文帳に追加

特に電子線、Ｘ線又はＥＵＶ光を用いるリソグラフィーにおいて、感度、解像力、パターン形状、及びラインエッジラフネス、ドライエッチング耐性を同時に満足する感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物並びにそれを用いたレジスト膜及びパターン形成方法を提供する。 - 特許庁

Thereafter, in the dry etching process of the second stage, a mixture gas of CF_4 and O_2 is used, a bottom part 4R of the hole 4a is removed in a state where pressure in the reaction chamber is set to 50-1,000 Pa, and the upper surface of the carbon nanotube layer 3 is exposed.例文帳に追加

その後、第２段階のドライエッチング工程においては、ＣＦ_4およびＯ_2の混合ガスが用いられ、反応室内圧力が５０以上１０００Ｐａ以下に設定されている状態で、ホール４ａの底面部４Ｒが除去され、カーボンナノチューブ層３の上面が露出する。 - 特許庁

The mixed gas in the dry etching advancing process is prepared by mixing the fluorocarbon gas of 5-12 volume is mixed into the SF_6 gas of 100 volume, and the mixed gas in the protective film forming process is prepared by mixing the SF_6 of 2-5 volume into the fluorocarbon gas of 100 volume.例文帳に追加

ドライエッチング進行工程における混合ガスは、ＳＦ_６ガス１００容量に対してフロロカーボンガスを５〜１２容量混合させたものとし、保護膜形成工程における混合ガスを、フロロカーボンガス１００容量に対してＳＦ_６ガスを２〜５容量混合させたものとされる。 - 特許庁

To provide a composite ring for mounting a silicon wafer in which the trend of increasing diameter of silicon wafer can be dealt with, contamination with impurities is prevented while using an inexpensive material, thermal strain is prevented by enhancing the cooling efficiency and the yield of silicon wafer is enhanced, and to provide a dry etching system comprising it.例文帳に追加

シリコンウェハーの大口径化に対応でき、安価な材料を用いながら、不純物汚染を防止し、冷却効率がよく、熱歪が生じなく、シリコンウェハーの歩留まりが向上するという、シリコンウェハー搭載用複合リング及びそれを装着したドライエッチング装置の提供。 - 特許庁

To solve the problem that, recent years, as a wavelength used by an exposure device becomes short, it becomes difficult to use a material which has a benzene ring in a photoresist material, since the plasma resistance of a resist is very low, and it is difficult to consider as a dry etching mask to form a deep opening using the photoresist.例文帳に追加

近年、露光装置で用いられる波長が短くなるにつれて、フォトレジスト材料にベンゼン環をもった材料を使うことが困難となり、レジストのプラズマ耐性が極めて低く、ドライエッチングマスクとしフォトレジストを用いて深い開孔を形成することが困難である。 - 特許庁

To provide a piezoelectric resonator chip with high reliability capable of realizing high performance and high stability of the electric characteristics of a piezoelectric resonator by eliminating the effect of mask deviation in the case of executing frequency adjustment by means of dry etching, and to provide a frequency adjustment method for the piezoelectric resonator chip.例文帳に追加

ドライエッチングにより周波数調整する場合に、マスクずれの影響をなくし、圧電振動子の電気的特性の高性能化や高安定化が実現できるより信頼性の高い圧電振動片、および圧電振動片の周波数調整方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method and apparatus for efficiently treating a gas which contains a fluorocompound and carbon monoxide and is discharged e.g. in the step of dry cleaning the inside surface of a semiconductor production apparatus in the semiconductor industry or in the step of etching various formed films such as an oxide film.例文帳に追加

例えば、半導体工業で、半導体製造装置の内面等をドライクリーニングする工程や、酸化膜等の各種成膜をエッチングする工程などで排出されるフッ素含有化合物及びＣＯを含むガスを効率よく処理する方法及び装置を提供する。 - 特許庁

To provide a photosensitive composition having a low refractive index and also less development residue and allowing formation with high resolution of a pattern excellent in dry etching resistance, a pattern forming material, and a photosensitive film, a pattern formation method, a pattern film, a low refractive index film, an optical device and a solid imaging element using the same.例文帳に追加

屈折率が低く、更には、現像残渣が少なく、ドライエッチング耐性に優れたパターンを高解像度で形成可能な感光性組成物、パターン形成材料、並びに、これを用いた感光性膜、パターン形成方法、パターン膜、低屈折率膜、光学デバイス、及び、固体撮像素子を提供する。 - 特許庁

First and second thin films 13, 15 are so deposited in a region present on the outside of a device-forming region and inspecting holes 17 are so formed in the second thin film 15 via a mask by dry etching as to wet-etch in this state the first thin film 13, corresponding to the inspecting holes 17 by using the second thin film 15 as a mask.例文帳に追加

デバイス形成領域外に第１薄膜１３と第２薄膜１５とを堆積し、第２薄膜１５にマスクを介してドライエッチングにより検査穴１７を形成し、この状態で第２薄膜１５をマスクとして検査穴１７に対応する第１薄膜１３をウエットエッチングする。 - 特許庁

To provide a positive resist composition having satisfactory transparency when a source of light with 157 nm is used and excellent in sensitivity, resolution and dry etching resistance.例文帳に追加

１６０ｎｍ以下、特にＦ_2エキシマレーザー光（１５７ｎｍ）の露光光源の使用に好適なポジ型レジスト組成物を提供することであり、より具体的には１５７ｎｍの光源使用時に十分な透明性を示し、感度及び解像度、ドライエッチング耐性に優れたポジ型レジスト組成物を提供する。 - 特許庁

To provide an adamantane-based polymer having a high dry etching resistance and an excellent penetrating property to a lower wave length light, and especially suitable for a film-forming composition of a photoresist-forming component used for an ArF excimer laser light or a F2 excimer laser light, and a photoresist composition by using the same.例文帳に追加

高いドライエッチング耐性能と短波長の光に対して優れた透過性を有し、特にArFエキシマレーザー光やF_２エキシマレーザー光用などのフォトレジスト組成物の被膜形成成分として好適なアダマンタン系重合体、及びそれを用いたフォトレジスト組成物を提供すること。 - 特許庁